「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

In the screen printing machine for applying paste on a substrate through pattern holes by moving a closed squeegee head 13 on a mask plate 12, a flexible film member 33 for separating the upper surface of creamy solder 5 in a storage part 31 from the outside is set in the storage part 31 which is positioned above a printing space 35 for making the solder 5 contact the mask plate 12 and stores the solder 5.例文帳に追加

マスクプレート１２上で密閉型のスキージヘッド１３を移動させることによりパターン孔を介して基板にペーストを印刷するスクリーン印刷装置において、クリーム半田５をマスクプレート１２に接触させる印刷空間３５の上方に位置しクリーム半田５を貯留する貯溜部３１に、貯溜部３１内のクリーム半田５の上面と外部とを仕切る可撓性の膜部材３３を設ける。 - 特許庁

This peeling device patterns a paste film on a substrate through sand blast processing using a mask formed of a resist film in specific pattern, and then removes the resist film used as the mask for the sand blade processing; and a dedicated nozzle Na is installed behind nozzles N for peeling the resist film off the substrate G so that only the solid resist film C on the substrate G is sprayed.例文帳に追加

レジスト膜からなる所定パターンのマスクを介してのサンドブラスト加工により基板上のペースト膜をパターニングした後に、そのサンドブラスト加工のマスクとして使用したレジスト膜を除去するための剥離装置であって、基板Ｇにおけるレジスト膜の剥離を行う複数のノズルＮの後方に、基板Ｇにおけるベタ状レジスト膜Ｃのみにスプレーが当たるように専用ノズルＮａを設置する。 - 特許庁

The dither mask optimized by using an integrated graininess evaluated value that is obtained by assuming a plurality of positional deviation assumption patterns where the direction and distance of the positional deviation of the printing head chips HT1 to HT15 are assumed, and performing weighting to a graininess evaluated value in terms of dot array when the positional deviation in each positional deviation assumption pattern arises is used as the above dither mask.例文帳に追加

ここで、上述のディザマスクは、印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５の位置ずれの方向及び距離を想定した複数の位置ずれ想定パターンを想定し、各々の位置ずれ想定パターンの位置ずれが生じた場合のドット配列についての粒状性評価値に重み付けを行った総合粒状性評価値を用いて最適化されたものを用いる。 - 特許庁

The halftone phase shift mask 100 having a transparent region 23 and a semitransparent region 24 comprising a phase shift pattern 21a is obtained by pattering a halftone phase shift mask blank 10 prepared by forming a semitransparent layer 21 comprising a metal silicide compound thin film containing zirconium, metal except for zirconium, and silicon, on a transparent substrate 11 consisting of a quartz glass substrate or the like.例文帳に追加

石英ガラス基板等からなる透明基板１１上にジルコニウムと、ジルコニウム以外の金属と、シリコンとを含んだ金属シリサイド化合物薄膜からなる半透明膜層２１を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス１０をパターニング処理して、透明領域２３と位相シフトパターン２１ａとからなる半透明領域２４とを有するハーフトーン型位相シフトマスク１００を得る。 - 特許庁

The mask blank comprises: a thin film 13 which is formed on a substrate 12 and for forming a mask pattern; and a chemically amplified resist film 20 formed above the thin film, wherein a protective film 20 preventing a substance inhibiting the chemical amplification function of the resist film from moving from the bottom of the resist film into the resist film, is provided between the thin film and the resist film.例文帳に追加

基板１２上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜１３と、この薄膜の上方に成膜された化学増幅型のレジスト膜２０を備えるマスクブランクであって、レジスト膜の化学増幅機能を阻害する物質がレジスト膜の底部からレジスト膜内へ移動することを阻止する保護膜２０を、前記薄膜とレジスト膜との間に備えている。 - 特許庁

The alignment method comprises a process of fixing the substrate 1 with the magnetic layer 2 formed thereon to the substrate holder 3 by the magnetic force generated from the electromagnet, and setting the position of the mask 4 to the flexible substrate 1 in the above state, a process of forming a pattern using the mask 4, and a process of separating the flexible substrate 1 from the substrate holder 3 by turning-off the electromagnet.例文帳に追加

そして、磁性膜２が形成されたフレキシブル基板１を電磁石から発生する磁力により基板ホルダ３に固定し、この状態でフレキシブル基板１とマスク４との位置合わせを行う工程と、上記マスク４を用いてパターン形成を行う工程と、上記電磁石をオフして上記フレキシブル基板１を基板ホルダ３から分離する工程とを有する。 - 特許庁

In the pattern correcting method, when correction paste 7 is applied to an open defect portion 2a of an electrode 2 using a film 3 with a hole 3a as a mask, the thickness Ft of the film 3 and the short-axis length Sw of the hole 3a are so related that Ft>Sw.例文帳に追加

このパターン修正方法では、孔３ａの開いたフィルム３をマスクとして電極２のオープン欠陥部２ａに修正ペースト７を塗布する場合に、フィルム３の厚さＦｔと孔３ａの短軸長Ｓｗとの関係をＦｔ＞Ｓｗにする。 - 特許庁

The negative photosensitive resin composition is spin-coated and dried on a semiconductor substrate 1 on which a first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulating film 4 have been formed, and light is illuminated through a mask of a pattern for forming a window 6C in a predetermined portion.例文帳に追加

第１導体層３、第２導体層７及び層間絶縁膜４が形成された半導体基板１に、ネガ型感光性樹脂組成物をスピンコートして乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンのマスク上から光を照射する。 - 特許庁

For the formation of a lower layer wire, a thin pattern is formed using a halftone mask and a wire 50 which is located immediately under a pad 48 and which connects the pad and the lower layer wire and a pad reinforcement wire 52 that connects to the pad are formed so that they are wide using a normal photomask.例文帳に追加

下層配線の形成には、ハーフトーンマスクを用いて細いパターンを形成し、パッド４８直下に位置するパッドと下層配線とを連絡する配線５０と、パッドと接続するパッド補強用配線５２とを、ノーマルフォトマスクを用いて大きい幅で形成する。 - 特許庁

To provide a mask for forming a thin film pattern, which prevents the occurrence of a display failure in a liquid crystal display and provides uniform film characteristics, by inhibiting a substrate from being bruised, and preventing the peeling of a protective film and a white spot on a black matrix layer.例文帳に追加

基板へのキズの発生を抑制し、保護膜の剥離、ブラックマトリックス層の白ヌケを防止することで、液晶表示装置の表示不良発生を防止することができ、かつ均一の膜特性を得ることができる薄膜パターン形成用マスクを提供する。 - 特許庁

To decrease or eliminate striae in a glass substrate for a mask blank or adverse influences by reflection on the back surface, to measure a roughness pattern of the objective surface of a glass substrate with high accuracy, and to control flatness with extremely high accuracy based on the measurement result to achieve high flatness.例文帳に追加

マスクブランクス用ガラス基板の脈理や裏面の反射による悪影響を低減又は除去して、ガラス基板の被測定面の凹凸形状を精度よく測定し、この測定結果にもとづいて、極めて高精度に平坦度を制御し、高平坦度を実現する。 - 特許庁

To provide a nonlinear element manufacturing method which can perform a patterning finer than resolution of an exposure apparatus used in formation of a resist mask, and which is free from contaminating a film pattern obtained by patterning due to the resist; and to provide an electro-optical device.例文帳に追加

レジストマスクを形成する際に用いる露光装置の解像度によりも微細なパターニングを行うことができ、かつ、パターニングにより得た薄膜パターンがレジストによって汚染されることのない非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

After the first resist pattern 201 is removed and the surface of the conductive film 13 is subjected to corrosive processing, with the conductive film 13 used as a mask, the structure film 11 part on the sacrificial layer 9 is etched according to the shape of the movable part to expose part of the sacrificial layer 9.例文帳に追加

第１レジストパターン２０１を除去すると共に導電膜１３の表面の腐食処理を行った後、導電膜１３をマスクにして犠牲層９上の構造体膜１１部分を可動部形状にエッチングし、犠牲層９の一部を露出させる。 - 特許庁

The exposure mask 20 for an aligner has the light-transmissive substrate 21, a light shielding film 16a provided on one face of the substrate and having a prescribed pattern, and a recess 24 provided leaving an area provided with the light shielding film, on the one face of the substrate.例文帳に追加

光透過性を有する基板２１と、この基板の一面に設けられて所定のパターン形状を有する遮光膜１６ａと、基板の一面に、遮光膜が設けられている領域を残して設けられた凹部２４と、を有するアライナ用露光マスク２０である。 - 特許庁

The mask formed by etching a silicon wafer is equipped with a membrane 13, where a pattern is formed and wall-like supports 3 which support the membrane 13, for which a contact angle which the support 3 makes with the membrane 13 is 10° or larger to 45° or smaller.例文帳に追加

このメンブレンマスクは、シリコンウエハをエッチングすることにより形成されるものであり、該パターンが形成されるメンブレン１３と、該メンブレン１３を支持する壁状の支持部３と、を具備し、該メンブレン１３と該支持部３との接触角が１０°以上４５°以下である。 - 特許庁

In the peeling method, first, the adhesive tape 1 is partially heated through an opening 102 of a mask 101 for heating having an opening pattern that can heat only a desired portion without simultaneously, uniformly heating the entire surface of the adhesive tape 1.例文帳に追加

本発明の剥離方法は、粘着テープ１全面を一斉に均一に加熱するのではなく、先ず、最初に、所望の部分だけが加熱できるような開口パターンを有する加熱用マスク１０１の開口部１０２を通して、部分的に粘着テープ１を加熱する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a minute structure that prevents variations in the dimensions of a peripheral oxide film or the like, and cannot be achieved merely by lithography, even in removal of a reflection prevention film and a mask pattern, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

反射防止膜の除去の際にも、マスクパターンの除去の際にも、周辺の酸化膜等の寸法変動を生じず、リソグラフィのみでは実現できない微細構造を有する半導体装置の製造方法およびその半導体装置を提供する。 - 特許庁

A light from a surface light source 1 irradiates the diffusion plate 3 through a pattern mask 2, the diffusion plate 3 is photographed by a camera 4, and the degree of dispersion of the pixel outputs of the taken image is calculated and processed to evaluate the quality of the diffusion plate, based on the degree of dispersion thereof.例文帳に追加

面光源１の光をパターンマスク２を通して拡散板３に当て、その拡散板３をカメラ４で撮像し、撮像された像の各画素出力のばらつきの程度を算出処理し、このばらつきの程度に基づいて、拡散板を品質評価する。 - 特許庁

The method for forming the pattern formation buried oxide film comprises a step of carrying out implantation into a substrate, a step of forming a mask at least on part of the substrate in order to control implantation diffusion, and a step of annealing the substrate and forming a buried oxide.例文帳に追加

パターン形成埋込み酸化膜を形成する方法は、基板への注入を実行するステップと、注入拡散を制御するために基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、基板をアニールして埋込み酸化物を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having a wide defocus latitude when orbicular illumination is used and less liable to generate a side lobe in pattern formation using a halftone phase shifting mask and to provide a positive type photosensitive composition having the above characteristics and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組成物、また、加えて経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のＣＭＰと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を１回に低減する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus which can faithfully transfer a mask pattern to a photosensitive substrate surface with higher throughput by using a light source unit which can collect the light beam without absorption by plasma of the EUV light beam reflected by an auxiliary light condensing mirror.例文帳に追加

補助集光ミラーで反射されたＥＵＶ光がプラズマにより吸収されずに集光される光源ユニットを用いて、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することのできる露光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This illuminance-measuring device measures the illuminance of illumination light on an image-forming surface of the projection optical system of an aligner for allowing the image of a pattern from a lighted mask to project on a substrate that is retained on a substrate stage by the projection optical system.例文帳に追加

照明されたマスクからのパターンの像を、基板ステージ上に保持される基板上に投影光学系により投射するようにした露光装置の該投影光学系の結像面における照明光の照度を計測する照度計測装置である。 - 特許庁

The pellicle frame 21 includes an inner wall tacky adhesive material 33 on the inner wall and is placed at a position where the pellicle frame 21 has never been directly irradiated with the first order diffracted light 51 diffracted by the grating portion of the mask pattern 12.例文帳に追加

ペリクルフレーム２１は、内壁面に内壁粘着材３３が設けられており且つ露光光５０の、マスクパターン１２の格子状の部分において回折された１次回折光５１が、ペリクルフレーム２１に直接照射されることがない位置に設けられている。 - 特許庁

A fifth insulating film 11, a fourth insulating film 10 and a third insulating film 9 formed on a first buried wiring 8, and a second insulating film 3 are etched by using a resist pattern 13 as a mask; and a contact hole 14 is formed on the first buried wiring 8.例文帳に追加

第一埋め込み配線８および第二絶縁膜３の上に形成した第五絶縁膜１１、第四絶縁膜１０、および第三絶縁膜９をレジストパターン１３をマスクとしてエッチングして、第一埋め込み配線８の上にコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

The reticle is constituted by forming a mask pattern 2 in a recess 3 disposed on the surface of a reticle substrate 1, disposing a pellicle 4 on the reticle substrate 1 so as to cover the recess 3, and adhering the end of the pellicle 4 to the surface of the reticle substrate 1 via an adhesive layer 5.例文帳に追加

レチクル基板１の表面に配置された凹部３にマスクパターン２を形成するとともに、凹部３を覆うように配置されたペリクル４をレチクル基板１上に設け、接着層５を介してペリクル４の端部をレチクル基板１の表面に接着する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light-emitting device capable of preventing light extraction efficiency from being degraded while securing an excellent bondability by subjecting a p-clad layer located on a surface layer to wet etching according to a mask pattern, and to provide a light-emitting device.例文帳に追加

表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。 - 特許庁

After a positive type resist is coated on a test substrate and it is brought into a focus by using a mask original plate for a test pattern to expose at a plurality of parts, development is carried out to form the test patterns composed of remaining patterns at the plurality of parts on the test substrate, respectively (step S11).例文帳に追加

テスト基板上にポジ型レジストを塗布し、テストパターン用マスク原版を用いてフォーカスを振って複数個所に露光した後、現像を行なって、テスト基板上の複数個所にそれぞれ残しパターンからなるテストパターンを形成する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

In this manufacturing method, a photosensitive silazane film 52 is exposed and developed, and a hard mask 52A which is formed of the photosensitive silazane film 52 and regulates positions of a wiring pattern and a contact hole 60 of a wiring layer 66A is formed on an interlayer insulating film 50.例文帳に追加

本製造方法では、感光性シラザン膜５２を露光及び現像することにより、層間絶縁膜５０上に、配線層６６Ａの配線パターン及び接続孔６０の位置を規定する、感光性シラザン膜５２からなるハードマスク５２Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color-filter substrate which reduces deflection of a photomask by a simple method and forms a plurality of color filters by performing patterning processes, such as pattern exposure and developing, by using the photomask that is fixed and held in a mask holder.例文帳に追加

フォトマスクのたわみを簡易な方法で減少させ、マスクホルダーに固定保持さしたフォトマスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes a step of forming the alignment film on a substrate having an electrode pad at a position corresponding to a transfer electrode for applying a voltage to a common electrode, and a step of locally etching the alignment film to expose the electrode pad without using a mask pattern.例文帳に追加

共通電極に電圧を印加するトランスファ電極に対応する電極パッドを備える基板上に配向膜を形成する段階と、前記電極パッドを露出させるようにマスクパターンを用いずに前記配向膜をエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

Then contact holes 310 are formed in the silicon oxide film 303 by etching the silicon oxide film 305, SOG film 304, and silicon oxide film 303 by using a second resist pattern 309 as a mask.例文帳に追加

第２の有機含有シリコン酸化膜３０５、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第１の有機含有シリコン酸化膜３０３に対して第２のレジストパターン３０９をマスクとしてエッチングを行なって、第１の有機含有シリコン酸化膜３０３にコンタクトホール３１０を形成する。 - 特許庁

A layout verification tool 8 verifies a layout resting on the basis of data stored in the library 6, a wiring layout data file 3, a viahole layout data file 4, and a mask layout pattern 7, the capacitance of an input circuit and the size of an output buffer are obtained and stored in a memory device 10.例文帳に追加

レイアウト検証ツール８は、ライブラリ６のデータ、配線の配置情報ファイル３、ビア・ホールの配置情報ファイル４及びマスクレイアウトパターン７からレイアウトを検証し、入力回路の容量、出力バッファのサイズ等を求めて記憶装置１０に記録する。 - 特許庁

The morphology calculation processing portion 10 calculates an opening gap of the mask image, calculates a minimum dilation repeating number of times necessary to fill the opening gap, and removes the mesh-shaped pattern by executing an erosion process of N times after a dilation process of N times.例文帳に追加

モフォロジー演算処理部１０は、マスク画像のオープニング間隙を算出し、このオープニング間隙を埋めるために必要な最小の膨張繰返回数Ｎを算出し、Ｎ回の膨張処理の後、Ｎ回の収縮処理を実行してメッシュ状のパターンを除去する。 - 特許庁

A second correction map, in which second dimensional correction amounts are respectively set to a plurality of second small regions partitioned in the same grid shape as that of the plurality of first small regions and displaced relative to the first small regions, is formed based on the arrangement of the mask pattern.例文帳に追加

複数の第１の小領域と同一格子状に区分され、第１の小領域に対して位置をずらした複数の第２の小領域のそれぞれにマスクパターンの配置に基いて第２の寸法補正量を設定した第２の補正マップを作成する。 - 特許庁

To provide a stable photosensitive resin composition capable of retaining the tack-freeness of a photosensitive resin dry film in warming by the effects of remaining heat after drying, a temperature rise due to exposure, etc., capable of undergoing contact exposure through a mask pattern and having high sensitivity, high adhesion and high resolution.例文帳に追加

乾燥後の余熱、露光による温度上昇等の影響による加温時の感光性樹脂乾燥膜のタックフリー性を維持でき、マスクパターンの密着露光が可能で、高感度、高密着性、高解像性で安定な、感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium, wherein foreign materials on the surface of the magnetic recording medium can be efficiently and surely removed, a mask layer left on the surface of the magnetic recording medium does not stay, and productivity of magnetic layer pattern formation is high.例文帳に追加

磁気記録媒体の表面の異物を効率良く確実に除去することができ、当該磁気記録媒体の表面に残存したマスク層が残留することがなく、磁性層のパターン形成の生産性が高い磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for adhering exposure masks for performing high-grade exposure, and a projection aligner even in a near-field exposure method for improving adhesion properties between a mask for exposure and a substrate, and preparing a finer pattern than the wavelength of exposure light.例文帳に追加

露光用マスクと基板との密着性を向上させ、露光光の波長より小さな微細パターンを作製する近接場露光方法においても、高品位な露光が行える露光マスクの密着方法及び密着装置並びに露光装置を提供する。 - 特許庁

When the density doubling interpolation ('NO' is S1) is not conducted, since the density of the pixels of the printing data and the density of the pixels for imaging are the same and through the interference between the image data and the mask pattern, image data vanishing possibility exists, so that toner saving is not conducted.例文帳に追加

倍密補間処理をしない場合は（Ｓ１のＮＯ）、印字データの画素密度と顕像化する画素密度とが同じであり、画像データとマスクパターンとの干渉により、画像データの消失が発生する可能性があるため、トナーセーブ処理は行われない。 - 特許庁

There are provided a passing part 67, ring-shaped bright parts 68A formed on circles concentric with the passing part 67, and dark parts 68B formed between the passing part 67 and the bright part 68A and at the outside of the bright parts 68A on a pattern 66 of a mask 62.例文帳に追加

マスク６２のパターン６６には、透過部６７と、この透過部６７と同心円上に形成されたリング状の明部６８Ａと、透過部６７と明部６８Ａの間及び明部６８Ａの外側に形成された暗部６８Ｂとが設けられている。 - 特許庁

A mask pattern used for an outward trip scan and a return trip scan is changed appropriately while considering part of two or more groups formed by dividing nozzle trains of a recording head 2801 with the number of multi-passes as a non-use one (or low rate of writing permission) in a predetermined scan direction.例文帳に追加

記録ヘッド２８０１のノズル列をマルチパス数で分割して形成される複数のグループのうちの一部を、所定の走査方向において非使用（あるいは低い記録許容率）としつつ、往路走査と復路走査とで使用するマスクパターンを適切に変更する。 - 特許庁

The surface of the substrate 1 is exposed by removing the film 2 by performing the dry etching treatment of about 15 s of a time by using a gas containing, for example, CF_4 and O_2 with the pattern 3 as a mask on the exposed film 2.例文帳に追加

そのレジストパターン３をマスクとして、たとえばＣＦ_4とＯ_2とを含むガスを用いて時間約１５秒間のドライエッチング処理を、露出している有機ＡＲＣ膜２に施すことにより、有機ＡＲＣ膜２を除去して半導体基板１の表面を露出する。 - 特許庁

A metal film is formed on an Si(i) film 13 and an Si(n) film 14 formed successively on a gate electrode 12 via a gate insulating film 12, and etched using a photoresist pattern 22 as a mask to form a source electrode 15 and a drain electrode 16.例文帳に追加

ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１２を介して順次形成されるＳｉ（ｉ）膜１３およびＳｉ（ｎ）膜１４上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン２２をマスクとしてエッチングし、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成する。 - 特許庁

Since filtering of scale light, containing a scale grid pattern image performed by a phase mask 120 having a light shielding-featured periodic structure, enables acquisition of more detailed information on the relative displacement, measurement accuracy can be improved.例文帳に追加

スケール格子パターンの画像を含むスケール光を、遮光要素を含んだ周期構造を有する位相マスク１２０によってフィルタリングすることによって、前記相対変位に関するより詳細な情報を取得できるから、測定精度を向上させることができる。 - 特許庁

To prevent the formation of a step cut and to sufficiently prevent the generation of a defect caused by the step cut in the case of a thin-film transistor or other semiconductor devices in which multilayer films are patterned collectively by using one mask pattern.例文帳に追加

一つのマスクパターンを用いて、多層膜を一括してパターニングする工程を含む、薄膜トランジスタその他の半導体装置の製造方法において、段切れの形成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁