「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a grayscale mask or the like for forming an optical element having a three-dimensional fine structure such as a microlens, in particular, an optical element having a pattern of a high aspect ratio with high accuracy.例文帳に追加

マイクロレンズ等の三次元微細構造を有する光学素子、特に、高いアスペクト比の形状を備える光学素子を高い精度で形成するためのグレイスケールマスク等を提供すること。 - 特許庁

In addition, the mask pattern is removed, and a semiconductor layer is epitaxially regrown from the surface of the semiconductor substrate around the element isolation dielectric that projects from the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

さらにマスクパターンを除去し、半導体基板表面から突出する素子分離絶縁膜の周囲に、半導体基板表面から半導体層をエピタキシャルに再成長させる。 - 特許庁

The stencil reference value determined is collated with an element value of the stencil pattern, and based on the color mask determined and using the one component, a three-dimensional model is drawn at a pixel which corresponds to matching values.例文帳に追加

そして、決定されたステンシル参照値とステンシルパターンの要素値を照合し、一致した値に対応する画素に、決定されたカラーマスクに基づき１成分で立体モデルを描画する。 - 特許庁

To provide a mask pattern for manufacturing a semiconductor device, a forming method thereof, a method for manufacturing coating composition for forming a micropattern, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fine grid manufacturing method with which a base material surface is prevented from being oxidized, and etching processing is prevented from being affected even in forming a mask film on the base material by using a metal pattern film.例文帳に追加

金属製のパターン膜を用いて基材上にマスク膜を形成しても、基材表面が酸化されずエッチング加工に影響を及ぼさない微細格子の作製方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of cell libraries are laid to design a mask pattern and the correction amount by the OPC applied to the cell library is changed by considering the influences of cell library patterns laid in the periphery.例文帳に追加

複数のセルライブラリを配置してマスクパターンを設計し、セルライブラリに施されたＯＰＣの補正量を、周囲に配置したセルライブラリのパターンの影響を考慮して変化させる。 - 特許庁

Next, after the water-repellent film 6 is removed except for the semi-through hole by second plasma gas treatment using oxygen gases or the like by a dry mask 8, a plating resist pattern 9a is patterned.例文帳に追加

次いで、ドライマスク８によって酸素ガス等を使用した第２のプラズマガス処理により半貫通ホール以外の撥水性膜６を除去した後、めっきレジストパターン９ａをパターニングする。 - 特許庁

Consequently, regarding the partial region, the overlap accuracy of the pattern of the mask can be enhanced easily as compared with a case in which the distribution of the image is adjusted regarding the effective exposure field as a whole.例文帳に追加

従って、その一部の領域部分については、有効露光フィールドの全体について像歪みを調整する場合に比べて、重ね合せ精度を容易に向上させることができる。 - 特許庁

This aligner is provided with a projection optical system (PL) for forming a pattern image of a mask (M) on a photosensitive substrate (W) and a substrate stage for holding and moving the photosensitive substrate.例文帳に追加

マスク（Ｍ）のパターン像を感光性基板（Ｗ）上に形成するための投影光学系（ＰＬ）と、感光性基板を保持して移動するための基板ステージ（ＷＳＴ）とを備えた露光装置。 - 特許庁

Further, the method for producing the diamond particle on whose cut surface a pattern is drawn comprises irradiating the cut surface with the high energy ions 13 after covering the cut surface with a mask or photoresist perforated into a character or mark shape.例文帳に追加

また、カット面に文字またはマークなどの形に加工し穴を穿孔したマスクまたはフォトレジストによるマスクによって被覆した後に、高エネルギーイオン１３を照射する。 - 特許庁

To provide: a salt excellent in exposing margin (EL) and mask error factor (MEF) when forming a resist pattern; an acid generator including the salt; and a resist composition including the acid generator.例文帳に追加

レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れる塩、この塩を含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resist film 102 is irradiated via the water-soluble film 103 with exposure light 105 from a KrF excimer laser having 0.68 NA through a mask 104 to carry out pattern exposure.例文帳に追加

続いて、ＮＡが０．６８であるＫｒＦエキシマレーザよりなり、マスク１０４を透過した露光光１０５を水溶性膜１０３を介してレジスト膜１０２に照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁

The mask blank with the pattern drawn is conveyed through a vacuum conveyance passage 105 maintained in a vacuum state into a heat treating chamber 110a in a vacuum state of a heat treating means 110.例文帳に追加

描画後のマスクブランクを真空状態に保持された真空搬送路１０５内を通して熱処理手段１１０の真空状態にある熱処理チャンバ１１０ａ内に搬送する。 - 特許庁

The mask for inspection of an exposure device of an embodiment includes a substrate 10 having a principal surface which reflects exposure light, and a first pattern 60a provided on the principal surface.例文帳に追加

実施形態によれば、露光光に対して反射性の主面を有する基板１０と、主面に設けられた第１パターン部６０ａと、を備えた露光装置検査用マスクが提供される。 - 特許庁

An etching mask, comprising a profiling pattern of a gate electrode 9, a source contact 12, a drain contact 13, and a counter-electrode contact, is formed on a substrate of semi-conductor on insulator type.例文帳に追加

ゲート電極９ソースコンタクト１２，ドレインコンタクト１３、および対向電極コンタクトの輪郭描写パターンを含むエッチングマスクが、セミコンダクタ・オン・インシュレータ型の基板上に形成される。 - 特許庁

Since the rough surface R is formed on the surface of the second p-clad layer 6, the degree of progress in etching can be kept generally the same, and mask pattern-based etching is possible.例文帳に追加

粗面Ｒが第２ｐクラッド層６の表面に形成されているので、エッチングの際の進行度合いをほぼ同じとすることができ、マスクパターンに忠実なエッチングが可能となる。 - 特許庁

The insulation film 39 includes: a first part 39a film-formed on the mask 35a; and a second part 39b film-formed on the pattern-formed group-III nitride semiconductor region 33c.例文帳に追加

絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。 - 特許庁

A solder resist hole 11a is formed in the solder mask 11, a partial copper wiring pattern 12 is exposed therefrom, and a position of an electrical contact of wire bonding or solder ball is settled.例文帳に追加

はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１２が露出し、ワイヤボンディングまたははんだボールの電気接点の位置を定めている。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method capable of increasing symmetry of the shape of a sidewall and improving processing accuracy when etching a target etching film, in SWP.例文帳に追加

ＳＷＰにおいて、側壁部の形状の対称性を高め、被エッチング膜をエッチングするときの加工精度を向上させることができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulation film 31 on the plug 11 is etched with a silicon nitride film 32 used for pattern etching of the bit lines 12 as a hard mask to make the plug 11 salient in a groove 40.例文帳に追加

ビットライン１２のパターンエッチングに用いたシリコン窒化膜３２をハードマスクとして用いてプラグ１１上の層間絶縁膜３１をエッチングし、プラグ１１を溝４０内に突出させる。 - 特許庁

To develop an exposure apparatus for effectively partly purging an exposure optical path in the apparatus with an inert gas for emitting a pattern of a mask to a photosensitive substrate via a projection optical system.例文帳に追加

マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の露光光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。 - 特許庁

For example, a control of a trimming amount of the line width of the photoresist 105b is performed so that the line width of the photoresist 105b may be the same as the line width of the mask pattern constituted by the SiO_2 layer 103.例文帳に追加

例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ_2層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 - 特許庁

Following the etching of the upper dielectric layer, a metal selectively grows on each of exposed part of the metal layer to obtain an inverted mask pattern consisting of the selective metal growth.例文帳に追加

上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。 - 特許庁

Subsequently, the nonsensitized part 13b of the photoresist 13 is removed through development and cleaning, and the layer 12 to be machined is etched using the pattern transfer part 13a of the photoresist 13 as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１３の非感光部１３ｂを現像及び洗浄により除去し、フォトレジスト１３のパタン転写部１３ａをマスクとして加工対象層１２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a forming method of a fluorescent screen for a cathode-ray tube enabled to pattern a pigment layer without detaching a shadow mask and doing without exposure for forming the pigment layer.例文帳に追加

シャドウマスクを脱着することなく、顔料層のパターニングを行えると共に、顔料層を形成するために露光を必要としない陰極線管の蛍光面の形成方法を提供する。 - 特許庁

A microcrystal silicon film 2 and a chromium film 3 are formed in sequence on an insulating film 1 as a base, and they are wet-etched while a resist 4 is being used as a mask, so as to pattern the chromium film 3.例文帳に追加

下地となる絶縁膜１上に、微結晶シリコン膜２とクロム膜３とを順に成膜し、レジスト４をマスクとして、ウェットエッチングを行い、クロム膜３をパターニングする。 - 特許庁

To minimize total length of boundary lines for main fields and sub- fields formed in an effective pattern region in a semiconductor device or in a mask for photolithography.例文帳に追加

本発明は半導体装置または写真製版用マスクに関し、有効なパターン領域内に形成されるメインフィールドやサブフィールドの境界線の総延長を最短化することを目的とする。 - 特許庁

Then, a circuit pattern is laid out and at least one pad is installed on the organic substrate, and the surface of the substrate is covered with a solder mask layer, and the pad is exposed in a patterned state.例文帳に追加

該有機基板には回路パターンがレイアウトされ、少なくとも一つのパッドが設けられ、該基板の表面がソルダマスク層で被覆され、並びにパターン化されて該パッドが露出させられている。 - 特許庁

To sufficiently assure lithography process tolerance, such as exposure tolerance and depth of focus, while reducing the line width difference by the pattern density of resist patterns without exerting load on manufacturing a mask.例文帳に追加

マスクの製造に負荷をかけることなく、レジストパターンのパターン密度による線幅差を縮小しつつ、露光裕度および焦点深度などのリソグラフィプロセス裕度を十分に確保する。 - 特許庁

CORRECTION METHOD AND VERIFICATION METHOD FOR PATTERN DIMENSION BY USING OPC, MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY USING THIS CORRECTION METHOD, AND SYSTEM AND PROGRAM TO EXECUTE THIS CORRECTION METHOD例文帳に追加

ＯＰＣを用いたパターン寸法の補正方法及び検証方法、該補正方法を用いて作成されたマスク及び半導体装置、並びに該補正方法を実行するシステム及びプログラム - 特許庁

Then a resist layer 16 of specified pattern is formed on the surface of the surface oxide film 14, and the surface oxide film 14 and the nitride film 21 are etched through the mask of the resist layer 16.例文帳に追加

次いで表面酸化膜１４の表面に所定のパターンのレジスト層１６を形成し、レジスト層１６をマスクにして表面酸化膜１４及び窒化膜２１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a glass mask for exposure with which a substrate can be exposed to a plurality of patterns by a single exposure even when the pattern is large in size and therefore, the cost of exposure can be reduced.例文帳に追加

パターンが大型であっても、一回の露光で複数分のパターンを基材に露光することができ、その結果、露光のコストを低減することができる露光用ガラスマスクの提供。 - 特許庁

A porous insulating film and an insulating film are formed on a silicon substrate, and a resist pattern for interconnection formation is formed with a hard mask cover film for covering a periphery of the silicon substrate interposed therebetween.例文帳に追加

シリコン基板上に多孔質絶縁膜及び絶縁膜を形成し、シリコン基板の周辺部をカバーするためのハードマスクカバー膜を介して配線形成用のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The exposure apparatus feeds a body T to be exposed in a roll film shape having a prescribed width onto an exposure stage 50 and exposes the circuit pattern of a mask to the body to be exposed.例文帳に追加

露光装置は、所定幅を有するロールフィルム状の被露光体Ｔを露光ステージ５０上に送り込んで、マスクの回路パターンを被露光体に露光する露光装置である。 - 特許庁

The pattern shown in a mirror device projection region 2 where the mirror device of about 15 mm width is to be projected is condensed into a small spot by a microlens array and projected onto the mask substrate 1.例文帳に追加

約１５ｍｍの幅のミラーデバイスが投影されるミラーデバイス投影領域２に示されたパターンは、マイクロレンズアレイによって小さなスポットに集光され、マスク基板１上に投影される。 - 特許庁

Further, after the mask is formed, the etching liquid is ejected from the nozzle to thereby perform etching processing on an exposed metal face of the workpiece 10A to form a machining pattern.例文帳に追加

さらに、前記マスクを形成後に、エッチング液をノズルから噴射することにより、露出したワーク１０Ａの金属面をエッチング処理して加工パターンを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

When a predetermined pattern including a plurality of gate patterns is formed, patterns are sorted into fine gate patterns and the other patterns (S102), and a hard mask film is formed on a workpiece film (S106).例文帳に追加

複数のゲートパターンを含む所定のパターンを形成する際に、微細ゲートパターンとそれ以外のパターンとに分類し（Ｓ１０２）、被加工膜上に、ハードマスク膜を形成する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

Then, by removing (lifting-off) the lift-off mask 40, a nonmagnetic embedded layer pattern made of the residual of the nonmagnetic embedded layer 50 embedded in the groove 42 is selectively formed.例文帳に追加

続いて、リフトオフマスク４０を除去（リフトオフ）することにより、溝４２に埋め込まれた非磁性埋込層５０の残存部分からなる非磁性埋込パターンを溝４２に選択的に形成する。 - 特許庁

The light reflected by the main mirror M1 forms the secondary image of the mask pattern with reduced magnification on the surface of a wafer 9 via the lens component L2 and the center opening of the submirror M2.例文帳に追加

主鏡Ｍ１で反射された光は、レンズ成分Ｌ２および副鏡Ｍ２の中央開口部を介してウエハ９面上にマスクパターンの二次像を縮小倍率で形成する。 - 特許庁

After a conductive film 17Z is first formed on an MR film 14Z, the MR film 14Z covered with the conductive film 17Z is selectively removed by using a mask pattern 5.例文帳に追加

あらかじめＭＲ膜１４Ｚ上に導電膜１７Ｚを形成したのち、マスクパターン５を用いて導電膜１７Ｚに覆われたＭＲ膜１４Ｚを選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method that can perform a high throughput of wafer treatment with a process liquid containing potassium hydroxide (KOH) at a low cost by using a proper mask material.例文帳に追加

適切なマスク材料を用いることにより、水酸化カリウム(KOH)を含む処理液によるウエハの処理をスループット高く、低コストで行うことができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The connections of the inverter circuits to signal routes can be realized only by altering a connection wiring pattern mask according to the number of the inverters to be connected, without altering the other manufacturing process.例文帳に追加

インバータ回路の信号経路への接続は、接続配線パターンマスクを接続するインバータ回路の数に応じて変更するだけで、他の製造工程を変更することなく実現できる。 - 特許庁

In a step S_3, an exposure simulation for using the first and second exposing methods is performed for all pattern of the mask patterns, to check the degree of a process margin (process tolerance).例文帳に追加

ステップＳ_３ では、第１及び第２の露光方法を使ったときの古老シミュレーションをマスクパターンの全パターンに対してそれぞれ行い、プロセスマージン（プロセス裕度）の大小を確認する。 - 特許庁

The projection beam PB of radiation makes an exposed region 1" and a nonexposed region 2" on a resist layer R, corresponding to the light region 1 and the dark region 2 of a mask pattern.例文帳に追加

前記放射線の投影ビームＰＢは、マスクパターンの明領域１および暗領域２に対応して、それぞれ、レジスト層Ｒ上に露出領域１″および非露出領域２″を作る。 - 特許庁

A method for forming an electro conductive film pattern forms a first metal film 2 comprising ITO on an insulated substrate 1 and further, forms selectively a resist mask 3 being an insulated thin film on the first metal film 2.例文帳に追加

絶縁性基板１上にＩＴＯからなる第１の金属膜２を形成し、さらに第１の金属膜２上に選択的に絶縁性薄膜であるレジストマスク３を形成する。 - 特許庁