「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposed part of the first insulation film is so etched with the second etching stopper film pattern and the spacer as a mask as to form a node contact hole to expose the conductive region to form a first insulation film pattern.例文帳に追加

導電領域を露出させるノードコンタクトホールが形成されるように第２エッチング阻止膜パターン及びスペーサをマスクとして露出された第１絶縁膜をエッチングして第１絶縁膜パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition for acquiring a pattern having a high focus margin (DOF), CD uniformity (CDU), and a mask error factor (MEF), and a forming method of a resist pattern using the resist composition.例文帳に追加

優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）、ＣＤ均一性（ＣＤＵ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, a resist pattern 40 having an opening is formed at a part to form the main magnetic pole 32 and the side shield 36, reactive ion etching is performed with the resist pattern 40 as a mask, and an opening is formed on the nonmagnetic insulating film 37.例文帳に追加

次に、主磁極３２とサイドシールド３６を形成する部分に開口部を有するレジストパターン４０を形成し、これをマスクにして反応性イオンエッチングを行い、非磁性絶縁膜３７に開口部を形成する。 - 特許庁

The light emission of each of the light sources 3 is controlled as above to form a desired exposure pattern in the light source array, and thus, exposure is performed with a desired exposure pattern without using a mask.例文帳に追加

このように、それぞれの光源３の発光を制御して光源アレイで所望の露光パターンを形成することにより、マスクを用いることなく所望の露光パターンで露光を行うことができる構成とする。 - 特許庁

A calculation means 21 applies a filter having prescribed characteristics to the mask pattern data 31 generated by the generation means 20 to calculate the exposure pattern 32 to be transferred onto the semiconductor substrate.例文帳に追加

算出手段２１は、作成手段２０によって作成されたマスクパターンデータ３１に対して所定の特性を有するフィルタを適用することにより、半導体基板上に転写される露光パターン３２を算出する。 - 特許庁

To provide a method of processing a glass substrate by which a pattern faithful to a shape pattern of a photomask can be provided in a thin glass substrate which deforms when provided with a film used as etching mask.例文帳に追加

エッチングマスクとなる膜を設けて変形が生じる薄いガラス基板に対して、フォトマスクが有する形状パターンに忠実なパターンをガラス基板に設けることができるガラス基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

The solder resist pattern forming method contains a step for depositing a semihardened thermohardening film on both surfaces of a substrate, and a step of treating the deposited thermosetting films by laser ablation along the solder mask pattern.例文帳に追加

半硬化状態の熱硬化性フィルムを基板の両面に積層する工程；および、ソルダーマスクパターンに沿って前記積層された熱硬化性フィルムをレーザアブレーション加工する工程；を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent wiring from being reduced in reliability and manufacturing yield due to it that a wiring pattern, which is formed resting on single minimum line width data in the formation of a wiring mask pattern, is used in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

配線マスクパターン発生において、単一最小線幅データで発生させた配線パターンを半導体装置等で使用することに起因する配線の信頼性低下や製造歩留り低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a multicolor light-emitting device with a high degree of preciseness, which can selectively and finely pattern-form a color conversion layer without using a metal mask having a problem regarding the degree of preciseness, when the color conversion layer is pattern-formed.例文帳に追加

色変換層をパターン形成する際に、精細度に問題があるメタルマスクを使わずに、色変換層を微細に選択的にパターン形成する、精細度の高い多色発光デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of performing polishing of the surface and inside of an opening pattern at one process when polishing a sheet as a polishing work which has the opening pattern such as a mask for soldering paste.例文帳に追加

半田ペースト用マスクのような開口パターンが形成された被加工物である薄板を研磨するにおいて、表面および開口パターン内部の研磨を一工程にて行うことのできる方法を提供する。 - 特許庁

The mask is made of metal material suitable for pattern forming and a second metal film 12 is adhered and disposed on one face side other than an opening 13 of a first metal film 11 with the opening 13 of a desired pattern formed thereon.例文帳に追加

パターン成形に適した金属材料からなり、所望のパターンの開口部１３が形成された第１金属膜１１の開口部１３以外の一面側に第２金属膜１２が付着して設けられている。 - 特許庁

After removal of the first resist pattern, a first light transflective film 16 is formed throughout a surface of the substrate, and second patterning is performed by etching at least the first light transflective film with a second resist pattern formed on the film 16 as a mask.例文帳に追加

第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜１６を形成し、その上に形成した第２レジストパターンをマスクとして少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う。 - 特許庁

A film is formed of the same material as the substrate 110 on the surface of the substrate 110 using the pattern 120a as the mask and a layer 150a and a layer 150b are formed (Fig.2(e)) after removing the pattern 130a (Fig.2(d)).例文帳に追加

パターン１３０ａを剥離した後（図２（ｄ））、パターン１２０ａをマスクとして、基板１１０の材料と同じ物質を基板１１０の表面に成膜し、層１５０ａ、層１５０ｂを形成する（図２（ｅ））。 - 特許庁

To provide an inexpensive multi-structure label constituted of a stripe-like mask and strip-like pattern, in which an intentional sliding operation required to change a pattern is replaced with an easy and natural operation, while keeping the cost low, as it is.例文帳に追加

低コストの縞状マスクとストリップ状絵柄で構成される多重構造ラベルにおいて、絵柄を変化させるために必要な意図的なスライド操作を、低コストのままで簡単かつ自然な操作で置き換えること。 - 特許庁

When the moved pattern area is located at a position having overlapping on the mask area, an area ratio of the overlapping at the position is calculated, and when the value of the area ratio is larger than a prescribed ratio, the moved pattern area is not decided as an object to be processed.例文帳に追加

移動したパターン領域がマスク領域と重なりを有する位置にあるとき、その位置における重なりの面積比を計算して、この値が所定の比よりも大きいとき処理の対象外とする。 - 特許庁

A photosensitive resin composition layer disposed on the surface of a substrate is exposed through a pattern mask and either the unexposed regions or the unexposed regions and the surface of the substrate under the unexposed regions are sandblasted to form a rugged pattern.例文帳に追加

基材面に設けた感光性樹脂組成物層にパターンマスクを介して露光を行った後、未露光部分又は未露光部分と該未露光部分の下部の基材面をサンドブラスト加工して、凹凸模様を生成させる。 - 特許庁

On the other hand, in each part corresponding to each sub-pattern, since the dot is periodically arranged, granularity of the printed image can be suppressed compared to a case where the mask pattern in which an element is arranged at random is used.例文帳に追加

一方、各サブパターンに対応する各部分においては、ドットが周期的に配置されるため、要素がランダムに配置されたマスクパターンを使用する場合と比較して、印刷画像の粒状性を抑えることができる。 - 特許庁

To pattern a laminated film with small size shift, without reducing photoresist size, in a process where an upper electrode film and a ferroeelctric film are subjected to in batch dry etching by using the same photoresist mask and a pattern is formed.例文帳に追加

上部電極膜と強誘電体膜を同一のフォトレジストマスクを用い一括でドライエッチングを行いパターンを形成する工程において、フォトレジストサイズの縮小がなく、サイズシフトの小さい積層膜のパターニングを行う。 - 特許庁

A mask member 29 is provided with guide holes 27 corresponding to the respective pattern holes 7 to drop the conductive balls 9 into the patterns holes 7, is aligned with the respective pattern holes 7, and is stacked on the surface of the substrate 5.例文帳に追加

基材５の表面に、前記各パターン穴７に導電性ボール９を落とし込むためのガイド穴２７を各パターン穴７に対応して備えたマスク部材２９を各パターン穴７に位置合わせして重ね合わせる。 - 特許庁

Ultra-fine particles are jetted from a nozzle 11 and deposited on a substrate 3 via a plate-shaped mask 2 on which an opening pattern is formed, thereby forming on the substrate 3 the thin film having a shape corresponding to the opening pattern.例文帳に追加

開口パターンが形成された平板状のマスク２を介して、ノズル１１から噴射された超微粒子を基板３上に堆積させ、前記開口パターンに対応する形状の薄膜を基板３上に成膜する。 - 特許庁

To eliminate the reduction of the throughput of defect inspection, and further, obtain a more improved mask yield and the more improved dimension-controllability of a transcription-pattern, etc., than conventional ones, by performing the division of the pattern in consideration of its defect redundancy.例文帳に追加

欠陥冗長性を考慮したパターン分割を行うことによって、欠陥検査のスループット低下を招くことなく、しかもマスク歩留まりや転写パターンの寸法制御性等を従来よりも向上させる。 - 特許庁

The halftone phase inversion trim mask contains: a second opaque pattern formed on the transparent substrate to prevent the access line from erasing; and a halftone pattern which defines a bus line connected to the access line.例文帳に追加

ハーフトーン位相反転トリムマスクは透明基板上に形成されてアクセス配線が消されることを防止する第２不透明パターンと前記アクセス配線と連結されるパス配線を定義するハーフトーンパターンとを含む。 - 特許庁

A source electrode 5 and a drain electrode 6 are formed on the basis of a photoresist pattern 8a which is formed by radiating the ultraviolet ray U to the photoresist 8 from the rear surface of the glass substrate 2 using the gate electrode 3 as the mask pattern.例文帳に追加

ゲート電極３をマスクパターンとし、フォトレジスト８に紫外線Ｕをガラス基板２の背面から照射することで形成されたフォトレジストパターン８ａに基づいてソース電極５及びドレイン電極６を形成する。 - 特許庁

The method includes a process for forming a first gate insulating film pattern 115 and a mask pattern successively formed on a semiconductor substrate 100, and then for forming an impurity region 140 on the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

本発明は半導体基板１００上に順次に積層された第１ゲート絶縁膜パターン１１５及びマスクパターンを形成した後に、半導体基板１００に不純物領域１４０を形成する段階を含む。 - 特許庁

A resist pattern 4b for wiring and a resist pattern 4a for the mark for exposure position confirmation are formed on the conductor layer by exposing and developing the photoresist using a mask for exposure arranged on the photoresist.例文帳に追加

フォトレジストの上方に配置した露光用マスクを用いてフォトレジストを露光し現像することで、導電体層上に配線用レジストパターン４ｂ及び露光位置確認マーク用レジストパターン４ａを形成する。 - 特許庁

The mask pattern to etch the film to be etched is formed by etching the organic film of the multilayer resist along the resist pattern using a plasma obtained by making a process gas containing carbon dioxide and hydrogen into the plasma.例文帳に追加

前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。 - 特許庁

To increase an accuracy of joining transfer patterns together on an object whereon the patterns are transferred by determining a function for deciding the position of each partial transfer pattern on a transfer mask and then transferring an image of each partial transfer pattern according to the function.例文帳に追加

転写マスク上の部分転写パターンの位置を定める関数を決定し、その関数に基づいて部分転写パターンの像を転写することで被転写物上の転写パターンの繋ぎ精度を向上させる。 - 特許庁

Once the mask layer (250) is removed, the pattern (242) is completely transferred to the ARC layer (240) using an etching process, and the pattern (242) in the ARC layer (240) is transferred to the underlying thin film (220).例文帳に追加

一旦マスク層（２５０）が除去されると、パターン（２４２）は、エッチングプロセスを用いることによって、ＡＲＣ層（２４０）へ完全に転写され、ＡＲＣ層（２４０）中のパターン（２４２）は、下地の薄膜（２２０）へ転写される。 - 特許庁

The mask 8 is further provided with a light shielding part at a part where the overlap margin of the resist pattern 7 and a predetermined region of a substrate to be processed is decreased through shrinkage of the resist pattern 7 due to irradiation with VUV light 9.例文帳に追加

また、マスク８には、ＶＵＶ光９の照射によるレジストパターン７のシュリンクによって、レジストパターン７と被加工基板の所定領域との重なりマージンが小さくなる部分に遮光部が設けられている。 - 特許庁

Then a resist 15 is patterned, and the wiring material lamination layer 12 is anisotropically etched, by utilizing a resist pattern containing a hard mask HM of the first and second insulating films 13 and 14, to form a wiring pattern 12 (Fig. 1 (b)).例文帳に追加

次に、レジスト１５をパターニングし、第１、第２絶縁膜１３，１４のハードマスクＨＭを含むレジストパターンに従って配線材料積層１２が異方性エッチングされ配線パターン１２が形成される（図１（ｂ））。 - 特許庁

After removal of the second resist pattern, a second light transflective film 17 is formed throughout the surface of the substrate, and third patterning is performed by etching at least the second light transflective film 17 with a third resist pattern formed on the film 17 as a mask.例文帳に追加

第２レジストパターンを除去後、基板全面に第２半透光膜１７を形成し、その上に形成した第３レジストパターンをマスクとして少なくとも第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う。 - 特許庁

To provide an exposure mask and a method for making a mask pattern by which not only the focus margin is improved in a photolithographic process but shrinkage in a line end is suppressed, and difference in the finish dimension in an etching process is suppressed.例文帳に追加

フォトリソグラフィー工程において、フォーカスマージンを向上させるだけでなく、ライン末端部の縮みを抑制し、かつエッチング工程において仕上がり寸法差を抑制する、露光用マスクとマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate product having a mask 50 is exposed to an atmosphere 52 containing tin, thus diffusing the tin to a semiconductor multilayered film from an opening 50a, and preventing the tin from being diffused to a region in which an insulating film pattern of the mask 50 is formed.例文帳に追加

マスク５０を備える中間生産物を、錫を含む雰囲気５２に晒すと、開口部５０ａから半導体多層膜に錫が拡散すると共にマスク５０の絶縁膜パターンが設けられた領域には錫は拡散されない。 - 特許庁

This deposition mask 1 has openings 1a formed according to a deposition pattern, and is provided with projection parts 1b formed by pressingly deforming a base plate 11 of the deposition mask 1 itself toward the side where the base plate 11 is installed.例文帳に追加

蒸着パターンに応じた開口部１ａを形成した蒸着マスク１であって、蒸着マスク１の基板１１が設置される側に板体自身を押圧変形させることにより形成される突出部１ｂを設ける。 - 特許庁

RESIDUE-FILM THICKNESS ASSUMING METHOD, PATTERN-MASK AND ISOLATION-FILM-REMOVING-MASK MODIFYING WAYS BY THE WAY, AND SEMICONDUCTOR-ELEMENT MAKING WAY BY THE MASKS例文帳に追加

残膜厚分布の推定方法、残膜厚分布の推定方法を用いたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクの修正方法、及び、修正されたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

A first mask 31 is then arranged while aligned with the glass substrate 21 so that alignment marks 33 and 34 match the cut 22, and lithographic patterning is carried out on the front surface 21a of the glass substrate 21 according to a first mask pattern 32.例文帳に追加

次に、アライメントマーク３３，３４が切り欠き２２に合致するように第１マスク３１をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のオモテ面２１ａに第１マスクパターン３２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank for extreme ultraviolet (EUV) lithography in which the mask has low reflectance in a wavelength range of EUV light and pattern inspection light and has an absorbent layer that is easily controlled to a desired film composition and a film thickness.例文帳に追加

ＥＵＶ光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。 - 特許庁

The mask stripes 22 are belt- like members of the same width, and disposed in a sun-shade screen at same intervals, and a large number of belt-like pattern apertures 24 having the same width and length are demarcated by the mask stripe 22 adjacent to each other.例文帳に追加

マスクストライプ２２は、同じ幅の帯状部材であって、同じ間隔ですだれ状に配列され、相互に隣合うマスクストライプ２２によって多数個の同じ幅で同じ長さを有する帯状パターン開口２４が区画されている。 - 特許庁

To provide an absorption type conveyance method which can convey a shadow mask absorbed for every sheet certainly, without giving deformation stress to a slit pattern, in a conveyance handling method in a manufacturing process of the shadow mask.例文帳に追加

本発明の課題は、シャドウマスクの製造工程における搬送取扱方法において、確実に１枚毎に吸着してスリットパターンに変形ストレスを与えずに搬送が行える吸着搬送方法を提供することにある。 - 特許庁

The distributed density mask is characterized in that: a slit pattern is formed between lens patterns for forming unit lenses adjacent to each other; and with the mask, a microlens can be formed in which the curvature of sphere close to the ends in a diagonal direction of each lens is equal to that of the center portion.例文帳に追加

隣接する単位レンズを形成するレンズパターンの間にスリットパターンが形成され、各レンズの対角方向の端部近傍は中央部と同等の球面曲率であるマイクロレンズを形成できることを特徴とする。 - 特許庁

The position on the mask is heated at each line strength by an irradiation projector containing a radiation device 300 located outside a lithography beam path, and the heating of the masks generates a distortion in a mask pattern by local thermal expansion.例文帳に追加

マスク上の位置はリソグラフィービーム経路の外に配置された放射線装置３００を含む照射投光器によりそれぞれの線強度で加熱され、マスクの加熱は局部熱膨張によりマスクパターンに歪みを発生する。 - 特許庁

A work 5 such as a substrate mounted on a work stage 4 is irradiated with light from a light irradiating unit 1 through a mask 2, a projection magnification varying mechanism 10 and a projection lens 3 to project a pattern image on the mask onto the work 5 for exposure.例文帳に追加

光照射部１からの光が、マスク２、投影倍率変更機構１０、投影レンズ３を介してワークステージ４に載置された基板等のワーク５上に照射され、マスクのパターン像がワーク５上に投影され露光される。 - 特許庁

An exposure pattern is transferred onto a substrate using an exposure apparatus 10 having two substrate stages 22, 24 and one mask stage 34, in which the substrate stages 22, 24 can be moved in a cross direction or a longitudinal direction of the mask stage 34.例文帳に追加

二つの基板ステージ２２，２４と一つのマスクステージ３４とを有し、かつ基板ステージ２２，２４がマスクステージ３４の前後方向または左右方向に移動可能な露光装置１０を用いて基板に露光パターンを転写する。 - 特許庁

To provide a stencil mask which holds a prescribed strength and effectively avoids deforming due to a thermal stress, even if the mask is made fine and as a thin film, and has a pattern having a precise processing accuracy.例文帳に追加

微細化され且つ薄膜化されたステンシルマスクに於いても、所定の強度を保持すると同時に熱応力による変形を有効に防止すると共に、精密な加工精度を有するパターンを有するステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

Next, while the pattern of the photo resist 14 is trimmed so as to be a predetermined thickness, length, the amount of protrusion L is made to be a predetermined amount or less, an etching mask of substantially L character shape is formed by etching an Si_3N_4 layer 13 making this as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１４のパターンを所定の太さ、長さにトリミングするとともに、はみ出し量Ｌを所定量以下とし、これをマスクとしてＳｉ_3Ｎ_4層１３をエッチングして略Ｌ字状のエッチングマスクを形成する。 - 特許庁