「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

The Ni film is dissolved and removed using mixed acid aqueous solution containing 15-25 wt.% of sulfuric acid and 5-15 wt.% of nitric acid when the Ni film formed on the surface of the mask member is removed from the mask member made of stainless steel used for forming the Ni film in a prescribed pattern on a substrate by a thin film formation technique.例文帳に追加

薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでＮｉ膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたＮｉ膜を除去するにあたり、硫酸を１５〜２５wt%、硝酸を５〜１５wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ｎｉ膜を溶解、除去することを特徴とする。 - 特許庁

This projection exposure method includes a step of exposing an exposure area of a radiation-sensitive substrate with at least one image of a pattern of a mask in a scanning operation which includes a step of moving the mask M relative to an effective object field of the projection objective PO and simultaneously moving the substrate relative to an effective image field of the projection objective in respective scanning directions.例文帳に追加

投影露光方法は、放射線感応基板の露光区域をマスクのパターンの少なくとも１つの像により、投影対物系の有効物体視野に対してマスクをかつ同時に投影対物系の有効像視野に対して基板をそれぞれの走査方向に同時に移動する段階を含む走査作動において露光する段階を含む。 - 特許庁

The laser crystallization method includes steps of: providing a substrate on which a silicon thin film is formed; positioning the laser mask composed of four blocks having a periodicity pattern including a plurality of transmission regions and one cut-off region on the substrate; and crystallizing the silicon thin film by emitting laser beams via the laser mask.例文帳に追加

レーザー結晶化方法は、シリコン薄膜が形成された基板を提供する段階と、前記基板上に、複数の透過領域及び１つの遮断領域を含む周期性パターンを有する４つのブロックにより構成されるレーザーマスクを位置させる段階と、前記レーザーマスクを介してレーザービームを照射して、前記シリコン薄膜を結晶化する段階とを含む。 - 特許庁

A cleaning device includes a carbon dioxide gas laser 12 that irradiates a pyrolytic contaminant depositing on a pattern face of a mask substrate 21 to which a pellicle 24 is attached, with a laser beam at a wavelength of 8 to 11 μm through the pellicle 24, so as to heat the mask substrate 21 by the laser beam projected and to remove the contaminant by pyrolysis.例文帳に追加

本発明の一態様に係る洗浄装置は、ペリクル２４が取り付けられたマスク基板２１のパターン面に付着した熱分解性の汚染物質に対して、ペリクル２４を介して波長８〜１１μｍのレーザ光を照射する炭酸ガスレーザ１２を備え、照射されたレーザ光によりマスク基板２１を加熱し、汚染物質を熱分解して除去する。 - 特許庁

An exposure mask 1 using extreme violet light for exposing a desired pattern on a body to be exposed by using the extreme violet light is configured with a stencil structure provided with an opening region 1a through which the extreme violet light made incident onto a mask surface from its vertical direction passes, and a shade area 1b for shading the extreme violet light.例文帳に追加

極短紫外光を用いて被露光体上に所望パターンを露光するための極短紫外光の露光用マスク１を、マスク表面に対して垂直方向から入射する極短紫外光を透過する開口領域１ａと、当該極短紫外光を遮蔽する遮光領域１ｂとを具備したステンシル構造によって構成する。 - 特許庁

To provide a reflective mask, capable of obtaining a reflection signal having sufficient contrast even for a reflective mask for EUV exposure, when detecting an alignment mark using a laser drawing device, thus forming a resist pattern for forming a light-shielding region with good position accuracy, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A mask oxidation film 318a is formed at a point at which the opening and the active region 302 intersect and at the same time, a buffer oxidation film 318b is formed on the element separation film 304 adjacent to the mask oxide film 318a by selectively oxidizing the buffer film exposed from the opening and the upper region of the conductive film pattern 310.例文帳に追加

開口部により露出されている緩衝膜および導電膜パターン３１０の上部領域を選択的に酸化させて開口部および活性領域３０２の交わる地点にマスク酸化膜３１８ａを形成すると共に、マスク酸化膜３１８ａに隣接した素子分離膜３０４上に緩衝酸化膜３１８ｂを形成する。 - 特許庁

When a gate electrode 8a is patterned, once a first gate electrode is extended through the upper part of a contact hole to the upper part of a gate insulating film 3 with a first photo resist film 21 as a mask, and then, etching in the transverse direction with a second photo resist film 22 as a mask to retreat a pattern to a desired position, a gate electrode 8a is formed.例文帳に追加

ゲート電極８ａをパターニング形成する際に、一旦、第１のホトレジスト膜２１をマスクにして最初のゲート電極をコンタクト孔上を経てゲート絶縁膜３上まで延在させた後、第２のホトレジスト膜２２をマスクにして横方向にエッチングして、所望位置までパターンを後退させてゲート電極８ａを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The pixels of sensor image data 4 are subjected to interpolation processing on reference to the output characteristic data C of a sensor 2 formed on the basis of the respective characteristics of the sensor 2 and a magnifying optical system 3 and a mask restoring filter 20 for acquiring sensor image data 28 acquired by restoring the pattern image formed on a mask 1 from the sensor image data 27 subjected to interpolation processing is provided.例文帳に追加

センサ２及び拡大光学系３の各特性に基づいて作成されたセンサ２の出力特性データＣを参照してセンサ画像データ４の画素を補間処理し、この補間処理されたセンサ画像データ２７からマスク１に形成されたパターンの像を復元したセンサ画像データ２８を取得するマスク復元フィルタ２０を設けた。 - 特許庁

This method comprises a first exposing process for exposing the substrate 12 via the mask 10 under the condition that a part of region including a defect D of the mask 10 is shielded from the light, and a second exposing process for drawing in direct a pattern with the exposure to the region on the substrate 12 corresponding to a part of region shielded in the first exposing process.例文帳に追加

この方法は、マスク１０の欠陥Ｄを含む一部領域を遮光した状態で、マスク１０を介して基板１２に対して露光を行う第１の露光工程と、第１の露光工程において遮光された一部領域に対応する基板１２上の領域に、直接露光により描画を行う第２の露光工程と、を備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises steps of forming a film 40 on a semiconductor substrate 10, forming a mask having a predetermined pattern on the film 40, etching the film 40 or the semiconductor substrate 10 using the mask, and conducting a treatment with a chemical containing at least one of primary to quarternary amines and fluorine.例文帳に追加

半導体基板１０上に膜４０を形成するステップと、膜４０上に、所定のパターンを有するマスクを形成するステップと、マスクを用いて、膜４０又は半導体基板１０にエッチングを行うステップと、第１級乃至第４級アミンのうちの少なくとも１つと、フッ素とを含む薬液によって処理を行うステップとを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

A method for forming a pattern includes a step of forming a film which comprises a pattern forming material containing a copolymer having a polystyrene derivative and a polymethacrylate derivative containing silsesquioxane, a step of forming a microphase separation structure in the film, and a step of etching the substrate with a phase of a polymer chain containing the silsesquioxane as a mask and transferring a pattern of the microphase separation structure on the substrate.例文帳に追加

ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter substrate by which patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form alignment controlling protrusions by using an exposure mask having a pattern exposure region where transmittance is changed stepwise in an alignment controlling protrusion forming step for forming the alignment controlling protrusions by performing the patterning processes such as pattern exposure and development to a transparent photosensitive resin layer.例文帳に追加

透明感光性樹脂層をパターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成する配向制御突起形成工程において、段階的に透過率が変化するパターン露光領域を有する露光マスクを用いて、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an undercoating resin composition which counteracts the effects of the surface of a mask blank and imparts a rectangular cross-sectional shape to a pattern of a positive type chemical amplification type pbotosensitive resin composition and a method for producing a resist image.例文帳に追加

マスクブランクスの表面の影響を打ち消し、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物のパターンの断面形状を矩形に現出させることができるアンダーコート樹脂組成物及びレジスト像の製造法を提供する。 - 特許庁

Then, the semiconductor multi-layer film is etched to the InP substrate 100 with the pattern of the SiN film as a mask, a plurality of island-shaped semiconductor multi-layer films 110 are formed, and the multi-layer films at the peripheral section of the substrate are simultaneously etched.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜のパターンをマスクとして半導体多層膜をＩｎＰ基板１００までエッチングして複数の島状の半導体多層膜１１０を形成するとともに、基板の外周部の多層膜も同時にエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gray tone mask by which a light shielding film and a translucent film are formed from film materials having approximate etching characteristics without providing an etching stopper film, and misalignment of a pattern in a translucent part is prevented.例文帳に追加

エッチングストッパー膜を設けなくても、遮光膜及び半透光膜をエッチング特性が近似した膜材料で構成することができ、半透光部のパターンずれを防止できるグレートーンマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A mask formed by printing a pattern on the backing and having a resist part (3) withstanding the jet of an abrasive and an opening part allowing the abrasive to pass is arranged on the surface of a vessel (8).例文帳に追加

模様を裏当てに印刷することにより形成されたマスクであって、第一に研磨材の噴射に耐えるレジスト部（３）を有し、第二に研磨材を通過させるように働く開口を有しているマスクが器（８）の表面に配置される。 - 特許庁

To provide a method for preparing CAM data for an electronic circuit board in which the CAD data of a line conductor or a surface conductor can be converted appropriately and efficiently into the CAM data consisting of the plating widow of the exposure mask for pattern plating.例文帳に追加

線路導体や面導体のＣＡＤデータを、パターンメッキ用露光マスクのメッキウィンドウからなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a screen printing press which, even in the case of printing of a fine pattern, can effectively transfer cream solder filling openings in a mask to an electronic circuit board and, further, is less likely to cause bleeding of the cream solder component on the electronic circuit board.例文帳に追加

微細パターンの印刷であっても、マスクの開口部に充填されたクリームはんだを効果的に電子回路基板に転写でき、しかも、クリームはんだ成分の電子回路基板へのにじみ出しが少ない装置が要望されている。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in the adaptability for a halftone phase difference shift mask and resolution for the formation of a contact hole pattern and to provide a positive resist composition having little deformation of a hole during etching and a wide exposure margin for under exposure.例文帳に追加

コンタクトホールパターン形成時のハーフトーン位相差シフトマスク適性と解像力に優れたポジ型レジスト組成物、更には、エッチング時のホール変形が少なく、アンダー露光時の露光マージンが広いポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A pattern of an organic light emitting layer 4a is formed on a transcription substrate 12 by making a belt-shaped shadow mask 13 running synchronously with the transcription substrate 12 tightly contacting with the belt-shaped transcription substrate 12 running through a patterning part 22.例文帳に追加

パターニング部２２にて走行する帯状の転写基板１２に、この転写基板１２と同期して走行する帯状のシャドウマスク１３を密着させ、転写基板１２上に有機発光層４ａのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a water-soluble photoresist excellent in pattern size reproducibility after development independently of a change in the time elapsed after patternwise exposure in patternwise exposing and developing steps in a process for producing a shadow mask and a lead frame.例文帳に追加

シャドウマスク及びリードフレームの製造工程で、パターン露光、現像工程において、パターン露光後の焼き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現性に優れた水溶性レジストを提供することを目的とする。 - 特許庁

As to a device for ink jet recording of using multi-pass type, one scanning and recording area is divided into predetermined pitches and recording duties to be determined according to the thinned mask pattern corresponded to each divided area are set to a different value.例文帳に追加

マルチパス記録方式を用いたインクジェット記録装置において、同一走査記録領域内を所定のピッチにて分割し、各分割領域に対し前記間引きマスクパターンによって定まる記録デューティーを異なる値に設定する。 - 特許庁

A table of correlation between three-dimensional information of a glass defect 11 of the phase shift mask 10 and a CD (minute dimension) error of a transfer pattern is created and a specification in which the glass defect 11 is allowed is determined based on the table.例文帳に追加

位相シフトマスク１０のガラス欠陥１１の３次元情報と転写パターンのＣＤ（微細寸法）誤差との相関関係のテーブルを作成し、このテーブルを基にしてガラス欠陥１１の許容される仕様を決定する。 - 特許庁

Thereafter, the base film is subjected to an exposure process through a mask from its other surface, a plurality of conduction holes 25 are bored in the solder resist 24 so as to reach the conductive layer 23, and a circuit pattern 41 is formed of the conductive layer 23 to obtain a tape carrier.例文帳に追加

その後、基材フィルムの他面側からマスクを介して露光し、フォトソルダレジストに、導電層に達する複数の電気導通孔２５をあけるとともに、導電層で配線パターン４１を形成してテープキャリアを得る。 - 特許庁

Printing image data is taken in from a color camera 121 to be stored in a memory 132 and masked with the reference data of the background pattern in a preprint mask part 140 through a gray scale synthesizing part 136 and only the variable data is converted to image data.例文帳に追加

印刷画像データはカラーカメラ１２１より取込まれ、メモリ１３２に記憶され、グレースケール合成部１３６を経てプレプリントマスク部１４０で背景絵柄の基準データでマスクされ可変データのみ画像データに変換される。 - 特許庁

AND operation of the image data of an original image and a mask pattern corresponding to the density of image data is performed and the ink density is lowered by decimating on dots of a bit map data and turning them off thus varying the decimation rate of the original image depending on the density.例文帳に追加

原画像の画像データとこの画像データの濃度に応じたマスクパターンとの論理積演算を行い、ビットマップデータのオンドットを間引きしてオフと成しインク濃度を低下させ、原画像の間引き率を濃度に応じて変化させる。 - 特許庁

To provide a photosensitive coloring composition with which no scum (floating residue) is produced on a pixel, and a highly precise pattern comforming to a mask design is formed with high sensitivity, and which is also excellent in adhesion strength to a substrate and so on.例文帳に追加

本発明は、画素上にスカム（浮きかす）が発生することがなく、高感度でかつマスク設計通りの高精細なパターンを形成でき、基板との密着強度等にも優れた感光性着色組成物を提供する。 - 特許庁

The dot dispersion type mask is for converting gradation values of respective pixels of image data with continuous gradations into binary or multi-valued values and has such an array of thresholds that a dot pattern obtained by the conversion has regularity or irregularity.例文帳に追加

連続階調の画像データにおける各画素の階調値を２値または多値に変換するためのドット分散型マスクであって、変換により得られるドットパターンに規則性および不規則性が現れるような閾値の配列を有する。 - 特許庁

To provide a stencil mask that protects a circuit pattern against the adhesion of dust/dirt and impacts in storage and conveyance prior to use in projection exposure, and to facilitate easy removal of a fitted protective in projection exposure.例文帳に追加

投射露光に使用する前の保管や運搬に際しては、塵埃の付着や衝撃から回路パターンを保護し、投射露光に際しては、装着されている保護シートを容易に除去できるようにしたステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a pattern drawing method for contact X-ray lithography wherein drawing is carried out by moving the zeroth-order diffraction image of an opening formed in a mask relatively with respect to a substrate applied with a photosensitive agent, and which enables high-contrast continuous drawing.例文帳に追加

マスクに形成した開口部の０次回折像を、感光剤を塗布した基板に対して相対移動させることにより描画する近接Ｘ線リソグラフィのパターン描画方法であって、コントラストの高い連続描画を可能にする。 - 特許庁

When a cylinder bore 10 is used as a sliding member in manufacturing the cylinder bore 10, a mask having a pattern extending in a sliding direction X is formed on a sliding surface 11, and a seizure-resistant coating 12 is formed on the sliding surface 11.例文帳に追加

摺動部材としてシリンダボア１０を用いる場合、シリンダボア１０の製造では、摺動面１１に、摺動方向Ｘに延在するパターンを有するマスクを形成し、摺動面１１に耐焼付き性を有する被膜１２を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has high resolution performance and has a good balance between DOF (Depth Of Focus) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor) in forming a fine pattern of 90 nm or less, and is suitably used also for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

９０ｎｍ以下の微細パターン形成において、解像性能に優れるだけでなく、ＤＯＦとＭＥＥＦのバランスに優れ、液浸露光プロセスにも好適に利用されうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The control means detects a rising edge and a falling edge of the pattern based on the differential profile, and creates mask data of a multi-step structure based on data of the edges and the image data created by the image processing means.例文帳に追加

制御手段は、微分プロファイルを基に検出したパターンの立上がりエッジ及び立下りエッジを検出し、当該エッジのデータ及び画像処理手段で作成された画像データを基に多段構造のマスクデータを生成する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, the lift-off defects are minimized by forming a protective layer pattern using a sputtering method at the time of the lift-off process which is the core process of the 3 mask process.例文帳に追加

本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。 - 特許庁

A pattern shape formed in the optical nanoimprint resist is transferred to the magnetic recording layer 15 or a mask layer 16 formed on the magnetic recording layer and made of an inorganic material and then the peeling layer is peeled by using the organic solvent.例文帳に追加

そして、光ナノインプリントレジストに形成されたパターン形状を磁気記録層１５あるいは磁気記録層の上に形成された無機材料からなるマスク層１６に転写したのち、有機溶媒を用いて剥離層を剥離する。 - 特許庁

A plurality of surface patterns having a boundary wherein a reflection characteristic of light or electron beam at a light shielding film surface varies are disposed as dedicated patterns for measuring mask position accuracy on the light shielding film in the device pattern forming region of the photomask.例文帳に追加

フォトマスクのデバイスパターン形成領域の遮光膜に、遮光膜表面での光線又は電子線の反射特性が変化する境界を持つ表面パターンをマスク位置精度測定専用パターンとして複数配置しておく。 - 特許庁

The method for manufacturing the wiring board includes a process to form a wiring pattern 30 on a base substrate 10 comprising a metal layer 12 and a mask 14 formed on the metal layer 12 by being patterned by removing a part of the metal layer 12 by spraying an etchant 20.例文帳に追加

金属層１２と、パターニングされて金属層１２上に設けられたマスク１４とを有するベース基板１０に、エッチング液２０を噴射して金属層１２の一部を除去し、配線パターン３０を形成することを含む。 - 特許庁

The images on the exiting plane of the respective pinholes in the pinhole plate 106 are projected into a pattern as a collection of a large number of spots onto a mask substrate 109 by a reduction projection optical system 108 comprising lenses 107a, 107b.例文帳に追加

ピンホール板１０６の各ピンホールの出射面での光の像が、レンズ１０７ａ、１０７ｂとで構成される縮小投影光学系１０８によって、マスク基板１０９上に多数のスポットの集合体としてパターン投影される。 - 特許庁

To provide an image processor capable of easily controlling an amount of color material usage while preventing image quality deterioration at the time of reducing the amount of color material usage by performing an AND operation of image data and a mask pattern.例文帳に追加

画像データとマスクパターンとの論理積演算を行うことにより色材の使用量を削減する際に、画質低下を防ぎつつ、容易に色材の使用量を制御することができる画像処理装置を提供すること。 - 特許庁

Etching is successively performed to the stopper film 2 and the pattern oxidized film 3 by a lithography technique and a dry etching technique, a trench is etched with resist 1 or the stopper film 2 as a mask and the trench of a depth H Åis formed.例文帳に追加

リソグラフィ技術及びドライエッチ技術によってストッパ膜２及びパターン酸化膜３に対して順次エッチングを行い、レジスト１またはストッパ膜２をマスクとしてトレンチのエッチングを行い、深さＨÅのトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide an exposure device inspection method and an exposure device, capable of obtaining a highly accurate inspection result by forming a highly accurate transfer pattern and by acquiring diffraction light detection data, when inspecting the exposure device using a photo mask.例文帳に追加

フォトマスクを用いて露光装置の検査を行う際に、高精度な転写パターンを形成し、回折光検出データを取得し、高精度の検査結果を得ることが可能な露光装置の検査方法、及び露光装置を提供する。 - 特許庁

In the plate for electrodeposition metal pattern transfer, the lower part of an electrodeposition mask member 20 is embedded in a conductive substrate 10, and a concave portion on which the member 20 is to be arranged is an etching groove 12 formed by digging by a wet etching.例文帳に追加

電着マスク材２０の下部が導電性基板１０に埋もれているようにした電着金属パターン転写用版であり、電着マスク材２０が配設される凹部がウエットエッチングにより掘り下げられたエッチング溝１２であるようにした版。 - 特許庁