「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

Since this method allows the mask pattern 46 of high precision to be formed on the imprint resin layer 42 by impression of the nano-stamper 43, the monolithic semiconductor lens 23 having a desired shape is formed more easily than conventional methods which use wet etching or form resist patterns by baking.例文帳に追加

この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。 - 特許庁

The aligner irradiates a substrate to be exposed by using light from a light source via a projection optics having a uniform proximity gap to transfer a mask pattern, wherein a composite mirror composed of a plurality of mirror groups making one reflection plane is used in the projection optics.例文帳に追加

光源からの光を利用して、マスクのパターンをマスクのパターンを均一なプロキシミティギャップを有する投影光学系を介して被露光基板に照射する露光装置において、複数のミラー群で一つの反射面を構成する集成ミラーを前記投影光学系に用いたことを特徴とする露光装置。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a process that forms one arbitrary lump of dopant regions off the surface of a semiconductor inside a semiconductor substrate, and a process that performs ion implantation a plurality of times with the disposition of a mask pattern end for the ion implantation changed.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、本発明は、半導体表面から離れた任意の一固まりの不純物領域を半導体基板内部に形成する工程であって、イオン注入用のマスクパターン端の配置の変更を伴った、複数回のイオン注入を行う工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor that can be selectively etched, can adopt an HBT layer structure containing a semiconductor material with improved adhesion with a mask pattern, forms a guard ring with improved reproducibility without losing the easiness of a guard ring formation process, and has the improved reproducibility of HBT element characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加

選択エッチング可能であり、マスクパターンとの密着性の良好な半導体材料を含むＨＢＴ層構造を採用し、ガードリング形成工程の容易さを損なうことなくガードリングを再現性よく形成し、ＨＢＴ素子特性の再現性が良好なヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法を提供すること。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

In the method for forming the organic EL thin film, a screen mask in which a photosensitive agent 3 having a prescribed pattern is formed in a wire mesh 2 is arranged above a substrate 4 to prevent the wire mesh 2 from coming into contact with the substrate 4, and a raw material solution containing an organic EL material is sprayed by a microsprayer 10.例文帳に追加

ワイヤメッシュ２に所定のパターンを有する感光剤３を形成してなるスクリーンマスクを、基板４の上方に、ワイヤメッシュ２が基板４に接触しないように設け、上方からマイクロスプレー１０により有機ＥＬ材料を含む原料液を噴霧する有機ＥＬ薄膜の形成方法である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a conductor pattern, a step of printing mask portions on a board by using a printing material containing a solvent-soluble resin as a main component, a step of laminating a conductive member upon the whole surface of the substrate, and a step of removing the printing material with a solvent, are successively performed in this order.例文帳に追加

支持体上に溶剤溶解性の樹脂を主成分とする印刷材料でマスク部分を印刷する工程と、導電性部材を全面に積層する工程と、前記印刷材料を溶剤で除去する工程とをこの順に有することを特徴とする導電性パターン製造方法。 - 特許庁

The design data of an edge in either a portion to be left on a substrate 6 or a portion not to be left on the substrate 6, in a pattern 5 to be formed on the substrate 6 to be processed by using two masks 1, 2 is extracted from the design data of mask patterns 3, 4 formed on masks 1, 2, respectively.例文帳に追加

２枚のマスク１，２を用いて被処理基板６上に形成されるパターン５のうち、基板６上に残す部位および基板６上に残さない部位のいずれか一方の部位のエッジ部の設計データを各マスク１，２に形成されているそれぞれのマスクパターン３，４の設計データから抽出する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device using SiC for the substrate comprises: a process for forming an alignment mark 2 on a {0001} plane in the SiC substrate 1; and a process for forming a prescribed pattern on the SiC substrate 1 by aligning a transfer mask and the SiC substrate 1, based on the alignment mark 2.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、ＳｉＣ基板１の｛０００１｝面に、アライメントマーク２を形成する工程と、アライメントマーク２に基づき、転写マスクとＳｉＣ基板１との位置合わせを行いＳｉＣ基板１上に所定のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the mask layout pattern verification method of a semiconductor integrated circuit, predetermined rectangular data is selected by examining the number of vertexes and the presence of a long side for data to be verified, the coordinates of four vertexes are extracted for the selected rectangular data, and the long side direction and the coordinate of the center of the rectangular data are calculated.例文帳に追加

半導体集積回路のマスクレイアウトパターン検証方法において、検証対象データに対して頂点数と長辺の存在を調べることにより、所定の矩形データを選別し、選別された矩形データに対して、４頂点の座標を抽出し、矩形データの長辺方向及び中心座標を算出する。 - 特許庁

A mask 31 includes a membrane layer 37 made of a first material, scattering regions 39 made of a second material which forms a pattern and scatters charged particles more strongly than the membrane layer 37, and a plurality of linear support column groups 37, which are arranged at intervals and support the membrane layer 37 together with the scattering regions 39.例文帳に追加

マスク31は、第１の材料から構成されるメンブレン層37と、パターンを形成し、メンブレン層37よりも荷電粒子を強く散乱させる第２の材料から構成される散乱領域39と、互いに間隔を空けて配置され、散乱領域39とともにメンブレン層37を支持する、複数の直線状に延びる支持支柱群33とを含む。 - 特許庁

A mask 10 having an opening 11 of a fixed thickness is brought into contact with a substrate 30, having a concave portion 32 and a pattern 31 on the top surface, and the opening 11 is filled with solder 50 by squeegee equipment 20, having many segmented squeegees 21, with their vertical and movement directions limited to form a solder junction 51.例文帳に追加

凹部３２を有し、上面にパターン３１を有する基板３０に、厚さが一定の開口部１１を有するマスク１０を当接させ、上下及び移動方向を制限した複数の分割スキージ２１を有するスキージ装置２０により、開口部１１に半田５０を充填し、半田接合部５１を形成する。 - 特許庁

The mask blank is characterized in that chemically amplified resist film 4 is formed on a light shielding film 3 and deactivation suppressing film (not illustrated) having film density at least higher than the film density in the vicinity of the surface of the light shielding film 3 and for suppressing deactivation of the resist film 4 is formed when a resist pattern 4a is formed.例文帳に追加

遮光性膜３上に化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric vibration piece in which developer is sufficiently immersed into a fork portion to form a mask pattern with good accuracy and formation failure of an electrode can be prevented, a piezoelectric vibration piece manufactured by the manufacturing method, a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic apparatus and an electric wave clock using the piezoelectric vibration piece.例文帳に追加

又部に現像液を十分に浸入させてマスクパターンを精度よく形成し、電極の形成不良を防止できる圧電振動片の製造方法と、この製造方法により製造された圧電振動片、この圧電振動片を用いた圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method for the printed board includes a printing process wherein a paste material 4 is extruded toward one printing matter 5 through a cavity part by scanning a screen mask 1 with the cavity part while pressing it by means of a plurality of squeegees 2 and 3, so that a pattern can be formed on the surface of the printing matter 5.例文帳に追加

印刷基板の製造方法は、空隙部を有するスクリーンマスク１を複数のスキージ２，３で押圧しながら走査することによって、ペースト材料４を上記空隙部を通して一つの被印刷物５に向けて押し出して、被印刷物５の表面にパターンを形成する印刷工程を含む。 - 特許庁

Pattern connection of a soldered surface and a component surface is made excellent by subjecting a metal mask processing only to a component surface side land 3 of a through-hole 2 formed in the board, applying a cream solder 5, and soldering a chip component 6 by melting the cream solder 5 by reflowing and simultaneously solder-plating the through-hole 2.例文帳に追加

基板に形成したスルーホール２の部品面側ランド３のみにメタルマスク処理を施し、クリーム半田５を塗布し、リフローにより前記クリーム半田５を溶解させてチップ部品６を半田付けし、同時に前記スルーホール２にハンダメッキすることで、半田面、部品面のパターン接続を良好なものにする。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition free of safety problem to a living body, having good suitability to application even to a large substrate, capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, and capable of forming spacers for a display panel excellent in adhesion to the substrate and excellent also in strength, heat resistance, etc.例文帳に追加

生体に対する安全性に問題がなく、しかも大型基板に対しても良好な塗布性を有し、高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、また強度、耐熱性等にも優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

Since white streaks caused by "end kink" in the first recording element array C1 can be interpolated by the recording elements of the second recording element array SC2, streaks caused by "end kink" can be corrected effectively even if the recording rate distribution of mask pattern in multipass recording is not biased.例文帳に追加

これにより、第１の記録素子列Ｃ１で生じる「端部よれ」に起因する白スジを、第２の記録素子列ＳＣ２の記録素子によって補間することができるので、マルチパス記録のマスクパターンの記録率分布に偏りを持たせなくとも、「端部よれ」に起因する白スジを効果的に補正することが可能となる。 - 特許庁

An optical system PL and first and second alignment optical systems AA1a, AA1b, AA2a, and AA2b are arranged so that the detection of the alignment information on the other substrate W2 (W1) can be performed in parallel when exposing a mask pattern on one substrate W1 (W2) out of substrates retained side by side on a substrate stage ST.例文帳に追加

基板ステージＳＴに並べて保持された一方の基板Ｗ１（Ｗ２）にマスクパターンを露光するときに、他方の基板Ｗ２（Ｗ１）のアライメント情報の検出を並行して行なうように、光学系ＰＬと第１および第２のアライメント光学系ＡＡ１ａ，ＡＡ１ｂ、ＡＡ２ａ，ＡＡ２ｂを配置する。 - 特許庁

An image processing means 121 changes a method of processing an image (such as changing the mask pattern used in the edge emphasizing process as the image processing) for a read image obtained by a microfilm scanner 110 based on the information on the optical system (such as about the type or the zoom magnification of a projection lens, etc.), of the microfilm scanner 110.例文帳に追加

画像処理手段１２１は、マイクロフィルムスキャナ１１０が有する光学系に関する情報（投影レンズのタイプ又はズーム倍率等）に基づいて、マイクロフィルムスキャナ１１０で得られた読取画像に対する画像処理方法を変更（画像処理としてのエッジ強調処理で使用するマスクパターンの変更等）する。 - 特許庁

When using the photosensitive dry film resist, by light-shielding only the holes to be filled by a film mask or a straight drawing device and executing full exposure, the dry film resist of a hole part to be filled is removed in development processing, and only the holes desired to be filled are selectively exposed with high accuracy equivalent to a pattern forming technology.例文帳に追加

感光性ドライフィルムレジストを使用する場合には、フィルムマスクまたは直描装置にて埋める穴部のみを遮光し全面露光することで、現像処理にて埋める穴部のドライフィルムレジストが除去され、パターン形成技術と同等の高精度で埋めたい穴のみを選択的に露出させることができる。 - 特許庁

In bidirectional multi-pass recording of odd-numbered passes, a mask pattern wherein recording permission pixels and non recording permission pixels are arranged so that a proportion of pixels in which predetermined two kinds of ink can be recorded by scan in different directions becomes higher than a proportion of pixels in which the two kinds of ink can be recorded by scan in the same direction.例文帳に追加

奇数パスの双方向マルチパス記録において、所定の２種類のインクを異なる方向の走査で記録可能な画素の割合が上記２種類のインクを同じ方向の走査で記録可能な画素の割合よりも高くなるように記録許容画素と非記録許容画素が配列されたマスクパターンを用いる。 - 特許庁

The distributed density mask comprises a plurality of masks formed for separate exposure regions, the exposure region of each of the masks has a light shielding pattern with a two-dimensional light intensity distribution formed on the transparent substrate and each of the exposure regions is divided by unit cells of appropriate shape and size without leaving a gap.例文帳に追加

この濃度分布マスクは異なる露光領域ごとに作成された複数枚のマスクにより構成され、各マスクの露光領域は透明基板上に２次元の光強度分布を有する遮光パターンが形成されたものであり、各露光領域は適当な形状及び大きさの単位セルにより隙間なく分割されている。 - 特許庁

In this state, the substrate 2 and resist 3 are etched together by using an etching system capable of etching the substrate 2 and resist 3 at the same time to transfer the resist pattern in (b) to the substrate 2 as shown in (c), and the substrate 2 has unevenness corresponding to the patterns of the mask 1 and is usable as a diffusion plate.例文帳に追加

この状態で、基板２とレジスト３を同時にエッチング可能なエッチング方式を使用し、基板２とレジスト３を同時にエッチングすると、（ｃ）に示すように、（ｂ）のレジストパターンが基板２に転写され、マスク１のパターンに対応した凹凸を有する基板２が得られ、これが拡散板として使用できる。 - 特許庁

To prevent the position of a via contact from deviating with repeat to metal wiring, even if deviation of alignment occurs in a mask pattern for forming a via hole in the case of designing the wiring width of the metal wiring and the diameter of the via hole which is connected with the upper surface of that metal wiring into the same dimension.例文帳に追加

金属配線の配線幅と、該金属配線の上面と接続されるビアホールの径とが同一寸法に設計される半導体装置の製造方法において、ビアホールを形成するためのマスクパターンにアライメントずれが発生しても、ビアコンタクトが金属配線に対して位置ずれしないようにする。 - 特許庁

When transferring a mask pattern to a wafer via a projection optical system, first, a prescribed imaging properties of the environmental conditions and the projection optical system with a prescribed timing are measured, and environmental correction coefficients for correcting the variation varied by the environmental conditions of the imaging property are calculated, based on the measured result (step 409).例文帳に追加

マスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する際に、先ず、所定のタイミングで、環境条件と投影光学系の所定の結像特性とを計測し、該計測結果に基づいて結像特性の環境条件による変化を補正するための環境補正係数を算出する（ステップ４０９）。 - 特許庁

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁

An alignment layer 1 is provided on a transparent substrate 5 on which a transparent electrode 4 is formed, an optical mask 6 wherein a light transmission part and a light shielding part with respect to UV are disposed in a prescribed pattern is covered on the alignment layer and the alignment layer is irradiated with UV 7 to remove the alignment layer 1 positioned in a region corresponding to the UV light transmission part ((a) of Fig.).例文帳に追加

透明電極４が形成された透明基板５上に、配向膜１を設け、その上に、紫外線に対する透光部と遮光部が所定のパターンで配されてなる光学マスク６を被せ、紫外線７を照射し、紫外線透光部に対応する領域に位置する配向膜１を除去する（図１（ａ））。 - 特許庁

The optical element, used for an aligner 11 for transferring the pattern formed in a mask R to a photosensitive substrate W, comprises a base material for comprising a transmitting optical element, and a surface smoothing film 29, at least on a part of the surface of the effective region of the base material comprising the transmitting optical element.例文帳に追加

マスクＲに形成されたパターンを感光性基板Ｗに転写する露光装置１１に使用される光学素子であって、透過光学素子を構成する基材と、前記透過光学素子を構成する基材の有効領域外の表面の少なくとも一部に表面平滑化膜２９とを備える。 - 特許庁

A Fresnel lens 8 for turning light for exposure 7a from a light source 6 into a parallel light 7b is arranged between a mask for exposure 4 and the light source 6, and a light sensing film at the inner plane of a substrate 3 is exposed in an intended pattern by making the Fresnel lens 8 rock in a direction of the inside of the plane by a rocking means 9.例文帳に追加

露光用マスク４と光源６との間に、該光源６からの露光光７ａを平行光７ｂにするためのフレネルレンズ８を配置し、フレネルレンズ８を揺動手段９により面内方向に揺動させて、平行光７ｂにより基板３の内面の感光性塗膜を所要パターンに露光する。 - 特許庁

The color filter substrate 100 is fabricated by forming the black matrix 21a on the transparent substrate 11 by using the exposure mask having a corrected pattern width of the black matrix adjacent to a specified position, and further by forming coloring color filter layers 30 composed of a red color filter 31R, a green color filter 31G, and a blue color filter 31B.例文帳に追加

特定部位に隣接するブラックマトリクスのパターン幅を補正した露光マスクを用いて透明基板１１上にブラックマトリクス２１ａを形成し、さらに赤色カラーフィルタ３１Ｒ、緑色カラーフィルタ３１Ｇ及び緑色カラーフィルタ３１Ｂからなる着色カラーフィルタ層３０を形成してカラーフィルタ基板１００を作製する。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a pressing plate 42 for pressing the body to be exposed, an image recognition part 54 for observing a first alignment mark formed on the body to be exposed and a second alignment mark formed on the circuit pattern mask, and a first moving part 43 for simultaneously moving the pressing plate and the image recognition part in the prescribed width direction of the body to be exposed.例文帳に追加

被露光体を押さえる押さえ板４２と、被露光体に形成された第１アライメントマークと回路パターンマスクに形成された第２アライメントマークとを観察するための画像認識部５４と、押さえ板と画像認識部とを被露光体の所定幅方向に同時に移動させる第１移動部４３とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes processes of: forming the negative type films 18 by using green, blue and red colored compositions in accordance with a plurality of photo-electric conversion elements 12 in an imaging device 14; performing pattern-exposure of the films via a density distribution mask; and thereafter, developing the film to form the outer surface of each color filter into a convex lens shape.例文帳に追加

カラーフィルター製造方法は：撮像素子１４の複数の光電変換素１２に対応して緑，青，赤色組成物によりネガ型膜１８を形成し、この膜を濃度分布マスクを介してパターン露光した後に現像し、現像後に各色フィルターの外表面が凸レンズ形状に形成されている。 - 特許庁

The pellicle glue removing device comprises a cover that covers a mask pattern inside the glue that remains in the section of a photomask from which pellicle is removed, means for supplying fluid in the cover, and means for applying cleaning liquid to the glue, and the pellicle glue removing device is configured such that the cleaning liquid does not infiltrate the cover by the fluid pressure.例文帳に追加

本発明は、フォトマスクのペリクル跡に残るグルーの内側にマスクパターンを覆うように被せるカバーと、前記カバー内に流体を送る手段と、前記グルーに洗浄液をかける手段とからなり、流体圧により前記カバー内に洗浄液が浸入しないことを特徴とするペリクル・グルーの除去装置の構成とした。 - 特許庁

To provide an optical three-dimensional shaping apparatus capable of manufacturing a three-dimensional shaped product excellent in dimensional precision, appearance and strength by irradiating a shaping surface, which comprises a photosetting resin composition, with light enhanced in energy intensity and having a uniform optical intensity distribution in a predetermined shape pattern through a sheet drawing mask.例文帳に追加

エネルギー強度が高く、光強度の分布が均一な光を面状描画マスクを介して所定の形状パターンで光硬化性樹脂組成物よりなる造形面に照射して、寸法精度、外観、強度などに優れる立体造形物を速い造形速度で製造できる光学的立体造形装置の提供。 - 特許庁

Each flag of the condition code setting register is converted by a flag conversion part 340, according to respective values of a mask register (Reg_MASK), an inversion register (Reg_XCR), a comparison pattern register (Reg_MATCH) and a function register (Reg_FUNC), so as to be output as a converted condition code set rF_out.例文帳に追加

条件コードセットレジスタの各フラグは、設定レジスタ３２０のマスクレジスタ（Ｒｅｇ＿ＭＡＳＫ）、反転レジスタ（Ｒｅｇ＿ＸＯＲ）、比較パターンレジスタ（Ｒｅｇ＿ＭＡＴＣＨ）および機能レジスタ（Ｒｅｇ＿ＦＵＮＣ）の各値に従って、フラグ変換部３４０によって変換されて、変換条件コードセットｒＦ＿ｏｕｔとして出力される。 - 特許庁

The membrane 3 is equipped with a plurality of local circuits 6 which are deformed by electrical signals, and the mask pattern 2 is corrected for a coordinate position by the deformation of the local circuits 6.例文帳に追加

Ｘ線吸収体または電子線吸収体からなるマスクパターン２を形成したメンブレン３及びこのメンブレン３を支持するための支持体４を備え、メンブレン３は電気信号によって変形する複数個の局部回路６を有し、この局部回路６の変形によってマスクパターン２の座標位置が補正されるようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises the steps of forming an oxide film 14 having a trench forming pattern on the surface of an n-type silicon semiconductor substrate 11, forming a trench 16 for a super junction on the semiconductor substrate 11 with a mask of the oxide film 14, and conducting an epitaxial growing to bury the trench 16 with a p-type semiconductor 17.例文帳に追加

ｎ型シリコン半導体基板１１の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜１４を形成し、この酸化膜１４をマスクとして半導体基板１１に超接合用トレンチ１６を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ１６をｐ型半導体１７で埋める。 - 特許庁

Since the cleaning device 1 can make the suction port 21 correspond to the range of a pattern hole 7 formed on the mask 2 easily by the rotation, attachment/detachment, insertion, and exchange of the adjusting means 19 to the container 18, the removal of the creamy solder C is possible for all the masks 2.例文帳に追加

また、前記クリーニング装置１は、前記調整手段１９を前記吸引用容器１８に対して回動・着脱・挿嵌・交換することで容易に前記マスク２上に形成されたパターン孔７の範囲に前記吸引口２１を合わせることができるので、あらゆるマスク２に対してクリームはんだＣの除去が可能である。 - 特許庁

In this plasma display panel, a top layer of the barrier ribs 8 is constituted of blast remaining layers of a barrier rib material used as a blast mask provided by being printed in a stripe pattern in the plasma display panel constituted by arraying the barrier rib 8 constituted of base layers 8b of bright colors and top layers 8t of dark colors.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルは、バリアーリブの基部層８ｂが明色で頂部層８ｔが暗色からなるバリアーリブ８が配列してなるプラズマディスプレイパネルにおいて、当該バリアーリブの頂部層が、ストライプパターン状に印刷して設けたブラストマスク兼バリアーリブ材料のブラスト残層からなることを特徴とする。 - 特許庁

An exposure system projects a mask pattern onto a photosensitive substrate using a fluorine excimer laser as a light source, where the beam of the excimer laser whose wavelengths are in a wavelength range of vacuum ultraviolet rays are used as an exposure light, and an optical axis aligning means in which visible light or infrared beams emitted from the fluorine excimer laser at the same time are used is provided.例文帳に追加

フッ素エキシマレーザを光源とし、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、前記フッ素エキシマレーザ光の真空紫外域の波長を露光光とし、前記フッ素エキシマレーザ光が同時に発光する可視光または赤外光を用いた光軸合わせ手段を設ける。 - 特許庁

The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁

However, since an extremely low contrast part R114 is produced near the bent part, bias correction is carried out in a part B115 on the mask layout corresponding to the low contrast part to correct thinning of the pattern, so that the transfer accuracy in the bent part and its nearby region (R115) can be increased to much as possible.例文帳に追加

一方、屈曲部近傍に極めて低い光コントラスト部Ｒ１１４が生じる為、マスクレイアウト上この当該部に当たる部位Ｂ１１５にバイアス補正を行いパターンの極細りを修正することで、屈曲部ならびにその近傍の転写精度を最大限に高めることができる（Ｒ１１５）。 - 特許庁

To provide an apparatus for applying a coating agent in which the coating agent is surely and precisely applied with a prescribed pattern on the surface of each material to be coated via a mask by a simple structure even when each material to be coated has uneven height or is deformed or inclined, and a method of applying the same.例文帳に追加

簡単な構成で、各塗布対象が均一な高さでない場合や変形あるいは傾斜している場合であっても、各塗布対象の表面にマスクを介してそれぞれ塗布剤を確実にかつ精度良くそれぞれ所定のパターンで塗布することができる塗布剤の塗布装置およびその方法を提供する。 - 特許庁