「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

After inputting required data (S1, S2), an original optical image I_0 is calculated (S4) based on the data of a mask pattern among them and the exposure conditions at the time of sample production.例文帳に追加

必要なデータを入力し（Ｓ１，Ｓ２）、そのうちマスクパターンのデータとサンプル作製時の露光条件とに基づいて、原光学像Ｉ_０を算出する（Ｓ４）。 - 特許庁

METHOD OF CALCULATING IRRADIATION ENERGY, METHOD OF CALCULATING PROXIMITY EFFECT, METHOD OF DESIGNING MASK OR RETICLE PATTERN, CHARGED-PARTICLE-BEAM EXPOSURE SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

照射エネルギーの計算方法、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

Consequently, a resist pattern 111 for via hole whose diameter is smaller than a width of the upper groove 110 in size is formed and a via hole 112 is formed using this as a mask.例文帳に追加

次いで、上溝１１０の幅より径が小さいビアホール形成用のレジストパターン１１１を形成し、これをマスクにビアホール１１２を形成する。 - 特許庁

Phosphorus is doped to a semiconductor layer by using a pattern 107 constituted of a conductive film as a mask so that an N type impurity area can be formed so as to be self-aligned.例文帳に追加

導電膜でなるパターン１０７をマスクにして半導体層にリンを添加してＮ型の不純物領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

The shielding part 1c is arranged being overlapped with the rear side of the display part 1b, and therefore the image on the display part 1b can be partially hidden by displaying a mask pattern.例文帳に追加

遮蔽部１ｃは、表示部１ｂの裏面に重ねて配置され、マスクパターンを表示することにより表示部１ｂの画像を部分的に隠すことができる。 - 特許庁

In a second process, trimming treatment narrowing down the pattern width of the mask layer 212 is carried out in parallel, not only etching an anti-reflection coating 210 longitudinally.例文帳に追加

第２工程では，反射防止膜２１０を縦方向にエッチングするだけでなく，マスク層２１２のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。 - 特許庁

By providing a plurality of sets of the surface acoustic wave devices 20A and 20B on the mask substrate 10, the position of the contamination of the semiconductor circuit pattern 41 can be specified.例文帳に追加

また、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂをマスク基板１０上に複数組設ければ、半導体回路パターン４１の異物の位置を特定できる。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that prevents a fine dot pattern from being transferred, even upon exposing a substrate larger than a mask whose size is in the trend of enlargement.例文帳に追加

大型化の方向にあるマスクよりも更に大きな基板への露光であっても、微細なドットパターンが転写されることのない露光装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the levenson type mask includes an opening setting process of defining a same phase opening and reverse phase opening on both sides of a first pattern.例文帳に追加

レベンソン型マスクの製造方法は、第１パターンの両側に、同位相開口部および反転位相開口部を定める開口部設定工程を含む。 - 特許庁

To form a high-definition pattern film by selectively forming a liquid repellent region and a hydrophilic region on a surface of a substrate without using a mask, etc.例文帳に追加

マスク等を用いることなく、基板の表面に撥液化領域と親液化領域を選択的に形成し、高精細なパターン膜を形成する。 - 特許庁

In the method, first, the substrate having a dielectric layer and mask layer covering the dielectric layer being with a pattern formed is located on a plasma processing system.例文帳に追加

この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。 - 特許庁

To provide a method for creating a mask layout for improving the arrangement accuracy when an auxiliary pattern is formed by using a coherence map method.例文帳に追加

コヒーレンスマップ法を使用して補助パターンを作成する場合に、その配置精度を向上させることが可能なマスクレイアウト作成方法を提供する。 - 特許庁

A wiring trench TRCH is formed so that its bottom surface forms the second low dielectric constant film LOWK2c by using the wiring trench pattern of the mask layer.例文帳に追加

マスク層の配線溝パターンを用いて、底面が第２の低誘電率膜ＬＯＷＫ２ｃとなるように、配線溝ＴＲＣＨが形成される。 - 特許庁

The solar cell element 100 includes a substrate 110, a mask pattern 120, a plurality of semiconductor nanorods 130, a first electrode 150, and a second electrode 160.例文帳に追加

太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask for printing making adhesiveness between a substrate and a mesh well and having a precise printing pattern at the time of plating.例文帳に追加

メッキ時において、基板とメッシュとの密着度を良好にして、精度の良い印刷パターンを有する印刷用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a salt, a resist composition or the like which can form a pattern excellent in an outstanding resolution, a mask error factor and a focus margin.例文帳に追加

優れた解像度、マスクエラーファクター及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる塩及びレジスト組成物等を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a process of creating a QR code image, a specific-pattern mask is applied through exclusive-OR, after setting a data bit string to be stored.例文帳に追加

ＱＲコード画像作成過程では、格納データビット列をセットした後に排他的論理和によって、特定パターンのマスクをかける仕様となっている。 - 特許庁

Further, whether the patterns after the synthesis satisfy the prescribed mask pattern design rule or not is checked and if the rule is not satisfied, the patterns are properly corrected.例文帳に追加

さらに、前記グループ化後、および合成後のパターンが所定のマスクパターン設計ルールを満たしているか否かをチェックし、満たしていない場合は適宜修正する。 - 特許庁

Then, a first resist film 9 is formed so that the wiring groove pattern 8 may be embedded, and the first resist film 9 on the hard mask 7 is removed to planarize the surface.例文帳に追加

次に、配線溝パターン８を埋め込むように第１のレジスト膜９を形成し、ハードマスク７上の第１のレジスト膜９を除去して平坦化する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for inspecting a mask for use in fabricating an integrated circuit device that can easily detect defects in a semiconductor pattern.例文帳に追加

半導体パターンに形成された欠陥を容易に探し出すことのできる集積回路装置製造用マスクの検査装置及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

The mask layer 4 has printing parts 11 having openings 10 corresponding to the printing pattern and non-printing parts 12 thinner than the printing parts 11.例文帳に追加

マスク層４は、印刷パターンに対応する開口１０を有する印刷部１１と、印刷部１１よりも厚さの薄い非印刷部１２とを有する。 - 特許庁

To contribute to cost reduction of a manufacturing method of a crystal vibration chip by reducing a consumed quantity of a metallic material (especially Au) used for a pattern mask.例文帳に追加

パターンマスクとして用いられている金属材料（特にＡｕ）の使用量を減らして、水晶振動子片の製造方法のコストダウンに寄与する。 - 特許庁

After that, the surface of the adhered metal foil is covered by a mask member, and a pattern is formed so that a region forming a second metal terminal pad opens.例文帳に追加

その後、付着した金属箔の表面をマスク材で覆い、第二金属端子パッドを形成する領域が開口するようにパターン形成する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed, the film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method.例文帳に追加

また、フォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、その膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなう。 - 特許庁

The resist film 11 is dry-etched through the sylilation layer 15 as a mask, to form a resist pattern 11A of the thin film part 11c of the resist film 11.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してシリル化層１５をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジスト膜１１の薄膜部１１ｃからなるレジストパターン１１Ａを形成する。 - 特許庁

A test mask having a plurality of test patterns is produced (S1, S5) by changing shapes and layouts according to the shape and layout of a design pattern.例文帳に追加

設計パターンの形状および配置状態に応じて形状および配置状態を変化させた複数のテストパターンを備えたテストマスクを作製する（Ｓ１，Ｓ５）。 - 特許庁

A high-precision pattern can be formed on a substrate with a multiple units by arranging and carrying out the vapor deposition on the substrate 17 on this second metal mask 13.例文帳に追加

この第二金属マスク１３の上に基板１７を配して蒸着を行うことで、基板に高精細なパターンを多面付けで形成することができる。 - 特許庁

To provide a mask for patterning an organic electroluminescence display device which can satisfactorily form a desired shape pattern, and its usage.例文帳に追加

目的とする形状のパターンを良好に形成することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置のパターニング用マスクおよびその使用方法を提供する。 - 特許庁

This invention relates to cleaning treatment method after the etching of a film 2 on a semiconductor wafer 1 etched by a chemical solution by using a resist pattern 3 as a mask.例文帳に追加

半導体ウェハ１上の被エッチング膜２を、レジストパターン３をマスクに用いて薬液によりエッチングした後の洗浄処理方法に係るものである。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask in which increase in the dimension of the formable minimum pattern element due to the proximity effect of light can be effectively suppressed.例文帳に追加

形成可能な最小パターン要素寸法が光近接効果により増大するのを効果的に抑制できるレベンソン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

By etching selectively the layers 2 to 5 and the layer 18, the shape of the alignment pattern growth stopping mask is made to reveal.例文帳に追加

そして、半導体層２乃至５及びクラッド層１８を選択的にエッチングすることにより目合わせパターン成長阻止マスクの形状を発現させる。 - 特許庁

The conductive film 5 is is subject to anisotropic etching employing the resist pattern 7 as a mask under a state that the conductive film 5 is left on the whole surface of the gate insulating film 3.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３上の全面に導電膜５を残す状態で、レジストパターン７をマスクに用いて導電膜５を異方性エッチングする。 - 特許庁

After a current film 12 is vapor-deposited on the surface to be plated and end faces of a semiconductor substrate 101, a mask pattern 201 is formed on the film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１の被メッキ面および端面にカレントフィルム１０２を蒸着した後で、カレントフィルム１０２上にマスクパターン２０１を形成する。 - 特許庁

Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.例文帳に追加

次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus capable of easily exchanging patterns of a slit system and a reticle, and accurately forming a pattern of a mask.例文帳に追加

本発明は、スリットシステムとレチクルのパターンの両方を簡単に交換でき、マスクのパターンを正確に形成することができる露光装置を提供する。 - 特許庁

A proximate exposure apparatus (100) performs proximately exposes a pattern of the exposure mask (30) on a crystal wafer (10) coated with a resist (19) and including an edge portion.例文帳に追加

近接露光装置（１００）は、露光マスク（３０）のパターンを、レジスト（１９）が塗布され周縁部を有する水晶ウエハ（１０）に対して近接露光する。 - 特許庁

The first pattern of the mask 31 is provided on the first area of the semiconductor region 13 periodically by a size value LX corresponding to an device size.例文帳に追加

マスク３１の第１のパターンは、素子サイズに対応したサイズ値ＬＸで周期的に半導体領域１３の第１のエリア上に設けられる。 - 特許庁

A detection section 3 detects edges (vertical intersection edge) vertically in point contact with each other for both the edges (opposite edges) of the mask pattern which are opposite in parallel.例文帳に追加

検出部３は、マスクパターンの平行に対向する両エッジ（対向エッジ）の夫々について垂直に点接触するエッジ（垂直交差エッジ）を検出する。 - 特許庁

Next, the modified part 13b is removed by etching selectively with respect to the mask pattern 15 and an unmodified part 13a consisting of an SiOCH-based material.例文帳に追加

次に、マスクパターン１５およびＳｉＯＣＨ系材料からなる未改質部１３ａに対して選択的に改質部１３ｂをエッチング除去する。 - 特許庁

A substrate 12 is etched by using as a mask a resist pattern provided on the substrate 12 to form a groove 13 on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１２上に設けられたレジストパターン３０をマスクに用いて基板１２がエッチングされ、基板１２の表面上に溝１３が形成される。 - 特許庁

Consequently, the opening rate of the 1st resist mask pattern 13 for processing the gate electrode in the 1st area A is increased to improve the gate size precision.例文帳に追加

これにより、第一の領域Ａのゲート電極加工用の第一のレジストマスクパターン１３の開口率を上昇させゲート寸法精度が向上する。 - 特許庁

The radicals and ions are supplied periodically by a plurality number of times, even after the mask has been completed, thus maintaining pattern position accuracy over a long time.例文帳に追加

ラジカルやイオンの供給をマスクの完成後も複数回、定期的に行うことによって、パターン位置精度を長期間に渡って保つことができる。 - 特許庁

An etching mask for forming a pattern of a processing target layer such as a conductive layer and a semiconductor layer is produced without using a lithographic technique employing a photoresist.例文帳に追加

導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。 - 特許庁

To precisely form a pattern part from a transparent and colorless water-repellent film layer only by label transfer without performing a mask operation.例文帳に追加

マスキング作業をすることなく、ラベル転写のみでガラス表面に的確に無色透明撥水性膜層からなる絵柄部を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a scanning exposure apparatus using a variable forming mask, the apparatus that can perform exposure with optimum resolution according to a pattern.例文帳に追加

可変形成マスクを用いた走査型露光装置であって、パターンに応じた最適な解像度で露光することができる走査型露光装置を提供する。 - 特許庁