「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of die mask patterns 120 is arranged with dies 100 having the same pattern in mutually opposite orientations.例文帳に追加

複数ダイマスクパターン１２０は、ダイ１００が、互いに対向する配向で同じパターンを有する状態で配列される。 - 特許庁

To obtain a desirable pattern with high accuracy without causing deformation at an interface between a low k film and a metal mask.例文帳に追加

低ｋ膜と金属マスクとの間の界面に歪みを引き起こすことなく、高い精度の望ましいパターンを得ること。 - 特許庁

(a) A stencil mask comprising a silicon thin film 103 having an opening 104 of a prescribed transparent hole pattern shape is provided.例文帳に追加

（ａ）所定の透過孔パターン形状の開口１０４を有するシリコン薄膜１０３を具備するステンシルマスクを用意する。 - 特許庁

The mask pattern is divided into a plurality of exposure masks (S3 to S6) until the phase shifter is arranged without phase contradictions.例文帳に追加

また、位相シフタが位相矛盾なく配置されるまでマスクパターンを複数枚の露光マスク（Ｓ３〜Ｓ６）に分割する。 - 特許庁

To provide a photomask capable of transferring an appropriate mask pattern to the objective film where a systematic level difference is formed.例文帳に追加

系統的段差が形成された被加工膜に対して適切なマスクパターンの転写が可能なフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The transfer gate electrode is formed on the gate insulation film, and a mask pattern is formed on the transfer gate electrode.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜上に転送ゲート電極が提供され、前記転送ゲート電極上にマスクパターンが提供される。 - 特許庁

The water pattern of a one-shot region is formed at a semiconductor wafer by executing exposure processing using the first mask 16.例文帳に追加

第１マスク１６を使った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領域のウェハパターンを形成する。 - 特許庁

MASK PATTEN FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FINE PATTERN例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターンとその形成方法、及び微細パターンを有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

To set semiconductor process conditions which avoid the generation of crystal defects and a mask pattern shape on a simulation basis.例文帳に追加

結晶欠陥発生を回避した半導体プロセス条件およびマスクパターン形状の設定をシミュレーションベースで行う。 - 特許庁

To provide a photomask on which a fine photomask pattern is formed with high accuracy, and to provide a mask blank for producing the same.例文帳に追加

微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを作製するためのマスクブランクを提供すること。 - 特許庁

To provide a dry etching process using a selective polymer mask formed by CO gas on a photoresist pattern.例文帳に追加

フォトレジストパターン上にＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法を提供する。 - 特許庁

The phase shift mask 10 consists of a pattern region 1, peripheral part 2 and dummy region 3 formed in the peripheral part 2.例文帳に追加

位相シフトマスク１０は、パターン領域１と、周辺部２と、周辺部２に設けられたダミー領域３とから成る。 - 特許庁

Vapor deposition through holes of the predetermined pattern may be formed by executing the scanning movement of the laser beam L while the mask blank 3 is fixed.例文帳に追加

マスク素板３を不動とし、レーザービームＬを走査移動させて所定パターンの蒸着通孔を形成してもよい。 - 特許庁

The wafer pattern of the one-shot region is formed at the semiconductor wafer by executing exposure processing using the second mask 20.例文帳に追加

第２マスク２０を使った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領域のウェハパターンを形成する。 - 特許庁

The substrate 1 is etched so as to form the diffraction grating by using the resist layer 3 on which the diffraction grating pattern is formed as a mask.例文帳に追加

回折格子パターンが形成されたレジスト層３をマスクに基板１をエッチングして回折格子を形成する。 - 特許庁

The silicon pattern 51 is etched using resist 8a as a mask and the protective film 7a on the electrodes 4b as a stop layer.例文帳に追加

レジスト８ａをマスクとして、また電極４ｂ上の保護膜７ａをストップ層としてシリコン型５１がエッチングされる。 - 特許庁

The traditional Japanese folding fan used for this performance is called Kami ogi (fan of a sacred god) built with shirobone bones (white colored bones of a fan, which is used for the role of a god or an old man, without putting a Noh mask on) and its face decorated with tsuma-beni (red cloud pattern, used for the role of a young and flamboyant characters). 例文帳に追加

使用する扇は神扇（かみおうぎ）と言われ、白骨に妻紅。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To accurately and automatically adjust a drawing pattern of a 2nd mask process to a desired angle of rotation for the orientation flat of a wafer.例文帳に追加

自動的に第２マスク工程の描画パターンをウェハのオリフラに対して所望の回転角に正確に合わせる。 - 特許庁

To provide a method for printing a composite pattern on a large substrate the area of which is larger than that of a mask in a short time.例文帳に追加

マスクより面積の広い大型基板に合成パターンを短い時間で印刷するための方法を提供する。 - 特許庁

When the substrate W2 is exposed in the mask pattern, the substrate W2 is positioned by using the alignment information obtained, while the substrate W1 is exposed.例文帳に追加

露光中に得られたアライメント情報を使用して、基板にマスクパターンを露光するときの位置決めを行なう。 - 特許庁

A mask blank is provided, including a resist film formed on a substrate having a thin film, the thin film to be served as a transfer pattern.例文帳に追加

転写パターンとなる薄膜が形成された薄膜付き基板上にレジスト膜が形成されたマスクブランクスである。 - 特許庁

This is an aligner which projects and transfers the image of the pattern of a mask 1 on a substrate 2 through a projective optical system 3.例文帳に追加

マスク１のパターンの像を投影光学系３を介して基板２上に投影転写する露光装置である。 - 特許庁

The memory part 1 is provided with a net list 11, a design condition 12, a model parameter 13, a cell shape 14 and a mask pattern 15.例文帳に追加

メモリ部１は、ネットリスト１１、設計条件１２、モデルパラメータ１３、セル形状１４、及びマスクパターン１５を備えている。 - 特許庁

The exposure device EX is provided with an exposure part S for exposing a pattern of mask M to a substrate P, a library LB which can keep a mask case C for storing the mask M used by the exposure part S, and a conveyance system H1 having an arm 20 for conveying to library LB while being able to hold each of the mask M and the mask case C.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する露光部Ｓと、露光部Ｓで用いるマスクＭを収納するマスクケースＣを保管可能なライブラリＬＢと、マスクＭとマスクケースＣとのそれぞれを保持可能であるとともに、ライブラリＬＢに対して搬送するアーム部２０を有する搬送系Ｈ１とを備えている。 - 特許庁

The covering layer 3 is etched by means of the third etching mask to form a salient pattern in the covering layer 3 and to uncover the first etching mask 4 and the first material 2.例文帳に追加

カバリング層３は、第３のエッチングマスクを用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンが形成され、第１のエッチングマスク４および第１の材料２が露出される。 - 特許庁

To accurately transfer a mask-side pattern to a work by exposure, to prevent a mask with sticking dust etc., from deforming under its own weight, and further to make the installation space of a device small.例文帳に追加

マスク側のパターンをワークに正確に露光転写できると共に、マスクに塵等が付着したりマスクが自重で変形するのを防止でき、更に、装置の設置スペースを小さくする。 - 特許庁

By forming the mask layer 53 using the exposure mask 30, the inversion pattern in the inversion gate layer 32 which is obtained in a subsequent process also has curved portions in corners 32e.例文帳に追加

この露光マスク３０を用いてマスク層５３を形成すると、後の工程において得られる反転ゲート層３２における反転パターンの角部３２ｅも曲部を有することとなる。 - 特許庁

To provide a metal mask for restricting effects of a deviation of a pattern due to thermal expansion during film formimg while forming a high-definition metal mask by using an additive method.例文帳に追加

アディティブ法を用いることにより高精細なメタルマスクを形成しながら、成膜する際に熱膨張によるパターンのずれの影響を小さくすることができるメタルマスクを提供する。 - 特許庁

The exposure device EX is a scanning exposure device wherein a mask M and a substrate P are moved synchronously to transfer the pattern PA of the mask M onto the substrate P through an projection optical system PL.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンＰＡを投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上に転写する走査型露光装置である。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask structure with high pattern definition at an opening or the like, without changing a base plate structure, in relation to the vapor deposition mask and a manufacturing method of an organic EL display device.例文帳に追加

蒸着マスク及び有機ＥＬ表示デバイスの製造方法に関し、基板構造を変更することなく、開口部等におけるパターン精度の高い蒸着マスク構造を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for use in an electron beam aligner correcting a variation in the line width of a pattern due to the deflection of the mask when exposure is performed using an electron beam which cannot be made parallel completely.例文帳に追加

完全に平行にはできない電子ビームにより露光を行う際に、マスクたわみによるパターン線幅のばらつきを修正する電子ビーム露光装置に使用するマスクを提供する。 - 特許庁

An optical image of pattern drawn on a mask is acquired while using measurement results of a laser interferometer with a stage which holds the mask moving in X-direction and Y-direction (S100).例文帳に追加

マスクを保持したステージをＸ方向及びＹ方向に移動させ、レーザ干渉計の測定結果を用いながら、マスクに描画されたパターンの光学画像を取得する（Ｓ１００）。 - 特許庁

To provide a projection mask in which the number of replacement is small, in an equipment for modifying a semiconductor thin film by radiating, on the semiconductor thin film, a laser beam in conformity with an opening pattern formed in the mask.例文帳に追加

マスクに形成した開口パターンに応じたレーザ光を半導体薄膜に照射し半導体薄膜を改質する装置において、交換回数が少ない投影マスクを実現する。 - 特許庁

To provide a pattern drawing apparatus that checks and stocks a mask without conveying it out of the apparatus, whereby contamination and damage of the mask accompanying its conveyance can be prevented.例文帳に追加

マスクを装置の外部に搬送することなく検査及び収納し、それにより、搬送に伴うマスクの汚れや損傷を防止することができるパターン描画装置を提供する。 - 特許庁

Via holes (opening patterns) 107 are formed in a substrate 101 by selectively etching the substrate 101 by the dry etching method using chlorine gas with a mask pattern 106 used as a mask.例文帳に追加

塩素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０６をマスクとして基板１０１を選択的にエッチングすることで、基板１０１にビアホール（開口パターン）１０７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where dummy wiring layers are formed in a prescribed pattern, its manufacturing method, a generating method of mask data, a mask and a computer-readable recording medium.例文帳に追加

ダミー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a high transmittance halftone phase shifting mask capable of clearly transferring a required pattern to a photosensitive resin and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the mask.例文帳に追加

所望のパターンを明確に感光性樹脂に転写することが可能な、高透過率型ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second mask pattern is transferred to the second area of the resist film by exposing the second area, which is adjacent with partially laid over to the first area of the resist, with use the second mask.例文帳に追加

第２のマスクを用いて、レジスト膜の第１の領域に部分的に重なって隣接する第２領域を露光することにより、レジスト膜の第２領域に第２のマスクパターンを転写する。 - 特許庁

Moreover, a relative position to the transfer pattern to be imprinted is pinpointed, and formed in one surface of the mask membrane, so that an alignment mark composed of a recess shallower than the thickness of a mask membrane may be formed.例文帳に追加

さらに、被転写パターンとの相対位置が特定され、前記マスクメンブレンの一方の面に形成され、マスクメンブレンの厚さよりも浅い凹部で構成されたアライメントマークが形成されている。 - 特許庁

To provide an observing device capable of observing with excellent contrast a pattern which is hardly discriminated such as an HT mask even with visible light lighting, and a mask inspection device using the observing device.例文帳に追加

可視光の照明でもＨＴマスクのよう識別が困難パターンを、コントラスト良く観察することができる観察装置と、それを用いたマスク検査装置を提供すること。 - 特許庁

To provide the creation method of mask data, a mask, and a computer-readable record medium that are used when a dummy projection region is formed in a specific pattern within a trench element separation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域を所定のパターンで形成する際に使用する、マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

According to this method, a pattern can be formed with higher accuracy because diffusion into the shadow of mask from the edge of the holes of mask will not be generated, unlike the case of existing evaporation method.例文帳に追加

この方法によれば、従来の蒸着法のようにマスクの孔のエッジの部分からマスクの影へ回り込みが生じることがないため、パターンを精度よく形成することができる。 - 特許庁

To provide a proximity exposure apparatus which can prevent the deterioration of the accuracy of an exposure pattern transferred to a substrate by exposure by preventing the deviation of a mask sucked and held by a mask holding frame.例文帳に追加

マスク保持枠に吸着保持されているマスクのずれを防止し、基板に露光転写される露光パターンの精度悪化を防止することができる近接露光装置を提供する。 - 特許庁

To maintain the maximum scanning speed of a mask stage and a substrate stage even if a substrate to which a mask pattern is projected is coated with any kind of photosensitive material.例文帳に追加

マスクのパターンを投影する基板にどのような種類の感光性材料が塗布されている場合においてもマスクステージ及び基板ステージの走査速度を最高速に維持すること。 - 特許庁

To prevent the exposure amount of light, with which a resist film is irradiated, from being lowered, even if the process for transferring a mask pattern formed on a mask onto the resist film is repeated, while using EUV light.例文帳に追加

ＥＵＶ光を用いてマスクに形成されているマスクパターンをレジスト膜に転写する工程を繰り返し行なっても、レジスト膜に照射される露光量が低下しないようにする。 - 特許庁