「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

In a manufacturing step of the photomask, a crack assembly area 17 comprising a crack 16 distribution is formed in the mask 6 by irradiation with a femto-second pulse laser, the flatness of the mask 6 is improved by a tensile stress operated thereto and, thereby, the precision of drawing position of the circuit pattern 5 and the yield of the semiconductor wafer on which the circuit pattern is formed can be improved.例文帳に追加

フォトマスクの製造工程において、フェムト秒パルスレーザを照射することによりマスク６内にクラック１６の分布からなるクラック集合領域１７を形成させ、そこに働く引張応力によってマスク６の平坦度を改善することで、回路パターン５の描画位置精度および回路パターンが形成される半導体ウエハの歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

A method of forming a nanostructure aggregate includes steps for transferring a nano-pattern from a porous anodized aluminum template to a mask material layer, and growing a nanostructure on an unreformed growth surface of a substrate in regions exposed through the nano-pattern formed in the mask material layer by a bottom-up growth method where the nanostructure is composed of nano-rings or nano-doughnuts.例文帳に追加

多孔質陽極酸化アルミニウムテンプレートからマスク材層にナノパターンを転写し、マスク材層のナノパターンを介して露出された領域において基板上にボトムアップ成長法によって基板の未改質成長面上に形成されたナノ構造体を成長させ、前記ナノ構造体が、ナノリング又はナノドーナツからなることを特徴とするナノ構造体集合体を製造する方法。 - 特許庁

If the system setting information differs from current system setting information stored in the system setting information storage area 390, the printing system regenerates printing data on the basis of the number of printers and a mask pattern specified in a mask pattern data storage area 365 on the basis of the current system setting information to original image data in an original image storage area 380.例文帳に追加

このシステム設定情報がシステム設定情報記憶領域３９０に格納されている現在のシステム設定情報と異なる場合に、元画像記憶領域３８０内の元画像データに対して当該現在のシステム設定情報に基づき、マスクパターンデータ記憶領域３６５内の指定された台数およびマスクパターンに基づいて当該印刷データを再生成する。 - 特許庁

A drawing system that performs rendering in CMYK using a raster operation determines the raster operation designated; converts the CMYK to CMY according to the result determined; determines if an output destination becomes translucent due to the data to be drawn and the raster operation; creates a mask pattern based on the result determined; and changes a rendering process according to the mask pattern created.例文帳に追加

ラスターオペレーションを使ってＣＭＹＫでレンダリングを行う描画システムにおいて、指定されたラスターオペレーションを判別し、判別した結果に応じてＣＭＹＫからＣＭＹに変換し、描画するデータとラスターオペレーションにより出力先が透過となるかを判定し、判定した結果に基づいて、マスクパターンを生成し、生成したマスクパターンに応じて、レンダリング処理を切り替えることを特徴とする。 - 特許庁

While moving a mask member for pattern forming closely in contact and synchronized with the flexible resin substrate during transfer of the flexible resin substrate 2, pattern forming is carried out by using a thin-film forming means in the closely contacted zone with the mask member M.例文帳に追加

真空槽１内を連続して搬送される長尺の可撓性樹脂基板上に、透明導電膜を形成する透明導電膜の形成装置において、可撓性樹脂基板２の搬送中に、パターン形成用のマスク部材を可撓性樹脂基板に密着し同期して移動させながら、マスク部材Ｍとの密着区間にて薄膜形成手段を用いてパターン成膜を行う透明導電膜の形成装置。 - 特許庁

The method for producing a photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate has a film deposition step in which the film for forming a mask pattern is deposited by sputtering in a sputtering atmosphere in which at least gaseous helium is contained and a step for heating the transparent substrate during or after the film deposition step.例文帳に追加

透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁

The microlens array is manufactured by using a density distributed mask, in which each individual unit lens of the density distributed mask is divided by virtual concentric gradation boundary circles formed from the center of the unit lens pattern, and in each annular region of the unit lens, a rhombic light-shielding pattern having a dimension in accordance with the corresponding gradation is positioned at a grid point which is an intersection of virtual vertical and horizontal grids.例文帳に追加

濃度分布マスクの個々の単位レンズのパターンの中心から同心円状に形成した仮想的な階調境界円により分割された単位レンズの環状領域毎に、階調に応じた寸法の菱形の遮光パターンを、仮想的な縦横の格子の交点の格子点の位置に設置した濃度分布マスクを用いてマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁

The photomask has a mask substrate where an electronic circuit pattern used to manufacture a semiconductor device is drawn, a lower frame bonded onto the mask substrate to surround the electronic circuit pattern, an upper frame provided detachably to the lower frame, and a pellicle films fitted to the upper frame, the lower frame and upper frame having means of holding them in contact with each other with dynamic stress.例文帳に追加

半導体装置の製造に用いられる電子回路パターンが描かれたマスク基板と、マスク基板上に電子回路パターンを囲うように接着された下部フレームと、下部フレームと着脱可能に設けられた上部フレームと、上部フレームに取り付けられたペリクル膜とを有し、下部フレームと上部フレームは、力学的応力により互いを密着した状態に保持する手段を有する。 - 特許庁

In the membrane mask manufacturing method whereby an absorber 14 is formed on a membrane 12, a stress of a lower absorber 14a is adjusted and the thickness of the lower absorber 14a is determined according to a typical pattern size W to reduce the stress distribution in the thickness direction of the absorber 14, thereby obtaining a membrane mask having an absorber pattern formed at a high position accuracy.例文帳に追加

メンブレン１２上に吸収体１４を成膜するメンブレンマスクの製造方法において、下部吸収体１４ａの応力を調整し、下部吸収体１４ａの厚さは代表的パターンサイズＷに対応して決定することによって、吸収体１４の厚さ方向の応力分布を小さくし、吸収体パターンが高位置精度のメンブレンマスクを得る。 - 特許庁

The capacitor includes the lower electrode, a dielectric film formed on the lower electrode to cover a part of the lower electrode, the upper electrode formed on the dielectric film, a hard mask pattern formed on the upper electrode, a separating film which is formed on the sidewalls of the hard mask pattern, upper electrode, and dielectric film like a spacer.例文帳に追加

本発明は、下部電極と、前記下部電極の一部を覆うように前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極と、前記上部電極上に形成されたハードマスクパターンと、前記ハードマスクパターン、前記上部電極、及び前記誘電体膜の側壁にスペーサ状に形成された分離膜と、を備えるキャパシタを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor growing method, where a nitride III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is formed on a substrate, such as a sapphire substrate formed of a material different from that of the compound semiconductor using a growing mask, a growing mask 4 which contains at least a pattern that is threefold or sixfold symmetrical is used as the growing mask.例文帳に追加

成長マスクを用いてＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板、例えばサファイア基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、成長マスクとして、３回対称または６回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスク４を用いる。 - 特許庁

The aligner EX comprises: a mask stage MST for supporting a mask M having a plurality of pattern regions; a substrate stage PST for supporting a photosensitive substrate P; a storage device MRY prestoring the error information of the measurements of respective shapes of the plurality of patterns and a target shape; and a controller CONT for controlling the mask stage MST and substrate stage PST.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、複数のパターン領域を有するマスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、複数のパターンそれぞれのの形状計測結果と目標形状との誤差情報を予め記憶した記憶装置ＭＲＹと、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。 - 特許庁

An insulation film 104 and a conductive film 105 are laminated on a semiconductor layer 103, a resist mask 106 with a specified pattern is formed on the conductive film, the conductive film is etched to form gate electrodes 107a, 107b tapered with broadened bottom faces, and an impurity is introduced by ion doping into the semiconductor layer through the gate electrodes used as a mask with the residual resist mask 106.例文帳に追加

半導体層１０３上に絶縁膜１０４、導電膜１０５を積層形成し、導電膜上に所定パターンのレジストマスク１０６を形成して導電膜をエッチングし底面が広がったテーパ状のゲート電極１０７ａ、１０７ｂを形成し、レジストマスク１０６を残したままゲート電極をマスクとして半導体層にイオンドーピングにより不純物を導入する。 - 特許庁

A radiation 2 not passing through an object 3 is detected via a moving grid 4 by changing emitting times in a plurality of ways, a mask image signal denoting a pattern of uneven density by the grid 4 for each emission time is obtained, and this mask image signal is stored in a storage means in cross-reference with the emission time, when the mask image signal is obtained.例文帳に追加

被写体３を透過させない放射線２を、照射時間を複数通りに変えてムービンググリッド４を介して検出し、この検出した放射線量に基づいて、照射時間の各々毎のグリッド４による濃度ムラのパターンを示すマスク画像信号を得、このマスク画像信号を、それを得た際の前記照射時間と対応を取って記憶手段に記憶する。 - 特許庁

By pressing this circular arc with a fine pattern 3 formed for the circumstance of the mask substrate 2 to a photosensitive resin layer to which this fine pattern 3 is transferred by exposure, the interval between the fine pattern 3 and photosensitive resin layer can be controlled to be shorter than the wavelength of exposure light so that the fine pattern 3 can be transferred satisfactorily by exposure.例文帳に追加

マスク基体２の外周面の微細パターン３が形成された円弧形状部分をこの微細パターン３を露光転写しようとする感光性樹脂層に押し当てることにより、微細パターン３と感光性樹脂層との間隔を露光光の波長以下に抑えることができ、露光光として近接場光を用いた露光転写を行うことができ、微細パターン３の露光転写を良好に行うことができる。 - 特許庁

A pattern on a mask is transferred onto a surface of a three-dimensional structure as an axially endless pattern without seam by irradiating a planar photomask face having a predetermined mask pattern with light, reflecting the transmitted light on a three-dimensional reflection mirror having a conical opening, irradiating a photosensitive material applied on the surface of the three-dimensional structure with the reflected light for exposure, and intermittently supplying the three-dimensional structure.例文帳に追加

所定のマスクパターンを有する平板型フォトマスク面上に光を照射し、その透過光をすり鉢形状の開口穴を有する立体反射型ミラーによって反射させて、立体構造体の表面に塗布した光感光性材料に照射して露光させるとともに、この立体構造体を間欠的に供給することにより、立体構造体の表面上に、マスク面上のパターンを、継ぎ目が無く、しかも軸方向に際限なく連続したパターンとして転写する。 - 特許庁

To provide a method for forming a micro pattern by proximity field exposure by which a micro pattern having a high aspect ratio can be formed in an image formation layer with film thickness enough not to generate any defect such as pin hole or the like, when forming the micro pattern by proximity field exposure while the mask is made close to the image formation layer.例文帳に追加

マスクを像形成層に近接させて近接場露光によって微細パターンを作製するに際して、ピンホール等の欠陥の生じない厚さの膜厚に形成された像形成層に対して、高アスペクト比を有する微細パターンを作製することが可能となる近接場露光による微細パターンの作製方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a first step of forming a metal thin film for wiring lines on a glass substrate 11a, a second step of forming a resist pattern on the metal thin film by using a photomask 20 where a pattern for the wiring lines is formed, and a third step of forming the wiring lines by selectively removing the metal thin film by wet etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ガラス基板１１ａ上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成する第３ステップとを備える。 - 特許庁

The pattern film-forming mask for solution coating is provided with a thin board having an aperture part pattern which comprises one or more aperture parts and a plurality of convex structures which are provided on the thin board and are so arranged that they may surround one or more areas including at least one of the aperture parts of the aperture pattern part.例文帳に追加

本発明の溶液塗布用パターン製膜用マスクは、少なくとも１つの開口部からなる開口部パターンを有する薄板と、前記薄板上に設けられ且つ前記開口部パターン中の少なくとも１つの前記開口部を含む少なくとも１つの領域を取り囲むように配置された複数の凸形状構造体とを備える。 - 特許庁

Since the patient receiving home medical treatment wears the respiration mask at all times, the patient breathes according to the respiration pattern for informing different from usual respiration pattern even when the patient's condition is worsened and the patient cannot move so that the medical treatment equipment detects the respiration pattern for informing and informs the remote domestic medical treatment management server of it.例文帳に追加

在宅療法を受ける患者は，常に呼吸マスクを身につけているので，様態が悪化して身動きがとれなくなった時でも，通常の呼吸パターンと異なる通報用呼吸パターンで呼吸をすることにより，医療機器がその通報用呼吸パターンを検出して，遠隔の在宅医療管理サーバに通報することができる。 - 特許庁

In a mask 1 for transferring a hole pattern to a photoresist film spread on a semiconductor wafer by exposure using oblique lighting, a pseudo repetition area is formed by providing an anti-phase area 3A, an in-phase half-tone area 3B, and a light-shading area 4 around a real pattern 2H provided for transferring the hole pattern.例文帳に追加

半導体ウエハ上に塗布されたフォトレジスト膜に斜方照明を用いた露光処理によってホールパターンを転写するマスク１において、そのホールパターンを転写するための実パターン２Ｈの周囲に、逆相ハーフトーン領域３Ａ、同相ハーフトーン領域３Ｂおよび遮光領域４を設けることで擬似的な繰り返し領域を形成するようにした。 - 特許庁

With the configuration, the second conductive pattern 6 is buried into the first insulating layer 1, thus preventing a first plating film 3 from adhering onto the second conductive pattern 6 without especially treating a mask, or the like when the first plating film 3 made of a second metal is formed on a first conductive pattern 2.例文帳に追加

この構成により、第２導電性パターン６を第１絶縁層１内に埋め込むことにより、第１導電性パターン２上に第２金属からなる第１めっき膜３を形成する際に、特にマスク等の処理を行わなくても第２導電性パターン６上に第１めっき膜３が付着することを防止することができる。 - 特許庁

This invention includes a step of etching the object to be processed using the resist pattern as a mask, a step of irradiating the resist pattern through a photomask with light within a photosensitive wavelength region of the photosensitizer, and a step of removing the resist pattern on the object to be processed.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the exposure method performing joint exposure by irradiating an article to be exposed with light source light through a mask pattern of a photomask and then overlapping end regions of adjoining exposure patterns, the joint exposure is performed while gradually reducing the exposure amount in the end region of the exposure pattern from near the center toward an adjoining end of the exposure pattern.例文帳に追加

被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光方法であって、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させてつなぎ露光するものである。 - 特許庁

The micromachining method of the substrate includes each step for forming a magnetic film on the substrate, adding a desired magnetic pattern to the magnetic film, sprinkling magnetic powder onto the magnetic film where the magnetic pattern is given, selectively concentrating the magnetic powder according to the magnetic pattern, and performing reactive ion etching with the centrally arranged magnetic powder as a mask.例文帳に追加

基板の微細加工方法であって、基板上に磁性膜を形成し、磁性膜に所望の磁気パターンを付与し、磁気パターンの付与された磁性膜上に磁性粉を振りかけて、磁性粉を磁気パターンに応じて選択的に集中させ、集中配置された磁性粉をマスクとして反応性イオンエッチングを行なう各ステップを含んでいる。 - 特許庁

Subsequently, any one area of recessed/projected part sides for upper face and for lower face from the center line of the shared mask pattern is light-shielded and another area is exposed again and developed, and a resist pattern for upper face having the recessed/projected part for upper face and a resist pattern for lower face having the recessed/projected part for lower face are respectively formed.例文帳に追加

続いて、共有マスクパターンの中心ラインから上面用凹凸部側及び下面用凹凸部側のいずれか一方又は他方の領域を遮光し他方又は一方の領域を再度露光して現像し、上面用凹凸部を有する上面用レジストパターンと下面用凹凸部を有する下面用レジストパターンを各々形成する。 - 特許庁

When a wafer is exposed to a mask pattern through a plurality of exposure shots, a correction exposure amount in each exposure shot is found based upon a previously measured pattern size distribution in each exposure shot after etching, exposure is carried out with respective correction exposure amounts in the respective exposure shots, and the exposed wafer is etched to form the pattern on the wafer.例文帳に追加

ウェハ上にマスクパタンを複数の露光ショットにより露光する際に、予め測定されたエッチング後の各露光ショット内のパタン寸法分布に基づき、各露光ショット内の補正露光量を求め、各露光ショットにおいて、それぞれの補正露光量で露光し、露光されたウェハをエッチングすることにより、ウェハにパタンを形成する。 - 特許庁

After a conductive pattern layer 11A is formed by etching the first conductive film 11, the third conductive film 13 is subjected to over-etching through the conductive pattern layer 11A as a mask to form an anchor part 15, and a sealing resin layer 22 and the conductive pattern layer 11A are firmly joined together as the sealing resin layer 22 is made to bite into the anchor part 15.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより導電パターン層１１Ａを形成した後に、導電パターン層１１Ａをマスクとして第３の導電膜１３をオーバーエッチングしてアンカー部１５を作り、アンカー部１５に封止樹脂層２２を食い込ませて封止樹脂層２２と導電パターン層１１Ａの結合を強くする。 - 特許庁

Alternatively, the method includes a step of irradiating the resist pattern with light in the photosensitive wavelength region of the photosensitive agent through a photomask, a step of etching the material worked by using the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern formed on the material.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

An N type semiconductor layer 22 having a low impurity concentration is epitaxially grown on an N semiconductor substrate 21, a desired pattern of oxide film is formed thereon, and the substrate is subjected to ion implantation with use of the pattern as its mask to form an active region edge 28 and a guard ring region 24.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板２１上に不純物濃度が低いＮ型の半導体層２２をエピタキシャル成長させ、その表面に所望のパターンの酸化膜を形成し、それをマスクとしてイオン注入により活性領域エッジ部２８およびガードリング領域２４を形成する。 - 特許庁

UV rays emitting from a light source 221 of the exposure machine 220 exit vertically downward via a first reflection mirror 223, a slit 224 and a second reflection mirror 225 to transfer a desired pattern of the pattern formed in the mask 210 onto the entire area of the traveling glass 201.例文帳に追加

露光機２２０の光源２２１から発散される紫外線光は、第１の反射ミラー２２３、スリット２２４、第２の反射ミラー２２５を介して、垂直下方に出射され、マスク２１０に形成されたパターンが、移動するガラス２０１の全面積に所望のパターンを転写される。 - 特許庁

A refractive index pattern is formed by irradiating the composition with radiation through a pattern mask and subjecting the composition to heat treatment to polymerize the polymerizable compound (A) and to confine the fugitive compound (D) with crosslinking in the exposed area and to decompose the fugitive compound (D) in the unexposed area.例文帳に追加

この組成物にパターンマスクを介して放射線を照射した後、加熱処理して露光部の重合性化合物（Ｂ）を重合せしめ逃散性化合物（Ｄ）を架橋により閉じ込め且つ未露光部の逃散性化合物（Ｄ）を分解させることにより屈折率パターンを形成することができる。 - 特許庁

The impurities 110 are introduced into a silicon substrate 101 using a silicon nitride film pattern 107 and a polycrystal silicon film pattern 108 as a mask, a high concentration impurity diffusion layers of an N type (N^+ type diffusion layers 111, 112) are formed at positions of a source region and a drain region of the MOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、シリコン窒化膜パターン１０７、多結晶シリコン膜パターン１０８をマスクにして、不純物１１０を導入し、ＭＯＳ型トランジスタのソース領域、及びドレイン領域の位置に、Ｎ型の高濃度不純物拡散層（Ｎ^+型拡散層１１１、１１２）を形成する。 - 特許庁

Under a state where the temperature at at least a part of the circumferential edge part of the transparent substrate is sustained higher than the temperature in the central part of the transparent substrate, the light shading film is etched by a plasma etching method using the resist film pattern as an etching mask thus forming a light shading film pattern.例文帳に追加

前記透明基板の周縁部のうち少なくとも一部の温度を前記透明基板の中心部分の温度より高く維持する状態で、前記レジスト膜パターンをエッチングマスクとし、プラズマを利用するエッチング方法によって前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する。 - 特許庁

After the second interlayer insulating film 108 and the first interlayer insulating film 107 are dry etched with a resist pattern 109 as a mask to form a contact hole 110, the resist pattern 109 is removed, and thereafter the contact hole 110 is cleaned by using a cleaning liquid containing a hydrofluoric acid.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０８及び第１の層間絶縁膜１０７に対してレジストパターン１０９をマスクにドライエッチングを行なってコンタクトホール１１０を形成した後、レジストパターン１０９を除去し、その後、フッ酸を含む洗浄液を用いてコンタクトホール１１０を洗浄する。 - 特許庁

A pair of patterns 104 (104a and 104b) for relative position detection and an exposure monitor pattern 101 held by these patterns for relative position detection are arranged and formed in an x-axis (one direction) in a pattern 100 for exposure detection arranged at an exposure monitor mask.例文帳に追加

露光量モニタマスクに配置された露光量検出用パターン１００には、一対の相対位置検出用パターン１０４（１０４ａ，ｂ）と、この相対位置検出用パターンに挟まれた露光量モニタパターン１０１とがｘ軸方向（一方向）に配列形成されている。 - 特許庁

A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の上に第１メサ部２ａおよび第２メサ部２ｂを形成し、開口部１３，１４を有するレジストパターン１５を形成し、レジストパターン１５をマスクとして半導体層２を所定の深さまでエッチングし、リセス１６とアライメントマーク用凹部１７を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a solar cell 100, a metal mask M3 has two openings H3 corresponding to a formation pattern of two island-shaped n-type amorphous semiconductor layers 12n_1, and an opening H4 corresponding to a formation pattern of a p-type amorphous semiconductor layer 12p.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池１００の製造方法において、メタルマスクＭ３は、２本の島状ｎ型非晶質半導体層１２ｎ_１の形成パターンに応じた２つの開口部Ｈ３と、ｐ型非晶質半導体層１２ｐの形成パターンに応じた開口部Ｈ４とを有する。 - 特許庁

In an exposure step, the gap material mixture resist layer or a resist is exposed (S30) through a mask having an opening pattern for exposing the pattern of the barrier rib, after the step of forming the gap material mixture resist layer and/or during the step of forming the gap material mixture resist layer.例文帳に追加

露光工程において、このギャップ材混在レジスト層形成工程後及びギャップ材混在レジスト層形成工程中の少なくともいずれか一方において、隔壁のパターンを露光するための開口パターンを有するマスクを介して、ギャップ材混在レジスト層又はレジストを露光する（Ｓ３０）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which has a boundary in an uneven shape between an etched part and an unetched part without forming unevenness at an end of a pattern formed on a photomask when the semiconductor device is formed using a photoresist pattern as a mask.例文帳に追加

フォトレジストパターンをマスクとして半導体装置を形成した際に、フォトマスクに形成されるパターンの端部に凹凸を形成することなく、エッチングされた部分とエッチングされていない部分との境界が凹凸形状となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The etching method performed by forming a film 2 to be etched on a substrate 1, forming the resist on the film 2 to be etched, exposing and developing the resist to form a resist pattern 3, generating plasma with an etching gas containing halogen and using the resist pattern 3 as a mask to etch the film 2 to be etched is used.例文帳に追加

基板１上に被エッチング膜２を形成し、被エッチング膜２上にレジストを形成し、レジストに対し露光及び現像を行ってレジストパターン３を形成し、ハロゲンを含むエッチングガスによりプラズマを発生させてレジストパターン３をマスクとして被エッチング膜２をエッチングするエッチング方法を用いる。 - 特許庁

The method includes a step of preparing a photomask blank having a light shielding film 15 on a transparent substrate 14, a step of forming a first resist pattern by drawing and developing a resist film formed on the light shielding film, and a step of performing first patterning by etching the light shielding film with the first resist pattern as a mask.例文帳に追加

透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。 - 特許庁

In the master optical disk using RIE (reactive ion etching), a resist stored in air at a room temperature is subjected to exposure and development for 200 to 400 hours, preferably 350 hours to make a pattern in which the end of a land projects, and the RIE is carried out by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ＲＩＥを用いた光ディスク原盤作製において、２００時間から４００時間、望ましくは３５０時間以上、室温、空気中で保管したレジストに対して露光、現像を行うことで、ランドの端部が突出したパターンを作製し、そのレジストパターンをマスクとしてＲＩＥを行う。 - 特許庁

Then when the photoresist 4 is exposed, the light is reflected by sidewalls of the recesses 3 or projections 6 so that when the exposed photoresist 4 is developed, the photoresist pattern has the end in the uneven shape, and the base film 1 is etched using the photoresist pattern as the mask to form the semiconductor device.例文帳に追加

そして、フォトレジスト４を露光した際に凹部３または凸部６の側壁にて光を反射させ、露光したフォトレジスト４を現像した際にフォトレジストパターンの端部が凹凸形状となるようにし、このフォトレジストパターンをマスクとして下地膜１をエッチングすることにより半導体装置を形成する。 - 特許庁

An exposure mask in one embodiment is used when an exposure device transfers and forms a photosensitive resin film pattern having a first area in which the photosensitive resin film is not patterned and a second area in which a pattern group having a desired shape is formed.例文帳に追加

本実施形態の露光用マスクは、露光装置により、感光性樹脂膜がパターン化されることのない第１の領域と所望の形状のパターン群が形成される第２の領域とを有する感光性樹脂膜パターンを転写形成する際に使用するものである。 - 特許庁