「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a transfer mask having an extremely high precision of corner squareness of an opening pattern and an extremely high connecting precision.例文帳に追加

開口パターンのコーナー直角度の精度が極めて高く、つなぎ合わせ精度が極めて高い転写マスクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

The method includes photolithographically imaging a phase-shift mask pattern onto a photoresist layer of a substrate to form therein a periodic array of photoresist features.例文帳に追加

基板のフォトレジスト層に位相シフトマスクパターンをフォトリソグラフィによりイメージングして、フォトレジスト造形物の周期的配列を形成することを備える。 - 特許庁

A silicide block film 21 is selectively formed on the surface of the silicon substrate 1 in the sensor region 1s which is exposed from the mask pattern 19.例文帳に追加

マスクパターン１９から露出したセンサ領域１ｓにおけるシリコン基板１の表面に、選択的にシリサイドブロック膜２１を成膜する。 - 特許庁

And then, a periodically irregular diffraction grating is formed by etching the surface of the organic birefringent film 101 by using the mask pattern 107.例文帳に追加

次に、マスクパターン１０７を用いて有機複屈折膜１０１の表面をエッチングして周期的な凹凸による回折格子を形成する。 - 特許庁

The host device 20 also has an image data file 50 which stores a geometrical image showing a 2D geometry of a pattern corner part in the mask products.例文帳に追加

ホスト装置２０はまた、マスク製品におけるパターンコーナ部の二次元形状を示す形状イメージを記憶するイメージデータファイル５０を有する。 - 特許庁

A plurality of test patterns prepared by varying the layout area of line-and-space pattern in different levels of factors are formed on a mask substrate by lithographic processes (S1, S2).例文帳に追加

リソグラフィー処理により、ラインアンドスペースパターンの展開面積を水準振りした複数のテストパターンをマスク基板上に形成する（Ｓ１，Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can surely conduct an injecting treatment or wet etching treatment with a resist pattern used as a mask.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとした注入処理やウェットエッチング処理を確実に行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least two photosensitive resin composition layers different from each other in sensitivity to exposure are laminated on the surface of a substrate, exposed through a pattern mask and developed.例文帳に追加

基材面に露光感度の異なる少なくとも二種の感光性樹脂組成物層を積層して、パターンマスクを介して露光後、現像する。 - 特許庁

Quality evaluating means 34 expands the size of a reference mask set by reference mask setting means 32, counts a number in a range of the reference mask of indication points of waveform data forming an eye pattern, evaluates quality about a margin to the reference mask of a data signal on the basis of a count value and the magnification of the reference mask, and indicates the evaluation result in a display 40.例文帳に追加

品質評価手段３４は、基準マスク設定手段３２で設定された基準マスクの大きさを拡大させつつ、アイパターンを形成する波形データの表示ポイントのうち基準マスクの領域内に入る数を計数し、その計数値と基準マスクの拡大率とに基づいてデータ信号の基準マスクに対するマージンに関する品質評価を行い、その評価結果を表示器４０に表示させる。 - 特許庁

The record mask encoding method which encodes the mask data for recording a predetermined region of image data in N-steps includes an acquisition step for acquiring the mask data, and a formation step for forming index data in which a recording pattern of each pixel is expressed with the code data using the code data of the number of bits smaller than N assigned to the record pattern showing whether the pixel is recorded by what time scanning of the acquired mask data.例文帳に追加

画像データの所定の領域をＮ回に分けて記録するためのマスクデータを符号化する記録マスク符号化方法において、前記マスクデータを取得する取得工程と、前記取得したマスクデータの何回目の走査で画素を記録するかを示す記録パターンに対して割り振られたＮより小さいビット数の符号データを用いて、各画素の記録パターンを前記符号データで表したインデックスデータを生成する生成工程とを有する。 - 特許庁

The method for designing a mask includes steps of: defining a chip region; reducing the chip region to form a parent dummy pattern; forming a mesh dummy pattern; and forming offspring dummy patterns 150, 230 by removing portions of the parent dummy pattern and the mesh dummy pattern where they overlap each other.例文帳に追加

マスクの設計方法は、チップ領域を定義するステップと、前記チップ領域を縮小して母ダミーパターンを形成するステップと、メッシュ（Ｍｅｓｈ）ダミーパターンを形成するステップと、前記母ダミーパターンと前記マッシュダミーパターンとの重なる部分を除去して子ダミーパターン１５０，２３０を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The defect inspection method for a resist pattern includes (a) a step of forming the resist pattern on a semiconductor substrate, (b) a step of etching the semiconductor substrate with the resist pattern used as a mask, and (c) a step of inspecting the etched semiconductor substrate for a defect as a substitute of the resist pattern.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの欠陥検査方法は、（ａ）半導体基板上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）前記レジストパターンをマスクとして用いて半導体基板をエッチングする工程と、（ｃ）レジストパターンの代替えとして前記エッチング後の半導体基板の欠陥検査を行う工程を備える。 - 特許庁

To provide an underlay film forming material that is suitably used for selectively forming a metal oxide film having high etching durability on a pattern surface at a low temperature in a pattern forming method, in which an etching is performed by using a pattern formed on a substrate as a mask, and to provide a layered body and a pattern forming method.例文帳に追加

基板上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングを行うパターン形成方法において、パターン表面に、低温で、耐エッチング性が高い金属酸化物膜を、パターン表面に選択的に形成するために好適に用いられる下層膜形成用材料、積層体およびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

There is also provided a method for forming a fine pattern according to the present invention comprising the steps of: forming a first protruding pattern on a film to be processed; forming a spacer formed from the resin composition at a sidewall of a protruding part of the protruding pattern; and forming a fine pattern by using the spacer or a resin layer disposed around the spacer as a mask.例文帳に追加

また、本発明により微細パターンの形成方法は、被加工膜上に、第一の凸パターンを形成させ、その凸パターンの凸部側壁に前記樹脂組成物から形成されたスペーサーを形成させて、そのスペーサー、またはスペーサーの周りに配置された樹脂層をマスクとして微細パターンを形成させるものである。 - 特許庁

A method for forming a pattern comprises: forming a resist film on a substrate or a layer to be processed; transferring a pattern onto the resist film by using a photomask in which the dimension of a mask pattern is defined in accordance with a reflectance for light of a base layer of the resist film; and developing the resist film to form a resist pattern.例文帳に追加

基板上又は被加工層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の下地層の光反射率に応じてマスクパターンの寸法を規定したフォトマスクを用いて前記レジスト膜にパターンを転写し、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

In this case, by successively setting the phase modulation pattern of the phase modulator in accordance with the data pattern in the signal light, the phase can be modulated while successively setting the phase modulation pattern in consideration of the intersymbol interference in accordance with the data, insted of the conventional manner using the phase mask with a fixed phase modulation pattern.例文帳に追加

このとき、信号光内のデータパターンに応じて位相変調器の位相変調パターンを順次設定することで、従来のような固定の位相変調パターンによる位相マスクとされる場合とは異なり、符号間干渉を考慮した位相変調パターンをデータに応じて逐次設定して位相変調を行うことができる。 - 特許庁

This display device is provide with an aperture pattern NAR for dummy pixels, which has a drawing stress absorption hole suppressing pattern precision deterioration due to deformation of an aperture pattern by absorbing stress in a process wherein a mask part MSS is fixed to a frame FLM by applying tension, outside an aperture pattern DRA for pixels.例文帳に追加

マスク部ＭＳＳをテンションを印加してフレームＦＬＭに固定する工程で生じる応力を吸収し、開孔パターンの変形によるパターン精度劣化を抑制する引っ張り応力吸収孔を有するダミー画素用開孔パターンＮＡＲを画素用開孔パターンＤＡＲの外側に設ける。 - 特許庁

When a first pattern is formed in a first process using photolithography and then second process for reducing the pattern dimensions is performed, the first pattern is formed through a correction mask which previously takes account of the difference of density of pattern arrangement, asymmetry, and the difference of reduced dimensions due to irregularity.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いた第１のプロセスにより第１のパターンを形成した後、さらにパターン寸法を縮小するための第２のプロセスを施す際に、パターン配置の疎密差、非対称性、不規則による縮小寸法量の差を予めマスク寸法に加味させた補正マスクを介して第１のパターンを形成する。 - 特許庁

A pattern is transferred to a resist film 12 on a wafer 11 with a reduced-projection exposure method, using a half-tone phase shift mask, formed by a translucent phase shift pattern comprising a thin film pattern 2a which has the function of dimmer body and a resist pattern 3a, having the function of photosensitive composite for adjusting the phase.例文帳に追加

減光体としての機能を有する薄膜パターン２ａと、位相調整用の感光性組成物としての機能を有するレジストパターン３ａとを有する半透明位相シフトパターンが形成されたハーフトン位相シフトマスクを用いた縮小投影露光法によって、ウエハ１１上のレジスト膜１２にパターンを転写する。 - 特許庁

This method includes, in order to select a pattern to be projected on the substrate, rotating a mask having a plurality of patterns by using of a selected pattern in order to impart a pattern, corresponding the selected pattern to the cross section of an emitted beam, and projecting the patterned beam on a target portion of the substrate.例文帳に追加

この方法は、基板に投影されるべきパターンを選択するために、複数のパターンを有するマスクを回転することと、選択パターンに対応するパターンを放射ビーム断面に付与するために選択パターンを使用することと、パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影することと、を含む。 - 特許庁

An input layout data is sorted to rectangular shapes of different pattern widths, a boundary for dividing peripheral part or internal part is generated for each sorted figure, an input pattern is formed into a fine pattern at the boundary and a complementary mask, shared to form fine patterns in both sides of the boundary is used as different layers, in order to form a pattern.例文帳に追加

入力レイアウトデータをパターン幅別矩形などに分類し、分類した図形毎に周辺もしくは内部を分割する境界を作成し、入力パターンを境界で細分パターン化し、境界の両隣の細分パターンが互いに異なる層になるように振り分けた相補マスクを用いてパターン形成を行う。 - 特許庁

In a projection exposure of a photo mask pattern of a photo mask on a surface to be exposed by irradiating the photo mask pattern with the light from an exposure light source in a projection optical system, the concentration of an inert purge gas containing a specified quantity of inert gas filled in a space contacting a pellicle film is measured to execute the projection exposure with controlling the concentration of the inert gas.例文帳に追加

露光光源からの光でフォトマスク上のフォトマスクパターンを照射して前記フォトマスクパターンの像を投影光学系により被露光面に投影露光する際、ペリクル膜に接し、所定量の活性ガスを含む不活性ガスからなるパージガスで満たされた空間の前記活性ガスの濃度を測定し、前記活性ガスの濃度を制御しながら投影露光を行う。 - 特許庁

In an aligner arranged to obtain a desired pattern by projection mapping using a phase shift mask 10, a polarization condition selecting unit 20 for selecting the polarization direction of illumination light with respect to the phase shift mask 10 is provided in parallel with the direction of the compositional side of a pattern formed on the phase shift mask 10 at the time of projection mapping.例文帳に追加

位相シフトマスク１０を用いた投影写像によって所望パターンを得るように構成された露光装置において、その投影写像の際に、前記位相シフトマスク１０上に形成されたパターンの構成辺の方向と平行になるように、その位相シフトマスク１０に対する照明光の偏光方向を選択する偏光状態選択ユニット２０を設ける。 - 特許庁

After an organic material layer 2 such as an organic silane is applied on a substrate 1 having conductivity, a mask 14 made of a conductive material and having a predetermined pattern is mounted on the organic material layer 2 and a voltage is applied between the substrate 1 and the mask 14 in a water-containing atmosphere to form a pattern in the organic material layer 2 corresponding to the mask 14.例文帳に追加

導電性を有する基体１上に、有機シラン等の有機材料層２を被着した後、この有機材料層２上に、導電性材料より成りかつ所定のパターンを有するマスク１４を載置して、水分含有雰囲気下において、基体１及びマスク１４の間に電圧を印加することにより、有機材料層２にマスク１４に対応するパターンを形成する。 - 特許庁

The metal mask for crystal electrode deposition comprising a lower frame tool having an opening part in which a magnet is buried, a lower electrode metal mask having an electrode pattern opening part, an intermediate plate having an opening part in which the crystal plate is charged, and an upper metal mask having an electrode pattern opening part is constituted by burying many shape memory alloys in the intermediate plate.例文帳に追加

マグネットを埋設した開口部を有する下枠治具と、電極パターン開口部を有する下電極メタルマスクと、水晶板を充填する開口部を有する中板と、電極パターン開口部を有する上電極メタルマスクと、を備えた水晶電極成膜用メタルマスクにおいて、前記中板に多数の形状記憶合金を埋設して水晶電極成膜用メタルマスクを構成する。 - 特許庁

The mask for electron beam exposure comprises an electron shield film having a mask part 10 where a specified pattern to be transferred is formed, a film for supporting the electron shield film having through holes corresponding to the specified pattern, and a frame for supporting the supporting film on the outside of the mask part 10 wherein the electron shield film comprises a tantalum film 4 and the supporting film comprises a diamond film 3.例文帳に追加

本発明の電子線露光用マスクは、転写すべき所定パターンが形成されたマスク部１０を有する電子遮蔽膜と、所定パターンに対応する貫通孔を有し、電子遮蔽膜を支持する支持膜と、マスク部１０の外側で支持膜を支持する支持枠とを備え、電子遮蔽膜をタンタル膜４で構成し、支持膜をダイヤモンド膜３で構成した。 - 特許庁

To provide a projection exposure device which enables a mask and an exposed body to be positioned with high precision as a projection exposure device which forms an image of a mask on an exposed body coated with a photosensitizer by a projection optical system after transmitting luminous flux emitted by a light source through the mask where a specified pattern is formed and then transfers the specified pattern to the exposed body.例文帳に追加

光源の発する光束を所定のパターンが形成されたマスクに透過させたうえで投影光学系によって前記マスクの像を感光剤が塗布された被露光体上で結像させ、前記所定のパターンを前記被露光体に転写する、投影露光装置であって、マスクと被露光体との高精度の位置合わせが可能な投影露光装置を提供することである。 - 特許庁

This invention in related to the formation of a semiconductor device laminated on a substrate 1 including a step forming laminated bodies 2, 3, 4, 5 as well as a forming step of a circuit element by photolithography including the formation of an alignment mask, the reference pattern by the aperture of the alignment mask as well as another mask specifying the circuit element aligned with the reference pattern.例文帳に追加

本発明は、基板（１）上に積層体（２，３，４，５）を形成する工程と、位置合わせマスクの形成、このマスクの開口部による基準パターンの形成、及びこの基準パターンに位置合わされた回路素子を規定するマスクの形成を含むフォトリソグラフィにより回路素子を形成する工程を具える基板上に集積化された半導体装置を形成する方法に関するものである。 - 特許庁

A plurality of first exposure segments are arranged in adjoining one another in a pattern area defined on a substrate where a resist film is formed; and the resist film in each first exposure segment is successively exposed to light in a first exposure luminous energy to transfer a mask pattern over the entire pattern area.例文帳に追加

レジスト膜が形成された基板上に定義されるパターン領域に複数の第１露光区画を互いに隣接させて配列し、パターン領域の全面にわたり第１露光量で、マスクパターンを第１露光区画それぞれのレジスト膜に対して逐次露光する。 - 特許庁

The auxiliary pattern to correct the line degeneration is added at the end of a line along the X or Y direction in the mask pattern or near the corner where the line direction changes, with the auxiliary pattern in the form of bars oblique to both of the X and Y directions.例文帳に追加

ここでは、マスクパターンにおけるＸ方向またはＹ方向に沿うラインに対して、その端部または方向を変えるコーナー近傍に、Ｘ及びＹ両方向に対して斜め方向でバー状の、ライン縮退を補正する補助パターンが付加されている。 - 特許庁

At this time, since the thin film pattern 260c formed before is located inside the grooved recessed part 26b of the chip 20 and is not contacted with the chip 20, the thin film pattern 260c is not damaged, an the thin film pattern 260c is not peeled when the mask for film deposition is removed.例文帳に追加

その際、先に形成した薄膜パターン２６０ｃは、チップ２０の溝状凹部２６ｂの内部に位置し、チップ２０とは接触しないため、薄膜パターン２６０ｃが損傷せず、成膜用マスクを外す際に薄膜パターン２６０ｃが剥離することもない。 - 特許庁

The exposure mask is provided with a design pattern 3 which forms an actual device and a monitor pattern which possesses a defect having the smallest defect size exceeding a permissible range and further a defect detectable by a defect inspection apparatus and having the defect size within the permissible range together with the design pattern.例文帳に追加

露光マスクに、実デバイス形成用の設計パタン３と共に、許容範囲を越える最小の欠陥サイズを有する欠陥、さらには欠陥検査装置による検出が可能でかつ許容範囲内の欠陥サイズを有する欠陥を備えたモニタパタンとを設ける。 - 特許庁

The gray tone mask has a light-shielding film pattern formed on a transparent substrate and a semi-translucent film pattern, wherein the light-shielding part is formed of at least a light-shielding film of the light-shielding film pattern, and the semi-translucent part is formed of a semi-translucent film formed in a substrate exposure part.例文帳に追加

該グレートーンマスクは、透明基板上に形成された遮光膜パターンと半透光膜パターンを有し、遮光部は少なくとも遮光膜パターンの遮光膜により形成され、半透光部は基板露出部に形成された半透光膜により形成される。 - 特許庁

To provide a device and method for the exact evaluation of the shape of a mask pattern with high accuracy by using a new evaluation means relating to the evaluation of the pattern shape of a photomask containing a fine pattern.例文帳に追加

マスクパターンの形状評価装置及び形状評価方法において、微細なパターンを含むフォトマスクのパターン形状評価に関して新たな評価手段を用いることにより、正確かつ高精度な形状評価装置及び形状評価方法を提供する。 - 特許庁

Electrolysis copper plating is effected on the surface of an insulation substrate 11 employing a resist pattern 21 on a thin film conductor layer as a plating mask, then, the resist pattern is separated by exclusive separating liquid to form a conductor layer 31 and a conductor layer 32 for thin wiring pattern.例文帳に追加

絶縁基材１１表面に薄膜導体層上のレジストパターン２１をめっきマスクにして電解銅めっきを行い、レジストパターンを専用の剥離液で剥離処理し、薄配線パターン用導体層３１及び薄配線パターン用導体層３２を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the photomask, an emulsion mask can be manufactured from an emulsion plate 11 by forming an exposure pattern by controlling an exposure pattern forming device, then irradiating the exposure pattern onto the emulsion plate 11 to exposure parts to be irradiated, and developing.例文帳に追加

フォトマスクの製造方法において、露光パターン形成装置を制御して露光パターンを形成し、前記露光パターンをエマルジョンプレート１１に照射してその照射部分を露光し、現像することによって、エマルジョンプレート１１からエマルジョンマスクを製造する。 - 特許庁

That is, the opening section electrode forming mask 110 has the elongated groove-like translucent pattern 114 as a basic pattern part, and the translucent patterns 116 and 118 which expand each of the two elongated longitudinal groove-like edges as correction pattern parts.例文帳に追加

すなわち、透光パターンとしては、基本パターン部として細長い溝状形状の透光パターン１１４と、補正パターン部として細長い溝状形状の長手方向の両端部のそれぞれの部分を拡張する透光パターン１１６，１１８とを有する。 - 特許庁

For the above process, a screen mask 210 having opening patterns 212A, 212C for forming the pattern for the inner periphery drying agent and the outer periphery drying agent, and an opening pattern 211 for forming the pattern for the inside drying agent having a width of opening narrower than that of opening patterns 212A, 212C, is used.例文帳に追加

このために、内周及び外周乾燥剤パターン形成用の開口パターン２１２Ａ,２１２Ｃと、開口パターン２１２Ａ,２１２Ｃよりも開口幅が狭い、内部乾燥剤パターン形成用開口パターン２１１とが形成されたスクリーンマスク２１０を用いる。 - 特許庁

On a first mask 10, a main pattern 11 corresponding to a circuit 31 and a sub-pattern 12 formed of a plurality of auxiliary patterns 13 continuously arranged and having sizes to receive influences of aberration the same as that of the main pattern 11 at the time of exposure are formed.例文帳に追加

第１のマスク１０に、回路部３１に対応の主パターン１１と、露光時に主パターン１１が受ける収差と同じ収差の影響を受けるサイズを各々が有し、連なって配列された複数の補助パターン１３より成る副パターン１２とが形成されている。 - 特許庁

To provide a pattern measuring device for appropriately evaluating a pattern formed by a double patterning method prior to transfer using a mask, or appropriately evaluating the deviation of the pattern formed by the double patterning method.例文帳に追加

本発明は、ダブルパターニング法によって形成されるパターンの評価を、マスクを用いた転写前に適正に行うパターン測定装置、或いはダブルパターニング法によって形成されるパターンのずれの評価を適正に行うパターン測定装置の提供を目的とする。 - 特許庁

In the stencil mask for batch electron beam exposure comprising a membrane region in which a stencil pattern is formed, and a bulk region surrounding the membrane region, the shape of a pattern region in which the stencil pattern is formed is hexagonal.例文帳に追加

ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、このメンブレン領域を取り囲むバルク領域とからなるステンシルマスクにおいて、ステンシルパターンが形成される領域であるパターン領域の形状が六角形であることを特徴とする電子線一括露光用ステンシルマスク。 - 特許庁

While the counter section 14 counts the period, the pattern generating section 11 previously generates a pattern being input to the memory under test 20, and when the counter section 14 completes the count, a clock mask section 15 interrupts the feed of a reference clock CLK to the pattern generating section 11.例文帳に追加

カウンタ部１４が計時している間、パターン発生部１１は被試験メモリ２０に与えるパターンを予め進めておき、カウンタ部１４の計時が終了した時点でクロックマスク部１５がパターン発生部１１への基準クロックＣＬＫの供給を中断する。 - 特許庁

To provide an overlay vernier mask pattern of a semiconductor element, along with a method of forming the same, capable of correctly forming a first overlay vernier pattern at a lower part and a second overlay vernier pattern at an upper part in the case where a triplex key method is utilized by applying a double patterning technology.例文帳に追加

ダブルパターニング技術を適用して三重キーの方法を利用する場合、下部の第１オーバーレイバーニアパターンと、上部の第２オーバーレイバーニアパターンとが正常に形成されるようにする半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターンとその形成方法を提供する - 特許庁

A plurality of pattern-like apertures 30A for depictions are formed in a film 30B of the stencil mask 30, and the film thickness of its alignment pattern 30E used for aligning it with the wafer is made smaller than the film thickness of its film 30B having the formed pattern-like apertures for depictions.例文帳に追加

膜部３０Ｂに複数のパターン状の描画用開口３０Ａが形成されるとともに、ウエハとの位置合わせに使用するアライメントパターン部分３０Ｅの膜厚を、パターン状の描画用開口が形成されている膜部３０Ｂの膜厚より小とする。 - 特許庁

To provide an inspecting device and an inspecting method that remove a fine defect desirous of being ignored which originates from an OPC pattern of a scattering bar etc., in defect inspection of a mask with a pattern, and a manufacturing method for a pattern substrate using the inspecting device and inspecting method.例文帳に追加

パターン付きマスクの欠陥検査において、スキャッタリングバーなどのＯＰＣパターンに由来する微小な無視したい欠陥を除去する検査装置及び検査方法とその検査装置及び検査方法を用いたパターン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁