「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an EB (electron beam) transfer mask which can be easily manufactured and which can suppress deterioration in the accuracy of drawing a pattern due to the spatial charge effect, resist heating or the like caused during the EB transfer in the process of forming an EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加

コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method, which are capable of making a semiconductor device undergo the desired processing by thickening the thin part of a mask film that is used for processing such as etching of the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング等の半導体装置に対する処理時に使用するマスク膜における薄膜部の厚みを増大することにより、半導体装置に所望の処理を施すことが可能なマスクパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After adhesion, inner stress is generated in the stencil mask 12, however, the inner stress concentrates on the slits 28, which results in about ≤4 MPa inner stress, at most ≤10 MPa, in the membranes 26 in the mask pattern formation region.例文帳に追加

接着後にはステンシルマスク１２に内部応力が発生するが、この内部応力はスリット２８、２８に集中するため、マスクパターン形成領域２３のメンブレン２６、２６…における内部応力は概ね４ＭＰａ以下、最大でも１０ＭＰａ以下に維持される。 - 特許庁

The substrate transfer mechanism 20 used for an exposing device 1 for exposing a pattern P of a mask M on a substrate W by directing an exposing light EL via the mask M to the substrate W lifts up and supports the substrate W and conveys the same in the X direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、基板Wに対してマスクMを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板ＷをＸ方向に搬送する。 - 特許庁

The each opening inside diameter D' of the solder resist layer reflected on the CAD data is converted as the CAM data into a mask pattern D_0 for the openings of the exposure mask for the photolithography to form the openings of a solder resist layer by a photolithographic process using a photosensitive resin.例文帳に追加

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程によりソルダーレジスト層の開口を形成するために、ＣＡＤデータに反映されたソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’を、フォトリソグラフィー用露光マスクの開口用マスクパターン外径Ｄ_０に、ＣＡＭデータとして変換する。 - 特許庁

The suction head is composed of a mask 2 provided with holes 4 corresponding to a prescribed array pattern and formed by laminating a first layer 2a made of a metal and a second layer 2b made of a resin, and a porous body 3 disposed on the side of the first layer 2a of the mask 2.例文帳に追加

所定の配列パターンに対応した孔４を有し、金属より成る第一層２ａと樹脂より成る第二層２ｂとを積層して形成されるマスク２と、前記マスク２の第一層２ａ側に配設する多孔質体３とにより構成されている。 - 特許庁

When control light 25 is made incident on the optical switch thin film 18, the parallel signal light beams 26 having passed through the respective mask patterns are transmitted and converted into parallel signals and each of them is detected by an optical detector out of an optical detector array 24 corresponding to the mask pattern.例文帳に追加

光スイッチ薄膜１８では、制御光２５が入射されると、各マスクパターンを透過した平行信号光２６を透過すると共にパラレル信号に変換し、光検出器列２４の当該マスクパターンに対応する光検出器により各々検出される。 - 特許庁

The electrode pattern 13 is so shaped that it is cut by the mask position check through-hole 11c when the positional deviation of an etching mask on the basis of the forming position of the through-hole 11a exceeds an allowable value.例文帳に追加

電極パターン１３は、スルーホール１１ａ…の形成位置を基準にしたエッチング用マスクのずれ寸法が許容ずれ寸法を超えているときには、マスク位置確認用電極パターン１３がマスク位置検査用スルーホール１１ｃによって切られる形状を有している。 - 特許庁

A mask 11 having an aperture part patterned equally to a pattern of a hole transport layer is arranged on a substrate 1 upper face, and from the upper face of the mask 11, a solution or a dispersion liquid of a material constituting the hole transport layer is sprayed and dried up for forming the hole transport layer.例文帳に追加

正孔輸送層のパターンと同一パターンの開口部を有するマスク１１を基板１上面に配置し、マスク１１上面より正孔輸送層を構成する材料の溶液または分散液を噴霧し、乾燥して前記正孔輸送層を形成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film is etched with a side wall 10 serving as a mask to form a gate electrode 13a relatively short in a gate length, and simultaneously the polycrystalline silicon film is etched with a resist pattern 12 serving as a mask to form a gate electrode 13b relatively long in a gate length.例文帳に追加

サイドウォール１０をマスクとしてシリコン多結晶膜をエッチングし、ゲート長が相対的に短いゲート電極１３ａを形成し、同時にレジストパターン１２をマスクとしてシリコン多結晶膜をエッチングし、ゲート長が相対的に長いゲート電極１３ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pattern particularly having a small critical dimension with high accuracy, since roughness on edges of a photoresist or enlargement of a resist aperture during etching results in unevenness of a pattern in a method for manufacturing a photomask using a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを使用するフォトマスクの製作方法において、フォトレジストの縁の荒さやエッチング中のレジスト開口の拡大が、パターンの不均一性をもたらすため、特に臨界寸歩の小さいパターンを高精度に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive film 10 is obtained by subjecting a photosensitive material to proximity exposure through a photomask disposed away from the photosensitive material via a proximity gap of 70 to 200 μm, and transferring the mask pattern onto the photosensitive material as a periodical pattern periodical in a conveyance direction.例文帳に追加

感光材料に対し７０〜２００μｍのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、マスクパターンを搬送方向に周期的な周期パターンとして感光材料に露光することで導電膜１０を得る。 - 特許庁

When the pattern of a thick resin film where a reflection type pixel electrode 62 is mounted is formed, photosensitive setting resin is applied for coating and then exposure operation is performed by using a mask pattern 8 which has punch parts 82 and translucent parts 81 at specific parts.例文帳に追加

反射型画素電極６２を載置する厚型樹脂膜５のパターンを形成するにあたり、感光性硬化樹脂をコーティングした後、抜き部８２と、半透過部８１とを所定個所に備えるマスクパターン８を用いて露光操作を行う。 - 特許庁

For the mask patterns 14a, the pattern width W1 of the inner peripheral part A1 and the outer peripheral part B1 is 1.1-1.2 times of the pattern width W2 of an intermediate part C1 positioned between the inner peripheral part A1 and the outer peripheral part B1.例文帳に追加

マスクパターン１４（１４ａ，１４ｂ）は、その内周部分Ａ１や外周部分Ｂ１のパターン幅Ｗ１が、内周部分Ａ１と外周部分Ｂ１の間に位置する中間部分Ｃ１のパターン幅Ｗ２の１．１〜１．２倍になっている。 - 特許庁

A photoresist layer 48 is formed on the supporting substrate 46 and is exposed by applying a photomask 49 (mask pattern) thereon to form non-fixed parts 51 of the same patterns as the pattern wiring and fixed parts 52 exclusive of the non-fixed parts 52 on the photoresist layer 48.例文帳に追加

支持基板４６上にフォトレジスト層４８を形成してその上にフォトマスク４９（マスクパターン）を施して露光して、フォトレジスト層４８にパターン配線と同じパターンの非定着部５１と、非定着部５１以外の定着部５２とを形成する。 - 特許庁

Specifically, a dual damascene structure corresponding to a design pattern figure can be formed by means of one exposure, development and etching step using a high resolution gray scale mask, which reduces a production process of a dual damascene structure and enhances the pattern accuracy.例文帳に追加

具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、１回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とし、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させる。 - 特許庁

By setting the aperture pattern of the mask used in the 1st scanning exposure process (S12 and S22) and the 2nd scanning exposure process (S13 and S23) to surface shape having desired curvature, the irregular pattern is made a rotational symmetric surface.例文帳に追加

前記第１走査露光工程（Ｓ１２，Ｓ２２）及び前記第２走査露光工程（Ｓ１３，Ｓ２３）で用いられる前記マスクの開口パターンを、所望の曲率を有する面形状になるように設定することで、前記凹凸パターンを回転対称面にする。 - 特許庁

The amount of exposure during which an overlapping part 12 of the rear end part 4 of the resist pattern 8 and the front end part 3 of the mask pattern 6 is irradiated is smaller than twice the amount of exposure during which an area corresponding to the overlapping part 12 is irradiated at the connection part 5.例文帳に追加

レジストパターン８の後端部４とマスクパターン６の前端部３との重なり部分１２に照射される露光量が、接続部５において重なり部分１２に相当する面積に照射される露光量の２倍よりも少ない。 - 特許庁

The generation method for the mask data is applied to the manufacturing method for the semiconductor device and the semiconductor device is provided with a wiring layer arranged in a prescribed pattern on a substrate and a stress mitigation layer arranged in the prescribed pattern on the substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、半導体装置は、基体上に所定のパターンで配置された配線層と、前記基体上に所定のパターンで配置された応力緩和層と、を含む。 - 特許庁

To provide a photomask blank which is high in sensitivity and can form a pattern superior in resolution, and to provide a photomask which is superior in film strength of a light shielding film and resistance to a solvent in mask cleaning even when having a finer pattern such as narrow lines.例文帳に追加

高感度で、解像度に優れたパターンを形成しうるフォトマスクブランクスを提供し、細線等の微細パターンを有するものであっても、遮光膜の膜強度とマスク洗浄の溶剤に対する溶剤耐性に優れたフォトマスクを提供する。 - 特許庁

When the phase shifter pattern is formed by patterning a transparent film 4a, the formation and alignment of the phase shifter pattern with respect to a metallic layer 3 for forming the light shielding film of a mask substrate 2 are executed by using alignment mark patterns disposed at the metallic layer 3.例文帳に追加

透明膜４ａをパターニングして位相シフタパターンを形成する際に、マスク基板２の遮光膜形成用の金属層３に設けられた位置合わせマークパターンを用いて、金属層３に対する位相シフタパターンの形成位置合わせを行う。 - 特許庁

The manufacturing method for the disk includes one of a wiring stage using a write head, a magnetic transfer type transfer stage for transferring the servo pattern from a master disk, and a thermomagnetic transfer type transfer stage for transferring the servo pattern from a mask.例文帳に追加

また、ディスクの製造方法は、書込ヘッドを使用した書込工程、マスターディスクからサーボパターンを転写する磁気転写方式の転写工程、または、マスクからサーボパターンを転写する加熱磁気転写方式の転写工程の何れかを含む。 - 特許庁

After a positive photosensitive film pattern is formed at the upper part of the gate electrode of the insulating layer, an organic semiconductor and an insulator are formed at the upper part of the gate electrode by etching the organic semiconductor layer and the insulating layer, using the photosensitive film pattern as an etching mask.例文帳に追加

また、絶縁層のゲート電極上部に陽性の感光膜パターンを形成した後、感光膜パターンをエッチングマスクとして有機半導体層と絶縁層をエッチングしてゲート電極の上部に有機半導体と絶縁体を形成する。 - 特許庁

The first resist pattern is used as an etching mask to etch the insulating film under the condition that deposits are formed on a width-direction center part of the plane pattern part, long in the one direction, of the first opening, thereby forming a first groove corresponding to the first opening.例文帳に追加

第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、第１の開口の一方向に長い平面パターン部の幅方向の中央部に、堆積物が堆積する条件で、絶縁膜をエッチングすることによって、開口に対応する第１の溝を形成する。 - 特許庁

As a mask for the exposure of the first time, rectangular areas for which a macro pattern block width 3101 is 7 μm and a macro pattern block height 3102 is 500 μm are formed at a prescribed pitch on a chromium film 3100 formed on a glass substrate (Fig. (a)).例文帳に追加

第１回目露光用マスクとして、ガラス基板上に形成されたクロム膜３１００上に、マクロパターンブロック幅３１０１を７μｍとしマクロパターンブロック高さ３１０２を５００μｍとした長方形の領域が所定のピッチで形成される（図（ａ））。 - 特許庁

A photoresist film 2 comprising optical catalyst powder is arranged on a substrate 1 to expose and develop through a mask 3 whereby a pattern film 2' with a penetrating part 20 having a punched predetermined pattern is formed to deposit the electroless plating film 4 in the penetrating part 20.例文帳に追加

光触媒粉末を含有するフォトレジストフィルム２を基板１に配置しマスク３を介して露光・現像することで所定パターンが抜かれた貫通部20をもつパターンフィルム2'を形成し、貫通部20に無電解めっき被膜４を析出させる。 - 特許庁

The mask patterns meeting circuit design and eventually the resist patterns are obtained with good accuracy without appearance of the degradation in the accuracy of the pattern accuracy in the etching by a difference in the aperture ratios occurring in a so called loading effect at the chip pattern.例文帳に追加

これらのこと等により、いわゆる局所的なローディング効果を原因とした開口率の違いによるエッチング時のパターン精度低下がチップパターンに現れることなく、回路設計に応じたマスクパターンひいてはレジストパターンが精度良く得られる。 - 特許庁

By thus doing, spreading of the pattern formed in the alumina layer 16 more than an aperture pattern 20a formed in the hard mask (Au) 20 is suppressed, consequently write-core width of the main magnetic pole 414 can be narrowed.例文帳に追加

このようにすることで、アルミナ層１６に形成するパターンがハードマスク（Ａｕ）２０に形成された開口パターン２０ａよりも広がるのを抑制することができ、ひいては主磁極４１４のライトコア幅の狭小化を図ることが可能である。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a step of finely working a resist pattern, formed in a lithography step by isotropic etching using ozone and another step of etching a work by using the finely worked resist pattern as a mask are performed by means of the same etching system EM1.例文帳に追加

オゾンを用いた等方性エッチングによってリソグラフィ工程で形成されたレジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして被加工材をエッチングする工程とを同一のエッチング装置ＥＭ１で行う。 - 特許庁

To provide a laminated inductor for increasing the value of an inductance by preventing blur at a step part wherein a conductor pattern gets over a mask layer, excellently stably forming a narrow coil pattern on the corresponding flattened layer and miniaturizing the laminated inductor.例文帳に追加

導体パターンがマスク層を乗り越える段差部分でにじみを防止でき、平坦化した該当層に細幅のコイルパターンを不良なく安定に形成でき、小型化とともにインダクタンス値の大値化が行える積層インダクタを提供すること - 特許庁

Loading effect and/or fogging effect for changing a CD are calculated, mask CD data are corrected in advance by the calculation, and exposure is made by correction pattern data, thus correcting line width in a pattern, without generating process loss due to additional exposures.例文帳に追加

ＣＤを変化させるローディング効果及び／またはフォギング効果を計算し、これによりマスクＣＤデータをあらかじめ補正し、補正されたパターンデータにより露光することにより、追加露光による工程損失の発生なしにパターンの線幅を補正できる。 - 特許庁

As the hard mask layer 12 is composed of a material which has high etching selectivity with respect to a substrate 11, the step of the second step portion 19 corresponding to the three-dimensional structural pattern can be formed so as to be smaller in depth than that of a desired three-dimensional structural pattern.例文帳に追加

また、ハードマスク層１２は基板１１に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応する２段目の段差部１９の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さく出来る。 - 特許庁

In the defect detection method in the sheet-like printed matter (10) for continuously printing the same pattern on the continuous sheet, mask treatment (14) is made to a part (12) outside a pattern range that does not become a product, thus inspecting only a product section (11).例文帳に追加

連続するシート上に同一の絵柄が連続して印刷されるシート状印刷物（１０）の欠陥検出方法であって、製品とはならない絵柄範囲外の部分（１２）にマスク処理（１４）して製品部分（１１）のみ検査できるようにした。 - 特許庁

To provide a method for forming a line pattern from an original mask by a proximity exposure method in which the width of a line pattern in a black matrix or black stripes can be decreased to around a 6 μm line width by a PB (post baking) processing.例文帳に追加

近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅をＰＢ処理において６μｍレベル線幅と微細化して形成することができるパターニング方法を提供する。 - 特許庁

An image with a latent image generating part 42 selectively compounds the pattern 1 with the generated pattern 2, and generates an image 4 with a latent image according to the value of each pixel of mask image data 3 for latent image generation read from the data storage part 39.例文帳に追加

潜像入り画像生成部４２は、データ格納部３９から読出した潜像生成のためのマスク画像データ３の各画素の値に従って、パターン１と生成されたパターン２とを選択的に合成して潜像入り画像４を生成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern, by which a fine pattern is more stably formed by using a mask aligner and a master information carrier corresponding to a magnetic recording medium in different sizes is manufactured without changing the size of a substrate.例文帳に追加

マスクアライナーを用いて微細なパターンをより安定に形成するとともに、異なった大きさの磁気記録媒体に対応したマスター情報担体に対して基体の大きさを変更せずに製造できるレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

For the recorder enabling an image to be formed by using a plurality of recording element groups which record the same color material, at least either one of a dot arrangement pattern or a mask pattern is made exchangeable among two or more recording element groups.例文帳に追加

同一の色材を記録する記録素子群を複数用いて画像を形成する記録装置および記録方法において、ドット配置パターンまたはマスクパターンの少なくともどちらか一方を、複数の記録素子群の間で交換可能とする。 - 特許庁

Then, an impurity region 5 is formed on the surface of the exposed substrate 1 by implanting a predetermined impurity ion 4 in the substrate 1 with the pattern 3 and the film 2 disposed directly under the pattern 3 as mask materials.例文帳に追加

次に、レジストパターン３およびその直下に位置する有機ＡＲＣ膜２をマスク材として所定の不純物イオン４を半導体基板１に注入することにより、露出した半導体基板１の表面に不純物領域５を形成する。 - 特許庁

To efficiently prevent variations generating in a pattern dimension after processing even when a spectrum width such as a half-width or the like varies in laser beams illuminating on a photomask formed with a mask pattern, and to enhance a product yield and a throughput.例文帳に追加

マスクパターンが形成されたフォトマスクへ照明されるレーザー光において、半値幅などのスペクトル幅が変動する場合でも、加工後のパターン寸法にバラツキが生ずることを効率的に防止し、製品歩留まりおよびスループットを向上する。 - 特許庁

By plasma of a mixture gas of a first gas including He etc. but not Cl_2 and a SO_2 gas, the surface layer part of the side and top surface of the resist pattern is etched and at the same time, the antireflection film is etched to its bottom surface using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

Ｃｌ_２を含まず、Ｈｅ等を含む第１のガスとＳＯ_２ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、レジストパターンの側面及び上面の表層部をエッチングすると共に、レジストパターンをマスクとして反射防止膜をその底面までエッチングする。 - 特許庁

The mask 50 for inspection has a light shielding pattern 53 formed on the side of the rear surface of a transparent substrate 51, and the image 41' of a secondary light source 41 is formed on the side of the front surface of the transparent substrate 51 through a pin hole 55 formed in the light shielding pattern 50.例文帳に追加

検査用マスク５０は、透明基板５１の背面側に遮光パターン５３を備えており、この遮光パターン５０に形成されたピンホール５５により、２次光源４１の像４１´が透明基板５１の正面側に形成される。 - 特許庁

To provide a device for image recording, a method for controlling image recording, and a recording medium which makes it possible to reduce a generation of a repeated pattern and a worsening of a granular property comparing with a mask pattern by random numbers when recording is performed by a method for multi-pass recording.例文帳に追加

マルチパス記録法により記録を行うにあたり、乱数によるマスクパターンと比べて、繰り返しパターンの発生や粒状性の悪化を低減することができる画像記録装置、画像記録制御方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

In the case of replacing a normal photomask with a resist mask, in setting of a plane dimension of a light shielding pattern 2 composed of a resist film, correction of subtracting a correction amount L from the plane dimension of the light shielding pattern 2 composed of a metal corresponding to it is performed.例文帳に追加

通常のフォトマスクからレジストマスクに置き換える場合には、レジスト膜からなる遮光パターン２の平面寸法の設定において、これに対応するメタルからなる遮光パターン２の平面寸法から補正量Ｌを差し引く補正を行う。 - 特許庁

To raise the contrast of an EUV light absorbing pattern without increasing the thickness of an EUV light absorbing layer which is formed on an EUV light reflecting multilayered film and into which the pattern is engraved in a reflection type mask for EUV exposure used for pattern transfer at manufacturing of a semiconductor, etc.例文帳に追加

半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する多層膜上に成膜されＥＵＶ光を吸収するパターンの刻まれるＥＵＶ光吸収体層において、吸収体層の膜厚を厚くすることなく、パターンのコントラストを上げる。 - 特許庁

After forming an electrodeposition lead by removing an unnecessary metallic layer 3 in a state coating a part independent of the pattern 2 with a mask 4, a surface protection layer 8 is formed on the surface of the pattern 2 by an electrodeposition means in a state leaving an aperture necessary for the pattern 2.例文帳に追加

そこで、回路配線パタ−ン２とは無関係な部分をマスク４で被覆した状態で不要な導電性金属層３を除去して電着リ−ド部を形成した後、回路配線パタ−ン２に必要な開口部を残して電着手段で回路配線パタ−ン２の表面に表面保護層８を形成する。 - 特許庁