「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

A measurement mark can be arranged at a conjugated position that is other than a mask 12 and substantially a conjugate with the pattern surface of the mask 12, for example, the position of a visual field diaphragm 34, thus arranging the measurement mark regardless of the replacement of the mask 12.例文帳に追加

マスク１２以外の位置であって該マスク１２のパターン面と実質的に共役となる共役位置である例えば視野絞り３４の位置に計測マークを配置可能とすることで、計測マークの配置をマスク１２の交換と無関係とする。 - 特許庁

In the magnetic recording medium including a protective layer having a plurality of projecting parts on the surface thereof, the projecting parts are formed by performing dry etching after an etching mask having a mask underlayer and a mask pattern layer having an island-shaped structure is formed on the protective layer.例文帳に追加

表面に複数の凸部を有する保護層を含む磁気記録媒体であって、凸部は、保護層上に、マスク下地層及び島状構造をもつマスクパターン層を有するエッチングマスクを形成した後、ドライエッチングを行うことにより形成されている。 - 特許庁

To provide a stable self alignment type phase shift mask which can prevent deterioration in transfer accuracy caused by multiple reflection on a wafer surface and a light shielding pattern surface, which has excellent phase shift mask characteristics, and which requires a short manufacturing process, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

ウェハー面と遮光パターン表面で多重反射による転写精度の劣化を防止し、位相シフトマスク特性に優れ、製造工程が短く、安定した自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal usable in the ELO technology is obtained by forming a mask layer 2 with a pattern which is constituted of mask areas (d) and non-mask areas (e) on the surface of a crystal substrate 1 on which the GaNbased crystal can grow.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、マスク領域ｄと非マスク領域ｅとが形成されるパターンにてマスク層２を形成し、ＥＬＯ技術に対応し得るＧａＮ系結晶成長用基板とする。 - 特許庁

To avoid generation of bends in the center of a transfer mask main body and to sufficiently suppressing the vibration of the transfer mask main body, concerning a transfer mask to be used at pattern transfer, in the manufacturing process of a semiconductor.例文帳に追加

本発明は半導体の製造プロセスでパターン転写の際に用いられる転写マスクに関し、転写マスク本体の中央部に撓みを生じさせることがなく、かつ、転写マスク本体の振動を十分に抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a mask defect inspection apparatus which can inspect defects of a mask at once and can easily identify the kinds of defects even when illumination light has shorter wavelengths and even when the mask pattern has larger film thickness.例文帳に追加

照明光の短波長化にもかかわらずかつマスクのパターンの膜厚が厚くなってもマスクの欠陥検査を一度に行うことができかつその欠陥の種類の識別も容易に行うことができるマスク欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for charged particle beam exposure eliminating thermal deflection and displacement of a membrane due to heat storage during exposure without blocking formation of a fine mask pattern, and to provide a method of manufacturing the mask for charged particle beam exposure.例文帳に追加

微細なマスクパターンの形成を阻害することなく、露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみ及び位置ずれを解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスク及び荷電粒子線露光用マスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

This mask pattern forming method comprises a first process of forming a prescribed photoresist on a polysilicon film 5, a second process of projecting a wiring pattern onto the photoresist for light exposure, a third process of forming a resist pattern by developing the exposed photoresist, and a fourth process of correcting the resist pattern 7A on a pattern shape by irradiating the resist pattern 7A with far ultraviolet rays.例文帳に追加

ポリシリコン膜５上に所定のフォトレジストを形成する工程と、このフォトレジストを配線パターン形状に露光する工程と、露光したフォトレジストを現像処理してレジストパターン７Ａを形成する工程と、このレジストパターン７Ａに深紫外線を照射して、当該レジストパターン７Ａのパターン形状を補正する工程とを有するものである。 - 特許庁

After a processing objective pattern MP1 is subjected to rule-based correction so as to obtain an etching pattern EP corresponding to the processing objective pattern MP1 by referring an etching pattern EP, the rule-base corrected processing objective pattern MP3 is subjected to simulation-based correction to generate an optical proximity effect corrected mask pattern MP4 by considering the etching process.例文帳に追加

エッチングパターンＥＰを参照し、処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、処理対象パターンＭＰ１をルールべースで補正した後、ルールべースで補正された処理対象パターンＭＰ３をシミュレーションベースで補正することにより、エッチングプロセスを考慮して光近接効果補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Then, a flare value of a projection optical system included in an exposure device is calculated using pattern mean density of the mask patterns after correcting.例文帳に追加

そして、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出する。 - 特許庁

Such a recessed defect is corrected before the stage of forming a mask pattern-forming thin film on the translucent substrate.例文帳に追加

また、このような凹欠陥の修正を、透光性基板上にマスクパターン形成用の薄膜を形成する前の段階で行う。 - 特許庁

The shielding mask is divided into a plurality of regions, each having at least one kind of opening pattern.例文帳に追加

上記遮蔽マスクは、複数の領域に分割されており、各領域は、少なくとも１種類の開口パターンを有している。 - 特許庁

With a first resist pattern 201 used as a mask, a conductive film 13 part on a sacrificial layer 9 is etched according to the shape of the movable part.例文帳に追加

第１レジストパターン２０１をマスクに用いて犠牲層９上の導電膜１３部分を可動部形状にエッチングする。 - 特許庁

To produce a mask pattern satisfying the reference value of process margin in an exposure step for manufacturing a semiconductor device in a short period of time.例文帳に追加

半導体装置製造の光露光工程におけるプロセス余裕度が基準値を満たすマスクパターンを短時間に作製する。 - 特許庁

Furthermore, this can almost planarize an underlying layer and easily form a resist mask pattern 12 for forming a control gate electrode 13.例文帳に追加

また、コントロールゲート電極１３形成用のレジストマスクパターン１２形成の際もその下地がほぼ平坦になり、容易に形成できる。 - 特許庁

Then, the mask patterns are formed which obtain the desired pattern on the wafer, on the basis of the correction results of each of the process steps.例文帳に追加

そして、各プロセスステップ毎の補正結果に基づいて、ウェハ上で所望のパターンを得られるようなマスクパターンを作成する。 - 特許庁

To provide a lithography simulation method, a mask pattern correcting method, and a treatment substrate correcting method, which are highly speedily and accurately.例文帳に追加

高速かつ高精度なリソグラフィシミュレーション方法、マスクパターン補正方法及び処理基板形状補正方法を提供する。 - 特許庁

To restrict a decrease in a pattern resolution resulting from the component of exposure light made incident on the photo-mask non-vertically.例文帳に追加

フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition which is adaptable to a fine vapor deposition pattern, and capable of enhancing the workability.例文帳に追加

微細な蒸着パターンに対応することができ、また、作業性を向上させることが可能な蒸着用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a NAND flash memory or the like, by which a mask pattern hardly falling is formed using a sidewall transfer technique.例文帳に追加

側壁転写技術により倒れにくいマスクパターンを形成するＮＡＮＤフラッシュメモリ等の製造方法を提供する。 - 特許庁

The reproduced pattern is formed by irradiating an ultraviolet-curable resin with ultraviolet rays by using a used hot-melt type ink ribbon as a mask.例文帳に追加

使用済み熱溶融型インクリボンをマスクとして紫外線硬化型樹脂に紫外線を照射し、複製パターンを形成する。 - 特許庁

To prevent occurrence of zebra pattern of a thin sheet for a shadow mask, and to control surface roughness within a predetermined range.例文帳に追加

シャドウマスク用薄板のゼブラ模様の発生を防止するとともに表面粗さを予め定める範囲内に均一に収める。 - 特許庁

To provide a three-dimensional input camera with a rational configuration where a mask for pattern projection is retreated in the case of usual photographing.例文帳に追加

通常撮影時にパターン投影用のマスクを退避させる合理的な構成の３次元情報入力カメラを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern for ion implantation with improved reliability, and to provide a manufacturing method of a semiconductor element.例文帳に追加

信頼度の向上したイオン注入用マスクパターンの形成方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

By moving the three-dimensional movable stage 2 according to the predetermined pattern, vapor deposition through holes 5 are formed in the mask blank 3.例文帳に追加

三次元移動ステージ２を所定パターンに従って移動させることによりマスク素板３に蒸着通孔５を形成する。 - 特許庁

To provide a mask for exposure which ensures a slight dimensional fluctuation of a pattern for exposure and can be produced at a low cost.例文帳に追加

露光用パターンの寸法変動が少ない露光用マスクであって、低コストで製造可能な露光用マスクを提供する。 - 特許庁

In addition, the occurrence of a fault in the pattern of a mask can be prevented by forming the beams 10 and contacting sections 24 in different steps.例文帳に追加

また、ビーム１０と接触部２４を個別の工程で形成することにより、マスクのパターン不良を防止することができる。 - 特許庁

In a control image pattern distortion, a plurality of measuring structures 211 are provided as a mask, and are plotted on a measuring device 150.例文帳に追加

制御画像パターン歪みにおいて、複数の測定構造２１１がマスクに提供され、測定器１５０上に描画される。 - 特許庁

To provide a film depositing apparatus capable of obtaining an objective film pattern with high accuracy even when a mask member to be used is large in size.例文帳に追加

用いるマスク部材が大型の場合にも精度良く目的の膜パターンを得ることができる膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a program and method capable of determining an exposure condition and a mask pattern which provide good imaging performance.例文帳に追加

良好な結像性能を与える露光条件及びマスクパターンを決定することができるプログラム及び方法を提供する。 - 特許庁

LITHOGRAPHY DEVICE AND METHOD FOR GENERATING MASK AND PATTERN, COMPUTER PROGRAM PRODUCT AND DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

マスク・パターンを生成するためのリソグラフィ装置、方法、及びコンピュータ・プログラマ製品並びにそれらを使用するデバイス製造方法 - 特許庁

The apparatus for projecting a pattern on a substrate 30 from a mask 10 has a radiation source 2 and a projection optical system 12.例文帳に追加

マスク１０からパターンを基板３０上に投影するための装置は、放射線源２と、投影光学系１２と有する。 - 特許庁

A prescribed pattern where the substrate 10 is exposed is etched by using the mask to form a groove 13 having a prescribed depth (g).例文帳に追加

このマスクにより、基板１０が露出した所定パターンの部分をエッチングし、所定の深さの溝部１３を形成する（ｇ）。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of projecting a mask pattern image that is adjusted to the utmost to a distortion deformation present on a work substrate.例文帳に追加

ワーク基板に生じている歪み変形に極力対応するマスクパターン像を投影可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the presence and position of the particle D on the mask MA having the arbitrary pattern can be detected.例文帳に追加

これにより、したがって、任意のパターンを有するマスクＭＡ上の粒子Ｄの存在および位置を検出することができる。 - 特許庁

To provide a pattern forming material excellent in resolution and mask coverage dependency and useful in microfabrication using an electron beam or far-ultraviolet radiation.例文帳に追加

解像性とマスク被覆率依存性に優れ電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用なパターン形成材料。 - 特許庁

To manufacture a finer semiconductor device by transfer position of the projected image of a mask pattern with high degree of accuracy and by improving the throughput.例文帳に追加

マスクパターンの投影像の転写位置を高精度化し、スループットを向上させつつより微細な半導体デバイスを製造する。 - 特許庁

To inhibit the generation of a void during soldering in the case of the mounting of an electronic loaded article by changing the pattern of a solder mask.例文帳に追加

半田マスクのパターンを変えることで電子搭載品の実装時における半田付けの際のボイド発生を抑制する。 - 特許庁

To realize a film-forming mask capable of forming a pattern thin film of an organic EL element in a pixel uniformly and in high definition.例文帳に追加

有機ＥＬ素子のパターン薄膜を画素内に均一かつ高精細に形成することのできる成膜用マスクを実現する。 - 特許庁

To etch the bottom face of an ink pool well and to block a refined thin-film mask pattern at the opening of the ink pool.例文帳に追加

インクプール底面のエッチングを良好に行い、かつ、インクプール開口部の微細形状薄膜マスクパターンを塞ぐことを可能とする。 - 特許庁

A mask M and the substrate P are synchronously moved and 1st patterns 53 and 55 and a 2nd pattern 54 are connected and exposed on the substrate P.例文帳に追加

マスクＭと基板Ｐとを同期移動して基板Ｐに第１パターン５３，５５と第２パターン５４とをつなぎ合わせて露光する。 - 特許庁

In a dummy chip DC formed on a semiconductor wafer 1, the following mask layers are arranged before a desired pattern is formed.例文帳に追加

半導体ウエハ１上に形成されるダミーチップＤＣにおいて、所望のパターンを形成する前に、次に示すマスク層を設ける。 - 特許庁

Next, after removing the mask, a line-shaped resist pattern 21 in a planar shape is formed on the conductive film and the mixing film.例文帳に追加

次に、マスクを除去した後、導電膜及びミキシング膜の上に、平面形状がライン形状のレジストパターン２１を形成する。 - 特許庁

The multi-tone optical mask includes a light-blocking layer pattern formed on a base substrate and two or more semi-transmitting layer patterns.例文帳に追加

多重トーン光マスクは、ベース基板上に形成された光遮断層パターン、及び２個以上の半透過層パターンを含む。 - 特許庁