「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

In the process of forming a printing pattern PT by a screen stencil on a printing base board BP, a separation member SE is interposed between a printing mask MA and the printing base board BP.例文帳に追加

被印刷基板ＢＰ上に印刷パターンＰＴをスクリーン印刷により形成する工程で、印刷用マスクＭＡと被印刷基板ＢＰ間に分離部材ＳＥを介挿する。 - 特許庁

Then another resist 7 is formed on the surface and only left on the internal walls of the groove 5 by exposing the resist for a period of time longer than that set in forming an ordinary mask pattern.例文帳に追加

次に、表面上に再度レジスト７を形成し、通常マスクパターンを形成するときよりも長い時間露光し、溝５の内壁のみにレジスト７を残す。 - 特許庁

To provide a data holding device and a logical operation circuit using the same, which can appropriately reduce characteristic variation of a ferroelectric element caused by a density of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの疎密に起因する強誘電体素子の特性ばらつきを適切に低減することが可能なデータ保持装置及び、これを用いた論理演算回路の提供。 - 特許庁

The width W2 of the part 22a(1) of the first mask 22a is made smaller than a minimum pattern width (about 0.3 μm) formed by photolithography.例文帳に追加

この第１のマスク２２ａのうちの部分２２ａ(1) の幅Ｗ２は、フォトリソグラフィ処理によって形成可能な最小パターン幅（約０．３μｍ程度）よりも小さくなる。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor pattern having no restriction of a resist material, and then capable of repeatedly using a photo mask once formed, and excellent in productivity.例文帳に追加

レジスト材料の制約がなく、しかも一度形成したフォトマスクを繰り返し利用することができ、生産性に優れた導体パターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, a hard mask 7, in which an insulating film 6 and a wiring groove pattern 8 are formed on a top surface of a semiconductor substrate 1, is formed.例文帳に追加

本発明における半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上面上に絶縁膜６、配線溝パターン８を形成したハードマスク７を形成する。 - 特許庁

To provide a stencil mask which can control line width with higher accuracy without influence of fine and coarse patterns and pattern size at the time of application of the near exposure method.例文帳に追加

近接露光法を適用する際に、パターンの疎密、パターンサイズに影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となるステンシルマスクを提供することである。 - 特許庁

Furthermore, the through hole plating layer 16 is etched using the second resist 32 as a mask thus obtaining a pad wiring portion 22 including the partial cover plating layer 20 and a wiring pattern 24.例文帳に追加

さらに、第２レジスト３２をマスクにしてスルーホールめっき層１６をエッチングすることにより、部分カバーめっき層２０を含むパッド配線部２２と配線パターン２４とを得る。 - 特許庁

A laminated film comprising a thermal oxide film 2, a polysilicon film 3, and a silicon nitride film 4 is formed on a silicon substrate 1, and the laminated film is patterned by using a resist pattern 5 as the mask.例文帳に追加

シリコン基板１上に熱酸化膜２、ポリシリコン膜３およびシリコン窒化膜４からなる積層膜を形成し、レジストパターン５をマスクとしてこの積層膜をパターニングする。 - 特許庁

First, the protection film and the semiconductor layer are etched using the photosensitive film pattern as an etching mask, thereby the gate insulating film located beneath the third portion and the protection film located beneath the second portion are exposed.例文帳に追加

まず、感光膜パターンをエッチングマスクとして保護膜と半導体層をエッチングして第３部分の下のゲート絶縁膜と第２部分の下の保護膜を露出する。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition by which an exact vapor deposition pattern can be formed and a structure less likely to generate bending by its own weight can be obtained.例文帳に追加

正確な蒸着パターンを形成することができ、しかも自重によって撓みが発生しづらい構造を得ることが可能な蒸着用マスクを提供すること。 - 特許庁

After the forming beams 21 reached an upper left region of the circuit pattern 16a, the substrate stage 12 and mask stage 17 are slid to a -X direction by a pitch P.例文帳に追加

次に、成形ビーム２１が回路パターン１６ａの左上の領域に達した後に、基板ステージ１２及びマスクステージ１７をピッチＰ分だけ−Ｘ方向にずらす。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium which enables formation of a mask having a high aspect ratio and formation of a fine pattern by dry etching of a magnetic recording layer.例文帳に追加

アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device with which the manufacturing conditions may be set easily and wires or the like may be formed with the ultra-fine processes without the resist mask pattern falling down during the process.例文帳に追加

製造条件の設定が容易で、工程中にレジストマスクパターンが倒れることもなく配線等を微細加工できる半導体装置の製造を提供する。 - 特許庁

Such a mask includes a phase shifting technique for forming a dark area of the image by utilizing a destructive interference, and is not restricted so as to coincide with the desired printing pattern.例文帳に追加

こうしたマスクは、破壊的干渉を利用して、イメージの暗領域を画定する位相シフト技術を含み、所望の印刷パターンに合致するように拘束されない。 - 特許庁

Due to this structure, when removing SiO_2 deposited on side faces of the mask layer 53, there will be no remaining SiO_2, causing no burrs in the edge part of the inversion pattern of the inversion gate layer 32.例文帳に追加

これにより、マスク層５３の側面に堆積したＳｉＯ_２を除去する際にＳｉＯ_２が残留せず、反転ゲート層３２の反転パターンの縁部にバリが生じない。 - 特許庁

To provide a method of, and a program product for optimizing an intensity profile of a pattern to be formed in a surface of a substrate relative to a given mask using an optical system.例文帳に追加

光学システムを使用して、任意のマスクに対して基板の表面に形成すべきパターンの強度プロフィールを最適化する方法およびプログラム製品を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that can appropriately perform light shielding of a non-exposure region by using a light-shielding member upon carrying out pattern exposure by relatively moving a substrate and a mask.例文帳に追加

基板とマスクとを相対移動させることでパターン露光を行う際に、遮光部材を用いて非露光領域を適切に遮光できる露光装置を提供する。 - 特許庁

To form a conductive film, which has a steep slope at an end, secures a desired film thickness, and suppresses a difference in shape from a mask pattern, by using etching.例文帳に追加

端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。 - 特許庁

To provide a mask for exposure which exceeds resolution limits of a conventional transfer device and is capable of faithfully carrying out pattern transfer at a specified light amount.例文帳に追加

本発明は、転写装置の解像限界を向上せしめると共に、一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできる露光マスクを提供する。 - 特許庁

A desired pattern can be formed by using such substrate 100 and adjusting the exposure device based on the deflection amount of the mask substrate 100 detected by the photosensor 103.例文帳に追加

このようなマスク基板１００を用い、光センサ１０３が検知したマスク基板１００のたわみ量に基づいて露光装置を調整し、所望のパターンが形成できる。 - 特許庁

To provide a method for designing a mask pattern by which the increased OPC (Optical Proximity Correction) processing time can be shortened, and the manufacture TAT (Turn Around Time) of a semiconductor device can be shortened to reduce the cost.例文帳に追加

増大するＯＰＣ処理時間の短縮を実現し、半導体デバイスの製造ＴＡＴを短くし、コストを削減するマスクパターン設計方法を提供する。 - 特許庁

In the opening angle calculating step, the opening angle is calculated which extends from shape estimation position on the circuit pattern to the mask material based on the taper shape.例文帳に追加

また、開口角算出ステップは、前記テーパー形状に基づいて、前記回路パターン上の形状予測位置から前記マスク材に向かっての開口角を算出する。 - 特許庁

To prevent charging and discharge breakdown of a resist accompanying irradiation of charged beam, and to improve pattern accuracy and production yield in exposure mask.例文帳に追加

荷電ビーム照射に伴うレジストの帯電及び放電破壊を防止することができ、露光用マスクにおけるパターン精度の向上及び製造歩留まりの向上をはかる。 - 特許庁

In the patterning method for plating, the surface of a substrate is etched, irradiated with plasma using a pattern mask together, and then subjected to catalyst treatment and electroless plating.例文帳に追加

基材表面をエッチングした後、パターンマスクを併用して該基材表面にプラズマ照射し、次いで、キャタリスト処理を行った後、無電解めっきを行うめっきのパターニング方法。 - 特許庁

After the insulating film 8 is etched by using the resist mask 11, a metal material is deposited in the opening on the metal film 5 by a plating method to form the metallic pattern 12.例文帳に追加

レジストマスク１１を用いて絶縁膜８をエッチングした後に、金属膜５上の開口に、金属体をめっき法により堆積して金属パターン１２を形成する。 - 特許庁

To achieve reduction in manufacturing cost and higher pattern accuracy by exposing a larger substrate with a smaller mask; and moreover to form various patterns on a substrate.例文帳に追加

より小さなマスクで大きな基板への露光を可能して低コスト化及びパターン精度の高精度化を図り、更に、基板上により多彩なパターンの作成を可能にする。 - 特許庁

A message having relatively low processing priority which is sorted by the filter pattern of a mask 1 in a filter circuit 16c is stored in an area No.'14' in a message BOX 16a.例文帳に追加

番号「１４」のメッセージＢＯＸ１６ａには、フィルタ回路１６ｃのマスク１のフィルタパターンで選別された、処理優先順位の相対的に低いメッセージが記憶される。 - 特許庁

As a mask plate, an electron self emission plate, which has a field emission element 12 made in the form of a pattern being a flat surface on one substrate 11, is utilized.例文帳に追加

マスクプレートとして、一つの基板１１上に平坦表面のパターン状に形成された電界放出素子１２を持つ電子自放出型プレートを利用している。 - 特許庁

A mask pattern 307 is formed which includes an opening 307a wherein any other region than an LSI chip area 331 subjected to provision to a specific client is open.例文帳に追加

特定の顧客への提供対象とするＬＳＩチップ領域３３１以外の領域が開放した開口部３０７ａを備えるマスクパターン３０７を形成する。 - 特許庁

Parts of surfaces of the Si(n) film 14 and Si(i) film 13 of a channel part 18 are etched using the remaining photoresist pattern 22 and the Al oxide coating 17 as a mask.例文帳に追加

残存するフォトレジストパターン２２およびＡｌ酸化皮膜１７をマスクとして、チャネル部１８のＳｉ（ｎ）膜１４およびＳｉ（ｉ）膜１３の表面の一部をエッチングする。 - 特許庁

The simulate pattern is compared with a pre-OPC design layout obtained in a process 218 (process 220) to determine whether the manufactured mask demonstrates the desired patterning performance (process 222).例文帳に追加

シミュレートパターンを工程２１８で得られたプレＯＰＣ設計レイアウトと比較し（工程２２０）、所望のパターニング性能を発揮するかどうかを判定する（工程２２２）。 - 特許庁

A first film is etched and processed in a prescribed pattern using as a mask a film obtained by irradiating a second film with an electron beam and then developing the second film.例文帳に追加

第２の膜に電子ビームを照射した後、第２の膜を現像して得られる膜をマスクとする第１の膜のエッチングにより第１の膜を所定パターンに加工する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-n junction element in nano scale or semiconductor element of nano scale such as CMOS, by utilizing nano particles with no mask or fine pattern.例文帳に追加

マスクや微細パターンなしにナノ粒子を利用し、ナノスケールのｐ−ｎ接合素子またはＣＭＯＳのようなナノスケールの半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate inspection device and a mask inspection device hardly affected by disturbances such as diffraction light and diffuse light and capable of sufficiently coping with miniaturization of a pattern.例文帳に追加

回折光や散乱光等の外乱による影響を受けにくく、パターンの微細化に十分対応できる基板検査装置及びマスク検査装置を実現する。 - 特許庁

The silicon oxide film 15 is etched using a resist pattern 16 as a mask with etching gas composed of mixed gas of Ar gas, O_2 gas, C_5F_8 gas, and CH_2F_2 gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１５に対してレジストパターン１６をマスクにして、Ａｒガスと、Ｏ_2 ガスと、Ｃ_5Ｆ_8ガスと、ＣＨ_2Ｆ_2ガスとの混合ガスよりなるエッチングガスを用いてエッチングを行なう。 - 特許庁

With the mask pattern, spacer, and between-gate oxide film as masks, the conductive layer is etched, impurity ions are implanted in a defined third opening portion, and a source region 245 is formed.例文帳に追加

マスクパターン、スペーサ及びゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし定義された第３開口部内に不純物イオンを注入してソース領域245を形成する。 - 特許庁

Formation of a mask can be facilitated by employing an identical pattern in the diffusion layer constituting the source potential connection transistor and in the diffusion layer of a memory cell transistor.例文帳に追加

また、ソース電位接続トランジスタを構成する拡散層の形状をメモリセルトランジスタの拡散層の形状と同一パターンにすることで、マスク作成の容易化を実現できる。 - 特許庁

By making a pattern design using this configuration, without using spare cells, the logic correction after making the mask can be made only by the change of the wiring layer.例文帳に追加

この構成でパターン設計を行うことにより、予備のセルを使うことなく、マスク作成後の論理修正を配線層のみの変更で行うことが可能となる。 - 特許庁

After forming an oxide film 12 on a substrate 10, dry etching is executed to the oxide film 12 with a resist pattern 13 as a mask and a contact hole 14 is formed.例文帳に追加

基板１０の上に酸化膜１２を形成した後、レジストパターン１３をマスクとして、酸化膜１２に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

Then a resist layer is formed, and a resist pattern is formed inside the outline patterned on the hard mask layer in a shape corresponding to the outline of a main magnetic pole auxiliary layer.例文帳に追加

次に、レジスト層を形成し、ハードマスク層にパターンニングした主磁極の外郭よりも内側に主磁極補助層の外郭に対応した形状にレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To realize correction with high accuracy in a shirt correction time in a mask pattern correction method used for forming desired patterns on a wafer by a projection optical system.例文帳に追加

投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、短い補正時間で高精度な補正を実現する。 - 特許庁

A mask pattern 11 is formed on a substrate 10 and an isotropic wet etching which does not have dependency is performed on the face orientation of crystal including at least a {111} B face.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン１１を形成し、まず、少なくとも ｛１１１｝Ｂ面を含む結晶の面方位に対して依存性を持たない等方性ウエットエッチングを行う。 - 特許庁

GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびＡｌＮバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method which can form desirted resist patterns accurately and stably on a substrate material like SiC having optical transparency.例文帳に追加

ＳｉＣの如き光透過性を有する基板材料上に所望のレジストパターンを精度よく且つ安定に形成することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁