「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a circuit part that can transfer a solder paste to a pattern with good precision even if there is difference in length between the pattern of a substrate and an orifice of a mask.例文帳に追加

この発明は基板のパターンとマスクの開口部とに寸法差があっても、ソルダペーストを上記パターンに精度よく転写できるようにした回路部品の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A wafer 11, on which a resist pattern 16 is formed, is placed into a dry-etching device, and then dry etching is implemented on an antireflection film 15 and a silicon nitride film 14, using the resist pattern 16 as an etching mask.例文帳に追加

レジストパターン１６が形成されたウエハ１１をドライエッチング装置に投入し、レジストパターン１６をエッチングマスクとして、反射防止膜１５及びシリコン窒化膜１４に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

When a phase shift mask pattern formed by dry-etching a transparent substrate is inspected, a state wherein an etched surface is made porous is measured to detect an incomplete shifter pattern part.例文帳に追加

透明基板をドライエッチングによって形成した位相シフトマスクパターンのパターン検査において、エッチング表面が多孔質化された状態を計測することによって不完全なシフターパターン部を検出する。 - 特許庁

This ellipse detection device executes pattern matching to all pixels in image data of a processing target by use of a previously stored mask pattern (S2-3) to estimate normal directions of edge pixels.例文帳に追加

楕円検出装置は、予め記憶しているマスクパターンを用いて処理対象の画像データ中の全画素に対してパターンマッチングを行うことにより（Ｓ２−３）、エッジ画素の法線方向を予測する。 - 特許庁

Then, a resist pattern 5 is formed on the polycrystalline silicon film 3 and impurities 6 are implanted inside the polycrystalline silicon film 3 in an area to form the NMOS with the resist pattern 5 as a mask.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン膜３上にレジストパターン５を形成し、このレジストパターン５をマスクとしてＮＭＯＳを形成すべき領域の多結晶シリコン膜３内に不純物６を注入する。 - 特許庁

A wafer 11 formed with the resist pattern 16 is charged in a dry etching apparatus, and an antireflection film 15 and a silicon nitride film 14 are dry etched with the pattern 16 used as an etching mask.例文帳に追加

レジストパターン１６が形成されたウエハ１１をドライエッチング装置に投入し、レジストパターン１６をエッチングマスクとして、反射防止膜１５及びシリコン窒化膜１４に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

The metallic mask pattern 8 (i.e., photoresist pattern 7) is made so that the projected part of the periodic rugged grating on the surface of the double refracting film 3 becomes more projected than the part other than the periodic rugged grating.例文帳に追加

複屈折膜３の表面の周期的な凹凸格子の凸部が周期的な凹凸格子外の部分より凸になるように金属マスクパターン８（すなわち、フォトレジストパターン７）を作製しておく。 - 特許庁

To provide a pattern defect correcting device which can be used effectively for a correction object having a large variety of pattern shapes like a photomask used in a manufacturing process of a shadow mask.例文帳に追加

シャドウマスクの製造過程で用いるフォトマスクのように、多種多様なパターン形状を有する修正対象に対しても有効に利用することができるパターン欠陥修正装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 31 is etched by using the pattern 34a as a mask, a trench is formed on the surfacial side of the semiconductor substrate 31 and the pattern 34a is removed from the semiconductor substrate 31.例文帳に追加

パターン３４ａをマスクにして半導体基板３１をエッチングし、半導体基板３１の表面側にトレンチを形成すると共に、半導体基板３１上からパターン３４ａを除去する。 - 特許庁

During layout of the mask for micromachining the cMUT layer, either the hexagonal pattern or the alignment key is rotated until an axis of symmetry of the hexagonal pattern is aligned with an axis of the alignment key.例文帳に追加

ｃＭＵＴ層を微細加工するためのマスクレイアウト中に、六角形パターンの対称の軸がアラインメントキーの軸と整列するまで六角形のパターン又はアラインメントキーのいずれかが回転される。 - 特許庁

A size of a subfield and a width of a pole in a stencil mask are input as parameters, a division line for dividing a pattern data with keeping a hierarchical structure into the subfields is marked, and the pattern is divided into the subfields.例文帳に追加

ステンシルマスクのサブフィールドのサイズと支柱の幅をパラメータ入力し、階層構造を保持したままのパターンデータをサブフィールドに分割するための区切り線を入れ、上記パターンをサブフィールドに分割する。 - 特許庁

A part of light shielding lines L or the whole light shielding lines L laid in a dense part of the mask pattern P on a light transmitting support 12 are partially split by an unresolved pattern.例文帳に追加

透光性の支持体１２上のマスクパターンＰに、その密集部分に配置される一部の遮光ラインＬあるいは全部の遮光ラインＬ上を解像されない形状で部分的に刳り貫く。 - 特許庁

A pattern is formed on a substrate 51 such as a glass that corresponds protruding parts of a protruding/recessed pattern of the phase lattice, by etching, for removing, a first light reflection film 55 with a photoresist 59 as a mask.例文帳に追加

フォトレジスト５９をマスクとして第１光反射膜５５をエッチング除去することにより、ガラスなどの基板５１上に位相格子の凹凸パターンの凸部と対応するパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a photochromic display element which is simple in structure of a display medium, is a energy-saving type, and can freely change the display owing to an internal light emitting pattern without using a pattern mask at the time of displaying.例文帳に追加

表示媒体の構成が単純で省エネルギー型であり、且つ、表示の際には、パターンマスクを使用せずに内部発光パターンにより表示を自由に変更できるフォトクロミック表示素子を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming process of applying the above resist pattern thickening material to cover the surface of a resist pattern after the resist pattern is formed on the objective surface to be worked; and a patterning process of patterning the surface to be worked by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工表面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the semiconductor testing device for storing pieces of pattern data of predetermined channel numbers and bits for controlling jumps of patterns at different addresses of a pattern memory, and testing DUTs, the testing device includes a mask control unit which masks the bits for controlling jumps read out from the pattern memory, when only the pieces of pattern data of predetermined channel numbers are used and no pattern jumps are performed.例文帳に追加

所定チャンネル数のパターンデータとパターンのジャンプを制御するビットをパターンメモリの異なるアドレスに記憶させてＤＵＴの試験をする半導体試験装置において、所定チャンネル数のパターンデータのみを使用してパターンのジャンプを行わない場合に、パターンメモリから読み出されたジャンプを制御するビットをマスクするマスク制御部を設ける。 - 特許庁

The generation method for the mask data comprises a process of resizing a wiring layer pattern 120 and forming a resized pattern 130 so as to make a resize amount positive (+), a process of eliminating the resized pattern having a mutually overlapping part among the resized patterns 130 and a process of forming a stress mitigation layer pattern having a prescribed width on the outer side of the resized pattern.例文帳に追加

マスクデータの生成方法は、リサイズ量がプラス（＋）となるように、配線層パターン１２０をリサイズしてリサイズパターン１３０を形成する工程と、前記リサイズパターン１３０のうち相互に重なる部分を有するリサイズパターンを削除する工程と、前記リサイズパターンの外側に、所定の幅を有する応力緩和層パターンを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

In the exposure mask 1 where a doughnut pattern 3 and a plurality of long patterns 5 are provided on a thin film membrane 2 as an opening-like exposure pattern, a crosslinking pattern 7 thinner than the minimum line width of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5 is stretched across the opposite sides at the opening part of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5.例文帳に追加

薄膜状のメンブレン２に開口状の露光パターンとしてドーナツパターン３および複数の長尺パターン５が設けられている露光マスク１であり、ドーナツパターン３および複数の長尺パターン５の開口部の対向辺間に、ドーナツパターン３および各長尺パターン５の最小線幅よりも細い線幅の架橋パターン７を掛け渡してなる。 - 特許庁

A mask M, for forming an image of a pattern MP on a substrate P while rotating around a predetermined axis J, comprises; a pattern formation surface MF disposed around the predetermined axis J on which the pattern MP is formed; and a mark, formed in a predetermined positional relationship with the pattern MP in a predetermined area of the pattern formation surface MF, for acquiring positional information.例文帳に追加

所定軸Ｊ周りに回転しつつ基板Ｐ上にパターンＭＰの像を形成するためのマスクＭであって、パターンＭＰが形成され、所定軸Ｊ周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面ＭＦの所定領域にパターンＭＰに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。 - 特許庁

This pattern formation method further includes: a step of applying the inverted resin material onto the substrate after irradiating the upper part of the first pattern with the ultraviolet light; a step of removing the first pattern after applying the inverted resin material and forming a second pattern including the inverted resin material; and a step of processing the substrate using the second pattern as a mask.例文帳に追加

さらに、このパターン形成方法は、紫外線の照射後に、前記基板上に前記反転樹脂材料を塗布する工程と、前記反転樹脂材料の塗布後に前記第１パターンを除去し、前記反転樹脂材料を含む第２パターンを形成する工程と、前記第２パターンをマスクとして、前記基板を加工する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a touch screen panel for preventing the decrease in sensitivity by removing a mask step for forming a connection pattern for connecting a first sensing pattern or a second sensing pattern formed on the same layer to the first sensing pattern and the second sensing pattern and by decreasing the parasitic capacitance at the intersection, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

同一のレイヤー上に形成される第１感知パターンおよび第２感知パターンに対して前記第１または第２感知パターンを連結する連結パターン形成のためのマスク工程を除去するとともに、交差部の寄生キャパシタンスを低めてセンシング感度の低下を防止するタッチスクリーンパネルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Removal of a mask in a region to form the semiconductor element and removal of a sacrifice layer and the mask in the region to form the micro structure are carried out in the same process by forming the sacrifice layer by using a mask material to carry out pattern formation of a film in manufacturing the micro machine.例文帳に追加

マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。 - 特許庁

In transferring the pattern of a mask R onto a substrate W by moving a mask stage RST and a substrate stage WST, deformation of the body 14 is detected by the strain meter 80, and the relative position between the mask and the substrate is controlled, according to the detected result of the strain meter.例文帳に追加

マスクステージＲＳＴと基板ステージＷＳＴとを移動してマスクＲのパターンを基板Ｗ上に転写する際に、歪み計８０によりボディ１４の変形が検出され、制御系ではその歪み計の検出結果に応じてマスクと基板との相対位置を制御する。 - 特許庁

The mask blank is used in producing a sub-master mold 20 by imprint-transferring the fine pattern prepared on a surface of master mold 30, and has a hard mask layer on its substrate 1, wherein the hard mask layer contains a layer of chromium compound having a chemical formula CrO_xN_yC_z (where x>0).例文帳に追加

元型モールド３０の表面に設けられている微細パターンをインプリントにより転写してサブマスターモールド２０を製造する際に用いられるマスクブランクスであって、化学式ＣｒＯ_ｘＮ_ｙＣ_ｚ（ただしｘ＞０）であるクロム化合物層を含むハードマスク層を基板１上に有する。 - 特許庁

The method of repairing a phase shift mask, comprising a substrate and a phase shift pattern formed on the substrate includes a step S42 of forming a protective film on the exposed surfaces of the phase shift mask and a step S43 of cleaning the phase shift mask.例文帳に追加

基板及び前記基板上に形成された位相シフトパターンを有する位相シフトマスクを修理する方法において、位相シフトマスクの露出された表面に保護膜を形成する段階Ｓ４２と、位相シフトマスクを洗浄する段階Ｓ４３と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの修理方法。 - 特許庁

Also, in accordance with the modifying of this patterning mask, an isolation-film removing mask pattern 40a' is so modified and so designed in a first region A' of the isolation-film removing mask as to remove the predetermined region of the isolation film, which is to be formed on the first quasi activated region.例文帳に追加

また、このパターニング用マスクの修正に伴って、絶縁膜除去用マスクの第１領域Ａ’に、第１の疑似の活性化領域上に形成される絶縁膜の所定領域が除去されるように絶縁膜除去用マスクパターン４０ａ’を修正設計する。 - 特許庁

To provide a halftone-type EUV mask produced by selecting the material of a halftone film that has no only wide selectivity (flexibility) of reflectivity and high cleaning liquid-resistance, but also high processing accuracy of etching, a halftone-type EUV mask blank, a production method of the halftone-type EUV mask and a pattern transfer method.例文帳に追加

反射率の選択性の広さ（自由度）と洗浄液耐性の高さを持つと同時に、エッチングの加工精度が高くなるハーフトーン膜の材料を選定したハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供すること。 - 特許庁

The mask is used to optically transfer a pattern corresponding to an integrated circuit onto a semiconductor substrate from the mask by using an exposure device and fixtures corresponding to circuit elements constituting the integrated circuit include at least ≥1 recessed corner formed of two edges on the mask.例文帳に追加

露光装置を使用しマスクから半導体基板上に集積回路に対応するパターンを光学的に転写するためのマスクにおいて、マスク上に集積回路を形成する回路要素に対応する複数のフィーチャーは、二つのエッジにより形成された凹所コーナを少なくとも一つ以上を含む。 - 特許庁

The exposure device SYS is provided with an exposure processing main body part EX which illuminates a mask M with exposing light EL to expose the pattern of the mask M to a photosensitive board P, and carrying systems MR and PR for carrying the mask and the photosensitive board P to the exposure processing main body part EX.例文帳に追加

露光装置ＳＹＳは、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターンを感光基板Ｐに露光する露光処理本体部ＥＸと、露光処理本体部ＥＸに対してマスク及び感光基板Ｐを搬送する搬送系ＭＲ、ＰＲとを備えている。 - 特許庁

The respective leaning parts 23, 24 integrate updated amounts of a filter mask and a dictionary vector, based on recognition results by matching in the pattern recognition part 28, and update the filter mask of a mask storage part 25 and the dictionary vector of a dictionary vector storage part 21, respectively, when learning is finished.例文帳に追加

各学習部２３，２４は、パターン識別部２８のマッチングによる認識結果に基づいてフィルタ・マスクと辞書ベクトルの更新量を積算し、学習が終了の場合、フィルタ・マスク記憶部２５のフィルタ・マスクと、辞書ベクトル記憶部２１の辞書ベクトルをそれぞれ更新する。 - 特許庁

In this case, a scanning direction of the mask and the photosensitive substrate is aligned with the projection optical system, and the mask and the photosensitive substrate are moved along the scanning direction in a condition where alignment have been performed, and the pattern image of the mask is scanned and exposed on each exposure area of the photosensitive substrate.例文帳に追加

この場合、本発明では、マスクおよび感光性基板の走査方向を投影光学系に対して位置合わせし、位置合わせした状態においてマスクと感光性基板とを走査方向に沿って移動させて、感光性基板の各露光領域にマスクのパターン像を走査露光する。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask with a heat transfer printer by which a mask can easily be produced even by an average man by printing and forming a mask pattern by the heat transfer of ink on an ink ribbon to the top of a film sheet comprising paper for OHP(overhead projector) or the like with a commercially available heat transfer printer.例文帳に追加

本発明は、市販の熱転写プリンタを用いて、ＯＨＰ用紙等からなるフィルムシート上にインクリボンのインクを熱転写してマスクパターンを印刷形成することにより、一般の人でも容易に製造が可能な、熱転写プリンタを用いたマスク製造方法を提供すること。 - 特許庁

The halftone phase shift mask has a structure where a pattern recognized by a difference in the reflectance depending on the presence or absence of a light shielding layer on a phase shift layer is used as an identification mark of the mask, and the mask is manufactured by the manufacturing method for simultaneously forming the identification mark with other patterns of the light shielding layers.例文帳に追加

位相シフト層上の遮光層の有無による反射率の差に起因して認識されるパターンを当該マスクの識別マークとする構造のハーフトーン型位相シフトマスクであって、識別マークを遮光層のパターンと同時に形成する製造方法により作製する。 - 特許庁

To prevent a carbon film from depositing on a reflection mask, a lighting optical system for irradiating a soft X ray to the reflection mask, or a reduction projection optical system for forming the image of the pattern of the reflection mask in a soft X-ray reduction projection aligner using the soft X ray as the light source.例文帳に追加

軟Ｘ線を露光光源として用いる軟Ｘ線縮小投影露光装置において、反射型マスク、軟Ｘ線を反射型マスクに照射させる照明光学系、又は反射型マスクのパターンを結像させる縮小投影光学系にカーボン膜が堆積しないようにする。 - 特許庁

The mask holder 1 possesses a frame body 11 having an aperture part 111 to expose the pattern plotting part 21 of the aligning mask 2 and an upper side rail 12 and a lower side rail 13 respectively supporting the upper end part 22 and the lower end part 23 of the aligning mask 2 attached to the frame body 11.例文帳に追加

マスクホルダー１は，露光マスク２のパターン描画部２１を露出させる開口部１１１を有する枠体１１と，枠体１１に取付けられ露光マスク２の上端部２２と下端部２３とをそれぞれ支承する上側レール１２と下側レール１３とを有する。 - 特許庁

A mask material layer 44 is formed on a substrate 31 composed of a silicon substrate 42 and a monocrystalline silicon device layer 43 interposing an internal layer 41 of silicon dioxide therebetween (Fig. A), and a mask 45 having the same pattern of the flat shape of a target optical device is formed by patterning the mask material layer 44.例文帳に追加

二酸化シリコンの中間層４１を挟むシリコン基板４２及び単結晶シリコンのデバイス層４３からなる基板３１にマスク材層４４を形成し（図１０Ａ）、これをパターニングし、目的とする光デバイスの平面形状と同一パターンのマスク４５を形成する。 - 特許庁

A control unit 20 of the printer 10 specifies the optimum dither mask on every predetermined pixel position from the dither mask pattern table 52 based on the detected positional deviation of the printing head chips HT1 to HT15, and performs halftone processing by using the optimum dither mask, so as to perform printing of image data D.例文帳に追加

プリンタ１０の制御ユニット２０は、検出された印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５の位置ずれに基づき、ディザマスクパターンテーブル５２の中から所定の画素位置毎に最適ディザマスクを特定し、当該最適ディザマスクを用いてハーフトーン処理を行って、画像データＤの印刷を行う。 - 特許庁

An alignment mark 86 in a mask to be photographed by an alignment camera 36 is disposed outside an effective exposure area of the mask, while an alignment mark in a substrate includes a pixel Pw of a black matrix BM disposed outside an area, where a pattern of the mask M is to be transferred by exposure.例文帳に追加

アライメントカメラ３６によって撮像される、マスク側アライメントマーク８６はマスクの有効露光エリアの外側に設けられており、基板側アライメントマークは、マスクＭのパターンが露光転写される領域の外側に設けられたブラックマトリクスＢＭのピクセルＰｗを含む。 - 特許庁

To provide a reflective mask with a light blocking region capable of minimizing overexposure in the exposure field boundary on a wafer by enhancing the light blocking properties of the light blocking region on a reflective mask while eliminating the risk of damaging a transfer pattern, and to provide a reflective mask blank and a method of manufacturing a reflective mask.例文帳に追加

本発明は、転写パターンに損傷を及ぼす危険性を解消しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In a slice step of realizing circuit specifications required by a user according to multilayer wirings, one special purpose mask of contact forming an element, one stationary mask pattern of commonly using all via hole dispositions between wiring layers of thereafter multilayer wiring layer, wiring layer special purpose mask of the respective multilayer wirings, and a special purpose mask of the protective film, are prepared.例文帳に追加

ユーザーの要求する回路仕様を多層配線によって実現するスライス工程では、素子のコンタクト形成に関する専用マスク一つ、その後の多層配線層の配線層間における全てのビアホール配置が共通化される固定的なマスクパターン１つ、各多層配線それぞれの配線層専用マスク、及び保護膜の専用マスクが準備される。 - 特許庁

In this method for forming the diffraction optical element by transferring a mask pattern to a work, the vertical form of the diffraction optical element is formed by using a first mask and the slope part of the diffraction optical element is formed by using a second mask in the working region defined by the first mask.例文帳に追加

マスクパターンを被加工物に転写して回折光学素子を形成する回折光学素子の製造方法において、前記回折光学素子の垂直部分の形状を、第一のマスクを用いて形成すると共に、前記回折光学素子の斜面部分の形状を、前記第一のマスクで規定された加工領域内に第二のマスクを用いて形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

In the screen printing device which prints a paste on a substrate by squeegeeing on the mask plate l2 with a pattern of holes l2a, the mask plate l2 retained by a mask holder ll through an insulator lla has a continuity with a grounded part 2l through the frame part of a squeegee moving table l4 by bringing a ground wire l8 into contact with the mask plate l2.例文帳に追加

パターン孔１２ａが設けられたマスクプレート１２上でスキージングを行うことにより基板にペーストを印刷するスクリーン印刷装置において、マスクホルダ１１に絶縁体１１ａを介して保持されたマスクプレート１２にアース線１８を接触させ、スキージ移動テーブル１４のフレーム部を介して接地部２１にマスクプレート１２を導通させる。 - 特許庁

In the case of forming the resist pattern, a cylindrical exposure mask 201 is configured, light from a light source 206 is made incident on the cylindrical exposure mask, and a workpiece (resist 208/substrate 209) is exposed by turning and moving the mask 201 on the workpiece by a turning mechanism 202 while producing a near field from a very small opening formed to the exposure mask.例文帳に追加

レジストパターンを形成するに際して、円柱状の露光マスク２０１を構成し、該円柱状の露光マスク内に光源２０６からの光を入射させ、該露光マスクに形成された微小開口から近接場を発生させながら、被加工物（レジスト２０８／基板２０９）上を回転機構２０２により回転移動させて、被加工物を露光する。 - 特許庁

To provide a mask blank for charged particle beam exposure which improves the yield of mask manufacture, by removing selectively the eaves of a curvature adjustment layer generated when forming an opening by the wet etching method, in the manufacture of the mask for charged particle beam exposure using an SOI substrate with a curvature adjustment layer, and to provide a mask for charged particle beam exposure and a pattern exposure method.例文帳に追加

反り調整層を有したＳＯＩ基板を用いた荷電粒子線露光用マスクの製造にて、ウェットエッチング法により開口部形成を行った際に発生する反り調整層のひさしを選択的に除去し、マスク製造の歩留まりを向上させる荷電粒子線露光用マスクブランク、荷電粒子線露光用マスク、パターン露光方法を提供する。 - 特許庁