「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an exposure mask, a designing method and a manufacturing method of the exposure mask, an exposure method and equipment, a pattern lithography method, a fabrication method of devices or the like by which mask constitution with electric field distribution peculiar to a near field considered is easily prepared without conducting complicated and a longer time simulation.例文帳に追加

複雑で、長時間を要するシミュレーションを行うことなく、近接場特有の電場分布が考慮されたマスク構成が容易に作製可能となる露光用マスク、露光用マスクの設計方法及び製造方法、露光方法及び装置、パターン形成方法、デバイスの作製方法等を提供する。 - 特許庁

The mask layer 45 has a light-transmissive surface which has a round surface shape and which is located adjacently to an edge of the circuit pattern so that an apparent mask boundary 50 different from an actual mask boundary 51 is generated on the semiconductor substrate, and exposure light 49 radiated through the light-transmissive surface is diffracted.例文帳に追加

上記マスク層４５は、半導体基体上に実際のマスク境界５１とは異なる見かけのマスク境界５０を生成するように、回路パターンのエッジに隣接して丸みのある表面形状を有する光透過面を有し、この光透過面を介して照射された露光光４９を回折させることを特徴とする。 - 特許庁

Since a method for forming a pattern is not accompanied by the volume contraction of the resist mask, heating is hardly required and the method is accompanied by large viscosity lowering, and moreover since the plane size of the resist mask is enlarged by a simple method before the second etching, and the resist mask can be formed with proper adhesion, thus easily forming a wiring 11 having a forward-tapered structure.例文帳に追加

レジストマスクの体積収縮を伴わず、加熱をほとんど必要とせず、しかも大きな粘度低下を伴うので、２回目のエッチングの前にレジストマスクの平面寸法を簡便な方法でもって大きく、しかも密着性良く形成出来るので順テーパー構造の配線１１が容易に形成できるようになる。 - 特許庁

The vapor deposition mask 1 having a pattern forming area 4 where through holes 5 for vapor deposition are formed is mounted on one side of the substrate 30, at least the end part of the vapor deposition mask 1 is held, and a weight 20 is provided on the side opposite to the side where the vapor deposition mask 1 is mounted of the substrate 30 via pressing tool 50.例文帳に追加

蒸着通孔５が形成されたパターン形成領域４を備える蒸着マスク１を前記基板３０の片側に搭載し、少なくとも前記蒸着マスク１の端部が支持してあって、前記基板３０の蒸着マスク１が搭載される側とは反対側に押さえ治具５０を介しておもり２０を置く。 - 特許庁

When the display region 12a is exposed via a mask 53 with an opening section formed thereon, while transferring the substrate along a surface direction, a position and an angle of the mask 53 relative to the substrate 1a are corrected by using the dummy pattern 11a before the display region 12a reaches the position where it is to be exposed via the mask 53.例文帳に追加

この基板をその面方向に沿って移動させつつ開口部が形成されるマスク５３を介して表示領域１２ａに露光を施すに際し、表示領域１２ａがマスク５３を介して露光される位置に達する前に、ダミーパターン１１ａによってマスク５３の基板１ａに対する位置や角度を補正する。 - 特許庁

A mask generating part 13 of a device for image recording generates a plurality of mask patters according to a printing mode out of a pseudo-periodical mask arrangement with a high scattering property of dot visually as desirable so to arrange a recording element and a non-recording element when binarized at an optional level as a thinning out pattern in a method for a multi-pass recording.例文帳に追加

画像記録装置のマスク生成部１３は、マルチパス記録法における間引きパターンとして、任意のレベルで二値化された際に記録画素と非記録画素の配置が視覚的に好ましくなるようなドットの分散性の高い疑似周期的マスク配列から、印字モードに応じて複数のマスクパターンを生成する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask blank and a halftone phase shift mask using ZrSi having superior resistance against chemicals such as alkali, suppressing increase in transmittance in the inspection wavelength region and having sufficient contrast with respect to glass substrate at inspection, and to provide a method of manufacturing the mask and a method of transferring a pattern.例文帳に追加

アルカリなどの薬品耐性に優れたＺｒＳｉを用いたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクであって、検査波長域の透過性が高くならず、検査時にガラス基板とのコントラストが不足することのないハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク、製造方法、パターン転写方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, a wiring groove is formed in the second organic film 605A by etching the film 605A by using the mask pattern 608 as a mask and the first organic film 603 by using the silicon oxide film 604 as a mask and, at the same time, a contact hole is formed in the first organic film 603.例文帳に追加

第２の有機膜６０５Ａに対してマスクパターン６０８をマスクとしてエッチングを行なうと共に、第１の有機膜６０３に対してシリコン酸化膜をマスクとしてエッチングを行なって、第２の有機膜６０５Ａに配線溝を形成すると共に、第１の有機膜６０３にコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Meanwhile, as the periphery of the pattern projecting apparatus 3 is about 45 mm, two adjacent exposure regions 4 from two adjacent pattern projecting apparatuses 3 can be joined by scanning the mask substrate 1 with a plurality of pattern projecting apparatuses 3 overlapping with each other.例文帳に追加

一方、パターン投影装置３の外周は約４５ｍｍになっているため、マスク基板１を、パターン投影装置３が複数台程度重なるようにスキャンさせることによって、隣接した２台のパターン投影装置３からの隣接した２本の露光領域４をつなげることが可能になる。 - 特許庁

In one embodiment, a device for custom-polarized photolithography illumination includes an illuminator 20 operable to generate an illumination pattern of light, a polarizer unit 27 operable to variably polarize said light, and a mask pattern 32 defining a two-dimensional photolithographic pattern.例文帳に追加

１つの実施例においては、注文偏光フォトリソグラフィ照明装置は、光の照明パターンを発生する動作が可能な照明器２０と、前記光を可変的に偏光させる動作が可能な偏光子ユニット２７と、２次元のフォトリソグラフ・パターンを定めるマスク・パターン３２とを含む。 - 特許庁

A photoresist layer 48 is formed on the support board 46, and a photomask 49 is formed (mask pattern) thereon and then subjected to an exposure process, whereby a non-fixed part 51 having the same pattern with the pattern wiring 32 and a fixed part 52 other than the non-fixed part 51 are formed.例文帳に追加

支持基板４６上にフォトレジスト層４８を形成し、その上にフォトマスク４９（マスクパターン）を施して露光して、フォトレジスト層４８に前記パターン配線３２と同じパターンをなす非定着部５１と、非定着部５１以外の領域からなる定着部５２とを形成する。 - 特許庁

In a phase shift mask having the translucent film 12 formed on a transparent glass substrate 10, when the thickness of the translucent film 12 is optimized to the pattern pitch in a fine pattern region 14, subpeaks generated by adjoining aperture may overlap in an isolated pattern region 16.例文帳に追加

透明なガラス基板１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで、微細パターン領域１４におけるパターンのピッチに対して最適となるように半透過膜１２の厚さを調整すると、孤立パターン領域１６において、隣接する開口部によるサブピークが重なり合うことがある。 - 特許庁

The second transmitting pattern includes a phase shifter portion as recesses formed in the mask substrate, the recesses alternately laid as periodically repeated with the first transmitting pattern, and transmits the exposure light while imparting a phase difference to the exposure light transmitting the first transmitting pattern.例文帳に追加

また、第２の透過パターンは、第１の透過パターンと交互に、周期的に繰り返して配置され、マスク基板に形成された凹部である位相シフタ部を含み、かつ、位相シフタ部により、第１の透過パターンを透過する露光光に対して位相差を導入して露光光を透過する。 - 特許庁

A oxidized silicone film 5 is deposited on a monocrystal silicone layer 4 of an SOI substrate 1, a resist pattern 6a is formed on the film, and an oxide silicone film pattern 5a is formed by removing the oxidized silicone film 5 by etching until the monocrystal silicone layer 4 is disclosed by making use of the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の単結晶シリコン層４上にシリコン酸化膜５を堆積させ、この上にレジストパターン６ａを形成し、これをマスクとしてシリコン酸化膜５を単結晶シリコン層４が現われるまでエッチング除去してシリコン酸化膜パターン５ａを形成する。 - 特許庁

By forming the dummy patterns 2 with the above spacing in the dummy scattered region 22, at least one dummy pattern 2 is included in the objective range for scanning in the pattern scattered region 22 when one objective range for scanning is scanned by the mask pattern defect detecting device.例文帳に追加

上述のような間隔で、パターン点在領域２２にダミーパターン２が形成されていると、マスクパターン欠陥検査装置によって１走査対象範囲の走査が行われれば、パターン点在領域２２内では、その走査対象範囲内には、少なくとも１個のダミーパターン２が含まれている。 - 特許庁

A mask pattern is divided into a region 102 near a region 101 of a flare distribution calculation object and a region 103 far there from; a pattern density distribution is calculated for the region 102 by mesh division; and pattern coverage in the whole region 103 is calculated for the region 103.例文帳に追加

マスクパターンをフレア分布計算対象の領域１０１から近い領域１０２と遠い領域１０３とに分割し、領域１０２についてメッシュ分割によりパターン密度分布を算出し、領域１０３については領域１０３全体におけるパターン被覆率を算出する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps in which: (a) a film to be processed is formed on a substrate; (b) a resist film is formed on the film to be processed; (c) a mask pattern 200b of a photomask is transferred as a transfer pattern 200c to the resist film; and (d) the transfer pattern 200c is processed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程（ａ）、被加工膜上にレジスト膜を形成する工程（ｂ）、フォトマスクのマスクパターン２００ｂをレジスト膜に転写パターン２００ｃとして転写する工程（ｃ）、転写パターン２００ｃを加工する工程（ｄ）を含む。 - 特許庁

The step of correcting the defect portion includes forming a resist film on the photomask again, performing prescribed pattern drawing on a prescribed region including the defect portion, developing it to form a correction resist pattern, and removing the residual substance at the defect portion by performing etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

欠陥部分を修正する工程は、フォトマスク上に再度レジスト膜を形成し、欠陥部分を含む所定領域に所定のパターン描画を行い、現像して修正用レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して欠陥部分の余剰物を除去する。 - 特許庁

A reticle 11 as a photomask is provided with a mask pattern 12 relating to fabrication of elements on a semiconductor wafer as well as with an auxiliary pattern 13 to correct the line degeneration due to at least the influences of exposure, which effectively functions for the pattern resolution for microfabrication of elements.例文帳に追加

フォトマスクとしてのレチクル１１において、半導体ウェハ上への素子形成に関するマスクパターン１２と共に、少なくとも露光時の影響によるライン縮退を補正する補助パターン１３が付加されており、微細な素子形成のためのパターン解像に有効に働く。 - 特許庁

To provide a forming method of a fine pattern with improved size precision which does not gives rise to a failure in a pattern shape etc. due to the uneven adhesion of reaction products etc., manufactured when a mask pattern such as a resist is used, to the resist.例文帳に追加

本発明は半導体装置の製造工程において、レジストなどのマスクパターンを用いる際に発生する反応生成物等のレジスト等への不均一な付着によるパターン形状等の不良を生じさせず、また、寸法精度が良好な微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a metal mask, which is made of a metal layer and is employed for a fabric-free printing and which develops no tendency for becoming thickening from the end part of a line pattern to its central part in the line pattern made of printing material obtained by printing and consequently the line pattern with a desired line width can be formed.例文帳に追加

金属層からなる、紗を用いない印刷用のメタルマスクで、印刷して得られる印刷材料からなるラインパターンにおいて、ラインパターンの端部から中央部にかけて線太になる傾向が見られず、所望のライン幅のラインパターンを形成できるメタルマスクを提供する。 - 特許庁

Then, in an exposure device B, the same L/S pattern is formed using the same mask, and the coherence factor of the exposure device B is adjusted to achieve the condition that the dimensional difference becomes minimum between the line width PB in that L/S pattern and the line width PA in the L/S pattern formed in the exposure device A.例文帳に追加

次に、露光装置Ｂにおいて、同一のマスクを用いて同一のＬ／Ｓパターンを形成するとともに、当該Ｌ／Ｓパターンのライン幅ＰＢと、露光装置Ａで形成したＬ／Ｓパターンライン幅ＰＡとの間の寸法差が最小になる条件に、露光装置Ｂのコヒーレンスファクタを調整する。 - 特許庁

When pattern areas having different suitable transfer conditions, e.g. a critical layer area and a noncritical layer area, are formed on the mask along the synchronous moving direction (scanning direction), transfer conditions of a pattern are altered depending on the suitable transfer conditions of each pattern area.例文帳に追加

このため、例えばマスク上に同期移動方向（走査方向）に沿ってクリティカルレイヤ領域、ノンクリティカルレイヤ領域などのように、好適転写条件が異なるパターン領域が形成されている場合に、パターン領域毎の好適転写条件に応じて、パターンの転写条件が変更される。 - 特許庁

For etching a silicon nitride film 37/underlay silicon oxide film 36 to form a pattern of a trench mask, rf power is set to a level higher than that for the normal anisotropic etching or the flow rate ratio (CF4/CHF3) of the etching gas is set to a lower value so as to form a tapered pattern, thereby narrowing the trimmed pattern.例文帳に追加

トレンチマスクとなるシリコン窒化膜３７／下敷きシリコン酸化膜３６のパターニング時のエッチングの際、通常の異方性エッチング時よりもＲＦパワーを高くする、あるいはエッチングガスの流量比（ＣＦ_4／ＣＨＦ_3）を低くすることで、パターンをテーパ形状に形成して抜きパターンを狭くする。 - 特許庁

After exposure treatment for a resist film via a mask on which a pattern is formed, a form in the vertical direction of a photoresist pattern formed by developing treatment is detected as a signal waveform and quality judgement of the photoresist pattern is made by a correlation ratio between the signal waveform and a quadratic function.例文帳に追加

パターンの形成されたマスクを通してレジスト膜を露光処理した後、現像処理を行うことにより形成されたフォトレジストパターンの垂直方向の形状を信号波形として検出し、この信号波形と２次関数との相関率からフォトレジストパターンの良否の判定を行う。 - 特許庁

After etching the dielectric film pattern 110a exposed by the polysilicon film pattern 120b, a source region 134a/a drain region 134b having a vertical profile are formed by means of the ion implantation of impurities into the substrate by using the polysilicon film pattern as a mask.例文帳に追加

ポリシリコン膜パターン１２０ｂにより露出される誘電膜パターン１１０ａをエッチングした後、ポリシリコン膜パターンをマスクとして用いて、基板に不純物をイオン注入することにより、垂直プロファイルを有するソース領域１３４ａ／ドレーン領域１３４ｂを形成する。 - 特許庁

Thereafter, a stencil mask 8 provided with an pattern opening 10 where a silylation reagent passes through is arranged apart from the surface of the resist film 6 by a prescribed gap t4, and the silylation reagent is supplied onto the surface of the resist film 6 through the pattern opening 10 to turn a prescribed pattern 6a of the resist film 6 to silyl.例文帳に追加

その後、シリル化剤を通過させるパターン開口部１０が形成されたステンシルマスク８を、レジスト膜６の表面に対して所定隙間ｔ４で配置し、パターン開口部１０を通してシリル化剤をレジスト膜６の表面に供給し、所定パターン６ａのレジスト膜６をシリル化する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photomask, which can prevent the occurrence of positional deviation error of a drawing pattern due to electron beam in a mask manufacturing step and the deterioration in yield due to the occurrence of the positional deviation of the pattern when a circuit pattern is transferred to a semiconductor wafer by using a photomask deflected by distortion of a glass substrate of the photomask.例文帳に追加

フォトマスクのガラス基板の歪みなどにより撓んだフォトマスクを使用することにより、マスク製造工程での電子ビームによる描画パターンの位置ズレ誤差の発生や、回路パターンが半導体ウエハに転写される際のパターンの位置ズレ発生による歩留まりが低下するのを防ぐ。 - 特許庁

In the overlap pattern collection processing, a CPU 2 uses a hierarchical structure to handle an overlapping pattern in mask pattern data as one cluster and discriminates whether clusters of patterns are in the same type or not and collects plural clusters of patterns into a structure on the basis of the discrimination result.例文帳に追加

オーバーラップパターンまとめ処理において、ＣＰＵ２は、マスクパターンデータの内、階層構造を利用してオーバーラップのあるパターンを一つのかたまりとして扱い、各パターンのかたまりが同型か否かを判定し、該判定結果に基づいて複数のパターンのかたまりをストラクチャにまとめる。 - 特許庁

The mask M is used to form a thin film having a first pattern on a substrate and comprises: a substrate S made from a nonmagnetic material having an opening 22 corresponding to the first pattern; and a film 28 made from a magnetic material, which has a second pattern and is arranged on the substrate S.例文帳に追加

被成膜基板に対して第一パターンを有する薄膜を形成するためのマスクＭであって、第一パターンに対応する開口部２２を有する非磁性体基板Ｓと、非磁性体基板Ｓ上に第二パターンを有して配置された磁性体膜２８と、を備える。 - 特許庁

To prevent a position of a pattern formed on a work by projection exposure from being deviated from a position of a pattern formed by previous exposure processing and a position of a mask pattern for screen printing or the like to be executed in the next step, even in the case of the occurrence of telescopic deformation on the work.例文帳に追加

ワークに伸縮変形が生じても、投影露光によりワークに形成するパターンの位置を、それ以前の露光処理により形成されているパターンの位置と、次の工程で行うスクリーン印刷等のマスクパターンの位置との間に大きなずれを生じさせないようにすること。 - 特許庁

The collective transfer areas 13 and 14 of an electron beam transfer mask are arranged in such a way that the areas 14 (hatched areas) having higher pattern densities and the areas 13 (white areas) having lower pattern densities are arranged in a state of a checker flag, so that the pattern densities may be averaged on the whole surface of the wafer.例文帳に追加

電子ビーム転写用マスクの一括転写領域１３，１４を、パターン密度の高い領域１４（斜線領域）と、パターン密度の低い領域１３（白色領域）とをチェッカーフラッグのように配列するようにして、ウエハ全面上でパターン密度が平均化されるように配列する。 - 特許庁

A prescribed pattern is transferred onto a semiconductor wafer by performing exposure by using a photomask 2 on which the most proximate light transmitting areas PA1 and PA2 in a pattern for forming a mask pattern are laid out in a direction in which the areas PA1 and PA2 are hardly affected by the aberration of the optical system of an aligner.例文帳に追加

マスクパターンを形成するパターンであって最近接する光透過領域ＰＡ１，ＰＡ２を、露光装置の光学系の収差の影響を受け難い方向にレイアウトしたフォトマスク２を用いて露光処理を行い、半導体ウエハ上に所定のパターンを転写した。 - 特許庁

The halftone mask 30 includes a first pattern 31 that is extended in the first direction and disposed at predetermined pitches in the second direction; and a second pattern 32 that is extended in the second direction and disposed at predetermined pitches in the first direction such that an intersection portion 33 intersecting the first pattern 31 is formed.例文帳に追加

ハーフトーンマスク３０は、第１方向に延び且つ第２方向に所定ピッチで配置された第１パターン３１と、第２方向に延び且つ第１方向に所定ピッチで配置され、第１パターン３１に交差する交差部３３をもつように形成された第２パターン３２とを備える。 - 特許庁

After a resist pattern having a plurality of figures and thickness is formed through a developing process in a resist layer formed on a silicon substrate by using a photomask, the resist pattern on the silicon substrate is used as a mask to etch the surface of the silicon substrate at one time into the same figure as the resist pattern.例文帳に追加

フォトマスクを用いて、シリコン基板上に形成したレジスト層に、複数の形状及び厚みを有するレジストパターンを現像工程により形成した後に、シリコン基板上のレジストパターンをマスクに、レジストパターンと同様の形状で一括に、シリコン基板の表面をエッチング加工する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a gap between the lead and the semiconductor chip is filled up with an insulator, and a pattern mask as a negative pattern is formed for a connecting pattern covering the connected portion of the lead and the connected portion of the semiconductor chip, being continuous between both connected portions.例文帳に追加

外部端子となるリードと半導体チップとを電気的に接続し封止体によって封止する半導体装置において、前記リードの接続部分と半導体チップの接続部分とを覆い両接続部分間で連続する導電性ペーストによってリードと半導体チップとを接続する。 - 特許庁

To provide a mask pattern correction method in which a difference between patterns is reduced in the amount of dimensional change due to light exposure differing depending on each pattern shape, dimensional change depending on the pattern shape is suppressed even with varied light exposure, and transfer accuracy is improved, and to provide a photomask.例文帳に追加

パターンの形状ごとに異なっていた露光量に対する寸法変化量のパターン間差を小さくし、露光量を変動させても、パターン形状に依存した寸法変化が抑制され、転写精度を向上させるマスクパターンの補正方法およびフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The disciplined recessed pattern 1c is provided on the outer surface of a sleeve 1 by treating the whole of the cylindrical sleeve at a high temperature, depositing ink into the prescribed pattern on the outer surface of the sleeve 1 to form a mask pattern 2 and etching.例文帳に追加

そこで、この目的を達成するために本発明は、円筒状のスリーブ全体を高温処理し、次にこのスリーブ１外表面に、インクを所定パターンで付着させてマスクパターン２を形成し、その後エッチングによって前記スリーブ１の外表面に規則性のある凹状パターン１ｃを設けるものである。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process in which the metal film is etched by a first reactive etching with the resist pattern as a mask to form a metal film pattern, a process where a transparent substrate is etched by a second reactive etching with the resist pattern and the metal film pattern as masks to form a pattern on the transparent substrate, and a process for removing the metal film pattern.例文帳に追加

第１の反応性エッチングにより前記金属膜を前記レジストパターンをマスクとしてエッチングし金属膜パターンを形成する工程と、第２の反応性エッチングにより前記透過性基板を前記レジストパターンと前記金属膜パターンとをマスクとしてエッチングし前記透過性基板上にパターンを形成する工程と、前記金属膜パターンを除去する工程と、を具備することを特徴とする位相変調素子の製造方法である。 - 特許庁

The method of forming the fine flow channel 40 includes the processes of: forming a mask pattern 20 on a substrate 10; coating an exposed part 10a of the substrate 10 with noble metal particles 30; and forming the fine flow channel 40 on the surface of the substrate 10 by dipping the substrate 10 in an etching solution to etch the substrate 10 under the exposed part 10a of the substrate using the mask pattern 20 as a mask.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 - 特許庁

A dispersion of line widths of a first pattern and a second pattern occurring due to dispersion occurring in resist patterns (an opening 111, an opening 211) due to dispersion of lithography when forming a first pattern and a second pattern in the first region 110 and the second region 210 of an etching object material 105, respectively, is suppressed by adjusting the thickness of a mask material 106.例文帳に追加

被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 - 特許庁

The fine pattern 27 is suitably formed on a base 21 by forming a pattern transferred body 20 having a wall-shaped projection 26 (fine projection) using the mold 16 for imprint having a microtrench 18 at a corner part of a pattern 17, and etching the base 21 using the pattern transferred body 20 having the wall-shaped projection 26 as an etching mask.例文帳に追加

パターン１７の角隅部にマイクロトレンチ１８を有するインプリントモールド１６を用いて、壁状の突起２６（微小突起）を有するパターン転写体２０を形成し、該壁状の突起２６を有するパターン転写体２０をエッチングマスクとして基材２１をエッチングすることによって、基材２１に微細なパターン２７を好適に形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask by which a residual light shielding layer film on a translucent phase shift pattern in an effective region can be detected in an inspection process by decreasing the reflectance of the surface of the light shielding pattern on the translucent phase shift pattern in the effective region than the reflectance of the surface of the light shielding pattern in the peripheral part.例文帳に追加

有効領域の半透明位相シフトパターン上の遮光パターン表面の反射率を外周部の遮光パターン表面の反射率より低くすることにより、検査工程での有効領域の半透明位相シフトパターン上の遮光層膜残りの検出を可能にしたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a metal photograph includes steps of preparing a substrate, applying a photoresist film thereon, exposing and developing the film by using a patterned film as a mask to pattern the photoresist film to form a photoresist pattern having a pattern corresponding to the film, forming a seed film on the substrate and the photoresist pattern, and producing a metal film on the seed film by LIGA techniques.例文帳に追加

金属写真の製作方法は、基板を提供して、それにフォトレジスト膜を塗布し、パターンを有するフィルムをマスクとして露光現像工程を行って、フォトレジスト膜をパターン化して、フィルムに対応するパターンのあるフォトレジストパターンを形成し、基板とフォトレジストパターンにシード膜を形成し、ＬＩＧＡ技術でシード膜に金属膜を形成するステップを含む。 - 特許庁

A subject to be exposed is exposed by lightning a mask having a pattern of contact holes and an auxiliary pattern smaller than the pattern of contact holes with a light that forms an effective light source having an empty center of non circular shape, and projecting the pattern of contact holes on the subject to be exposed using a projecting optical system.例文帳に追加

コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法が小さな補助パターンとを有するマスクを、中央が非円形形状に抜けた有効光源を形成する光で照明し、前記コンタクトホールパターンを投影光学系で被露光体に投影することにより、当該被露光体を露光することを特徴とする露光方法を提供する。 - 特許庁