「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface facing at least the color filter, of a light shielding pattern of the light shielding mask is formed in a low reflecting surface to visible light.例文帳に追加

遮光マスクの遮光パターンの、少なくともカラーフィルターと相対する側の面を可視光に対して低反射表面にする。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Since a mask pattern in which a plurality of kinds of sub-patterns are aperiodically arranged is used, irregularity of the arrangement of dotst is increased compared to a case when the mask pattern comprising one kind of sub-pattern is used and the image quality degradation of the printed image caused by the shifting of the dot forming position can be made inconspicuous (robustness is increased).例文帳に追加

複数種類のサブパターンを非周期的に配置したマスクパターンを使用するため、１種類のサブパターンからなるマスクパターンを使用する場合と比較して、ドットの配置の不規則性が高まり、ドットの形成位置のずれによる印刷画像の画質劣化を目立ちにくくする（ロバスト性を高める）ことができる。 - 特許庁

To provide a method for effectively removing an Ni film without eroding a mask member made of stainless steel when removing the Ni film deposited in a thin film pattern forming process from a surface of the mask member made of stainless steel used for pattern forming in the film pattern forming process such as sputtering.例文帳に追加

スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたＮｉ膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ｎｉ膜を効果的に除去し得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for inspecting a mask pattern dimension capable of matching a lithography simulation result and a wafer exposure result at the same degree as a case using pattern contour data directly acquired by an optical method without receiving influence of sidewall shape of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの側壁形状の影響を受けずに、リソグラフィシミュレーション結果とウエハ露光結果を直接に光学的手法により取得されたパターン輪郭データを用いる場合と同程度に一致させることができる、マスクパターン寸法検査方法およびマスクパターン寸法検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The mask pattern is constituted of combination of the same number of transmissive parts and nontransmissive parts for transmitting or shutting off 1 bit of signal light and accordance or discordance between a bit pattern and the mask pattern of the signal light is detected by detecting a maximum value or a minimum value of optical intensity detected by an optical detector 24.例文帳に追加

マスクパターンは、１ビット分の信号光を透過又は遮断する透過部及び非透過部が同数組み合わされたものであり、光検出器２４で検出される光強度の最大値又は最小値を検出することにより、信号光のビットパターンとマスクパターンとの一致又は不一致を検出する。 - 特許庁

This inspection device 10 for a printed wiring board for inspecting the conductor pattern formed on an insulated substrate surface is provided with a computing part 14 for regenerating a mask film preparing data, based on an actual dimension data of the conductor pattern, and based on the mask film preparing data used when forming the conductor pattern.例文帳に追加

絶縁基板表面に形成された導体パターンを検査するプリント配線板の検査装置１０であって、前記導体パターンの実測寸法データと、該導体パターンを形成した際に用いたマスクフィルム作製データとに基づいて、該マスクフィルム作製データを再生成する演算部１４を備えている。 - 特許庁

The positions of base patterns formed on a substrate are detected, pattern data on patterns to be formed on the substrate are corrected on the basis of information on the positions of the base patterns, mask patterns based on the corrected pattern data are displayed in a liquid crystal panel and pattern formation is carried out by lithography using this liquid crystal panel as a mask.例文帳に追加

基板上に形成された下地パターンの位置を検出し、下地パターンの位置情報に基づいて基板上に形成すべきパターンのパターンデータを補正し、液晶パネルに補正パターンデータに基づくマスクパターンを表示し、この液晶パネルをマスクに用いてリソグラフィーによりパターン形成を行う。 - 特許庁

This method comprises a step of moving a metal mask for every component which has a certain thickness and is provided with only opening grooves corresponding to a foot pattern of a printed wiring board so that the grooves are aligned with the position corresponding to the foot pattern, and a step of vertically moving the mask to adjust a clearance between the foot pattern and the grooves.例文帳に追加

プリント配線板のフットパターンに対応する開口溝のみを設けた一定の厚さの部品毎メタルマスクを、フットパターンに対応した位置に開口溝が一致するように移動させるとともに、フットパターンと開口溝の下端との間のクリアランスを調整するように上下方向に移動させる構成とした。 - 特許庁

By the configuration, in the formation of a desired three-dimensional structure pattern on the substrate, the hard mask layer is the material of a high etching selection ratio to the substrate, so that the step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed can be made smaller than the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明の構成によれば、所望する３次元構造パターンを基板に形成する場合、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも小さくすることが出来る。 - 特許庁

The pattern forming method includes a first pattern 10a having a first minimum size D_min1, and a second pattern 10b having a second minimum size D_min2; and a first exposure stage of performing exposure using a Levenson type mask, and a second exposure stage of performing exposure using a halftone type mask.例文帳に追加

パターン形成方法は、第１最小寸法Ｄ_min1を有する第１パターン部１０ａと、第２最小寸法Ｄ_min2を有する第２パターン部１０ｂとを含むパターン形成方法であって、レベンソン型マスクを用いて露光を行なう第１露光工程と、ハーフトーン型マスクを用いて露光を行なう第２露光工程とを含む。 - 特許庁

The device for correcting layout pattern data is provided with a pattern dividing means with which a layout pattern of a circuit is divided into plural regional patterns on the basis of a predetermined dividing rule, and a pattern classifying means with which plural regional patterns formed by being divided by the pattern dividing means are classified at every different mask on the basis of a predetermined classifying rule.例文帳に追加

回路のレイアウトパターンを、所定の分割ルールに基づいて、複数の領域パターンに分割するパターン分割手段と、該パターン分割手段により分割されてなる複数の領域パターンを、所定の分類ルールに基づいて、異なるマスク毎に分類するパターン分類手段とを設ける。 - 特許庁

After the image of a mask pattern is inputted and processed by using a computer to extract the data of the outline of the pattern, a specified pattern is encoded into vectors and the shape characteristics of the specified pattern are judged and processed to calculate a specified shape characteristic value to evaluate the pattern shape.例文帳に追加

マスクパターン画像を入力し、コンピュータを用いた画像処理によってパターンの輪郭形状データを抽出した後、特定パターンをベクトル符号化し特定パターンの形状特徴を判断処理して、所定の形状特性値を算出することによりパターン形状を評価することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a liquid-repellent monolayer pattern forming method using no glass mask and excellent in pattern forming accuracy and reproducibility of position and to provide a pattern of a semiconductor, a metal or the like formed using the monolayer pattern, an electro-optic device manufactured using the formed pattern and an electronic machine with the electro-optic device.例文帳に追加

ガラスマスクを使用せず、しかもパターン形成精度や位置の再現性の優れた撥液性単分子層のパターン形成方法、及びその単分子層パターンを用いて形成する半導体、金属などのパターン、更にそれを用いて製造される電気光学装置、及びこの電気光学装置を備える電子機器を提供すること。 - 特許庁

The exposure mask 1 for transferring a pattern onto a wafer by exposure includes: a pattern formation region 15 where a pattern 16 having a size not smaller than a resolution limit after being transferred onto the wafer, and a sub-pattern formation region 18 where a sub-pattern 19 having a size less than the resolution limit after being transferred onto the wafer, on a substrate 11.例文帳に追加

露光によりウェーハ上にパターンを転写する露光用マスク１において、基板１１上に、ウェーハ上で解像限界以上となるサイズのパターン１６が形成されたパターン形成領域１５と、ウェーハ上で解像限界未満となるサイズのサブパターン１９が形成されたサブパターン形成領域１８とを設ける。 - 特許庁

In a mask 1 for drawing disclosed electron beams, a membrane structure 2 where a donut-like pattern (a pattern in an endless shape) 4 is formed, and a stencil structure 3 where a pattern in a straight line shape (a pattern other than the pattern in an endless shape) 5 is formed are bond by an insulating resin or the like such as resin in one piece.例文帳に追加

開示されている電子線描画用マスク１は、ドーナッツ形状パターン（無端形状パターン）４が形成されたメンブレン構造体２と、直線形状パターン（無端形状パターン以外のパターン）５が形成されたステンシル構造体３とが、樹脂等の絶縁性接着剤等により貼り合わされて一体化されている。 - 特許庁

To provide a method for creating writing data for electron beam exposure and electron beam writing, and a method for manufacturing a photo mask, an X-ray mask, and a mask for charged beam projection aligning for creating a mask pattern exactly same as a designed value with an existing low accelerating voltage electron beam writing system by a variable shaped method.例文帳に追加

既存の低加速電圧の可変成形法の電子線描画装置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するための、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a mask pattern imaging apparatus capable of continuously carrying out alignment between a substrate and a mask on a substrate plane and alignment of a mask mark and an image plane position on the basis of light diffraction by an alignment mark provided on the substrate and an alignment mark provided on the mask arranged to be separated from the substrate.例文帳に追加

基板上に設けたアライメントマークと上記基板から離間して配置したマスク上に設けたアライメントマークによる光回折に基き、基板平面における基板とマスク間の位置合わせと、上記マスクマークの像面位置合わせとを連続的に履行可能とする、マスクパターン画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

This processor transfers the mask between a mask supplying section held at atmospheric pressure and a decompressed or vacuum processing chamber, and has a transfer means which sucks and holds the protective mechanism 100 for protecting a pattern surface PT in a non-contact manner, and transfers the mask MK held by the protective system between the mask supplier and the processing chamber.例文帳に追加

大気圧に維持されたマスク供給部と減圧または真空の処理チャンバとの間でマスクを搬送する処理装置であって、パターン面ＰＴを非接触に保護する保護機構１００を吸着し、保護機構に保持されたマスクＭＫをマスク供給部と処理チャンバとの間で搬送する搬送手段とを有する。 - 特許庁

In a process in which an exposure mask film, comprising a mask film with a mask pattern drawn thereon and a light diffusion film selectively laminated and adhered thereunder, is used to manufacture a printed wiring board, and a solder resist is exposed with ultraviolet rays via the exposure mask film, the ultraviolet rays are selectively diffused to form the solder resist.例文帳に追加

マスクパターンが描画されたマスクフィルムと、その下方に選択的に積層接着された光拡散フィルムとからなる露光用マスクフィルムを用いてプリント配線板を製造し、露光用マスクフィルムを介しソルダレジストを紫外線で露光する工程において、紫外光を選択的に拡散させてソルダレジストを形成する。 - 特許庁

An etching blocking film 7, a first insulating film 8, a second insulating film 9, and first, second and third mask forming layers, are successively formed on a substrate 1; a third mask 12' having a wiring groove pattern is formed by patterning the third mask forming layer; etching is performed from the third mask 12' to the second insulating film 9; and the connection hole 13 is opened.例文帳に追加

基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。 - 特許庁

To reduce unevenness in resist patterns on a mask due to a fogging effect in an exposure step in mask production (difference in dimension due to pattern density irregularity) and to provide a mask having high dimensional accuracy required for photolithography by which dimension equal to or below the wavelength of light for exposure (with a large numerical value of MEEF (mask error enhancement factor)) is formed on a wafer.例文帳に追加

マスク製造の露光工程においてFogging効果によるマスク上レジストパターンのばらつき（パターン疎密による寸法差）を低減し、ウェハ上で露光波長以下の寸法を加工する（ＭＥＥＦの数値が大きい）光リソグラフィで要求されるレベルの高寸法精度マスクを提供することを目的としている。 - 特許庁

NEAR-FIELD EXPOSURE MASK, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, NEAR-FIELD EXPOSURE METHOD, PATTERN FORMATION METHOD, NEAR-FIELD LIGHT LITHOGRAPHY MEMBER, AND NEAR-FIELD NANOIMPRINT METHOD例文帳に追加

近接場露光用マスク、レジストパターン形成方法、デバイスの製造方法、近接場露光方法、パターン形成方法、近接場光リソグラフィ部材、および近接場ナノインプリント方法 - 特許庁

To prevent roughness formed at the bottom of a recess while preventing a resist pattern from being diminished, when a SiOC film is subjected to dry-etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＯＣ膜に対してレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行なう場合に、レジストパターンの後退を抑制しつつ、凹部の底部に形成されるラフネスを抑制する。 - 特許庁

Using this method, the pattern exposed by overlaying and the position and inclination of the mask are corrected by suiting to the position of the pattern previously exposed on the substrate, to expose by overlaying.例文帳に追加

上記の方法を用いて、基板上に事前に露光されたパターンの位置に合わせて、重ね合わせ露光するパターン及びマスクの位置と傾きを修正し、重ね合わせ露光する。 - 特許庁

An exposure pattern 1 consisting of a single set of twin patterns 2L, 2R having the same shape mutually is arranged on an exposure mask at a fixed repeated pitch in the repeating direction into the checkers-pattern form.例文帳に追加

互いに同一形状のツインパターン２Ｌ、２Ｒを１セットとした露光パターン１を、露光マスク上に、繰り返し方向に一定の繰り返しピッチで市松格子状に配置する。 - 特許庁

A correction means 22 compares the exposure pattern 32 calculated by the calculation means 21 and the design data 30 with each other to correct the mask pattern data 31 generated by the generation means 20.例文帳に追加

補正手段２２は、算出手段２１によって算出された露光パターン３２と、設計データ３０とを比較し、作成手段２０によって作成されるマスクパターンデータ３１を補正する。 - 特許庁

An exposure apparatus 1 is provided with a mask 12 on which a pattern to be transferred to a substrate 2 is formed and transmits exposure light emitted from a light source 11 to expose the pattern on the substrate 2.例文帳に追加

露光装置１は、基板２に転写すべきパターンが形成されたマスク１２が設けられており、光源１１から出射された露光光を透過させて基板２にパターンを露光する。 - 特許庁

A mask pattern 14 is provided in a resist 8 formed on a substrate, and a pattern 12 is also provided to relax or block the conveyance of an internal stress of the resist 8.例文帳に追加

基板上に設けたレジスト８にマスクパターン１４を設けるとともに、レジスト８の内部応力の伝達を緩和あるいは遮断するパターン１２を設けることを特徴とする。 - 特許庁

EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE PATTERN DETERMINATION EQUIPMENT, EXPOSURE PATTERN DETERMINATION METHOD, PROGRAM CAPABLE OF MAKING COMPUTER EXECUTE THE SAME RECORDING MEDIUM STORING PROGRAM AND MASK例文帳に追加

露光装置、露光パターン決定装置、露光パターン決定方法、その露光パターン決定方法をコンピュータに実行させることが可能なプログラム、そのプログラムを記録した記録媒体、及び、マスク - 特許庁

Thereafter, a resist pattern is formed at a required position, and a titanium nitride film 4 and the platinum film 5 to serve as a lower electrode are patterned by dry etching, using the resist pattern as a mask for the formation of an lower electrode.例文帳に追加

その後所望の位置にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングにより窒化チタン膜４と下部電極となる白金膜５をパターニングし、下部電極を形成する。 - 特許庁

A filter kernel mask is determined in response to detected pattern information using pattern information carried by the input image, then non-linear filtering is added to the input image accordingly.例文帳に追加

入力映像が有するパターン情報を利用して検出されたパターン情報に従ってフィルターカーネルマスクを決定し、これに従って入力映像に対して非線形フィルターリングを加える。 - 特許庁

Further, the gate electrode is formed with a linear mask pattern, so that a sufficient overlapping margin can be obtained as compared with a conventional contact or bar pattern.例文帳に追加

また、ライン形態のマスクパターンを利用してゲート電極を形成することによって、従来のコンタクト形態やバー形態のパターンに比べてオーバーラップマージンを十分に確保することができる。 - 特許庁

After the exposed substrate WS is moved stepwise, the positional shift between the exposed substrate WS, and the exposure pattern of the mask M is measured by an exposure pattern positional shift detecting means 46.例文帳に追加

そして、露光済み基板ＷＳをステップ移動させた後、露光済みの基板ＷＳとマスクＭの露光パターンの位置ずれ量を露光パターン位置ずれ検出手段４６で計測する。 - 特許庁

To erase an unwanted pattern (for example, a side lobe or the like) formed together with a resist pattern by increasing its thickness, whereby it is attempted to reduce a load on an exposure mask design and enlarge a focal depth.例文帳に追加

レジストパターンと共に形成される不要なパターン（例えば、サイドローブなど）を厚肉化させて消去することにより、露光マスク設計への負担軽減及び焦点深度の拡大を図る。 - 特許庁

To provide a system and a method for enhancing the performance of a lithographic system free from a mask by reducing pattern data required in datapath to a pattern generator.例文帳に追加

パターン発生器へのデータ経路において必要とされるパターン・データを低減することによって、マスクのないリソグラフィ・システムの性能を向上させるシステム及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposing system which can predict the quantity of exposure enough to form a resist pattern having a line width equivalent to a design value even if there is any manufacturing error in the line width of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの線幅が製造誤差を有する場合も、設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光量を予測する露光システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that avoids a defect of a transfer pattern caused by a defect in charging a mask material in a pattern formed on a template in an imprinting method.例文帳に追加

インプリント法において、テンプレートに形成されたパターンへのマスク材料の充填不良に伴う転写パターンの不良を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

With a second resist pattern 203 for covering the upper side of the sacrificial layer 9 as a mask, the conductive film 13 part on the structure film 11 is etched according to the shape of a wiring pattern 13a.例文帳に追加

犠牲層９の上方を覆う第２レジストパターン２０３をマスクに用いて構造体膜１１上の導電膜１３部分を配線パターン１３ａの形状にエッチングする。 - 特許庁

This enables the printing control to be securely executed for each unit pixel without disrupting the positional relation between the dot arrangement pattern and the mask pattern which are generated to be associated with each other.例文帳に追加

これにより、互いに関連付けて作成されているドット配置パターンとマスクパターンの位置関係を崩すことなく、単位画素に対する記録制御を確実に実行することが可能となる。 - 特許庁

After a sylilation layer is formed on the resist pattern 13A through a sylilation process, the organic film 12 is etched with plasma through the sylilation layer as a mask to form an organic film pattern.例文帳に追加

レジストパターン１３Ａにシリル化処理を行なってシリル化層を形成した後、有機膜１２に対してシリル化層をマスクにしてプラズマエッチングを行なって、有機膜パターンを形成する。 - 特許庁

Continuously, the dimension of the mask pattern is measured, and the measurement result is applied to the relation to decide an optimum heat treatment temperature for thickening the resist pattern into a desired dimension.例文帳に追加

続いて、マスクパターンの寸法を計測し、その計測結果を上記の関係に適用して、レジストパターンを所望の寸法に厚肉化するための最適な熱処理温度を決定する。 - 特許庁

Through this classification, mask patterns with different pattern shapes and correction contents need not be mixedly arranged, the pattern precision can be kept high, and the manufacture cost can be lowered.例文帳に追加

このように分類することにより、パターン形状や補正内容の異なるマスクパターンを混在させずにすみ、パターン精度を高く維持することができ、且つ製造コストも削減することができる。 - 特許庁

Then, a groove is formed on the non-porous insulation film by dry-etching with a resist pattern as a mask, and after the resist pattern is removed by ashing, the surface of the semiconductor substrate is cleaned.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより非多孔質絶縁膜に溝を形成し、アッシングによりレジストパターンを除去した後、半導体基板の表面を洗浄する。 - 特許庁

The calculating device 100 calculates and derives pattern manufacturing error data on the basis of length measurement data and the mask design data and transmits the pattern manufacturing error data to the orderer through the communication line.例文帳に追加

素子寸法演算装置１００は、測長データとマスク設計データとに基づいて、パターンの製造誤差データを演算して導出し、通信回線を介して、発注者に送信する。 - 特許庁