「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

To supply a solvent vapor to a substrate with maintaining high in-plane uniformity when improving roughness of a pattern mask by supplying a solvent to a substrate.例文帳に追加

基板に溶剤を供給して、パターンマスクの荒れを改善するにあたり、高い面内均一性を確保した状態で、基板に対して溶剤蒸気を供給すること。 - 特許庁

Subsequently, after a plated mask resist is formed, a wiring pattern is formed by a plating current from a surface of a semiconductor substrate without need for a wet etching method.例文帳に追加

次いで、メッキマスクレジストの形成を行なったのち、半導体基板の表面からのメッキ電流により、ウエットエッチング工法を行うこと無く、配線パターンの形成を行う。 - 特許庁

The resist pattern for machining a conductive plug is formed in the lower layer wiring 4, and is used as a mask for etching the lower layer wiring 4 to form a conductive plug 6.例文帳に追加

下層配線４に導電プラグを加工するためのレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして下層配線４をエッチングして導電プラグ６を形成する。 - 特許庁

By using as a mask a photoresist pattern 8, the metallic film, the low-resistance semiconductor layer, and the intrinsic semiconductor layer are dry-etched to form source and drain electrodes 9, 10 in the metallic film.例文帳に追加

フォトレジストパターン８をマスクとして金属膜、低抵抗半導体層および真性半導体層をドライエッチングし、ソース、ドレイン電極９、１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing mask blanks having a thinner pattern formation area than the other area in a method different from etching.例文帳に追加

エッチングとは異なる方法により、他の領域に比して薄膜のパターン形成領域を有するマスクブランクスを作製することができるマスクブランクスの作製方法を提供する。 - 特許庁

The mask pattern is set such that nozzles at the closest positions among a plurality of nozzles belonging to the same nozzle group do not perform ink ejecting operation simultaneously.例文帳に追加

このマスクパターンとしては、同一のノズル群に属する複数のノズルのうち、最も近い位置にあるノズル同士が同時にインク吐出動作を行うことがないように設定される。 - 特許庁

By using the patterned primer resin layer 21 as a mask, the metal layer 12 of the double-face CCL 10 and the metal-plated layer 30 are patterned, and a wiring pattern is formed.例文帳に追加

そして、そのパターニングされたプライマー樹脂層２１をマスクとして、両面ＣＣＬ１０の金属層１２及び金属めっき層３０をパターニングして配線パターンを形成する。 - 特許庁

To remove a resist mask together with its hardened superficial film, without damaging the organic base film after the organic film patterning, in the formation of an organic film pattern.例文帳に追加

有機膜パターンの形成において、有機膜のパターニング後に、下地の有機膜を損なうことなく、レジスト表面硬化膜を含むレジストマスクの除去を可能にする。 - 特許庁

A conversion difference D1 is calculated which indicates a difference between a measured value of a width W3 of a pattern 45a of a mask layer 45 formed on a diffraction grating layer 41 and a design value of the width.例文帳に追加

回折格子層４１の上に形成されたマスク層４５のパターン４５ａの幅Ｗ３の測定値とその設計値との差を示す変換差Ｄ１を算出する。 - 特許庁

To form a narrower slit than a conventional one by a focused ion beam process (FIB) and to suppress change of quality at a beam irradiation part, without using a mask pattern or the like.例文帳に追加

マスクパターン等を用いることなく、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で従来よりも幅が狭い間隙を形成するとともに、ビーム照射部位の改質を抑制する。 - 特許庁

A substrate specified to have the birefringence within a pattern region to no more than 1.2 nm/cm, 2 nm/cm or 4 nm/cm is used for the substrate of the mask M.例文帳に追加

マスクＭ用の基板として、パターン領域内における複屈折量が１．２ｎｍ／ｃｍ、２ｎｍ／ｃｍ、又は４ｎｍ／ｃｍ以下に規定された基板を使用する。 - 特許庁

To provide an electronic component wherein a conductor pattern having no displacement on both surfaces of a substrate is formed without alignment of mask on front and rear surfaces.例文帳に追加

表面と裏面のマスク位置合わせをすることなく、基材の両面にずれのない導体パターンが形成された電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A resist pattern, having a thick film region and a region with film thickness smaller than that of the thick film region is formed on the metal film, by using an exposure mask having a semitransparent section.例文帳に追加

金属膜上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a reflective exposure mask or reticle capable of performing exposure and transfer accurately without causing light to be reflected from an area other than a circuit pattern area being an exposure target.例文帳に追加

露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクもしくはレチクルを提供する。 - 特許庁

To prevent damage to an oxide film for an storage electrode and a bridge phenomenon between contacts by using a hard mask layer pattern and increasing the surface area of a storage electrode region.例文帳に追加

ハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用の酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止する。 - 特許庁

By repeating a process for moving the movable member and a process for projecting an energy ray to the resist film, a drawing process (S2) for drawing a pattern on the resist mask is performed.例文帳に追加

可動部材を移動させる工程とレジスト膜にエネルギー線を照射する工程とを繰返すことにより、レジスト膜にパターンを描画する描画工程（Ｓ２）を実施する。 - 特許庁

In a step of setting specifications for inspection of a photomask, a dimensional variance specification of a line end is provided as one of dimensional variance specifications of a mask pattern to be inspected.例文帳に追加

フォトマスクの検査のための仕様を設定するステップにおいて、検査すべきマスクパターンの寸法ばらつき仕様の一つとしてラインエンドの寸法ばらつき仕様を設ける。 - 特許庁

Because the mask part 13 is formed of a photosensitive emulsion, the formation of micropattern is facilitated and the cathode vapor deposition pattern A can be vapor deposited into micropattern.例文帳に追加

マスク部１３は、感光性をもつ乳剤から形成されているので、微細パターンの形成が容易であり、カソード蒸着パターンＡを微細パターンに蒸着することができる。 - 特許庁

A joint histogram of a neighboring luminance value to be referenced by the higher-order local autocorrelation (HLAC) of each of 0 to N-th order is produced relating to the mask pattern of each order among 0 to N-th order.例文帳に追加

0〜Ｎ次の各次マスクパターンに対して、それぞれ0〜Ｎ次の高次局所自己相関(HLAC)で参照される近傍の輝度値の結合ヒストグラムを生成する。 - 特許庁

In a second process, sand blast etching is performed from the nozzle surface side in a mask pattern formed of a dry film and then through holes communicating with the pressurized liquid chambers are made thus completing the ink jet head.例文帳に追加

第２の工程は、ノズル面側からドライフィルムで形成されたマスクパターンでサンドブラストエッチングを行い、加圧液室と連通する貫通孔を完成させる。 - 特許庁

To suppress generation of a luminescent spot and/or a dark spot in a display device in which a thin film pattern is formed on an array substrate by a vacuum deposition method using a mask.例文帳に追加

マスクを用いた真空蒸着法によりアレイ基板上に薄膜パターンを形成した表示装置で輝点及び／又は滅点が発生するのを抑制する。 - 特許庁

To provide an exposure device or the like which enables an object of exposure to be exposed to light in a short time at a low cost when the exposure object is exposed to light through a mask with a variable exposure pattern.例文帳に追加

露光パターンを可変可能なマスクにより被露光対象物を露光する場合において、短時間化と低コスト化を図る露光装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for exposure by which a fine pattern can be transferred without lowering a beam current, and to provide a stencil mask and a method of manufacturing semiconductor device.例文帳に追加

ビーム電流を下げることなく、微細なパターンを転写することができる露光装置、露光方法、ステンシルマスク、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the mask pattern is removed, the first insulating film on the first region is annealed in an atmosphere containing oxygen at a temperature of, for example, ≤600°C.例文帳に追加

前記マスクパターンの除去後、前記第１の領域上を前記第１の絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中において、例えば温度６００℃以下の温度でアニールする。 - 特許庁

Further, by occupying a relatively large region out of the dummy region FA with the first dummy pattern DP_1, an increase in the amount of data of a mask is suppressed.例文帳に追加

さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 - 特許庁

In the method, a mask 1 which is divided into a plurality of sections having dimensions smaller than the spread dimension of back-scattered electrons at the making of an exposure pattern forming exposure and different reflectivity is prepared.例文帳に追加

露光パターン形成露光の際の後方散乱電子の拡がり寸法より小さい寸法の反射率の異なる複数の区域に分割したマスク１を準備する。 - 特許庁

A message to urge to exchange the light source and an address or the like to contact with the installation trader of the projection device can be set as a pattern set on the mask 135.例文帳に追加

情報マスク１３５に設定されるパターンとしては、光源の交換を促すメッセージや、プロジェクション装置の設置業者の連絡先等などが可能である。 - 特許庁

To provide a projection exposure method of exposing a radiation-sensitive substrate by at least one image of a mask pattern, to provide a projection exposure system, and to provide a projection objective.例文帳に追加

放射線感応基板をマスクパターンの少なくとも１つの像によって露光する投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系を提供する。 - 特許庁

When the edge placement error is still out of the given range, a mask pattern obtained by subjecting the negative correction fragment to new OPC is regarded as the correction result.例文帳に追加

さらに乖離量が一定範囲内に収まっていない場合には、消極的補正フラグメントについて新たにＯＰＣを施したマスクパターンを補正結果とする（Ｓ２１０）。 - 特許庁

To provide a mask and an exposure method contributing to the decrease of defective transfers and to the increase of positional precision of a pattern after transfer, and to provide a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

欠陥転写性の緩和、転写後のパターンの位置精度の向上に寄与することができるマスク、露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide, for example, an exposure apparatus in which the image height dependence of variations in imaging characteristics attributed to the positional dependence of the transmittance of a pattern formed on a mask is reduced.例文帳に追加

例えば、マスクに形成されたパターンの透過率の位置依存性に起因する結像特性の変動の像高依存性を低減した露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a proximity effect which can improve the accuracy of a proximity effect correction by taking differences in the quantity of out-of-focused light between meshes corresponding to divisions of a mask pattern into consideration.例文帳に追加

マスクパターンを分割したメッシュ毎のビームぼけ量の違いを考慮することで近接効果補正の精度う改善した近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

The X-ray sensitive film 11 is irradiated with X-ray from above a mask layer 15, and then developed, thereby the X-ray sensitive film 11 is patterned into a prescribed pattern.例文帳に追加

マスク層１５の上からＸ線感光膜１１にＸ線を照射した後に現像することによりＸ線感光膜１１を所定パターンにパターニングする。 - 特許庁

The extracted region and the memorized correction values of the mask pattern for each material are referred and selected in a correction table referring unit 23a.例文帳に追加

そして、補正テーブル参照部２３ａ、…にて、上記抽出された領域と、上記記憶された材料別のマスクパターンの補正値がそれぞれ参照して選択される。 - 特許庁

To provide a structure of a screen mask for allowing a thick printing film thickness and smoothness compatible in a thick coating screen printing of a solid pattern, and to provide a method for printing.例文帳に追加

この発明は、べたパターンの厚塗りスクリーン印刷において、厚い印刷膜厚と平滑性を両立させるためのスクリーンマスクの構造と印刷方法を提供する。 - 特許庁

To decrease the number of masks of a 3D laminate memory device, in which the required number of masks increases because a separate mask is used for each connection level, by devising the pattern.例文帳に追加

３Ｄ積層メモリ装置は、各接続レベル毎に別個のマスクが使用されるので必要なマスク数は多くなるが、パターンを工夫して必要マスク数を減らす。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The system is provided with a reference heat source 100 and with a measurement device main body 300 that automatically measures the NETD from a video signal of an infrared ray camera 800 that picks up an aperture mask 200 for one image pattern.例文帳に追加

基準熱源100 及び開口マスク200 を１画面中に撮像した赤外線カメラ800 の映像信号から自動的にNETDを測定する測定装置本体300 を備える。 - 特許庁

A mounting stage 30 controls the position and posture, with respect to a reference plane, of a target work 22 on which exposure light is formed into an image and to be exposed with a predetermined mask pattern.例文帳に追加

露光光が結像されて所定のマスクパターンが露光される対象ワーク２２の基準平面に対する位置および姿勢を制御する載置ステージ３０である。 - 特許庁

To provide an exposure method and an exposure system capable of precisely transferring a mask pattern on a substrate even if a stage is deformed due to thermal expansion and contraction or the like.例文帳に追加

熱伸縮等でステージが形状変化した場合にも、マスクのパターンを精度よく基板上に転写することが可能な露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide the structure of an X-ray mask, together with its manufacturing method where no positional distortions of a pattern occur, even if a region with dense micro X-ray absorber patterns is formed.例文帳に追加

微細なＸ線吸収体パタンが密集する領域を形成してもパタンの位置歪を生じないＸ線マスクの構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently and precisely form a magnetization pattern less in defect in a short time on a magnetic recording medium without damaging the medium and a mask and to provide a magnetic recording medium and a magnetic recording device which are capable of high density recording in a short time and at low costs.例文帳に追加

効率よく精度よく、しかも媒体やマスクを傷つけることなく欠陥発生の少ない磁化パターンを、短時間で磁気記録媒体に形成する。 - 特許庁

The growth of the imbedding layer is stopped at the point of time when no tip end of the growth of the imbedding layer reaches as far as the tip end of the edge of the mask pattern for selective growth along the boundary line.例文帳に追加

埋込層の成長の先端が、境界線に沿う選択成長用マスクパターンの縁の先端まで達しない時点で埋込層の成長を停止させる。 - 特許庁

The above process forms a desired laminate structure on a principal plane of the substrate 1 although photolithography is limited to a single step of forming the first mask pattern 4.例文帳に追加

以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 - 特許庁

To provide a film-forming method capable of obtaining a film having a desired pattern at a low cost without using a mask or a resist film when forming the film on a substrate.例文帳に追加

基板上に膜を成膜する際に、マスクやレジスト膜を用いることなく、所望のパターンを有する膜を安価に得ることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁