「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

In the nano-pattern structure formed with the continuous ultrafine patterns 12 composed of the ultrafine particles 10, on the substrate 2, the ultrafine patterns 12 are formed of the ultrafine particles 10 composed of mask constitutive atoms or constitutive molecules detached by the oblique irradiation of high energy beams to a mask 4 arranged on the substrate 2 and formed of a target material with fine clearances 6 for providing the patterns.例文帳に追加

基板２上に超微粒子１０によって構成される連続的な超微細パターン１２を形成してなるナノパターン構造体において、かかる超微細パターン１２が、前記基板２上に配置された、該パターンを与える細隙６を有するターゲット材からなるマスク４への高エネルギービームの斜め照射によって離脱した、該マスクの構成原子又は構成分子からなる超微粒子１０により形成されるようにした。 - 特許庁

Also, the etching method of the thin plate comprises the process of forming the resist film of the prescribed pattern corresponding to an open hole to be etched on the thin plate as the mask, the process of etching the thin plate with the resist film as the mask and forming the open hole and the process of peeling the resist film by spraying the resist release agent to which the chemically stable particles are added.例文帳に追加

また、薄板上にエッチングしようとする開孔に対応する所定のパターンのレジスト膜をマスクとして形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記薄板をエッチングして開孔を形成する工程と、前記レジスト膜を、化学的に安定な微粒子が添加されたレジスト剥離剤をスプレーすることによって剥離する工程と、を備えることを特徴とする薄板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a letterpress plate in which a photosensitive resin layer in a portion freed of a mask layer is not affected by oxygen in the air, and by which a letterpress plate having a good fine pattern can be obtained after development, with respect to a method for producing a letterpress plate from a multilayer laminate for producing a letterpress plate including a photosensitive resin layer and a mask layer.例文帳に追加

感光性樹脂層とマスク層とを有する凸版印刷版製造用多層積層体から凸版印刷版を製造する凸版印刷版の製造方法であって、マスク層が除去された部位の感光性樹脂層が空気中の酸素の影響を受けず、現像後に微細で良好なパターンを有する凸版印刷版を得ることができる凸版印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The exposure mask is used to irradiate an object to be processed with light from a light irradiating device to form a pattern, and the mask comprises a photocatalyst layer 101 formed of a photocatalyst that develops a catalytic function by light from the light irradiating device and a light shielding layer 102 in contact with the photocatalyst layer and having an opening to selectively block the light from the light irradiating device.例文帳に追加

光照射装置から光を照射し、被処理物にパターンを形成する際に用いる露光用マスクであって、 前記光照射装置からの光によって触媒機能を発現する光触媒によって形成された光触媒層１０１と、 前記光触媒層に接し、前記光照射装置からの光を選択的に遮光する開口が形成された遮光層１０２と、を備えている構成とする。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a mask formed in a partial region on the first semiconductor layer, a metallic material layer formed on the first semiconductor layer and mask in a predetermined pattern shape in a direction crossing the mask, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and the metallic material layer, and a cavity formed in the first semiconductor layer at a layer portion below the metallic material layer.例文帳に追加

本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 - 特許庁

A wiring pattern containing pads 2g is formed by patterning the metal layer 5 which has been used as a mask, at least a passivation film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 where the empty groove 4 is formed, and an opening is provided to the passivation film 6 to make the pads 2g exposed.例文帳に追加

マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。 - 特許庁

To provide a channel coding and decoding device for a wireless unit, that reduces the quantity of a parameter arithmetic operation for coding/ decoding processing including a rate so as to reduce the current consumption and uses a memory of a small capacity and a decoder with a small scale to cope with a mask pattern for different coding.例文帳に追加

無線装置におけるチャネル符号化及び復号化装置に関し、レートを含む符号／復号処理のパラメータ演算を削減して消費電流を削減し、また、異なる符号化用のマスクパターンに対して、小容量のメモリ及び小規模の復号器よって対応可能にする。 - 特許庁

Ordering 1303 of the likeliness of the occurrence of a failure and weighting of failures are executed in consideration of physical information of a mask pattern in a chip and actual performances of a cell and a functional block, thereby performing highly accurate and efficient failure inspection 1306 and laying out based on an actual failure.例文帳に追加

チップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、また、セルや機能ブロックの実績を考慮して、故障の起こりやすさの順番づけ１３０３及び故障の重みづけを行ない、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査１３０６やレイアウトを行なう。 - 特許庁

Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed.例文帳に追加

その語、第２配線用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１配線層４ａを形成するのと同時に第２配線層７を形成する。 - 特許庁

A different wafer temperature within the surface of the wafer mounted on the plasma etching device is induced according to a shape value (a width or the like) distrubution within the wafer surface, during etching by plasma the film of the wafer to be etched by measuring the shape value of the resist pattern to be the mask within the wafer surface.例文帳に追加

マスクとなるレジストパターンの形状値（幅など）のウエハ面内分布を測定し、そのウエハをプラズマで被エッチング膜をエッチングする際に、そのウエハ面内の形状値分布に応じて、プラズマエッチング装置に載置されたウエハの面内に異なるウエハ温度を生じるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate which can prevent variation of capacity and reduction of aperture ratio caused by misalignment of a mask pattern, when the substrate is used for a planar display device and which can maintain good display characteristics even in a large-size high-definition planar display device.例文帳に追加

平面表示装置用のアレイ基板及びその製造方法において、マスクパターンの位置合わせズレに起因する容量変動や開口率の低下を防止することができ、大型かつ高精細の平面表示装置にあっても良好な表示特性を確保できるものを提供する。 - 特許庁

To reduce image quality degradation due to beating caused by ink overlap by planning a mask pattern used for completing an image in a predetermined region of a recording medium with a plurality of times of scanning of a first and a second nozzle group (C nozzle group, M nozzle group).例文帳に追加

インクを吐出するための第1および第２のノズル群（Ｃノズル群、Ｍノズル群）の複数回の走査によって記録媒体の所定領域の画像を完成させるために用いるマスクパターンを工夫することによって、インクの重なりに起因するビーディングによる画質劣化を軽減する。 - 特許庁

To provide an exposure method, and exposure apparatus, a method of manufacturing a device, and a device, where a pattern having a line width larger than resolution limit is transferred in desired contrast to secure desired resolution when a projection optical system clearing in midsection and a phase shift mask are used.例文帳に追加

本発明は、中抜けのある投影光学系と位相シフトマスクを使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process for etching an organic material film with an inorganic material film serving as a mask, capable of maintaining a high etching rate according to a pattern to be etched with a superior result in shape and in in-plane uniformity, and which is free of inorganic material film exfoliation.例文帳に追加

無機材料膜をマスクとして有機材料膜をエッチングする場合に、エッチングパターンに対応して、高いエッチングレートを維持しつつ、良好なエッチング形状で、良好な面内均一性でかつ無機材料膜の膜剥がれが生じずにエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

At the time of initial multi-pass print processing, the print object area is enlarged sequentially for each pass from the nozzle area on the downstream side of sheet carriage to the nozzle area on the upstream side and a mask pattern being assigned to the nozzle area of print object is switched sequentially for each pass.例文帳に追加

初期マルチパス印字処理時には、パス毎に用紙搬送下流側のノズル領域から順次上流側のノズル領域まで印字対象領域を拡大していくとともに、パス毎に印字対象のノズル領域に割り当てるべきマスクパターンを順次切り替えていく。 - 特許庁

Then a dummy spacer film 143 and a side-wall pattern on a side wall of the core material film 13 are formed, by using lithography technique and etching technique, so that the spacer film 14 is positioned within a range of a predetermined distance from a position where the spacer film 14 is left as a mask for subsequent etching.例文帳に追加

ついで、スペーサ膜１４を後のエッチング時のマスクとして残す位置から所定の距離の範囲にスペーサ膜１４が位置するようにダミーのスペーサ膜１４３と、芯材膜１３の側壁に側壁パターンとをリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて形成する。 - 特許庁

To provide a stage apparatus the degradation of control accuracy of which is prevented, an exposure apparatus transferring a mask pattern on a substrate on the stage apparatus without incurring deterioration in the exposure accuracy, and a device manufacturing method for using the exposure apparatus to manufacture devices.例文帳に追加

ステージ装置の制御精度の低下を防止することができるステージ装置、当該ステージ装置上の基板にマスクのパターンを露光精度の悪化を招かずに転写することができる露光装置、並びに当該露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask set contains: a pair of phase inversion regions which consist of two phase inversion regions having different phases arranged adjacent to each other to induce extinction interference and which define an access line; and a first opaque pattern formed on a transparent substrate to define the above phase inversion region pair.例文帳に追加

消滅干渉を起こせるように隣接配置された相異なる位相の位相反転領域２つよりなってアクセス配線を定義する位相反転領域対と前記位相反転領域対とを定義すべく透明基板上に形成された第１不透明パターンを含む。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

To enable highly accurate and effective failure inspection based on an actual failure, and laying out, and contribute to reducing failures such as an initial failure, in consideration of physical information of a mask pattern in the chip of a semiconductor integrated circuit, and actual performances of a cell and a functional block.例文帳に追加

半導体集積回路のチップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、セルや機能ブロックの実績を考慮し、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査やレイアウトを行なう事を可能として、初期不良などの故障の低減に寄与できるようにする。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。 - 特許庁

In a mask pattern 60 in the jet of the liquid, a jet ratio is maximized near the center in a sub-scanning direction, and gradually decreased toward both ends in the sub-scanning direction; and a decreased part is set to be an overlap area between respective main scannings.例文帳に追加

液体を噴射する際のマスクパターン６０は、噴射比率が副走査方向における中央付近で最大となり、前記副走査方向における両端に向かうに従って徐々に減少し、かつ当該減少部分が各主走査間の重複領域となるように設定されている。 - 特許庁

To prevent an undercut of a lower wiring layer caused at a bottom of an opening when the opening down to the lower wiring layer is formed in an oxide silicon-based insulating film with an etching gas containing fluorocarbon based gas by using a mask of photoresist film pattern, and an ashing step is carried out with oxide plasma.例文帳に追加

フォトレジスト膜パターンをマスクにしてフルオロカーボン系ガスを含んだエッチングガスにより下層配線層に達する開口部を酸化シリコン系絶縁膜に開口部を形成し、酸素プラズマによるアッチングを行なうときに開口部底部における下層配線層のアンダー・カット部の形成を抑制する。 - 特許庁

After a film layer 6 consisting of the die attach film 4 and a UV tape 5 is provided on a semiconductor wafer 1 as a mask, border grooves 7 for dividing semiconductor elements 2 from one another formed on a circuit pattern forming surface 1a are formed on the film layer 6 to have the surface of the wafer 1 exposed.例文帳に追加

半導体ウエハ１にダイアタッチフィルム４及びＵＶテープ５から成るフィルム層６をマスクとして設けた後、そのフィルム層６に、回路パターン形成面１ａに形成された半導体素子２同士を区分する境界溝７を形成して半導体ウエハ１の表面を露出させる。 - 特許庁

To improve use efficiency of light while maintaining good accuracy in exposing a subject by irradiating it with a light beam having a viewing angle in one axial direction larger than a viewing angle in the other axial direction through a mask having a stripe pattern.例文帳に追加

一方の軸方向の視角が他方の軸方向の視角より大きい光を照射できるようにし、ストライプ状のパターンが形成されたマスクを介して被処理物に光を照射し被処理物を露光するに際し、良好な露光精度を維持しながら、光の利用効率を向上させること。 - 特許庁

To obtain an alignment mark used for alignment of a mask pattern in a semiconductor device manufacturing process, in which high diffraction efficiency and alignment of high accuracy can be obtained, even if a conductive film is as thick as a gate electrode film whose thickness is determined by the process conditions of a MOS semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるマスクパターンの位置合わせに使用するアライメントマークにおいて、ＭＯＳ半導体装置のプロセス条件より決定されるゲート電極膜と同一の導電膜の膜厚でも、高い回折効率を得、高精度のアライメントを可能にする。 - 特許庁

To provide an aligner that supports, aligns, and controls an object such that the reaction forces and the vibrations caused by the motion of the object are not transferred to other elements, such as a projection optical device for exposing a pattern of a mask onto the object, and to provide a method of exposure using the apparatus.例文帳に追加

対象物の運動により生ずる反力及び振動が、マスクのパターンを対象物に露光するための投影光学装置の如き他の要素に伝達しないように、対象物を支持、位置決め、及び、制御する露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inline-type vapor deposition apparatus which can control a film thickness with high accuracy and also requires only few sheets of masks for vapor deposition even when continuously conducting the vapor deposition onto articles each having a different vapor deposition pattern; a vapor deposition method using a mask; and a method for manufacturing an organic-electroluminescence device.例文帳に追加

膜厚を高い精度で制御できるとともに、蒸着パターンが異なる蒸着を連続して行なう場合でも蒸着用マスクの枚数が少なく済むインライン式蒸着装置、マスク蒸着方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine and accurate pattern even on a substrate having high reflectivity, a substrate or the like in which a transparent film is interleaved by solving a problem (deterioration of a dimensional accuracy) due to halation or interference of a reflected light from the substrate and conducting an accurate mask alignment.例文帳に追加

基板からの反射光によるハレーションや干渉現象による問題（寸法精度劣化）を解決し、精度の高いマスクアライメントを行うことで、反射率の高い基板，透明膜が介在する基板等においても微細で高精度のパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

When varying the patterns for successively stopping a variation of the patterns in a prescribed order by variably displaying the plural patterns, semitransparentizing processing for thinly showing the varying pattern is applied by thinning-out processing using a mask or VDP processing having a function for changing transmissivity.例文帳に追加

複数の図柄を変動表示させ、図柄の変動を所定の順番で順次停止させる図柄変動中の場合に、マスクを用いた間引き処理、または透過率を変化させる機能を持ったＶＤＰ処理により、変動中の図柄を薄く見せる半透明化処理を施す。 - 特許庁

The mask pattern 10 is divided into two areas: a center area extended along the center line; and a peripheral area 12 with a constant width W surrounding the center area.例文帳に追加

マスクパターン１０は、その中心線上に伸びる中央領域と、この中央領域の周囲を一定の幅Ｗで取り囲む周辺領域１２との二つの領域に分割され、中央領域は更に、中心線上に互いに隣接して並ぶ正方形の複数の単位領域１１に分割される。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a new screen printing plate, with which the screen printing plate having a mask layer excellent in fixture to screen and plate wearability can be manufactured at all times irrespective of the kinds of fibers or the like making the screen thereof by forming a pattern by utilizing an inkjet printing method.例文帳に追加

インクジェット印刷法を利用したパターン形成によって、スクリーンのもとになる繊維等の種類に関係なく、常に、前記スクリーンに対する定着性や耐刷性に優れたマスク層を有するスクリーン印刷版を製造することができる、新規なスクリーン印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal mask screen plate has a pattern-like hole 8 formed in a metal plate 2, the meshes 4 having a thicknes smaller than that of a metal plate 2 is formed to the hole 8, the mesh 4 is disposed flush with the metal plate 2, and the flush surface constitutes a squeegee surface.例文帳に追加

金属板２にパターン状の孔８が設けられ、かつ、当該孔８に、金属板２よりも薄膜のメッシュ４が形成されてなり、その一方の面において、メッシュ４が金属板２と面一になるように配され、当該面がスキージ面を構成することを特徴とするメタルマスクスクリーン版。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

A sheet having a through-hole 12 with a definite aperture ratio is fixed on a plate frame 3, and after the whole face of the sheet 2 is coated with a photosensitive emulsion 4 and is dried, a mask film on which a printing pattern is drawn is hermetically stuck under vacuum, it is irradiated with ultraviolet rays, and an unexposed part is developed and removed.例文帳に追加

版枠３に一定の開孔率の透孔１２を有するシート２を版枠３に固定し、シート２の全面に感光性乳剤４を塗布し乾燥した後、印刷パターンが描画されたマスクフィルムを真空密着し紫外線照射した後未露光部を現像除去する。 - 特許庁

The present invention is related to a method for forming a storage electrode of a semiconductor element, and it is a technology of increasing the surface area of a storage electrode region by using especially a hard mask layer pattern and preventing the damage to an oxide film for the storage electrode and the bridge phenomenon between contacts.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、特にハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用は酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止することができる技術である。 - 特許庁

When exposure heads 30a-30d are scanned for exposure over a first scan region As1 to a fourth scan region As4, respectively, a unit pattern group SLG having a width united with each width of the drawing object region in each scan region is beforehand formed on a mask.例文帳に追加

露光ヘッド３０ａ〜３０ｄそれぞれが第１走査領域Ａｓ１から第４走査領域Ａｓ４へかけて露光走査する際、各走査領域内の描画対象領域の幅それぞれに合わせた幅を有した単位パターン群ＳＬＧを予めマスク上に形成する。 - 特許庁

The data processing apparatus is provided with a loading process means for loading a plurality of pieces of data in a batch to a register, by matching to a mask pattern for higher-order partial autocorrelation features from inputted image data and an addition process means for carrying out processings of the addition of a plurality of pieces of data in the register, in batch.例文帳に追加

データ処理装置は、入力された画像データから、高次局所自己相関特徴のマスクパターンに合わせて複数データを一括してレジスタにロードするロード処理手段と、レジスタの複数データを一括して積算の処理を行う積算処理手段とを備える。 - 特許庁

The photo mask 5 for phase shift focus monitor has first and second light transmission parts 5c and 5d adjacent to each other across a light shielding pattern 5b between them and is so constituted that a phase difference other than 180° may be given for respective exposure light transmitted through the first and second light transmission parts 5c and 5d.例文帳に追加

この位相シフトフォーカスモニタ用フォトマスク５は、遮光パターン５ｂを挟んで隣り合う第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを有し、かつ第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを透過した各露光光に１８０°以外の位相差が生じるように構成されている。 - 特許庁

To provide a reflective mask for EUV exposure, which has a light shielding band superior in cleaning resistance, by improving light shielding performance at an overlapping portion of fields of a transfer pattern in EUV exposure to suppress leakage of exposure light, resulting in reduced effect of shadowing of exposure light, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制し、露光光のシャドーイングの影響を低減し、かつ耐洗浄性に優れた遮光帯を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alignment method for precisely aligning each one of shots S1 to S32 a substrate P with a pattern image of a mask M by obtaining an array of the shots S1 to S32 based on the condition of a temperature distribution on upper surface of a first holding section 26 of a substrate table PT.例文帳に追加

基板テーブルＰＴの第１保持部２６上面の温度分布に基づいた条件で、ショットＳ１〜Ｓ３２の配列を求めることで、基板ＰのショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを高精度に位置合わせする位置合わせ方法を提供する。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied onto the interlayer insulating film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, dried, irradiated with light through a mask patterned to form windows 6c in predetermined parts, and developed with an aqueous alkali solution to form a pattern.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

According to certain aspects, the present invention enables full chip pattern coverage while lowering the computation cost by intelligently selecting a small set 306 of critical design patterns from the full set 302 of clips to be used in light source and mask optimization.例文帳に追加

いくつかの態様によれば、本発明は、フルチップパターンのカバーを可能にし、一方、光源およびマスク最適化で使用しようとするクリップの完全な集合３０２から重要な設計パターンの小さな集合３０６をインテリジェントに選択することによって、計算コストを低減する。 - 特許庁