「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(96ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the mask for vapor deposition is carried out by forming photoresist films 12a, 12b through reflection preventing films 30A, 30B on both side surfaces of a metal thin film 10 and exposing them to form a pattern of the passage hole 10A-1 on the photoresist films 12a, 12b.例文帳に追加

蒸着用マスク１の製造方法では、金属薄膜１０の両面に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを介してフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成したのち露光することにより、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂに通過孔１０Ａ−１のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern of a magnetic thin film, by which the magnetic thin film having satisfactory adhesion and high precision can be formed by preventing the damage to the surface of a base electrode film for electroplating, generated when a plating mask or a plating frame using dry etching is formed.例文帳に追加

ドライエッチングを用いためっきマスクあるいはめっきフレームの形成時に生じる、電気めっき用下地電極膜表面へのダメージを防止して、密着性の良い、精度の高い磁性薄膜を形成する磁性薄膜のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

By loweringly passing the squeegee onto the inclined part of a paste removing part 3 provided on a mask 2 before the pattern printing or paste filling, the paste on the non-printing side (the complementary angle) of the squeegee can be removed, resulting in obtaining an excellent quality circuit board.例文帳に追加

パターン印刷もしくはペースト充填する前にマスク２上に設けたペースト除去部３の傾斜部にスキージを下降させながら通過させることでスキージの非印刷側（余角）のペーストを除去することができ品質に優れた回路基板が得られる。 - 特許庁

It is assumed that a dry etching method is employed wherein a metal conductive film containing high-fusion-point metal, the copper-containing aluminum film, and a mask layer are formed in order on an insulating film and dry-etched to form a wiring pattern of the metal conductive film and copper-containing aluminum film.例文帳に追加

絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。 - 特許庁

In the method of deflecting the collimating mirror in the illumination optical system of the exposure device, the luminous flux of exposure light rays from an illumination light source is made into parallel luminous flux by the deflected collimating mirror, and a pattern of a mask is transferred to an object to be transferred by the exposure light rays.例文帳に追加

露光装置の照明光学系におけるコリメートミラーの撓ませ方法において、照明光源からの露光光の光束を撓ませたコリメートミラーにより平行光束とし、該露光光によってマスクのパターンを被転写物体に転写する。 - 特許庁

To provide a system and a method for photolithography process, in which whether particles exist or not on the surface of a wafer charged to form a mask pattern is detected, and the process of the wafer is determined in accordance with the presence or non-presence of the particles.例文帳に追加

パターンマスクを形成するために投入されるウェーハの表面上にパーチクルが存在するか否かを検査し、そのパーチクルの存在有無に従いそのウェーハの過程を決定するフォトリソグラフィー工程システム及びフォトリソグラフィー工程方法を提供する。 - 特許庁

The contact hole 12 is formed by exposing the organic film 8 formed on the insulating film 7 by using a mask provided at an aperture part 20 corresponding to the contact hole 12 and at the peripheral part of the aperture part 20 and having a slit pattern 21 having the width not wider than the resolution of an exposing device.例文帳に追加

コンタクトホール１２が、絶縁膜７の上に形成された有機膜８をコンタクトホール１２に対応する開口部３０及び開口部２０の周辺に設けられ露光装置の解像度以下の幅のスリットパターン２１を有するマスクを用いて露光されている。 - 特許庁

In a mask pattern (a) for patterning word lines and data lines, lengths of word lines WL1, WL2, WL5 and WL6 having end parts neighboring each other are varied to shift their ends from each other, and further the ends of word lines WL1, WL2, WL5 and WL6 are slanted.例文帳に追加

ワード線やデーター線をパターニングするためのマスクパターン（ａ）において、終端部の隣り合うワード線ＷＬ１、ＷＬ２、ＷＬ５、ＷＬ６の長さを変えて先端をずらし、さらにワード線端ＷＬ１、ＷＬ２、ＷＬ５，ＷＬ６を斜めに角を落とす。 - 特許庁

To provide a technique which enables the user to obtain a mask pattern high in equality of line width by forming a liquid film of a developer on the surface of a substrate, while suppressing the flow and the ripple within the developer, when performing the application of the developer by a scanning method to the substrate.例文帳に追加

基板に対してスキャン方式による現像液塗布を行うにあたり、現像液内に流れ及び波立ちを抑えながら基板表面に現像液の液膜を形成し、線幅の均一性の高いマスクパターンを得ることのできる技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a projection system where related to a lithography projection system used for projecting a mask pattern on a substrate at manufacturing of ICs, etc., such phenomenon as substrate sticking to the support surface of a substrate holder for holding it on a substrate table, resulting in difficulty in release, is eliminated.例文帳に追加

ＩＣの製造等でマスクパターンを基板上に投影するために使用するリソグラフィ投影装置であって、基板がそれを基板テーブル上に保持するための基板ホルダの支持面に付着して外し難くなる現象をなくした投影装置を提供すること。 - 特許庁

The bits having the bit value of 1 are inverted successively into 0 from the bit in an S-1 number to the bit pattern at the maximum value next, and a mask generation in which all upper bits from the inverted bit positions are set in 1 and the lower bits in 0 is conducted.例文帳に追加

次に、最大値のｂｉｔパターンに対しては、Ｓ−１番目のｂｉｔから順次ｂｉｔ値が１であるｂｉｔを０に反転し、反転したｂｉｔ位置より上位のｂｉｔを全て１、下位のｂｉｔを０としたマスク生成を行う。 - 特許庁

To provide a device and a method for exactly and highly accurately measuring and evaluating a form and a recording medium recording form measuring and evaluating program by quantitatively measuring the pattern form of a photo-mask containing fine patterns.例文帳に追加

微細なパターンを含むフォトマスクのパターン形状の定量的な計測を可能にすることにより、正確かつ高精度な形状計測評価装置及び形状計測評価方法並びに形状計測評価プログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

In a reticle for forming the reproducing track width of the magnetic head of a magnetic disk device, a track width of 0.24 μm is formed by using an edge emphasis phase shift mask in which the phase of the transmissive light of one electrode pattern is reversed from that of the other transmissive light.例文帳に追加

磁気ディスク装置の磁気ヘッドの再生トラック幅を形成するためのレチクルに、一方の電極パターンの透過光の位相が他方の透過光の位相と反転するエッジ強調型位相シフトマスクを用い、０．２４μｍ以下のトラック幅を形成する。 - 特許庁

The hologram reflector is produced by dividing a hologram into a plurality of regions based on the desired image information, controlling the direction of the exiting light in the divided region and recording a mask pattern by exposure so as to add the image information to the reflected light.例文帳に追加

ホログラムを、所望の画像情報に基づいて複数の領域に分割し、前記分割した領域における出射光の方向を制御して、マスクパターンを露光記録するなどして、反射光に前記画像情報を付加したホログラム反射板とする。 - 特許庁

Thereafter, a conductor plating layer 14 is formed by electrolytic plating on the exposed part of the substrate conductor layer 11, the conductor plating layer 14 is formed higher than the resist pattern mask, and the conductor line 2 is formed as a sectional shape having a rounded upper part and no corner.例文帳に追加

その後、下地導体層１１の露出部分に電解めっきにより導体めっき層１４を形成し、該導体めっき層１４を前記レジストマスクパターンよりも高くかつ上部が丸みを帯びた角の無い断面形状として導体線路２を形成する。 - 特許庁

During such a process that a solder resist 4a is applied and tentatively hardened onto an insulated substrate 2 on which a conductor pattern 3 is formed and the solder resist 4a is exposed to ultraviolet radiation through an exposure mask film 5, ultraviolet light is selectively diffused to form a solder resist 4.例文帳に追加

導体パターン３が形成された絶縁基板２上にソルダレジスト４ａを塗布、仮硬化し、露光用マスクフィルム５を介しソルダレジスト４ａを紫外線で露光する工程において、紫外光を選択的に拡散させてソルダレジスト４を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a resist mask having an opening pattern whose aspect ratio is one or more is formed on one substrate of a first substrate constituting a semiconductor element, and a second substrate having a circuit wiring by using a dry film resist.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、半導体素子を構成する第１基板または回路配線を有する第２基板のいずれか一方の基板上に、ドライフィルムレジストを用いて、アスペクト比が１以上の開口パターンを有するレジストマスクを形成する。 - 特許庁

In fabrication of the array substrate for liquid crystal display device according to a new four-mask process, an island-like active layer is formed on the above part of a gate electrode and an opaque metal pattern of a small width is formed on one end of a transparent pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、新しい４マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板の製作において、ゲート電極の上部に、アクティブ層をアイランド状で構成して、透明な画素電極の一端に不透明な金属パターンを小幅で構成することを特徴とする。 - 特許庁

After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁

To provide a print mask manufacturing method capable of suppressing significant disruption in a print pattern due to low removal performance of a print material from a through hole while avoiding the disruption in the shape of a through hole due to irradiation of laser for half-etching processes.例文帳に追加

ハーフエッチング加工用のレーザーを照射してしまうことによる貫通孔の形状の乱れを回避しつつ、貫通孔からの印刷材抜け性の悪さによる印刷パターンの著しい乱れを抑えることが可能な印刷マスク製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having excellent adhesion and flocculation resistance in development, reducing rib top defects and working a fine pattern on a substrate to be worked in a good yield as a mask material for sandblast, and a sandblast surface working method using the same.例文帳に追加

密着性、現像凝集性に優れ、かつリブ頂部欠損を低減し、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。 - 特許庁

To make possible the automatic complementary division of an original pattern shape difficult to the formed on a charged particle beam transmission mask on a computer and to avoid the occurrence of a micro figure, an acute figure, or the like, by eliminating useless division at the time of complementary division.例文帳に追加

荷電粒子線透過マスク上で形成困難な原パターン形状を、コンピュータ上で自動的に相補分割することを可能にするとともに、その相補分割の際に無駄な分割を無くして微小図形や鋭角図形等の発生を回避する。 - 特許庁

To prevent a print defective substrate from being produced owing to a position shift of a substrate on a palette by a system which positions one screen mask above a plurality of substrates mounted on the palette and screen-prints a predetermined pattern on the plurality of substrates together at a time.例文帳に追加

パレット上に搭載した複数の基板の上方に１枚のスクリーンマスクを位置させて複数の基板に一括して所定のパターンをスクリーン印刷するシステムにおいて、パレット上の基板の位置ずれ等に起因する印刷不良基板の生産を未然に防止する。 - 特許庁

In the recording device for recording by multi-pass recording, the recording is carried out by using a mask pattern having a masking ratio that is gradually decreased in the scanning/traveling direction of the recording head in respective forward/backward scanning operations by the recording head.例文帳に追加

マルチパス記録により記録を行う記録装置であって、記録ヘッドの往路方向及び復路方向の各走査において、マスク率が前記記録ヘッドの走査進行方向に徐々に低くなるようなマスクパターンを使用して記録を行うことを特徴とする。 - 特許庁

A process to open contact holes 26, 27 on a passivation film 32 includes: a step to pattern form a photoresist on the interlayer insulating film; and a step to apply dry-etching to the passivation film 32 with the photoresist being used as a mask not through a step for post-baking the photoresist.例文帳に追加

パッシベーション膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程は、層間絶縁膜上にフォトレジストをパターン形成する工程と、フォトレジストをポストベークする工程を経ることなく、フォトレジストをマスクとしてパッシベーション膜３２にドライエッチングを施す工程と、を備える。 - 特許庁

Etching treatment is carried out, by using a photoresist pattern 11 with an opening part 11a on the fuse element 3 and an opening part 1b on the metal wiring 7 as a mask and a trimming window opening part 9a, and a through-hole 9b are formed simultaneously in the interlayer insulation film 9 (B).例文帳に追加

ヒューズ素子３上に開口部１１ａ及びメタル配線９上に開口部１１ｂをもつフォトレジストパターン１１をマスクにしてエッチング処理を施し、層間絶縁膜９にトリミング窓開口部９ａとスルーホール９ｂを同時に形成する（Ｂ）。 - 特許庁

The scanning exposure apparatus 100 uses a down scaling projection optical system 104 for projecting a pattern scaled down to 1/6 or 1/8 in a laser beam irradiating area 103 of a mask 102 on a wafer 105 mounted on a wafer stage 106.例文帳に追加

本発明のスキャン型露光装置１００では、マスク１０２におけるレーザ光照射領域１０３内のパターンは、縮小投影光学系１０４によって、１／６又は１／８に縮小されてウエハステージ１０６に載せられたウエハ１０５上に投影される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a three-dimensional device, by which a desired three-dimensional figure can be formed in a thick film resist with high accuracy by deriving a transfer function of an exposure system by use of a test reticle and designing a mask pattern using the transfer function as a feedback.例文帳に追加

テストレチクルを用いて露光システムの伝達関数を導出し、この伝達関数をマスクパターンの設計にフィードバックさせて、厚膜レジストに所望する三次元形状を精度よく形成することが可能な三次元デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an illumination optical device which can achieve appropriate lighting conditions required for transferring a mask pattern having various characteristics faithfully, e.g. diverse lighting conditions for the light intensity distribution or the polarization state of a secondary light source.例文帳に追加

様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の光強度分布や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現できる照明光学装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of carrying a semiconductor chip 20 having a pad 22 on a wiring board 10 having a wiring pattern 12 through thermosetting paste 30, arranging the mask 40 having an opening 42 and overlapping with the wiring pattern 12 so that the opening 42 overlaps the paste 30, and thermally setting the paste 30 by microwave heating.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、熱硬化性のペースト３０を介して配線パターン１２を有する配線基板１０にパッド２２を有する半導体チップ２０を搭載すること、開口４２を有し配線パターン１２とオーバーラップするマスク４０を、開口４２がペースト３０とオーバーラップするように配置すること、及び、マイクロ波加熱によってペースト３０を熱硬化させることを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing organic electroluminescence element provides an advantage that when forming the organic film layer pattern with LITI, the method for manufacturing organic electroluminescence element can adjust incident light having various modes with homogeneity by using the space light modulator, can produce the laser beam having a predetermined mode profile, and can form the organic film layer pattern without using a mask.例文帳に追加

ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成するにおいて、空間光変調器を用いることで、多様な形態を持つ入射光を均質に調節することができ、所望の形態のプロファイルを持つレーザービームを形成することができ、マスクを使わなくても、有機膜層パターンを形成することのできる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供するという利点がある。 - 特許庁

The array substrate for the lateral type liquid crystal display device is manufactured through four-mask steps: in a structure wherein a semiconductor layer is exposed at both sides of a data line, a first blocking pattern which blocks light is formed under the semiconductor layer, and second blocking pattern which blocks influence of the semiconductor layer is formed over the data line, while being brought into contact with the data line.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

The stencil mask blank is provided with a supporting substrate 13 composed of a single crystal silicon wafer, an active layer 11 for preparing a transfer pattern, an intermediate insulation layer formed between the supporting substrate and the active layer, and an amorphous silicon layer 111 formed at the other side of the supporting substrate while an opening unit corresponding to the transfer pattern is prepared in the amorphous silicon layer, the supporting substrate, and the intermediate insulation layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

After a first resist pattern 52 for opening a logic element formation region 32 is formed, a third insulating film 18A made of silicon oxide is etched by a fluoric acid aqueous solution with the first resist pattern 52 as a mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 including a buried element separation film 15B of the third insulating film 18A.例文帳に追加

ロジック素子形成領域３２を開口する第１のレジストパターン５２を形成した後、第１のレジストパターン５２をマスクとして、酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１８Ａに対して、弗酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜１８Ａの埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

The integrated circuit patterns are transferred to pattern transfer regions 12a to 12e of the product mask Md 4 by reduction stepping processing using plural sheets of the IP masks and thereafter the connection between the patterns of the pattern transfer regions 12a to 12e adjacent to each other is performed by the light shielding patterns 2j consisting of organic films formed by exposure processing using energy beams.例文帳に追加

複数枚のＩＰマスクを用いた縮小投影露光処理によって製品マスクＭｄ４のパターン転写領域１２ａ〜１２ｅに集積回路パターンを転写した後、互いに隣接するパターン転写領域１２ａ〜１２ｅのパターン間の接続をエネルギービームを用いた露光処理によって形成された有機膜からなる遮光パターン２ｊで行うようにする。 - 特許庁

When exposure light is radiated on a wafer through a photomask and a semiconductor device is formed on the wafer, first, a mask pattern is formed on the photomask in which pattern with a plurality of optical shielding units capable of shielding the exposure light are installed and arranged in such a manner that transmittance to the exposure light is monotonously decreased or increased from the center to an arbitrary end.例文帳に追加

ウェーハにフォトマスクを介して露光光を露光することにより半導体装置をウェーハ上に形成する際に、まず、露光光を遮光することが可能である複数の遮光部を有し中心から任意の縁部まで露光光に対する透過率が単調に減少あるいは単調に増加するように遮光部を配置したマスクパターンをフォトマスク上に形成する。 - 特許庁

The data creation method for an electron beam projection photolithography machine is characterized by including a process of creating flat data by expanding the pattern data of a hierarchized mask, a process of performing profiling that extracts the profile line of the pattern on the flat data, and a process of extracting cells in which polygons have the same patterns and hierarchizing the cells.例文帳に追加

電子ビーム投影露光装置用のデータ作成方法において、階層化されたマスクのパターンデータを展開してフラットなデータを作成する工程と、このフラットなデータについてパターンの輪郭線を抽出する輪郭化処理を行う工程と、このフラットなデータから同一の形状のポリゴンを有するセルを抽出して階層化する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the transparent conductive film forming method providing a mask on a substrate and pattern-forming the transparent conductive film on the substrate by the sputtering method, a trap electrode equipped with a pin made of a magnet is provided between the target and the substrate, and the transparent conductive film made of a target-forming material is pattern-formed on the substrate by the sputtering method.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットからなるピンを備えたトラップ電極を設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter substrate by simply correcting a black matrix exposure pattern, fabricating an exposure mask and forming a black matrix in a black matrix forming process in which a series of patterning treatments such as pattern exposure with a proximity exposure method on a black photosensitive resin layer on a transparent substrate, a development treatment and so on are conducted.例文帳に追加

透明基板上の黒色感光性樹脂層に近接露光法（プロキシミティー）にてパターン露光し、現像処理等の一連のパターニング処理を行ってブラックマトリクスを形成する工程において、簡易的にブラックマトリクス露光パターンのパターン補正を行って露光マスクを作製してブラックマトリクスを形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This surface unevenness forming method includes a process for forming an energy-sensitive negative resin composite layer containing at least one or more kinds of polymarizable monomers or oligomers, a process for irradiating activated energy rays at least once or more via a mask with the pattern formed or a process for directly plotting the pattern and a process for performing afterbaking without performing an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程またはパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

First and second information on allocation of patterns are added to boundary lines among small regions, and the patterns which are kept in contact with the boundary Lines and selected out of the complementarily divided patterns are allocated as referring to the first and second information, so that parallel processing can be realized by small region unit, and a troublesome pattern can be prevented from occurring in the mask pattern forming method.例文帳に追加

小領域の境界線にパターンの振り分けに関する第１および第２の情報を付加し、相補分割されたパターンのうち、境界線に接するパターンについては、第１および第２の情報を参照してパターンの振り分けを行うことにより、小領域単位での並列処理と問題パターンの発生防止を可能とするマスクパターン作成方法。 - 特許庁

The method consists of a step 120 obtaining data representing the pattern, a step 122 defining a plurality of distinct zones based on the critical dimensions of the plurality of features, a step 124 categorizing each of the features into one of the plurality of distinct zones and steps 126,128,130 modifying the mask pattern for each feature categorized into a predefined distinct zone of the plurality of distinct zones.例文帳に追加

該方法は、パターンを示すデータを取得するステップ１２０と、複数のフィーチャの臨界寸法に基づいて複数のゾーン区分を定義するステップ１２２と、区分された複数のゾーンの１つに各フィーチャを分類するステップ１２４と、複数区分ゾーンの予め定義されたゾーンに分類がなされたフィーチャごとにマスクパターンを修正するステップ１２６，１２８，１３０とから成る。 - 特許庁

A photo-resolving catalyst for precipitating a catalyst only at a portion irradiated with light is applied to the surface of an insulating substrate, a plating resist which is decomposed and removed by exposure and development is applied on the photo-resolving catalyst, and a mask forming a predetermined pattern is placed on the plating resist and is subjected to exposure and development in this state to produce a predetermined metal wiring pattern.例文帳に追加

絶縁基板の表面に光照射部のみ触媒が析出する光解像性触媒を塗布し、光解像性触媒の上に露光・現像により分解・除去されるメッキレジストを塗布し、メッキレジストの上に所定のパターンに形成されたマスクを設置し、その状態で露光・現像を施すことにより所定の金属配線パターンを得るようにしたもの。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the change in a width of a line of a connecting part of a transferred pattern and effectively connecting a plurality of divided patterns in the case of forming the pattern of the semiconductor device, by transferring to a resist coating the wafer by using an electron beam exposure device by forming a plurality of the divided patterns on the mask.例文帳に追加

分割された複数のパターンをそれぞれのマスク上に形成し、ウエハ上に塗布したレジストに電子線露光装置を用いて転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、かつ、分割された複数のパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle formed with an auxiliary pattern having a light intensity reduction function formed of a diffraction grating pattern or a translucent film, the width of a region with a small thickness of a gate electrode can be freely set, and the widths of two LDD regions capable of being formed in a self-aligned manner with the gate electrode as a mask can be different in accordance with the each circuit.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。 - 特許庁