「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

The electron beam exposing stencil mask manufacturing method is for manufacturing the electron beam exposing stencil mask composed of a membrane having a stencil pattern and a grid-like silicon strut part for supporting the membrane.例文帳に追加

本発明に係る電子線露光用ステンシルマスクの作製方法は、ステンシルパタンを有するメンブレンとそれを支持する格子状のシリコン支柱部からなる電子線露光用ステンシルマスクを作製する方法である。 - 特許庁

A trench is formed on a silicon substrate 1 by performing anisotropic etching using a mask pattern including a pad oxidation film formed on the silicon substrate 1, a polysilicon film 3a and a silicon nitride film 4a as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたパッド酸化膜、ポリシリコン膜３ａおよびシリコン窒化膜４ａを含むマスクパターンをマスクとして、シリコン基板１に異方性エッチングを施すことでトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a hybrid mask for optically transferring a lithographic pattern corresponding to an integrated circuit from the mask to the top of a semiconductor substrate by using an optical exposure tool.例文帳に追加

光学的露光ツールの使用によって、集積回路に対応するリソグラフィック・パターンをマスクから半導体基板上に光学的に転写するためのハイブリッド・マスクを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask for CVD (Chemical Vapor Deposition) where the pattern precision of a thin film layer can be improved by suppressing the strain of a mask stay.例文帳に追加

本発明は、マスクステーの歪みを抑制することにより、薄膜層のパターン精度を向上させることが可能なＣＶＤ用マスク及びそれを用いたディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for detecting defects of a transfer mask capable of detecting defects such as foreign matters and a projection on a pattern opening of the transfer mask.例文帳に追加

転写マスクのパターン開口部の異物や突起等の欠陥を精度良く、再現性良く検査するための転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A mask 14 for electron beam exposure has a circuit pattern 42 comprising an opening 40 in a pattern forming region 14a of a substrate 46, irradiates an electron beam Eb, and projects and exposes the circuit pattern 42 into a sample 20 by the electron beam Eb through the circuit pattern 42.例文帳に追加

本電子ビーム露光用マスク１４は、開口４０からなる回路パターン４２を基板４６のパターン形成領域１４ａに有し、電子ビームＥｂを照射して、回路パターン４２を透過した電子ビームＥｂによって回路パターン４２を試料２０上に投影露光するように構成されている。 - 特許庁

The mask 130 is provided for laser thermal transfer including a first pattern part 20 and a second pattern part 30 formed in a part including a top within at least one side of the first pattern part, and characterized in that the second pattern part has an area of 8 to 8,500 μm^2.例文帳に追加

第１パターン部２０と、第１パターン部の少なくとも１辺の中で頂点を含む一部分に形成される第２パターン部３０とを含み、第２パターン部は８〜８５００μｍ^２の面積を有することを特徴とするレーザ熱転写用マスク１３０が提供される。 - 特許庁

To provide a radiation-curing composition giving a hardened body excellent in pattern accuracy even under relatively small exposure energy, a method for storing the same, a method for forming a cured film, and a pattern forming method, and to provide a pattern using method using a pattern as a resist mask, electronic components, and an optical waveguide.例文帳に追加

露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供すると共に、それを用いたパターン使用方法、電子部品及び光導波路を提供する。 - 特許庁

When an original pattern profile 1 which is to be transferred by the use of an electron beam projection exposure mask is divided into a plurality of pattern profiles that are complementary to each other, the original pattern profile 1 is divided into demarcations by the use of grids 2 whose size is determined on the basis of the minimum line width of the original pattern profile 1.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクを用いて転写すべき原パターン形状１を、相補的な複数のパターン形状に分割するのにあたって、先ず、前記原パターン形状１を、その最小線幅を基準に一区画の大きさが決定された格子２を用いて分割する。 - 特許庁

Next, contour extraction p5 is applied to the extracted pattern to acquire a pattern contour line, comparative measurement p6 is performed from data of the contour line to quantitatively measure a form difference of the pattern, and an acceptance/rejection decision p7 is performed to inspect the pattern appearance of the inspection target mask.例文帳に追加

次に抽出されたパターンに対して輪郭抽出処理ｐ５を行いパターン輪郭線を取得し、輪郭線のデータから比較計測ｐ６を行ってパターンの形状差を定量的に計測し、合否判定ｐ７することにより検査対象マスクのパターン外観検査を行う。 - 特許庁

To provide a radiation-curing composition giving a hardened body excellent in pattern accuracy even under relatively small exposure energy, a method for storing the same, a method for forming a cured film, and a pattern forming method, and to provide a pattern using method using the pattern as a resist mask, electronic components, and an optical waveguide.例文帳に追加

露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供すると共に、それを用いたパターン使用方法、電子部品及び光導波路を提供する。 - 特許庁

An exposure mask includes a plurality of evaluation patterns P comprising a first patterns P1 and a second pattern P2 disposed at a predetermined interval, wherein each evaluation pattern P is disposed in such a manner that the interval between the first pattern P1 and the second pattern P2 along a specified direction differs from other patterns.例文帳に追加

本発明は、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２とが所定の間隔で配置された評価用パターンＰを複数備えており、各評価用パターンＰとして、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている露光用マスクである。 - 特許庁

In positioning the screen mask to a base sheet, pattern matchings of an electrode arranging pattern 6P and an opening pattern 12P formed by detecting plane shapes of electrodes 6a of the base sheet 6 and pattern holes 12a by means of a laser measuring device are performed to obtain a matching ratio and to obtain a relative position for providing the maximum matching ratio and it is outputted as a position for the mask.例文帳に追加

スクリーンマスクの基板に対しての位置合わせにおいて、基板６の電極６ａおよびパターン孔１２ａの平面形状をレーザ計測装置によって検出することにより作成された電極配置パターン６Ｐおよび開口パターン１２Ｐをパターンマッチングさせてマッチング率を求め、最大のマッチング率を与える相対位置を求めてマスク位置として出力する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask which gives a symmetric spatial image with respect to an image plane even when the dimension of a pattern formed on the mask is in the size of around wavelengths of light from a light source, and to provide an exposure method using the mask.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクであってこれに形成されたパターンの寸法が光源光の波長程度の大きさであっても、空中像が像面に関して対称となるようなハーフトーン型位相シフトマスク及びこれを用いた露光方法を提供すること。 - 特許庁

The mask force device is releasably connected to the mask in order to provide an accelerating force to the mask so that a projection optical system in a lithographic apparatus may accurately project a pattern imparted by the patterning device onto a target portion of a substrate by using a radiation beam.例文帳に追加

マスク力デバイスは、リソグラフィ装置内の投影光学系が放射ビームを用いて基板のターゲット部分上にパターニングデバイスによって付与されるパターンを正確に投影できるように、加速力をマスクに提供するためにマスクに取外し可能に連結されている。 - 特許庁

To manufacture a vapor deposition mask for obtaining a prescribed shape and a prescribed circuit pattern by sticking and fixing a metallic mask 4 impossible to keep a prescribed dimension and shape in the metallic mask single body to a vapor deposition fixture frame for an organic electroluminescence element.例文帳に追加

本発明は、メタルマスク単体にて所定の寸法形状を維持できないメタルマスク４を、有機エレクトロルミネセンス素子用蒸着治具枠へ接着固定し、所定の寸法形状および所定の回路パターンを実現する蒸着マスクを作成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a transfer mask data correction system to obtain a transfer mask suitable to eliminate the troubles caused by the physical phenomenon which follows the etching or ion implantation and the electron beam lithography when manufacturing a mask pattern.例文帳に追加

エッチングやイオン注入等に伴う物理現象に起因した不都合、および、マスクパターンを製作する際の電子線描画に伴う物理現象に起因した不都合を解消に適した転写用マスクを得るための転写用マスクデータ補正装置を提供する。 - 特許庁

To provide a mask data creation method by which what kind of OPC (optical proximity correction) process is performed can be easily read out and removal of an OPC pattern in an inhibited region can be easily checked, and to provide a mask manufacturing apparatus, a mask, a program and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

どの種類のＯＰＣ処理が行われているかを容易に読み取れ、かつ禁止領域でＯＰＣパターンが除去されていることが容易に確認できるマスクデータ作成方法、マスク製造装置、マスク、プログラム及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of performing positional accuracy±10 μm of a pattern in a square of about 50 cm even when a metal mask is once adhered on a screen fabric adhered to a frame and the deposition metal mask is manufactured by a transfer method of transferring the metal mask to a body frame.例文帳に追加

枠に貼り付けられた紗の上に、一旦メタルマスクを貼り付け、メタルマスクを本枠上へ転写する転写法によって蒸着マスクを製造しても、約５０ｃｍ角大でパターンの位置精度±１０μｍを達成する製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure mask capable of forming a normal pattern, without being affected by foreign matters, even if foreign matters such as very fine dust within a predetermined size range are interposed between the mask and a photosensitive material, in addition to prevention of scratches of the mask body.例文帳に追加

マスク本体への傷付き防止に加えて、万一、マスクと感光剤との間に微小なごみ等の異物が介在した場合でも所定範囲内の大きさであれば異物の影響を受けることなく正常なパターンを形成できるような露光用マスクを提供する。 - 特許庁

An exposure mask pattern 22A has such a form of which the branch point part 22Ad is formed by connecting a part between the edge part 22Ab1 of a 1st branching mask part 22Ab and the edge part 22Ac1 of a 2nd branching mask part 22Ac with straight edge parts 51, 52, 53 in a trapezoidal shape.例文帳に追加

露光用マスクパターン２２Ａは、分岐点部分２２Ａｄが、第１の分岐マスク部２２Ａｂの縁部２２Ａｂ１と第２の分岐マスク部２２Ａｃの縁部２２Ａｃ１との間とが、直線状の縁部５１、５２，５３でもって台形状に繋いである形状である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printing mask and a device for forming a pattern of an opening which enable reduction of impairment of an edge and deformation of an inner wall occurring in a perforated opening part of a mask material on the occasion when a perforating member such as a drill or a punch is extracted from the mask material.例文帳に追加

ドリル又はポンチなどの貫通加工用部材をマスク材から引き抜く際に、該マスク材の貫通開口部に生ずる縁の傷付きや内壁の変形を軽減することができる印刷用マスク製造方法及び開口パターン形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for inspecting a mask by which defects in a fine pattern and a hole on a mask for exposure with charged particle rays are accurately detected and to provide an apparatus for inspecting a mask capable of shortening inspection time while ensuring high resolution.例文帳に追加

荷電粒子線露光用のマスク上の微小なパターンやホールの欠陥を高精度に検出するマスク検査方法を提供すると共に、高解像度でありながら検査時間の大幅な短縮が可能なマスク検査装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To enhance plate-separability of a printing target body and a mask by pulling up the mask with a magnetic force, and to easily adjust the magnetic force for pulling up the mask in a screen printing apparatus and a screen printing method for printing a printing material in a predetermined pattern.例文帳に追加

印刷材料を所定のパターンで印刷するスクリーン印刷装置及びスクリーン印刷方法において、磁力を用いてマスクを引き上げて被印刷体とマスクとの離版性を高めるのと同時に、マスクを引き上げる磁力を容易に調整可能にする。 - 特許庁

When shift resisters 200 that are not to be masked output indeterminate values according to the test pattern at this time, control signals which make the indeterminate mask device 220 mask the output of the shift resister are read from test data, to control the indeterminate mask device 220.例文帳に追加

このときのテストパターンに応じて、マスク対象とならなかったシフトレジスタ２００が不定値を出力する場合に、テストデータから不定マスク器２２０に対して当該シフトレジスタの出力をマスク対象とする制御信号を読み出して不定マスク器２２０を制御する。 - 特許庁

The metal mask for forming the crystal electrode film including the lower electrode metal mask with electrode pattern openings, the intermediate plate with openings each for packing the crystal substrate, and the upper electrode metal mask with electrode pattern openings is configured by embedding many small-sized springs to the intermediate plate, and providing many adjustment holes to the upper electrode metal mask at positions corresponding to the spring embedded positions.例文帳に追加

電極パターン開口部を有する下電極メタルマスクと、水晶板を充填する開口部を有する中板と、電極パターン開口部を有する上電極メタルマスクとを備えた水晶電極成膜用メタルマスクにおいて、前記中板に小型のスプリングを多数埋設し、前記上電極メタルマスクで前記スプリングの埋設位置に相当する位置に多数の調整孔を設けた水晶電極成膜用メタルマスクを構成する。 - 特許庁

In the illumination method generating a proximity field light by projecting an irradiation light 210 to a mask 201 having a mask pattern of micro openings not larger than the wavelength size on a mask base material, i.e. a transparent substrate, an illumination means generating the proximity field light is arranged to illuminate the boundary surface of the transparent substrate and the mask pattern with the irradiation light obliquely from the transparent substrate side.例文帳に追加

マスク母材である透明基板上に波長サイズ以下の微小開口によるマスクパターンを有するマスク２０１に、照射光２１０を入射させ近接場光を発生させる照明方法であって、前記照射光により、前記透明基板と前記マスクパターンとの境界面を、該透明基板側から斜めに照明するようにして、近接場光を発生させる照明手段を構成する。 - 特許庁

Moreover, a mask layer 105 with a predetermined opening pattern formed and consisting of an ArF resist is formed on the antireflective coating 104.例文帳に追加

また、反射防止膜１０４の上には、所定の開口パターンが形成されＡｒＦレジストからなるマスク層１０５が形成されている。 - 特許庁

To provide a pattern drawing device for preventing adhesion of dust on the surface of a mask and keeping high drawing quality.例文帳に追加

マスクの表面に粉塵が付着することを防止し、高い描画品質を維持することができるパターン描画装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein the variation of tolerance of a circuit pattern which is generated between a treated substrate and a stencil mask can be corrected.例文帳に追加

被処理基板とステンシルマスクに生じた回路パターンの寸法差を補正可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately transfer the pattern of a mask to a substrate, without being affected by a variation in optical characteristics of a laser beam even if the variation occurs.例文帳に追加

レーザ光の光学特性が変動してもこれに影響を受けることなく、基板上にマスクのパターンを精度良く転写する。 - 特許庁

A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層４０に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Functional films 28 and 29 configured of functional materials are formed on a substrate 18, and a mask pattern 38 is arranged on the functional films 28 and 29.例文帳に追加

基板１８上に機能性材料からなる機能膜２８，２９を成膜し、機能膜２８，２９上にマスクパターン３８を設ける。 - 特許庁

To provide a photomask that expresses a large number of grayscale levels even in a gray tone mask having a binary pattern composed of a light-transmitting region and a light-shielding region.例文帳に追加

光透過領域及び遮光領域からなる２値パターンのグレートーンマスクにおいても、多くの階調数を表現する。 - 特許庁

To provide a mask for film deposition capable of allowing a vapor deposition to be performed accurately on a desired position while suppressing positional displacement of vapor deposition pattern.例文帳に追加

蒸着パターンの位置ずれを抑え所望の位置に精度よく蒸着を行うことができる成膜用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a mask blank suited for manufacturing substrate digging type phase shift masks, including a light-shielding film pattern of a tantalum-based material.例文帳に追加

タンタル系材料の遮光膜パターンを有する基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するのに適したマスクブランクを提供する。 - 特許庁

To quickly obtain final pattern data in a mask design step where masks used in the manufacture of a semiconductor integrated circuit device are designed.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造に用いられるマスクの設計段階において、最終的なパターンデータを迅速に得ること。 - 特許庁

To manufacture a TFT (Thin Film Transistor) without using a mask pattern that uses a resist composition and to manufacture a display device using the TFT.例文帳に追加

レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。 - 特許庁

The columnar structures 17 are formed by an etching process using a fine dot pattern 16 formed on the substrate 11 as a mask.例文帳に追加

柱状構造体１７は、基板１１上に形成された微細なドットパターン１６をマスクとして利用したエッチングプロセスで形成される。 - 特許庁

To provide an exposure system capable of exposing a mask pattern over the entire surface of a substrate to be exposed with a relatively small occupancy space.例文帳に追加

比較的小さい占有スペースで被露光基板の表面全体にマスクパターンを露光することのできる露光装置を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING AND EVALUATING FORM OF MASK PATTERN AND RECORDING MEDIUM RECORDING FORM MEASURING AND EVALUATING PROGRAM例文帳に追加

マスクパターン形状計測評価装置および形状計測評価方法並びに形状計測評価プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

A wide area processing is executed by synchronously controlling both a mask by which a pattern is generated and a stage to scan the workpiece.例文帳に追加

パターンを発生するマスクと、ワークを走査するステージとを同期制御することにより広い面積の加工を行なうことができる。 - 特許庁

A device pattern DP imprinted on a wafer W is divided into patterns P1, P2, and each of them is formed into a different mask, respectively.例文帳に追加

ウエハＷ上に転写されるデバイスパターンＤＰは、パターンＰ１、Ｐ２に分割され、それぞれが別々のマスクに形成されている。 - 特許庁

A level difference comparing portion 14 compares amplitudes of the time frequency components X1(f, t) and GfX2(f, t) by time frequency component, and generates a mask pattern m1(f, t).例文帳に追加

レベル差比較部14は、時間周波数成分X1(f,t),GfX2(f,t)の振幅を各時間周波数成分ごとに比較し、マスクパターンm1(f,t)を生成する。 - 特許庁

To properly correct a spherical aberration of a projection optical system, and to transfer the pattern of a mask correctly onto a photosensitive substrate.例文帳に追加

投影光学系の球面収差を良好に補正することができ、ひいてはマスクのパターンを感光性基板上に正確に転写する。 - 特許庁