「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

A laser beam applied by using a phase grating mask which diffracts the laser beam applied from above and forms grid-shaped interference fringes is allowed to interfere, a resist coated or deposited on the material surface is irradiated with the coherent beam and is developed and, thereby, a pattern corresponding to the periodic structure is formed.例文帳に追加

本発明は、上部から照射されたレーザー光を回折して格子状の干渉縞を形成する位相格子マスクを用いて、照射されたレーザー光を干渉させ、その干渉光を物質表面に塗布又は堆積したレジストに照射し、現像することによって、前記周期構造に対応するパターンを形成する。 - 特許庁

The method is provided with a process of introducing gas containing fluorinated silicon-based gas whose F/Si ratio is larger than 0 and smaller than 4 to a vacuum container with gas containing HBr, gas containing O_2 and gas containing NF_3 and/or SF_6 for etching a single crystal silicon film 1 with an insulation film 8 of a prescribed pattern as a mask.例文帳に追加

真空容器中に、ＨＢｒを含有するガス、Ｏ_２を含有するガス、ＮＦ３及び／又はＳＦ_６を含有するガスとともに、Ｆ／Ｓｉ比が０を超えて４未満であるフッ化シリコン系ガスを含有するガスを導入し、所定パターンの絶縁膜８をマスクとして、単結晶シリコン膜１をエッチングする工程を備える。 - 特許庁

The patterns for a DRAM device 5 and the memory hybrid logic device 9a are arranged, and by using a mask 3 where the occupation ratio of the pattern of the DRAM device 5 to the memory consolidation logic device 9a is set almost equal to the aperture ratio of the DRAM device at etching a substrate 4, the etching recipe of the DRAM device is used in common.例文帳に追加

ＤＲＡＭ装置５とメモリ混載ロジック装置９ａとのパターンが設けられ、メモリ混載ロジック９ａに対するＤＲＡＭ装置５の占有するパターン比率が、基板４をエッチングする際のＤＲＡＭ装置の開口率とほぼ等しくなるよう設定したマスク３を用いることによりＤＲＡＭ装置のエッチングレシピの共有化をはかる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, excellent in adhesion to a substrate, making it possible to obtain a satisfactory spacer shape and thickness under an exposure energy of ≤150 mJ/cm^2, and capable of forming spacers for a display panel excellent in strength, heat resistance, etc.例文帳に追加

高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、１５０ｍＪ/ｃｍ^2以下の露光量で十分なスペーサー形状および膜厚を得ることを可能とし、また強度、耐熱性等にも優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The aligner exposes a pattern formed in a negative plate on a substrate, such as a wafer and a plate, while irradiating the negative plate, such as a reticle and a mask via a lighting optical system by exposing light from an exposure light source, including at least respectively one air supply port and one exhaust port in the stage space so as to control air current distribution in the space.例文帳に追加

露光光源からの露光光により照明光学系を介してレチクル、マスク等の原板を照明し、前記原板に形成されたパターンをウエハ、プレート等の基板上に露光する露光装置であって、ステージ空間に少なくとも１個づつの給気ポートと排気ポートを備え、その空間内の気流分布を制御する。 - 特許庁

Then a first component mounting machine 13 determines mounting positions of the respective substrates on the palette 11 based upon the mask position information to stick the respective substrates on the palette 11, and the palette 11 is conveyed to the screen printer 14 to screen-print the predetermined pattern on the plurality of substrates on the palette 11 together at a time.例文帳に追加

この後、第１の部品実装機１３で、上記マスク位置情報に基づいてパレット１１に対する各基板の搭載位置を位置決めして各基板をパレット１１に粘着させた後、該パレット１１をスクリーン印刷機１４に搬送して、該パレット１１上の複数の基板に一括して所定のパターンをスクリーン印刷する。 - 特許庁

This stencil mask 10 is used in the semiconductor lithography process for near exposure like the LEEPL and is provided with a supporting material 12 consisting of a Si substrate, a membrane 16 consisting of a Si film extended on the supporting material 12 via a SiO_2 film 14, and a groove type pattern 18 provided on the membrane 16.例文帳に追加

本ステンシルマスク１０は、ＬＥＥＰＬのような近接露光を行う半導体リソグラフィ工程で使用するステンシルマスクであって、Ｓｉ基板からなる支持体１２と、ＳｉＯ_２ 膜１４を介して支持体１２上に延在するＳｉ膜からなるメンブレン１６と、メンブレン１６に設けられた溝状のパターン１８とを備えている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent display having a life time of an element secured, without generating unevenness in the luminance by a voltage drop caused by an upper-part translucent electrode even in an enlarged size, and having a high production efficiency capable of forming an organic luminescent layer, without using a deposition mask having a precision open-hole pattern.例文帳に追加

素子の寿命を確保しつつ、上部透明電極に起因する電圧降下による発光輝度むらを大形化しても生じさせず、かつ精密な開孔パターンを持つ蒸着マスクを用いずに有機発光層形成可能な生産効率の高い有機ＥＬ表示装置を提供することである。 - 特許庁

By using a mask having a pattern for forming the source electrode 20c of a thin film transistor 20 and data lines 22, the source electrode 20c is formed in the peripheral region of pixels where the pixel electrode 16 is located in the vicinity of the data line 22, and the source electrode 20c and the pixel electrode 16 are coupled.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタ２０におけるソース電極２０ｃとデータライン２２とを形成するためのパターンを備えたマスクによって、画素電極１６がデータライン２２に近隣する辺縁にソース電極２０ｃを形成し、ソース電極２０ｃと画素電極１６を連接することを特徴とする。 - 特許庁

By using a screen printing version 21, having a mask pattern which shields a region having a predetermined gap 23 from an outer periphery of the bump electrode 13, the bump electrode 13 and the gap 23 are formed, and an insulating resin layer 14, composed of polymer resin, is formed on the first wiring layer 12.例文帳に追加

次に、突起状電極１３の外周部から所定の間隙部２３を有する領域部を遮蔽したマスクパターンを有するスクリーン印刷版２１を用いて、突起状電極１３と間隙部２３を設けて高分子樹脂からなる絶縁性樹脂層１４を第１の配線層１２上に形成する。 - 特許庁

Assuming the number of nozzle group is 'N' and the number of scanning times of a recording head to the same scanning region on a recording sheet is 'M', a mask pattern is set with a pixel region on the recording sheet consisting of 'M' pixels in the main scanning direction of an ink jet head 1 and 'M×N' pixels in the subscanning direction as a control unit for imaging.例文帳に追加

ノズル群の数を「Ｎ」とし、記録用紙上の同一走査領域に対する記録ヘッドの走査回数を「Ｍ」としたとき、インクジェットヘッド１の主走査方向に「Ｍ」個の画素、副走査方向に「Ｍ×Ｎ」個の画素で成る記録用紙上の画素領域を、画像形成のための制御単位としてマスクパターンを設定する。 - 特許庁

An optical system PL and first and second alignment optical systems AA1a, AA1b, AA2a, and AA2b are so provided that detection of alignment information for one wafer W2 (W1) is performed in parallel, when the other wafer W1 (W2) which is held side by side on a wafer stage ST is exposed with a mask pattern.例文帳に追加

基板ステージＳＴに並べて保持された一方の基板Ｗ１（Ｗ２）にマスクパターンを露光するときに、他方の基板Ｗ２（Ｗ１）のアライメント情報の検出を並行して行なうように、光学系ＰＬと第１および第２のアライメント光学系ＡＡ１ａ，ＡＡ１ｂ、ＡＡ２ａ，ＡＡ２ｂを配置する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of finishing a substrate to be processed for forming a minute pattern with a good yield as a sandblasting mask material with the superior resolution after development, adhesion and sandblasting resistant adhesion, a photosensitive resin laminate, a surface finishing method for a substrate to be processed, and a method for manufacturing a back plate of a plasma display.例文帳に追加

現像後の解像性及び密着性並びに耐サンドブラスト密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、被加工基材の表面加工方法及びプラズマディスプレイの背面板の製造方法を提供する。 - 特許庁

By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.例文帳に追加

ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。 - 特許庁

An amorphous fluoro resin layer 102 with a thickness, for example, about 30 μm is formed on a glass substrate 101; a resist pattern 103 having groove parts 103a penetrating the layer thereunder is formed on the amorphous fluoro resin layer 102; and the amorphous fluoro resin layer 102 is selectively etched using the resist pattern 103 as a mask to form grooves 102a in the amorphous fluoro resin layer 102.例文帳に追加

ガラス基板１０１の上に、例えば膜厚３０μｍ程度の非晶質フッ素樹脂層１０２が形成された状態とし、次に、非晶質フッ素樹脂層１０２の上に下層に貫通する溝部１０３ａを備えたレジストパターン１０３が形成された状態とし、レジストパターン１０３をマスクとして非晶質フッ素樹脂層１０２を選択的にエッチングし、非晶質フッ素樹脂層１０２に溝１０２ａが形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a photomask manufacturing method by which productivity is enhanced without reducing dot quality and dimensional accuracy and a highly accurate shadow mask pattern is obtained and a photomask for a shadow mask.例文帳に追加

生産性の向上を図るために、露光工程でもシャドウマスクの多面取りが行われるようになってきているが、特に１７インチディスプレイ用のフォトマスクをガラス基板に焼付ける場合には、従来から使用している露光機と大きさが合わず、そのために専用の露光装置を製造するか、もしくは枠の大幅な改造を余儀なくされていたが、これを従来より使用されている露光装置を転用して使用可能としたシャドウマスク用フォトマスクの製造方法及びこれに用いられるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。 - 特許庁

To provide an original plate for letterpress printing with which the problems with the use of the conventional negative film and its alternative and the problems with formation of a mask pattern by an ink composition directly on the surface of a photosensitive resin layer can be simultaneously solved and a method for manufacturing a letterpress printing plate using the original plate for letterpress printing.例文帳に追加

凸版印刷において、従来のネガフィルムおよびその代替品を用いた場合の問題点と、感光性樹脂層表面に直接インク組成物によりマスクパターンを形成する場合の問題点とを同時に解決することのできる凸版印刷用原版と、該凸版印刷用原版を用い凸版印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric emitter is composed of a ferroelectric layer 11, a first electrode 32a and a second electrode 32b each formed on either end region on the ferroelectric layer 11, and a mask layer 33 formed with a given pattern between the first electrode 32a and the second electrode 32b arranged near the center part of the ferroelectric layer 11.例文帳に追加

強誘電層１１と、強誘電層１１上の両端部領域に各々形成された第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂと、強誘電層１１上の中央部の近傍部に配置された第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂ間に所定のパターンを有して形成されたマスク層３３とから構成する。 - 特許庁

The method of processing the glass substrate has a first step S1 for polishing the processing surface of the glass substrate, a third step S3 and a forth step S4 for forming an etching mask on the processing surface and a fifth step S5 for pattern-forming a micro-processed uneven structure on the processing surface of the glass substrate by wet-etching.例文帳に追加

本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第１工程Ｓ１と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第３工程Ｓ３及び第４工程Ｓ４と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第５工程Ｓ５と、を有する。 - 特許庁

The mask is provided with a transparent substrate and ring-like patterns concentrically formed at equal pitches on the transparent substrate, and the pattern is selected so as to generate first-order diffracted light in all azimuth directions in a prescribed angle direction to the normal direction of the substrate for light having a prescribed wavelength and made incident vertically on the substrate.例文帳に追加

マスクは、透明基板と、前記透明基板上に等ピッチで同心円状に形成されたリング状パターンと、を有し、所定波長を有し、基板に対して垂直に入射する光に対して、基板の法線方向に対して所定角度方向に、全方位角方向に、１次回折光を発生するように前記パターンが選択されている。 - 特許庁

The method for forming an image is carried out by using the above photoresist in steps of forming a photoresist layer on a substrate, irradiating the photoresist layer with light through a mask corresponding to a specified pattern, developing the photoresist film with a developing solution containing an alkali and removing the exposed part to form a positive image.例文帳に追加

更に、本発明によれば、基材上にフォトレジスト層を形成し、所望のパターンに対応するマスクを介して上記フォトレジスト層に光照射した後、得られたフォトレジスト膜をアルカリを含む現像液で現像し、露光部を除去して、ボジ型画像を形成する画像形成方法において、上記フォトレジストを用いる方法が提供される。 - 特許庁

In the contact program type mask ROM where the drain contact of a part of cell transistors in a memory cell array is connected to a bit line 1 through a repeating pattern 3 and a via plug 2, adjacent via plugs are connected to a bit-line direction wiring layer 3a in common when a plurality of via plus connected to the same bit line are continuously adjacent in the bit line direction.例文帳に追加

メモリセルアレイにおける一部のセルトランジスタのドレインコンタクトが中継用パターン部３とビアプラグ２を経てビット線１に接続されるコンタクトプログラム方式のマスクROM において、同一ビット線に接続される複数のビアプラグがビット線方向に連続して隣り合う場合に、隣り合うビアプラグがビット線方向の配線層３ａにより共通に接続されている。 - 特許庁

The gray tone mask has a pattern comprising a light shielding part, an opening and a semitransmitting part, wherein a semitransmitting film constituting the semitransmitting part is composed of a metal Cr film formed as a first thin film, and a Cr oxide film or a Cr oxide nitride film or a Cr nitride film as a second thin film formed on the first thin film.例文帳に追加

遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスクにおいて、半透光部を形成する半透光膜が第一の薄膜として形成した金属Ｃｒ膜と、この第一の薄膜上に第二の薄膜として形成した酸化Ｃｒ膜、又は酸窒化Ｃｒ膜、又は窒化Ｃｒ膜とで構成される。 - 特許庁

To provide a method capable of using a rugged pattern formed according to an imprinting process as a mask for controlling a micropore production initiating position when performing micropore formation onto substrate material such as aluminum and silicon according to an electrochemical process and, thereby, efficiently and reliably forming a regular hole array structure.例文帳に追加

インプリントプロセスにより形成される凹凸パターンを利用し、その凹凸パターンを、アルミニウムやシリコン等の基材材料に電気化学プロセスにより細孔形成を行う際の細孔発生開始位置の制御を行うためのマスクとして使用することで規則的なホールアレー構造を効率良く確実に形成できるようにした手法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaporation source which is used in a vapor-deposition apparatus that selectively deposits a deposition material emitted from the evaporation source onto a substrate, by using a mask assembly having a plurality of slits formed so as to become a predetermined pattern, and changes a nozzle structure of the evaporation source to minimize a shadow effect, and to provide a vapor-deposition apparatus using the same.例文帳に追加

所定パターンに形成された複数のスリットを含むマスク組立体を用いて蒸発源から放射される蒸発物質を選択的に基板に蒸着する蒸着装置において、上記蒸発源のノズル構造を変更してシャドー効果を最小化する蒸発源及びそれを用いた蒸着装置を提供する。 - 特許庁

The drawing control computer 50 predicts temperature change of the mask substrate 2 and guide 4 with time due to the electron beam irradiation from the drawing data, and performs the temperature control over the periphery of the guide 4 by placing the liquid cooling controller 55 in operation according to the temperature change prediction in parallel with a drawing operation from a start of drawing of the predetermined pattern.例文帳に追加

描画制御コンピュータ５０は、描画データから電子ビーム照射により生じるマスク基板２およびガイド４の時間に対する温度変動を予め予測し、所定のパターンの描画開始を起点に描画作業をするのと並行して、その温度変動予測に従って液冷コントローラ５５を動作させてガイド４近傍の温度制御をする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a novel selective electroless plated metal layer for enabling the selective electroless plated metal layer to be formed into a purposed circuit pattern shape on the surface of a non conductive base member without using a plated mask layer in the form where the surface of a bonding agent layer and the manufactured plated metal layer make direct contact with each other.例文帳に追加

不導体基材の表面に、接着剤層の表面と作製されるメッキ金属層とが直接的に接触する形態で、メッキ・マスク層を用いることなく、目的とする回路パターン形状に選択的な無電解メッキ金属層を形成することを可能とする、新規な選択的な無電解メッキ金属層の作製手法の提供。 - 特許庁

In forming a chemically-amplified resist film 4 for electron beam exposure on a light-blocking film 3 to form a resist pattern 4a, the mask blank includes a deactivation prevention film (not shown) whose film density is higher than that of the light-blocking film 3 at least near the surface and prevents deactivation of the resist film 4.例文帳に追加

遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

The bus electrode 13 and the exposed electrode 15 can be formed so that the respective positions of the side edge parts of the bus electrode 13 and the exposed electrode 15 nearly coincide with each other without strictly controlling pattern accuracy and alignment accuracy, since the bus electrode 13 is utilized as a part of an exposure mask when the exposure from the rear side of a first glass substrate 11 is performed.例文帳に追加

第１のガラス基板１１の裏面側からの露光に際して、バス電極１３を露光マスクの一部として利用するため、パターン精度及びアライメント精度を厳密に制御することなく、バス電極１３の側縁部の位置と、露出電極１５の側縁部の位置とをほぼ一致するように形成することができる。 - 特許庁

Then, isotropic etching is made by reducing bias output applied to a wafer without containing N_2 or O_2, or etching under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2 for machining the grooves or holes slightly thinner than the pattern dimensions and isotropic etching while reducing bias output applied to the wafer without containing N_2 or O_2 are made periodically.例文帳に追加

その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 - 特許庁

A hole transport/injection layer or a light-emitting hole transport layer, with a high heat resistance having crosslinking group, having a pattern formed by mask exposure, can be effectively formed by using a hole transporting condensate with a high Tg formed by addition condensation of aromatic tertiary amine having a triarylamine structure and a carbonyl compound like aldehyde.例文帳に追加

トリアリールアミン構造を有する芳香族第三級アミンとアルデヒド等のカルボニル化合物との付加縮合により生成されるＴｇの高い正孔輸送性縮合物を用いると、耐熱性が高く、架橋基を有することもでき、マスク露光によるパターン形成した正孔輸送注入層や正孔輸送発光層を形成するのに効果がある。 - 特許庁

A dither mask pattern table 52 formed by making a plurality of positional deviation assumption patterns where the direction and distance of the positional deviation of printing head chips HT1 to HT15 are assumed correspond to dither masks where dot dispersibility is optimized for the positional deviation is stored in a ROM 50 of a line head type printer 10 where the printing head chips HT1 to HT15 are connected.例文帳に追加

印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５が連結されたラインヘッドタイプのプリンタ１０のＲＯＭ５０には、印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５の位置ずれの方向及び距離を想定した複数の位置ずれ想定パターンと、当該位置ずれに対してドット分散性を最適化したディザマスクとが対応付けられたディザマスクパターンテーブル５２が記憶されている。 - 特許庁

A photoresist layer is formed on the high part and periphery region, and the amount of exposure to the photoresist on the conductive layer on the high part is reduced by the optical mask of a gray scale, so that the photoresist is left on the upper surface of the high part but will not remain in the periphery region after the development of the photoresist, thus forming a pattern in the photoresist.例文帳に追加

高くなった部分と周囲領域上にフォトレジスト層が形成され、フォトレジストの現像後、高くなった部分の上面にはフォトレジストが残り、周囲領域には残らないよう、グレースケールの光マスクにより高くなった部分上の導電層上のフォトレジストに対する露光量を少なくすることによって、フォトレジストにパターンが形成される。 - 特許庁

To provide an optical system manufacturing method by which high optical performance is secured without restraining the accuracy of individual parts or assembling accuracy very strictly, a projection optical device whose extant aberration is easily adjusted and which realizes high optical performance and an aligner capable of excellently projecting and exposing the image of the pattern of a mask on a substrate.例文帳に追加

個々の部品の精度や組立の精度を非常に厳しく抑えることなく，高い光学性能を確保可能な光学系の製造方法，および残存する収差の調整が容易に可能であり，高い光学性能を達成可能な投影光学装置，ならびにマスクのパターンの像を基板に良好に投影露光し得る露光装置を提供すること。 - 特許庁

A silicon based conductive material film 6a is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 10, the portion of the conductive material film 6a above the insulating film 3 is removed and planarized by CMP or etch back using the insulating film 3 as a stopper, and then a mask pattern 7 of resist is formed on the conductive material film 6a and the insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１０全面にシリコン系の導電性材料膜６ａを形成し、絶縁膜３をストッパとしたＣＭＰやエッチバックによって、導電性材料膜６ａの絶縁膜３よりも上の部分を除去して平坦化した後、導電性材料膜６ａ及び絶縁膜３上にレジストのマスクパターン７を形成する。 - 特許庁

A diffused layer 15a under a tunnel oxide film in a EEPROM forming region 1 and a diffused layer 15b for a control gate and a low- concentration diffused layer 16 of an offset portion in an NPG transistor forming region 2 are formed in a batch by implanting an n-type impurity 14 to a silicon substrate with a resist pattern 13 serving as a mask.例文帳に追加

レジストパターン１３をマスクとしてシリコン基板１１にＮ型不純物１４をイオン注入することにより、ＥＥＰＲＯＭ形成領域１におけるトンネル酸化膜下の拡散層１５ａ、コントロールゲート用拡散層１５ｂ及びＮＰＧトランジスタ形成領域２におけるオフセット部の低濃度拡散層１６を一括して形成する。 - 特許庁

The spatial light modulator having a plurality of pixel areas 50P is provided with a mask 52, which has a grid pattern for optically dividing a pixel that emits the reference light to an emission face side, into a plurality of divided pixels so that the area of a single divided pixel, emitting the reference light, becomes substantially smaller than the area of one pixel emitting the information light.例文帳に追加

空間光変調器は、複数の画素領域(50P)を有し、参照光を出射する１つの分割画素の面積が情報光を出射する１つの画素の面積よりも実質的に小さくなるように、出射面側に参照光を出射する画素を複数の分割画素に光学的に分割するための格子状パターンを有するマスク(52)を有する。 - 特許庁

In the discrete track type magnetic recording medium having magnetic recording tracks and servo signal patterns which are physically separated on at least one surface of a non-magnetic substrate, a non-magnetic part physically separating the magnetic recording tracks and the servo signal patterns is formed by using a non-magnetic part magnetized by being irradiated with ions from the upper part of a mask having a desirably separated pattern shape.例文帳に追加

非磁性基板の少なくとも一方の面に、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを有するディスクリートトラック型磁気記録媒体において、磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を物理的に分離する非磁性部を、分離したいパターン形状のマスク上からイオン照射することにより非磁性化した非磁性部で形成する。 - 特許庁

The alignment mask D of the head unit 1 carrying a plurality of the droplet delivery heads 3 on the single carriage 2 is provided with a master plate 161 being a pattern formation of a reference position 164 of each droplet delivery head 3 in a planar surface parallel to the nozzle formative surface 52 of the droplet delivery head 3 and a reference position 165 of the carriage 2.例文帳に追加

単一のキャリッジ２に複数の液滴吐出ヘッド３を搭載したヘッドユニット１のアライメントマスクＤであって、液滴吐出ヘッド３のノズル形成面５２に平行な平面内における各液滴吐出ヘッド３の基準位置１６４およびキャリッジ２の基準位置１６５をパターン形成したマスタプレート１６１を備えたものである。 - 特許庁

Since only the measurement points whose irradiation region is within partition regions of the substrate are selected by the controller, a multi-point focusing position detection system (40, 42) uses only the selected measurement points to make accurate measurement of the position (and the slope) in the optical axis direction of the partition regions, where a mask pattern is to be transferred.例文帳に追加

この場合、制御装置では、計測点の照射領域が区画領域からはみ出さない計測点のみを選択することができるので、多点焦点位置検出系（４０，４２）では選択された計測点のみを使用して、マスクパターンの転写対象の区画領域の光軸方向の位置（及び傾斜）を高精度に計測する。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

In this case, the semiconductor layer, the data line and the drain electrode or the pixel electrode are patterned using a photosensitive film pattern obtained by exposing and developing a photosensitive film in the exposure process of a photoetching step as a mask, and a boundary line of the gate electrode overlapping with the drain electrode is arranged to be perpendicular to the scanning direction of exposure for the photosensitive film in the exposure process.例文帳に追加

この時、半導体層、データ線及びドレイン電極又は画素電極は、フォトエッチング工程の露光工程で感光膜を露光及び現像した感光膜パターンをエッチングマスクにしてパターニングし、ドレイン電極と重畳するゲート電極の境界線を、露光工程で感光膜を露光するスキャニング方向に対して直交して配置する。 - 特許庁

To provide a photomask material capable of rapidly forming a mask pattern with high sensitivity and high resolution by using a light of ≥405 nm wavelength and capable of producing a high quality photomask in which defective parts can be corrected, which has excellent mechanical strength, hardness and solvent resistance, a low reflectance to light of <405 nm wavelength and which is free of voids.例文帳に追加

波長４０５ｎｍ以上の光で高感度かつ高速に、しかも高解像度でのマスクパターンの形成が可能であって、欠陥修正が可能でかつ機械的強度や硬度、耐溶剤性に優れ、波長４０５ｎｍ未満の光反射率が低く、白抜け欠陥のない高品質なフォトマスクを作製し得るフォトマスク材料を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 - 特許庁