「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, since a liquid jet head and the medium subject to the jet have only to be moved once in the main scanning direction in a part near the center of the mask pattern, the jet of the liquid to the medium subject to the jet can be completed in a short period of time.例文帳に追加

これにより、マスクパターンの中央付近は液体噴射ヘッドと被噴射媒体とを主走査方向へ１回移動させるのみで良いので、被噴射媒体に対する液体の噴射を短時間で完了させることができる。 - 特許庁

Using a projection optical system 7 provided with at least one reflective surface and a plurality of optical axes bent by the reflective surface, a pattern image of a mask 4 is scanned and exposed on each exposure area of a photosensitive substrate 8.例文帳に追加

少なくとも１つの反射面と該少なくとも１つの反射面によって折り曲げられた複数の光軸とを有する投影光学系（７）を用いて、感光性基板（８）の各露光領域にマスク（４）のパターン像を走査露光する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern by which a resist film can be made thin by using a lower layer film formed by a coating method, the required mask thickness is maintained, and the difference caused by conversion in processes is suppressed to process the objective film with high dimensional accuracy.例文帳に追加

塗布法により成膜できる下層膜を用いてレジスト膜の薄膜化を図るとともに必要なマスク厚を確保し、加工変換差を抑制して寸法精度よく被加工膜を加工し得るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A path division section 104 divides input image data into image data for each of a plurality of times of scanning by using a mask pattern which is formed from the gap of scanning position of a light beam from each light emitting element of a recording means.例文帳に追加

パス分割処理部104は、記録手段の各発光素子の光ビームの走査位置のずれ量に基づき作成されたマスクパターンを使用して、入力された画像データを複数回走査の各走査用の画像データに分割する。 - 特許庁

To provide a wiring pattern inspection apparatus forming the min. hole mask highly accurately even with respect to a non-viahole, and suppressing the generation of the false report caused by the non-viahole while ensuring the reliability of inspection in the periphery of the non-viahole.例文帳に追加

非貫通穴についても高精度に最小限の穴マスクを生成し，非貫通穴の周辺における検査の信頼性を確保しつつ，非貫通穴に起因する虚報の発生を抑えた配線パターン検査装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents a resist pattern shape from becoming an inverted tapered shape, while a resist sidewall is prevented from being rounded and a resist bottom opening is prevented from varying in opening length, and to provide a method of manufacturing a mask.例文帳に追加

レジスト側壁が丸みをおびること及びレジストボトム開口長が変動することを防止しつつ、レジストパターン形状が逆テーパ形状となることを回避する半導体装置の製造方法及びマスクの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask for vapor deposition which permits use of a thin metallic sheet, makes it possible to obtain high working accuracy, is excellent in workability, and can reproduce pattern dimensions accurately as designed.例文帳に追加

厚みの薄い金属薄板材を使用することが可能で、高い加工精度が得られ、作業性も良好であり、設計通りのパターン寸法を精度良く再現することができる蒸着用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can accurately reproduce the designed size of a mask pattern even by proximity exposure and which can give a spacer for a display panel having excellent adhesiveness with a substrate, transparency, strength, heat resistance and so on.例文帳に追加

プロキシミティー露光を行ってもマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性、透明性、強度、耐熱性等に優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a screen printing method, in which the positioning between a screen mask and a material to be printed is executed enough accurately in a screen printing so as to enough accurately print an object printing pattern on the material to be printed.例文帳に追加

スクリーン印刷において、スクリーンマスクと被印刷物との位置決めを精度良く行い、目的の印刷パターンを被印刷物上に精度良く印刷することができるスクリーン印刷方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an image output device which can make drawing processing, using a mask pattern in an arbitrary rectangular shape, to a page memory fast by enabling fast word-by-word access to a memory when the drawing processing is carried out.例文帳に追加

任意の矩形状のマスクパターンを用いた描画処理を行う際に、ワード単位で高速にメモリにアクセスすることを可能とすることにより、ページメモリへの描画処理の高速化ができるような画像出力装置を提供する。 - 特許庁

A phase difference monitoring pattern capable of measuring a phase difference on the way of fabricating a phase shifting mask is created and the engraving quantity of a translucent substrate on a phase shifting part is controlled so as to be measured by a level difference measuring instrument even in a deposited state of resist.例文帳に追加

位相シフトマスク作製途中に位相差を測定可能な位相差モニタパターンを作成し、その位相シフト部における透光基板の掘り込み量をレジスト付きの状態でも段差測定器で測定できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern that can reduce the number of processes, can prevent melting of a first resist film in depositing a second resist film, and can form fine openings having a size equal to or less than the resolution of an exposure device.例文帳に追加

工程数を削減でき、第２のレジスト膜を成膜する際の第１のレジスト膜の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Fine exposure by small σ oblique illumination and rough exposure by large σ vertical illumination are conducted on a wafer by changing the spatial frequency transmission spectrum band of a projection optical system, without developing the wafer in the medium with the gate pattern of a mask set at a projection aligner, so that multiple exposure can be attained.例文帳に追加

投影露光装置に設置したマスクのゲートパターンで、ウエハに対して、途中で現像することなく、小σの斜め照明によるファイン露光と大σの垂直照明によるラフ露光の多重露光を行なう。 - 特許庁

To provide a method capable of forming both fine short pores and fine long pores in an appropriate shape, in case of manufacturing of a shadow mask with fine short pores and fine long pores with different lengths formed in a given pattern.例文帳に追加

長さの異なる微細短孔と微細長孔とが所定パターンで形成されたシャドウマスクを製造する場合において、微細短孔と微細長孔の両方共を適正形状に形成することができる方法を提供する。 - 特許庁

By dry etching using this laminated layer pattern 5 as a mask, a shallow recess (a first trench) 6a is formed and a first fluorocarbon-based deposit 7 is adhered to the side wall of the first silicon oxide film 2.例文帳に追加

この積層膜パターン５をマスクとしてドライエッチングすることにより、浅い凹陥部(第１のトレンチ)６ａを形成すると共に前記第１のシリコン酸化膜２の側壁に、フロロカーボン系の第１の堆積付着物７を付着させる。 - 特許庁

The index detecting body 54 has an independent plate material 56 and an index phosphor pattern 58 formed/stuck on a surface of the plate material, and is mounted on the mask frame in the vacuum enclosure in the final stage of the cathode-ray tube manufacturing process.例文帳に追加

インデックス検出体は、独立した板材５６と、板材の表面に被着形成されたインデックス蛍光体パターン５８と、を有し、陰極線管の製造工程の終盤において、真空外囲器内のマスクフレームに取付けられる。 - 特許庁

The mask 2 for vapor deposition consists of a one-layered metal sheet having an aperture 2a for depositing a vapor deposition material 4 evaporated from a vapor deposition source 3 on a vapor-deposited member (a translucent substrate) 1 with a predetermined pattern.例文帳に追加

蒸着源３から蒸発した蒸着材料４を被蒸着部材（透光性基板）１に所定のパターンで蒸着させるための開口部２ａを有する１層の金属板からなる蒸着用マスク２である。 - 特許庁

To realize an appropriate illumination condition, which is necessary to transfer faithfully a mask pattern having a variety of characteristics, for example, an illumination condition having a diversity in a light intensity distribution and a polarization state of a secondary light source.例文帳に追加

様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の光強度分布や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that can suitably pattern a semiconductor film by forming a mask having sufficient resistance to wet etching carried out when the semiconductor film is patterned.例文帳に追加

半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a mask blank having a thin film for forming a transfer pattern on the substrate, the reflectance control film is formed by forming a thin film on the substrate and then subjecting the thin film surface to the effect of ozone gas.例文帳に追加

基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを作用させることにより反射率調整膜を形成する。 - 特許庁

Then, after the shielding film is removed, etched with coated by the shielding film based on the predetermined mask pattern, a copper film is formed in the groove structure by forming a groove structure in the first region and the second region.例文帳に追加

その後、遮蔽膜を除去した後、所定のマスクパターンに基づく遮蔽膜で被覆した状態でエッチング処理を行って、第１領域及び第２領域内に溝構造を形成し、当該溝構造内に銅膜を成膜する。 - 特許庁

Thus, it becomes possible to curtail a formation-removal process of a mask pattern and the number of reticles in use, and the MOSFETs having the different operating voltage can be formed efficiently at a low cost with a constant performance being ensured.例文帳に追加

これにより、マスクパターンの形成・除去工程並びに使用するレチクル枚数の削減が可能になり、動作電圧が異なるＭＯＳＦＥＴを、一定の性能を確保しつつ、効率的に低コストで形成することが可能になる。 - 特許庁

To provide a device for purging an ultraviolet ray path in an aligner partially effectively by inert gas in the aligner that applies a mask pattern to a photosensitive substrate via a projection optical system by using ultraviolet rays as exposure light.例文帳に追加

露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can secure a gate width as designed even when a relative positional deviation occurs between a field region and each mask forming a gate pattern, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device.例文帳に追加

フィールド領域とゲートパターンを形成する各マスクに相対的位置ずれが生じても、ゲート幅を設計通りに確保できるゲート形状を備えた半導体装置及びそれを用いた半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A simulation figure data generating unit 13 generates simulation figure data 36A to 36D expressing a simulation figure as a circuit pattern to be formed on a wafer based on a mask figure by simulation using a simulation model.例文帳に追加

シミュレーション図形データ生成部１３は、シミュレーションモデルを用いるシミュレーションにより、マスク図形に基づいてウェハに形成されるべき回路のパターンとしてのシミュレーション図形を示すシミュレーション図形データ３６Ａ〜３６Ｄを生成する。 - 特許庁

Subsequently, using the resist pattern as a mask, the conductive film and the mixing film are etched to form a gate electrode having a conductive film 15a and to leave the mixing film 20x on the side surfaces in the gate width direction of the gate electrode.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとして、導電膜及びミキシング膜をエッチングし、導電膜１５ａを有するゲート電極を形成すると共に、ゲート電極のゲート幅方向の側面の上に、ミキシング膜２０ｘを残存させる。 - 特許庁

A figure extracting unit 14 extracts a differential figure group as an exclusive OR between a real figure as a pattern of a real circuit formed on the wafer and the simulation figure by using a photomask on which the mask figure is formed.例文帳に追加

図形抽出部１４は、前記マスク図形が形成されたフォトマスクを使用してウェハに形成された実回路のパターンとしての実図形と前記シミュレーション図形との排他的論理和としての差分図形群を抽出する。 - 特許庁

The method comprises steps of forming a silicon oxide film 2 directly or through other layer on a base substrate 4, forming a photoresist 1 on the film 2, and exposing the photorestst to transfer a mask pattern.例文帳に追加

下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する - 特許庁

After a polysilicon film is formed on the entire surface of an interlayer insulation film 9, with a resist having a predetermined opening pattern as a mask, the polysilicon film is anisotropically dry-etched, thereby forming a polysilicon film 22a that contacts with a plug layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン膜を層間絶縁膜９上の全面に形成した後、所定の開口パターンを有するレジストをマスクとして、ポリシリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、プラグ層１１に接触するポリシリコン膜２２ａを形成する。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

Line widths of photoresist pattern are compared in a light shielding region and a light transmitting region by executing the photolithography process using a mask including the light shielding region and light transmitting region having a plurality of light transmitting patterns (S2, S5).例文帳に追加

複数の光透過パターンを有する光遮断領域及び光透過領域を有するマスクを利用し、フォトリソグラフィ工程を実行して（Ｓ２、Ｓ５）、光遮断領域及び光透過領域でフォトレジストパターンの線幅を比較する。 - 特許庁

To provide a design pattern capable of evaluating depending on the design conditions at a level requiring phase shift mask and a light proximity effect in manufacture a circuit of a wafer following the advanced microminiaturization of circuit wirings.例文帳に追加

回路配線の微細化が進み、ウエハの回路作製に光近接効果と同補正を必要とし、位相シフトマスクの使用を必要とするレベルにおいて、設計条件に対応し且つ実用レベルで評価できるテスト設計パタンを提供する。 - 特許庁

To easily form optimum mask patterns for ordinary exposure at the time of forming circuit patterns of the smallest line width corresponding to the line width of fine line patterns by the multiple exposure of fine line pattern exposure and the ordinary exposure.例文帳に追加

微細線パターン露光と通常露光との多重露光によって微細線パターンの線幅に対応する最小線幅の回路パターンを形成する際の、前記通常露光用として最適なマスクパターンを容易に作成する。 - 特許庁

To provide the dual gate forming method of a semiconductor device for removing a photoresist film pattern for use as an ion implantation mask film without a residue and preventing a water mark generated in a cleaning step for the removal of a natural oxide film.例文帳に追加

イオン注入マスク膜として用いられるフォトレジスト膜パターンを残留物なしに除去し、自然酸化膜除去のための洗浄工程で発生するウォーターマークを防止する半導体素子のデュアルゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The reflecting mask comprises a substrate 1, an X-ray reflecting multilayer film 2 formed on the substrate 1, and an absorber layer 3 of a material of low X-ray transmissivity which is formed on it and has a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明の反射マスクは、基板１と、該基板１上に形成されたＸ線反射多層膜２と、その上に形成されたＸ線の透過率の低い物質からなり且つ所定のパタンを有する吸収体層３とを具備する。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

To achieve illuminating conditions abounding in a diversity regarding proper illuminating conditions required for accurately transferring a mask pattern having various characteristics such as the light intensity distribution, polarization state or the like of a secondary light source.例文帳に追加

様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の光強度分布や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for more appropriately measuring the thickness of a polished and planarized insulating film, a design method of a mask pattern for exposure used for the manufacturing method, and a program for the design method.例文帳に追加

研磨・平坦化された絶縁膜の膜厚をより適切に測定することができる半導体装置の製造方法、この製造方法に用いる露光用のマスクパターンの設計方法及びそのためのプログラムを提供する。 - 特許庁

The film 11 to be etched is plasma-etched with plasma having ≥1×1010/cm3 plasma density through the hole-patterned photosensitive material film 12 as a mask to form the objective hole pattern comprising the film to be etched.例文帳に追加

被エッチング膜１１に対してホールパターン化された感光性材料膜１２をマスクとして、１×１０^10／ｃｍ^3 以上のプラズマ密度を有するプラズマを用いてプラズマエッチングを行なうことにより、被エッチング膜からなるホールパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of preventing pattern deviation from occurring on a transparent conducting film formed on a substrate even though bending occurs in a mask used when the transparent conducing film is formed.例文帳に追加

透明導電膜を形成する際に使用されるマスクに反りを発生しても、基板上に形成される透明導電膜に、パターンずれが発生するのを防止することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A coil 23 applied with high-frequency electric power and the base 10 having a silicon film formed as the photoelectric conversion layer are arranged opposite each other, and a mask 24 having an opening 241 provided corresponding to the pattern of the photoelectric conversion layer is arranged therebetween.例文帳に追加

高周波電力を与えられたコイル２３と、光電変換層としてのシリコン膜を形成する基材１０とを対向配置し、その間に、光電変換層のパターンに対応する開口部２４１を設けたマスク２４を配置する。 - 特許庁

To provide screen printing equipment which is capable of fixing an angle of detachment of a mask from a plate in a printing process, in regard to the screen printing equipment wherein a flux or the like is printed in a prescribed pattern on one side of an electronic component.例文帳に追加

本発明は、電子部品の一面にフラックス等を所定のパターンで印刷するスクリーン印刷装置おいて、印刷過程のマスクの離版角度を一定化できるスクリーン印刷装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The system exposing a mask pattern on a substrate is provided with a memory 20 storing a number of operating parameters for exposure- related processing and a controller 14 switching the operating parameters based on the time slot for processing.例文帳に追加

マスクのパターンを基板に露光する露光装置において、露光に関する処理の動作パラメータを複数記憶する記憶装置２０と、処理を実行する時間帯に基づいて動作パラメータを切り替える制御装置１４とを備える。 - 特許庁

The film thickness measuring method forms a step part 10 on the laminated film L0 by lifting off the mask pattern M and obtains film thickness Tm of the measuring object layer Lm as Tm=T0-(T1+T2) by measuring depth T0 of the step part 10 by a stylus method.例文帳に追加

そして、マスクパターンＭをリフトオフして積層膜Ｌ０に段差部１０を形成し、段差部１０の深さＴ０を触針法によって測定して測定対象層Ｌｍの膜厚ＴｍをＴｍ＝Ｔ０−（Ｔ１＋Ｔ２）として得た。 - 特許庁