「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, an etching mask forming process providing a resist film 36 having a prescribed pattern on the surface of the conductive metal film 32 is performed.例文帳に追加

その後、導電性金属膜３２の表面に所定のパターンを有するレジスト膜３６を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。 - 特許庁

The hard mask of a circular dot pattern is formed on a silicon substrate (100), and a circular silicon pillar is formed by reactive ion etching.例文帳に追加

シリコン基板（１００）上に円形ドットパターンのハードマスクを形成し、反応性イオンエッチングにより円形状のシリコンピラーを形成する。 - 特許庁

An ion implantation mask pattern for covering at least the PMOS region in the CMOS region is formed on a substrate having the polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜を有する基板上にＣＭＯＳ領域のうち、少なくともＰＭＯＳ領域を覆うイオン注入マスクパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a stencil mask comprising a pattern used efficiently for exposure while keeping mechanical strength in a partial batch exposure process.例文帳に追加

部分一括露光法において、機械的強度を保ちつつ、効率良く露光に用いるパターンを具備したステンシルマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a reflective mask capable of accurately controlling a dimension of a pattern formed on a wafer, and to provide a manufacturing method for a semiconductor device.例文帳に追加

ウェーハ上に形成するパターンの寸法を精度良く制御できる反射型マスクおよび半導体デバイスの製造方法を得ること。 - 特許庁

When a membrane structure having a membrane on a frame comprising Si is manufactured and then an etching mask for etching-opening the membrane is formed, a resist pattern of a pattern 34 in a membrane region 16a surrounded by a beam 12a is formed and an etching mask having a resist pattern of a positional accuracy evaluation mark 40 is formed as for a mask distortion evaluation.例文帳に追加

Ｓｉからなる枠体上にメンブレンを備えたメンブレン構造体を作製し、次いでメンブレンをエッチング開口するエッチングマスクを形成する際、梁１２ａで囲まれたメンブレン領域１６ａにパターン３４のレジストパターンを形成すると共に、ステンシルマスク１０の格子状に延在する梁１２ａの交点下のメンブレン領域に、マスク歪み評価用として位置精度評価マーク４０のレジストパターンを有するエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a membrane mask and its manufacturing method which has an absorber pattern formed at a high position accuracy.例文帳に追加

本発明は、吸収体パターンが高位置精度のメンブレンマスクおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a projector for photographing a pattern of a mask on a substrate, which includes a radiation-sensitive layer, using a projection charged particle beam.例文帳に追加

投影荷電粒子ビームによって、放射線感応層を含む基板上にマスクのパターンを撮像する投影装置を提案する。 - 特許庁

To provide a low-cost exposure device that forms a high-definition mask pattern on an outer peripheral surface of an optically transparent cylindrical base material in a short time.例文帳に追加

安価且つ短時間で、高精細なマスクパターンを光透過性円筒基材の外周面に形成させる露光装置を提供する。 - 特許庁

ACTINIC RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY- OR RADIATION-SENSITIVE FILM, MASK BLANKS, AND PATTERN FORMATION METHOD例文帳に追加

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス、及びパターン形成方法 - 特許庁

Since the opening 15a of the gettering mask film 15 is formed by self-aligment technology utilizing the photoresist 16 as a mask, the opening pattern of the gettering mask film is formed, without being shifted from the opening pattern 16a of the photoresist 16 and a CGS film containing no impurity of catalytic metal can be formed by performing a photolithographic process only once.例文帳に追加

ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａは、フォトレジスト１６をマスクとして利用して、セルフアラインにより形成されるので、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンに対して、ゲッタリングマスク膜の開口部のパターンがずれることなく形成され、１回のフォトリソグラフィ工程によって、触媒金属による不純物を含まないＣＧＳ膜を形成することができる。 - 特許庁

The pattern forming method includes steps of: forming an etching mask 9 having a predetermined pattern formed on a member 3 to be processed; impregnating the etching mask 9 with a predetermined material 12; and patterning the member 3 to be processed using the etching mask 9 impregnated with the predetermined material 12.例文帳に追加

被加工部材３上に所定のパターンが形成されたエッチングマスク９を形成する工程と、前記エッチングマスク９に所定の物質１２を含浸させる工程と、前記所定の物質１２を含浸した前記エッチングマスク９を用い、前記被加工部材３をパターニングする工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。 - 特許庁

In manufacturing an organic EL element by a roll-to-roll process, a mask formed of a sheet-like flexible film having an adhesive surface and a predetermined opening pattern is stuck to a sheet-like substrate, and a second electrode is formed over the mask, and thereafter the mask is peeled off to form a second electrode having a predetermined pattern.例文帳に追加

ロールトゥロールにより有機ＥＬ素子を製造するのに際し、粘着面および所定の開口パターンを有するシート状のフレキシブルフィルムからなるマスクを、シート状の基板に対して貼り合せ、上記マスクの上から上記第２電極を形成した後、上記マスクを剥離して所定パターンを有する第２電極を形成するようにした。 - 特許庁

This hard mask for a shadow mask is so constructed that a pattern is formed on an ultraviolet-transmissive blue plate glass 11 so as to project in portions corresponding to opening parts of a shadow mask, that the projecting pattern is a light-screening Ni-P layer, and that a gelatin layer 14b containing silicone particles 14a having a grain size of 3 to 5 μm is provided thereon.例文帳に追加

本発明におけるシャドウマスク用ハードマスクは、紫外線透過性の青板ガラス１１上のシャドウマスク開孔部に相当する部分が突出したパターンとなり、この突出パターンは遮光性のＮｉ−Ｐ層となっており、その上層には粒３〜５μｍのシリコーン粒子１４a を含有するゼラチン層１４b が設けられた構造となっている。 - 特許庁

The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.例文帳に追加

基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁

Plural mask patterns are exchanged and transferred by multiplex exposure or switching exposure for a wafer 228 having plural regions, and at successive operating this to each wafer while exchanging those plural wafers, when the wafer (mask pattern) is exchanged, the first exposure is operated with the mask pattern used last (with respect to a shot region operated at least) before the exchange.例文帳に追加

複数の領域を持ったウエハに対して複数のマスクパターンを交換して多重露光やスティッチング露光で転写を行い、これを複数のウエハを交換しながら各ウエハに対して順に行う際に、ウエハ（マスクパターン）を交換した際には、その交換前の最後に用いたマスクパターンで（最後に行ったショット領域に対して）、最初の露光を行う。 - 特許庁

Photographic processes are carried out by using a first mask (transfer photomask) 1 having a first pattern 2 for transfer, and a second mask (correction photomask) 3 having a second pattern 4 for correction to make the influence of local flare caused during exposure through the first mask uniform in the entire exposure region, and by exposing through the masks in a random order.例文帳に追加

転写用の第１のパターン２が形成されてなる第１のマスク（転写用フォトマスク）１と、第１のマスクにより露光する際に生じるローカルフレアの影響を、露光領域全体で均一化する補正用の第２のパターン４が形成されてなる第２のマスク（補正用フォトマスク）３とを用い、両者により順不同で露光し、フォトリソグラフィーを行う。 - 特許庁

This photoresist masking method includes: attaching a compress mask to a substrate, applying photoresist to the masking pattern of the compress mask, baking the photoresist from one side of the substrate, moving the compress mask from the substrate, and forming a desired photoresist pattern on the substrate.例文帳に追加

フォトレジスト・マスキング方法は、コンプレス・マスク（ｃｏｍｐｒｅｓｓ ｍａｓｋ）と基板とを貼り付けることと、前記コンプレス・マスク（ｃｏｍｐｒｅｓｓ ｍａｓｋ）のマスキング・パターンにフォトレジストを塗布することと、基板の片側から前記フォトレジストをベーキングすることと、基板からコンプレス・マスク（ｃｏｍｐｒｅｓｓ ｍａｓｋ）を移し、基板に所望のフォトレジスト・パターンを形成することとを備える。 - 特許庁

The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.例文帳に追加

エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the photomask for evaluating an exposure apparatus comprises processes for designing an original pattern 14 including a pattern 1 for evaluation, forming a pattern in which the designed original pattern 14 is located on a grid 90, and forming a photomask 5 including a mask pattern by transferring the pattern located on the grid 90 on a transparent substrate 11.例文帳に追加

本発明における露光装置評価用フォトマスクの製造方法は、評価用パターン１を含む原画パターン１４を設計する工程と、設計された原画パターン１４をグリッド９０上に位置づけられたパターンとする工程と、グリッド９０上に位置づけられたパターンを透明基板１１上に転写することで、マスクパターンを有するフォトマスク５を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In a method for irradiating the mask pattern of a photomask with light from an exposure light source and projection-aligning the image of the mask pattern on the surface to be exposed of a substrate to be treated by a projection optical system, the photomask is housed in a casing and scanned to be projection-aligned together with this housing.例文帳に追加

露光光源からの光でフォトマスクのマスクパターンを照射して、マスクパターンの像を、投影光学系により被処理基板の被露光面に投影露光する方法において、前記フォトマスクを筐体に収容し、この筐体ごと走査して投影露光を行う。 - 特許庁

The pattern forming method is carried out by irradiating a work coated with a resist with exposure light through a mask in a plurality of shots, developing and etching the work and inspecting the formed pattern, wherein the method includes a step of inspecting the mask after the exposure and development processes and before the etching process.例文帳に追加

レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。 - 特許庁

This method for producing a substrate comprises a step for coating the pattern forming face of a substrate 100 with silane coupling to form a silane coupling film 101, a step for forming a mask 102 matching a pattern on the silane coupling film 101, and an activation step for producing a polar group by applying energy to the silane coupling film 101 from above the mask 102.例文帳に追加

基台(100)のパターン形成面にシランカップリング剤を塗布しシランカップリング膜(101)を形成する工程、パターンに合わせたマスク(102)をシランカップリング膜(101)上にかける工程、およびシランカップリング膜(101)にマスク(102)の上からエネルギーを与えて活性化させ極性基を生じさせる活性化工程、を備える。 - 特許庁

When print data on AM dot data is produced by an RIP 12, in an inkjet printer 20, the print data is divided into 4×4 pixel blocks Z by a mask pattern processing unit 41 and the dot recording order of each pixel in each block Z is decided based on a mask pattern.例文帳に追加

ＲＩＰ１２で、ＡＭ網点データの印刷データを生成すると、インクジェットプリンタ２０では、マスクパターン処理部４１により、印刷データを４×４画素のブロックＺ毎に分割し、マスクパターンに基づいて各ブロックＺにおける各画素のドット記録順序を決定する。 - 特許庁

To provide a metal mask for paste printing capable of securing a transfer amount of paste of a plenty of amount and, moreover, capable of preventing a life of the metal mask from becoming short due to a squeegee pressure upon printing even when printing a complicated printing pattern or such a printing pattern that a non-printing part is present within an opening part.例文帳に追加

複雑な印刷パターンや開口部内に非印刷部が存在するような印刷パターンを印刷する場合であっても、充分な量のペーストの転写量が確保でき、さらに印刷時のスキージ圧によるメタルマスクの短寿命化の防止が可能となるペースト印刷用のメタルマスク。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern and a method for manufacturing a semiconductor device, in which a fine mask pattern can be formed by an SWP technique, while preventing a core member made of a resist film from being deformed when a silicon oxide film is formed and etched back.例文帳に追加

ＳＷＰの手法により微細なマスクパターンを形成するときに、酸化シリコン膜を成膜する際、及びエッチバック処理する際に、レジスト膜よりなる芯材が変形することを防止できるマスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After primary exposure by using the first mask layer, abnormal exposure in the primary exposure induced by misalignment and registration of a halftone film and a light shielding film can be corrected by secondary exposure by using the second mask layer comprising the binary pattern and the halftone pattern.例文帳に追加

バイナリパターンとハーフトーンパターンで構成された第２マスクレイヤを使用することで、第１マスクレイヤを使用して１次露光した後、ハーフトーン膜と遮光膜の誤整列及びレジストレーションによって誘発される１次露光の異常露光を２次露光で補正することができる。 - 特許庁

The thin film etching method includes steps of forming a thin film on a substrate, aligning a mask having a predefined pattern above the thin film, and selectively removing the thin film by irradiating the mask with a femtosecond laser on the front surface thereof to produce the defined pattern.例文帳に追加

基板上に薄膜を形成する段階と、この薄膜上部にパターン形状が定義されたマスクを整列する段階と、このマスクに定義されたパターン形状を有するように前面にフェムト秒レーザーを照射して薄膜を選択的に除去する段階とを備える。 - 特許庁

The photomask 100 includes a mask pattern 102 on one principal surface of a transparent substrate 101, wherein the principal surface including the mask pattern 102 is covered with a fluorocarbon resin film 104 having a refractive index higher than that of air and having high transmittance for exposure light.例文帳に追加

透明基板１０１の一主面側にマスクパターン１０２を有するフォトマスク１００において、前記マスクパターン１０２を含む一主面側が、空気より屈折率が高く露光光に対して透過率の高いフッ素樹脂膜１０４で覆われていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transfer mask, a transfer mask and an exposure method by the use of a photoresist which is free from partial peeling and cracks even if the film thickness of the resist pattern is increased when a support layer opening is formed by forming the resist pattern by the use of the photoresist on the silicon support layer.例文帳に追加

シリコン支持層にフォトレジストにてレジストパターンを形成して支持層開口部を形成する際、レジストパターンの膜厚を厚くしても部分剥離、亀裂等が発生しないフォトレジストを用いた転写マスクの製造方法、転写マスク及び露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, in a region of the first region A, wherefrom a mask pattern 16 for forming an activated region is excluded, there is modified and designed the layout of a first quasi mask pattern 40a for forming a first quasi-activated region having a width which is not smaller than the predetermined width in a semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、この第１領域Ａのうち活性化領域形成用マスクパターン１６外の領域に、半導体下地に所定幅以上の幅を有する第１の疑似の活性化領域を形成するための第１疑似マスクパターン４０ａのレイアウトを修正設計する。 - 特許庁

To provide a mask mold and its manufacturing method, and to provide a molding method of a large-area micro-pattern by using the manufactured mask mold which can enlarge a nano-scale micro-pattern area and minimizing interference and a stitching error between large area cells by a simple way and at a low cost.例文帳に追加

簡単な方法と低コストでナノ級の微細パターンの大面積化を可能にし、大面積をなすセル間の干渉及び境界誤差を最小化できるマスクモールド及びその製作方法と、製作されたマスクモールドを用いた大面積・微細パターン成形方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern (selective mask) is formed on a nickel (Ni) film 1 after a desired pattern is formed on a resist film 3, a selective etching can be performed on a wafer W by merely dipping the wafer W on which the film 3 and the film 1 are coated into the process liquid to treat the wafers W with high throughput at the low cost.例文帳に追加

レジスト膜３に所望のパターンを形成した後、ニッケル(Ni)膜１にマスクパターン（選択マスク）を形成し、レジスト被膜３とニッケル膜１を被着したウエハＷを処理液に浸漬させるだけでウエハＷの選択的エッチングが可能であり、スループット高く低コストでウエハＷを処理できる。 - 特許庁

The delivery command for the one part of the nozzles included in the subsequent head is processed using the second mask of a control pattern inverted in a relation between the effectiveness and the ineffectiveness in a control pattern of the first mask, and the processed delivery command group for the one part of the nozzles included in the subsequent head is transmitted to the subsequent head.例文帳に追加

後行ヘッドが有する一部のノズル用の吐出指令については、第１マスクの制御パターンにおける有効と無効の関係を反転させた制御パターンの第２マスクを用いた処理を行い、処理がされた後行ヘッド用の吐出指令群を後行ヘッドへ転送する。 - 特許庁

By a CAD system 18, comprising a CAD tool and an operation controlling portion utilizing a mask-pattern data base, liquid-crystal driving and controlling signals are obtained so as to control the alignment of liquid-crystal molecules in the respective segments of a panel displaying portion 171 and to form a mask pattern for passing/intercepting exposure lights.例文帳に追加

ＣＡＤツール及びマスクパターンデータベースを利用した演算制御部により構成されるＣＡＤシステム１８により液晶駆動制御信号が得られ、パネル表示部１７１における各セグメントで液晶分子の配向が制御され露光光が通過／遮断されるマスクパターンが形成される。 - 特許庁

To provide a method for measuring misalignment between patterns on both surfaces of a double-face mask with high accuracy, and to provide a method for preparing a double-face mask having a top-surface pattern and a back-surface pattern superposed with high accuracy, using this measurement method.例文帳に追加

両面マスクにおける両面のパターンのずれを高い精度で測定する方法を提供すること、および、その測定方法を使用して表面のパターンと裏面のパターンが高い精度で重ね合わせられた両面マスクを作成する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the exposure method, the mask pattern 6 constituted of a metallic material is irradiated with an exposure light 15, consisting of a linearly polarized light, and a resist 7 is exposed with proximity field light generated from a part approximately perpendicular to the polarization direction of linearly polarized light out of the shape of the mask pattern 6.例文帳に追加

直線偏光からなる露光光１５を、金属材料で構成されるマスクパターン６に照射し、マスクパターン６の外形のうち直線偏光の偏光方向と略直交する部分で発生する近接場光を利用してレジスト７を露光する露光方法及び露光装置。 - 特許庁

When irradiating light from a light source 1 onto a wafer W via an optical system 2 and 2a, either of the processes can be selected that a process wherein a pattern formed on the mask 6 is transferred as it is, and a process wherein an inverted image of the pattern formed on the mask 6 is transferred.例文帳に追加

光源１からの光を光学系２、２ａを介しての、ウエハＷ上への照射は、マスク６に形成されているパターンをそのまま転写する工程と、マスク６に形成されているパターンの反転像を転写する工程とを選択自在におこなえるようにした。 - 特許庁

A mask part 11 having a pattern 13 through which vapor of film-forming material passes is fixed to one side surface of a frame 12, and a tension member 14 provided with an opening part 14a corresponding to the pattern 13 of the mask part 11 is fixed to the opposite side surface of the frame 12 in a tension applied state.例文帳に追加

成膜材料の蒸気を通すパターン１３を有するマスク部１１をフレーム１２の片面に固定し、フレーム１２の反対面に、マスク部１１のパターン１３に対応する開口部１４ａを備えたテンション部材１４を、張力を加えた引張状態で固定する。 - 特許庁

To provide a pattern processing method and a pattern processing apparatus capable of directly processing a membrane with a high degree of accuracy by irradiating a light pervious to a mask between a light source and a substrate to the membrane on the surface of the substrate and at the same time, capable of precisely masking and processing a large-sized substrate with a required minimum sized-mask.例文帳に追加

光源と基板との間のマスクを透過した光を基板表面の薄膜に照射し、薄膜を直接高精度に加工できると共に、必要最小限の大きさのマスクで大型サイズの基板も適切にマスクしつつ加工できるパターン加工方法及び加工装置を提供する。 - 特許庁

This structure makes possible electron emission whatever the intervals of the mask pattern in lithography making use of the electron emission by switching of the ferroelectric, so that a uniform electron emission is realized even with a mask pattern formed in isolation in a torus shape.例文帳に追加

この構成により、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーにおいて、マスクパターン３３の間隔によらずエレクトロンエミッションを行なわせることができ、ドーナツ状に孤立して形成されたマスクパターンにおいても、均一なエレクトロンエミッションを実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photomask for inexpensively manufacturing a mask having a mask pattern having high uniformity of in-plane distribution of sizes by being used in a lithography technology of a half pitch of 65 nm and later and possessing excellent size precision of a minute pattern, and to provide a photomask blanks used for it.例文帳に追加

ハーフピッチ６５ｎｍ以降のフォトリソグラフィ技術に用いられ、微小パターンの寸法精度に優れ、かつ寸法の面内分布の均一性が高いマスクパターンを有するマスクを安価に製造するフォトマスクの製造方法、およびそれに用いられるフォトマスクブランクスを提供する。 - 特許庁

The process of forming the mask layer 45 is carried out, for example, by loading the ink-jet printer 47 with an ink tank charged with a masking material 46 and injecting the masking material 46 onto the surface of the organic film 11 into a prescribed pattern (a pattern forming the openings) to form the mask layer 45 on the organic film 11.例文帳に追加

こうしたマスク層４５の形成工程は、例えば、マスキング材４６を充填したインクタンクをインクジェットプリンタ４７に装填し、所定のパターン（開口の形成パターン）でマスキング材４６を有機膜１１の表面に噴射して、有機膜１１上にマスク層４５を形成する。 - 特許庁

To provide an aligner which prevents the mixing of atmosphere from outside into a substitution space upon exchanging and adjusting a component in the optical system of the exposure device for transferring the mask pattern of a mask with a transferring pattern, onto a photoreceptor by illumination light for exposure.例文帳に追加

転写用パターンが形成されたマスクのマスクパターンを露光用の照明光により感光体上に転写する露光装置の光学系において、部品交換及び調整を行う際に、置換空間に外部から大気の混入を防止する露光装置を提供する。 - 特許庁