「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a mask 14 is formed on the foundation layer 12 in a pattern-like form and an initial epitaxially-grown layer 16 having facets 15 and composed of a III nitride is formed through the mask 14.例文帳に追加

次いで、下地層１２上にマスク１４をパターン状に形成し、マスク１４を介してファセット１５を有し、III族窒化物からなる初期エピタキシャル成長層１６を形成する。 - 特許庁

To provide a shadow mask frame assembly equipped with heat dissipation and cooling functions for improving position accuracy of a pattern of an organic electroluminescence element by suppressing thermal expansion of a shadow mask.例文帳に追加

シャドウマスクの熱膨脹を抑制して有機電界発光素子のパターンの位置正確度を向上させるための放熱及び冷却機能を具備したシャドウマスクフレーム組立体を提供する。 - 特許庁

To suppress the increase of a processing load as much as possible while carrying out distortion correction tough against changes in process conditions with respect to a mask pattern of an exposure mask.例文帳に追加

露光用マスクにおけるマスクパターンについて、プロセスの条件変動に強い歪補正を行うことを可能にしつつ、その場合であっても処理負荷の増大を極力抑制する。 - 特許庁

The sensitive material of the mask blank is patterned on the basis of the data under prescribed conditions (focal depth and beam diameter) and the mask blank is developed and rinsed to obtain a three-dimensional sensitive material pattern.例文帳に追加

そのデータに基づいて、マスクブランクスの感光性材料を所定の条件（焦点深度、ビーム径）で描画し、そのマスクブランクスを現像・リンスして三次元の感光性材料パターンを得る。 - 特許庁

The correlation with deformation of the pattern of the phase shift mask due to the difference in light intensity between a shifter part and a non-shifter part of the phase shift mask by waveguide effect is stored in a rule base.例文帳に追加

導波路効果による位相シフトマスクのシフタ部と非シフタ部との間の光強度の違いに起因する位相シフトマスクのパターンの変形との相関関係をルールベース化する。 - 特許庁

To enhance the uniformity of the etching rate within the wafer surface in etching from the rear side of a stencil mask (back etching) and to obtain a stencil mask having high accuracy of the pattern position.例文帳に追加

本発明は、ステンシルマスクの裏面からのエッチング（バックエッチング）時のエッチングレートのウエハ面内均一性を向上させ、パターン位置精度の高いステンシルマスクを提供することを課題とする。 - 特許庁

To solve the problem in near field mask exposure that the aspect ratio of a pattern being formed on a resist lowers when the opening width of a mask is set smaller than one third the exposure wavelength.例文帳に追加

近接場マスク露光において、マスクの開口幅を露光波長の１／３よりも小さくすると、レジストへ形成されるパターンのアスペクト比が低下してしまうという課題を解決する。 - 特許庁

Then a resist film having another pattern is formed on the hard mask film, and the workpiece film is selectively dry-etched with the hard mask film and the resist film as masks (S110 and S112).例文帳に追加

その後、ハードマスク膜上に別のパターンを有するレジスト膜を形成して、ハードマスク膜とレジスト膜とをマスクとして被加工膜を選択的にドライエッチングする（Ｓ１１０およびＳ１１２）。 - 特許庁

After a first sacrificial layer is formed by etching using the resist mask, a second sacrificial layer is formed by etching using the resist mask where the pattern is formed by using the same photomask.例文帳に追加

レジストマスクにより第１の犠牲層をエッチングして形成した後に、同一のフォトマスクを使用してパターンを形成されたレジストマスクを用いて第２の犠牲層をエッチングして形成する。 - 特許庁

The second polysilicon film 8 is patterned using the resist pattern 9 as a mask, and the silicon nitride film 7 and the electrode structuring films are patterned using the patterned second polysilicon film 8 as a mask.例文帳に追加

レジストパターン９をマスクとして第２のポリシリコン膜８をパターニングし、パターニングされた第２のポリシリコン膜８をマスクとしてシリコン窒化膜７と電極構成膜をパターニングする。 - 特許庁

To provide a mask for a charged particle beam exposure system, in which deformation of a circuit pattern can be limited to a range without problems related to transfer accuracy, even when inside tensile stress is applied to a mask.例文帳に追加

マスクに内部引っ張り応力を与えても、回路パターンの変形が、転写精度上問題のない範囲に収まるような荷電粒子線露光装置用マスクを提供する。 - 特許庁

The insulating film is subjected to dry etching through the mask pattern as a mask by the use of etching gas containing C_4F_8 and C_xF_y (x and y are each an integer and so set as to satisfy formulas, x≥5 and y≤(2x-1)).例文帳に追加

マスクパターンをマスクとし、Ｃ_4Ｆ_8ガスとＣ_xＦ_y（ｘ及びｙは整数であり、ｘ≧５、ｙ≦（２ｘ−１）を満たす）ガスとを含むエッチングガスを用いて、絶縁膜をドライエッチングする。 - 特許庁

To perform highly accurate alignment between a mask and a substrate in a short time by quickly and highly accurately detecting a position of an alignment mark on the mask and a position of an alignment mark on a base pattern of the substrate.例文帳に追加

マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を迅速に精度良く検出して、マスクと基板との位置合わせを短時間で高精度に行う。 - 特許庁

The photosensitive film for circuit formation has a cushion layer, a photosensitive layer of 0.1 to 50 μm in thickness, and a cover film in order on a base film and the surface which comes into contact with the pattern mask does not contaminate the mask.例文帳に追加

ベースフィルムの上に逐次クッション層、厚みが０．１〜５０μｍの感光層、カバーフィルムを有し、パターンマスクと密着する面がマスク汚染性のない回路形成用感光性フィルム。 - 特許庁

A mask and the substrate 2 are moved synchronously in the X-direction, while a part of the mask pattern on a part of the pattern projection region 28 is projected via a projection optical system for each pattern projection region 28, thereby moving the exposed region from one end to the other end of the pattern projection region 28 in the X-direction.例文帳に追加

パターン投影領域２８毎に、投影光学系を介してマスクパターンの一部をパターン投影領域２８の一部に投影しながらマスクと基板２とを同期してＸ方向に移動させることによって、露光領域を、パターン投影領域２８におけるＸ方向の両端部のうちの一方から他方に向かって移動させる。 - 特許庁

The exposure mask includes a substrate 10 having a mask pattern 11 as an exposure object, a monitoring pattern 12 disposed on the substrate 10, and a polarized light controlling element 20 disposed in the optical path of the monitoring pattern 12 on the substrate 10 and partially changing the polarization direction of polarized light illumination by 90 degrees irradiating the monitoring pattern 12.例文帳に追加

本発明では、露光対象となるマスクパターン１１を有する基材１０と、基材１０に設けられるモニタ用パターン１２と、基材１０におけるモニタ用パターン１２の光路上に設けられ、モニタ用パターン１２へ照射される偏光照明の一部の偏光方向を９０度変化させる偏光制御素子２０とを備える露光用マスクである。 - 特許庁

It also includes a step for etching the work with the resist pattern as a mask, a step for radiating the light of photosensitizing wavelength band for the photosensitizer to the resist pattern through the photomask, a step for etching the work with the resist pattern as the mask, and a step for removing the resist pattern on the work.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

Also, the method includes a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, or a step of irradiating the resist pattern with light in a photosensitive wavelength range of the photosensitizer via a photomask, a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern on the workpiece.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

This exposure mask 100 has an alignment mark pattern 12 to form an alignment mark on a substrate, first and second mask alignment patterns 14, 16 formed in the point symmetric positions each other around the alignment mark pattern as the center, and a common pattern 18 to be commonly used to pattern the first, second and third layers.例文帳に追加

露光用マスク１００は、基板上にアライメントマークを形成するためのアライメントマークパターン１２と、アライメントマークパターンを中心に互いに点対称な位置に形成された第１および第２マスクアライメントパターン１４および１６と、第１層、第２層および第３層をパターニングするために共通に用いられる共通パターン１８とを有する。 - 特許庁

A fused pattern verification part 34 verifies the space between oblique lines having protruding parts by via cells of the oblique wiring mask pattern fused by the second pattern fusing part 32 with an allowable minimum space value T(T<S).例文帳に追加

融合図形検証部３４は、第２図形融合部３２で融合された斜め配線マスク図形のビアセルによる突出部をもつ斜め線同士の間隔を許容最小間隔値Ｔ（但しＴ＜Ｓ）により検証する。 - 特許庁

The division region of a measuring pattern is extracted in correspondence with the division region of the mark pattern, and a correlation value with the mask pattern in a predetermined range about a position is calculated in correspondence with the second positioning mark.例文帳に追加

マスタパターンの分割領域に対応する被測定パターンの分割領域を抽出して、第２の位置決めマークに対応する位置を中心とする所定の範囲についてマスタパターンとの相関値を算出する。 - 特許庁

To provide a pattern exposing method and an aligner device capable of exposing a fine pattern using a mask original plate on which a relatively large pattern is formed in a reduced projection exposing method utilizing holography.例文帳に追加

ホログラフィを利用した縮小投影露光方法において、比較的大きなパターンが形成されたマスク原盤を用いて微細パターンを露光することのできるパターン露光方法および露光装置を提供する。 - 特許庁

At the time, the mask pattern is displaced so that one edge of the upper resist pattern 23 is located on the lower resist pattern 22A and the other edge of it is located on the boundary of a prescribed area, and also an amount of exposure is adjusted.例文帳に追加

この時、上部レジストパターン２３の一方のエッジが下部レジストパターン２２Ａ上に位置し、他方のエッジが所定の領域境界部に位置するように、マスクパターンの位置をずらすと共に露光量を調整する。 - 特許庁

After the sacrificial film pattern is removed, the floating gate film is etched using the pattern of the gate interlayer insulating film as an etching mask, so that a floating gate is formed under the pattern of the gate interlayer insulating film.例文帳に追加

前記犠牲膜パターンを除去した後、前記ゲートの層間絶縁膜のパターンをエッチングマスクとして使用して、前記フローティングゲート膜をエッチングして、前記ゲート層間絶縁膜パターン下部にフローティングゲートを形成する。 - 特許庁

A plurality of interconnect lines 55 which is separated by predetermined intervals on a semiconductor substrate 50, and comprises a first conductive layer pattern 52 and an insulated mask layer pattern 54 laminated on the first conductive layer pattern 52, is formed.例文帳に追加

半導体基板５０上に所定間隔で離隔されており、第１導電層パターン５２と前記第１導電層パターン５２上に積層された絶縁マスク層パターン５４とを含む複数個の配線５５を形成する。 - 特許庁

To provide a projection aligner that can set the size of a pattern that is formed on a light-sensitive substrate and at the same time the division position of the pattern on a mask can be arbitrarily set when allowing the division pattern to be subjected to joint exposure.例文帳に追加

分割パターンを継ぎ露光する際、感光基板に形成されるパターンの大きさを任意に設定できるとともに、マスク上におけるパターンの分割位置を任意に設定できる露光装置を提供する。 - 特許庁

In this time, the pattern is formed on the mask layer, and an etching processing used to transfer this pattern on the dielectric layer is carried out, thereby, a geometric shape correspondent to the pattern is formed on the dielectric layer.例文帳に追加

ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which can bring an insolubilization layer with higher etching resistance than before as a mask material when polysilazane is coated on a resist pattern to form the insolubilization layer as a pattern.例文帳に追加

レジストパターンにポリシラザンを塗布し、不溶化層を形成してパターンを形成する場合に、従来に比して不溶化層にマスク材としてのエッチング耐性を持たせることができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes forming a second resist pattern 123 protecting a region corresponding to an entire emitting region; and etching the laminated body using the first resist pattern and the second resist pattern as an etching mask, thereby forming the mesa structure.例文帳に追加

次に、出射領域の全体に対応する領域を保護する第２のレジストパターン１２３を形成し、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンをエッチングマスクとして積層体をエッチングし、メサ構造体を形成する。 - 特許庁

In the pattern exposure using that exposure mask 1, only the doughnut pattern 3 and the long patterns 5 are resolved while regulating light exposure within a range where the crosslinking pattern 7 is not resolved.例文帳に追加

この露光マスク１を用いたパターン露光においては、ドーナツパターン３および各長尺パターン５のみが解像され、かつ架橋パターン７が解像されない範囲に露光量を調整することによって行われる。 - 特許庁

To provide a method for creating a photomask pattern using an assist pattern, with which separation or placement lacking of an assist pattern is prevented, high resolution is achieved and inspection of mask defects is easily carried out.例文帳に追加

アシストパターンを用いたフォトマスクパターンの作成方法に関し、アシストパターンの分離や未配置を防止し、解像力が高くマスク欠陥検査を容易に行うことができるフォトマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁

The mask for defect inspection is produced by forming the basic pattern on a photomask substrate, applying a resist on the basic pattern, and exposing and developing the resist to form a specified pattern defect.例文帳に追加

また、この欠陥検査用マスクは、フォトマスク基板に、基本パターンを形成し、この基本パターン上に、レジストを塗布した後、レジストに、露光及び現像処理を施し、所定のパターン欠陥を形成することにより形成される。 - 特許庁

The method of pattern formation includes a step for coating a pattern formed on an organic film of a layered product comprising a base and the organic film with the film-forming material and etching the organic film using this pattern as a mask.例文帳に追加

基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a phase shift mask in which generation of an unnecessary pattern can be suppressed with high accuracy by accurately extracting the position where an unnecessary pattern due to overlapping of side lobes on transferring a pattern is generated.例文帳に追加

パターン転写時のサイドローブ重なりによる不要パターンの発生位置を的確に抽出することにより、高精度に不要パターンの発生を抑えることが可能な位相シフトマスクの形成方法を提供する。 - 特許庁

This method for pattern formation comprises the steps of forming a film of a fluophor composition on a film of a resin composition for filters, exposing the film side of the resin composition to light using an exposure mask followed by carrying out a development operation, and thereby simultaneously forming a filter pattern and a fluophor pattern.例文帳に追加

フィルタ用樹脂組成物の膜に蛍光体組成物の膜を形成し、露光マスクを用いてフィルタ用樹脂組成物の膜側から露光し現像して、フィルタパターンと蛍光体パターンを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a pattern inspection method and a pattern inspection device for constantly performing accurate pattern inspection to a body to be inspected without being affected by the optical system characteristics or the like of a sensor, and a method for manufacturing a mask.例文帳に追加

センサの光学系特性等に影響されず、被検査体に対して、常に、正確なパターン検査を行なうことができるパターン検査方法及びその装置、ならびにマスク製造方法を提供すること。 - 特許庁

To dissolve the shortage in proximity effect in the exposure position of the device pattern at the end, in a pattern exposure mask where the proximity effect arises in the exposure by the charged beam scattered on the surface of circuit material when exposing the device pattern.例文帳に追加

デバイスパターンを露光するとき、回路素材の表面で散乱された荷電ビームによる露光で近接効果が発生するパターン露光マスクで、端部のデバイスパターンの露光位置での近接効果の不足を解消する。 - 特許庁

A mask ROM 3 for input outputs mask data D3 based on a count value CT, and an AND circuit 4 performs the AND operation of data input 1 being input pattern data indicating the state of an input device and the mask data D3, and outputs an AND operation result D4 (masked input pattern data).例文帳に追加

入力用マスクＲＯＭ３はカウント値ＣＴに基づきマスクデータＤ３を出力し、ＡＮＤ回路４は入力デバイスの状態を示す入力パターンデータであるデータ入力１とマスクデータＤ３とのＡＮＤ演算を行ってＡＮＤ演算結果Ｄ４（マスク処理済み入力パターンデータ）を出力する。 - 特許庁

After the first mask pattern 320A is removed, the substrate 300 is etched simultaneously in the first region A and second region B by using the first spacer 350A as an etching mask in the first region A, and by using the second mask pattern 320B and second spacer 350B as etching masks in the second region B.例文帳に追加

第１マスクパターン３２０Ａを除去した後、第１領域Ａでは、第１スペーサ３５０Ａをエッチングマスクとして利用し、第２領域Ｂでは第２マスクパターン３２０Ｂ及び第２スペーサ３５０Ｂをエッチングマスクとして利用して第１領域Ａ及び第２領域Ｂで同時に基板３００をエッチングする。 - 特許庁

To provide an exposure mask, which includes a plurality of mask portions for forming wiring lines, the mask portions arranged parallel to one another and each having a width equal to or less than the minimum line width dimension determined by the resolution of an exposure apparatus, and which can give a wiring pattern made of a resist material having the same height while preventing the pattern from partially thinning.例文帳に追加

露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マスク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細くならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank for EUV lithography having a low reflecting layer which has a low reflectivity in the wavelength band of EUV light and inspection light of a mask pattern, having especially low reflection characteristic in the entire wavelength band (190-260 nm) of the inspection light of mask pattern, while keeping excellent adhesion to a resist.例文帳に追加

ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域に対する反射率が低く、特に、マスクパターンの検査光の全波長域（１９０〜２６０ｎｍ）に対して低反射特性を示し、かつレジストとの密着性が良好な低反射層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。 - 特許庁

Since a pattern of the reference point in a mask for original image formed by preparation processing of a mask for original image corresponds to a pattern of the reference point in a mask for shrink image, distribution of reflectivity obtained from a shrink image is extremely close to distribution of reflectivity obtained from an original image.例文帳に追加

元画像用マスク準備処理により生成された元画像用マスクによれば、元画像用マスクにおける参照ポイントのパターンと、縮小画像用マスクにおける参照ポイントのパターンとが対応しているので、縮小画像から得られる反射率の分布が、元画像から得られる反射率の分布と極めて近くなる。 - 特許庁

The halftone material film 11 is then dry-etched through the resist pattern 21a as a mask, the resist pattern 21a is removed with a special removing solution and a separately fabricated light shielding frame 31 is stuck to a prescribed position of the resulting halftone type phase shift mask of an intermediate stage to obtain the objective halftone type phase shift mask 100.例文帳に追加

レジストパターン２１ａをマスクにして、ドライエッチングにてハーフトーン材料膜１１をエッチング処理し、レジストパターン２１ａを専用の剥離液で剥離し、中間工程のハーフトーン型位相シフトマスクを作製し、別途作製した遮光性枠３１を所定位置に貼付し、ハーフトーン型位相シフトマスク１００を得る。 - 特許庁

In a pattern forming method, a mask having a hole made in a desired shape is provided on a substrate, and when a pattern having the same shape as the mask is formed by adhering a substance from above the mask, the substance is dissolved in a super critical fluid or a subcritical fluid to jet from a fine hole to the substrate.例文帳に追加

基体上に所望の形状に孔を開けたマスクを設け、マスクの上から物質を付着させることによりマスクの孔の形状通りのパターンを形成するに当たり、該物質を超臨界流体または亜臨界流体に溶解させて微小孔から基体に向けて噴射することを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.例文帳に追加

メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁