「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

In the substrate penetration etching method, a buffer layer 62 and a metal layer 64 are formed on a first surface of the substrate 50, an etching mask pattern is formed on a second surface of the substrate facing the first surface, and the substrate 50 is subjected to the penetration etching with the pattern as the etching mask.例文帳に追加

基板貫通エッチング方法は、基板５０の第1面上にバッファ層６２と金属層６４を形成し、前記第1面と反対となる前記基板の第2面上にエッチングマスクパターンを形成した後、これをエッチングマスクとして前記基板５０を貫通エッチングする。 - 特許庁

The phase shift mask 10 is used for a isolated pattern 161 composed of patterns in which the distance between adjacent patterns W1 is 400 nm or more, while the phase shift mask 12 is used for a crowded pattern 162 in which the distance between adjacent patterns W2 is under 400 nm.例文帳に追加

位相シフトマスク１０は隣接パターン間距離Ｗ１が４００ｎｍ以上のパターンからなる孤立パターン１６１用とし、位相シフトマスク１２は隣接パターン間距離Ｗ２が４００ｎｍ未満のパターンからなる密集パターン１６２用としている。 - 特許庁

The semiconductor substrate manufacturing method comprises forming the SiGe film on the substrate having a silicon layer on its surface, forming a mask pattern having grating-shaped grooves on the SiGe film, injecting ions to the substrate through the mask pattern, and then performing heat processing.例文帳に追加

表面にシリコン層を有する基板上に、ＳｉＧｅ膜を形成し、該ＳｉＧｅ膜上に格子状の溝を有するマスクパターンを形成し、該マスクパターンをとおして基板にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法が提供される。 - 特許庁

To form a mask pattern having high verticality in an organic film of a multilayer resist which is stacked on a film to be etched, which includes the organic film and a resist film where a resist pattern stacked on the organic film is opened, and which becomes an etching mask of the film to be etched.例文帳に追加

被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。 - 特許庁

To provide a method for making an exposure mask which enables transfer formation of a real pattern with high dimensional accuracy with respect to the design pattern onto a wafer by proximity effect correction considering the loading effect arisen in a dry etching process for making an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

For the shadow mask 10, many small holes 14 are formed with a prescribed pattern on a surface of a mask plate 11 at electron gun side, and multiple big holes 15 are formed with a prescribed pattern at fluorescence surface side, and the part, where the small holes 14 and the big holes 15 are overlapped, are made to be open holes 16.例文帳に追加

シャドウマスク10は、マスク板11の電子銃側の面に、多数の小孔14を所定のパターンで形成し、蛍光面側の面に、多数の大孔15を所定のパターンで形成して、これら小孔14と大孔15とが互いに連通する部分を開孔16とする。 - 特許庁

To obtain a forming method for a magnetization pattern wherein a fine magnetization pattern is efficiently and highly accurately formed using one and the same mask, to obtain the mask used for the method and to obtain a magnetic recording medium and a magnetic recording device capable of high density recording in a short period of time and inexpensively.例文帳に追加

同一のマスクを用いて、微細な磁化パターンを効率よく精度よく形成する磁化パターン形成方法、及びそれに用いるマスクを得、ひいてはより高密度記録が可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を短時間かつ安価に得る。 - 特許庁

To provide a method for correcting optical proximity effect permitting to efficiently extract a mask pattern for OPC (Optical Proximity Effect Correction) within a short time and capable of subjecting the extracted mask pattern to the OPC processing at the time of forming a semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体集積回路を形成する場合のＯＰＣの対象とすべきマスクパターンを短時間の内に効率良く抽出できるようにし、かつ、抽出されたマスクパターンを精度良くＯＰＣ処理できる光学的近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a high aspect ratio and microfabrication of an uneven structure by improving a PR selection ratio in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern by executing the plasma processing on the sapphire substrate on which the mask pattern is arranged.例文帳に追加

マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、ＰＲ選択比を向上させて、凹凸構造の高アスペクト比化や微細化を実現する。 - 特許庁

After a first CF film 21 which acts as an interlayer insulating film is formed, a hard mask 31 constituted of a BN film is formed on the CF film 21, and a specified trench pattern is etched on the hard mask 31.例文帳に追加

層間絶縁膜をなす第１のＣＦ膜２１を成膜した後、当該ＣＦ膜２にＢＮ膜よりなるハ−ドマスク３１を成膜し、次いでハ−ドマスク３１に所定の溝パタ−ンをエッチングする。 - 特許庁

Under a state that a mask 15 is positioned on the formed alignment mark 7, an exposure process is applied to a back surface of the main substrate 1 through the mask 15 to form a pattern on the back surface of the main substrate 1.例文帳に追加

そして、形成されたアライメントマーク７とマスク１５とが位置決めされた状態で、マスク１５を介して本体基板１の裏面側に露光させ、本体基板１の裏面側にパターンを形成する。 - 特許庁

When an expected value X is present in a serial pattern stored in scan data memories SDM11 to SDM14, the value is detected in real time, and mask signal generating parts SG11 to SG14 generate mask signals.例文帳に追加

スキャンデータメモリＳＤＭ１１〜ＳＤＭ１４に格納されたシリアルパターン中に期待値「Ｘ」が存在する場合、リアルタイムで検出してマスク信号発生部ＳＧ１１〜ＳＧ１４がマスク信号を発生する。 - 特許庁

Logical sum of the defect map and mask data is then operated (ST15) and compared and then a decision is made whether a thin film having defects along the defect map can be utilized or not for a pattern along the mask data (ST16).例文帳に追加

次に、欠陥マップとマスクデータとろ論理和を演算処理して（ＳＴ１５）比較し、欠陥マップに沿った欠陥を有する薄膜がマスクデータに沿ったパターンに対して利用可能か判定する（ＳＴ１６）。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern in an easy process so as to increase the etching selection ratio for a material to be etched (such as a metal film to be etched) comparable with a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクに匹敵する被エッチング材料（例えば金属からなる被エッチング膜）とのエッチング選択比を大きくすることが可能なマスクパターンを簡単な工程で形成する方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming the embossed pattern comprises the steps of inputting a predetermined parameter such as an aligning dealing relation table or the like from an input means 1, and inputting a mask image in which a color number is decided at each pixel from a mask image input means 4.例文帳に追加

入力手段１から、割り付け対応関係テーブル等の所定のパラメータを入力し、マスク画像入力手段４から、各画素に色番号が定められたマスク画像を入力する。 - 特許庁

The metal mask for paste printing is a metal mask in which a crosslinked part is present within the opening part, wherein at least the hardness of the crosslinked part is made to be higher than the hardness of a layer that forms printing pattern opening part.例文帳に追加

開口内に架橋部が存在するメタルマスクであって、少なくとも架橋部の硬度を印刷パターン開口部を形成する層の硬度よりも高くした、ペースト印刷用のメタルマスク。 - 特許庁

To provide a reflective mask that is suited to both of an inspection by electron beams having high resolution and an optical inspection having high throughput, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a mask pattern inspection method.例文帳に追加

高分解能を持った電子線による検査と高スループットを持った光学検査との両方の検査に適合する反射型マスクおよびその製造方法、およびマスクパターン検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a seamless mask structure that facilitates designing a continuous pattern including a mixture of small and large images such as dots and solid patterns and that achieves high durability in a cylindrical seamless mask.例文帳に追加

円筒状の継ぎ目のないマスクにおいて、網点やベタ図柄など大小画像が混在した連続図柄のデザインが可能であると共に、高耐久性を可能とするシームレスマスク構成体の提供。 - 特許庁

To provide a mask of high printing quality which can make an ink fully adhere even to the remote end portion of the printing pattern when performing screen printing using a double-layer structured mask.例文帳に追加

２層構造のマスクを用いてスクリーン印刷を行う場合に、印刷パターンの端部分にもインク等を十分に付着させることが可能な高い印刷精度のマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a transfer mask and its manufacturing method by which warpage can be reduced and the positional accuracy of an entire transfer mask can be made appropriate without degrading the positional relationship of a transfer pattern in a single crystal silicon layer.例文帳に追加

反り量が少なく、単結晶シリコン層内の転写パターンの位置関係が悪化することなく、転写マスク全体の位置精度が良好な転写マスク及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

This crystallization apparatus, which is provided with a mask (1) and an illumination system (2), applies light having light intensity distribution with inverted peak pattern on a semiconductor film (3) via the mask to form a crystallized semiconductor film.例文帳に追加

マスク（１）を照明する照明系（２）を備え、マスクを介して逆ピークパターンの光強度分布を有する光を半導体膜（３）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。 - 特許庁

Both the unmagnified mask 12 and wafer 15 are moved upward by means of the vertical stage 16 while the X-ray 10 is projected upon the topmost part of the pattern 11 of the mask 12 at the same magnification.例文帳に追加

Ｘ線１０が等倍マスク１２のパターン１１における一番上を照射させながら、垂直ステージ１６によって、等倍マスク１２とウエハ１５の両方を上方に移動させている。 - 特許庁

In this aligner, luminous flux from a light source 1 is applied to a mask 13, and the image of the pattern of the mask is successively projected and exposed in an adjacent region on the surface of a substrate 15, while mutual one part is overlapped at a joint.例文帳に追加

光源１からの光束をマスク１３に照射して基板１５の表面の隣接する領域にマスクのパターンの像を継ぎ部にて互いの一部が重複するように順次投影露光する。 - 特許庁

By using the etching mask having such a pattern shape, when so placing the etching mask as to make parallel the side S11 of the region R with the direction of [011] and when etching the region R, the rectangular emitter region of the HBT is obtained.例文帳に追加

このような形状のパターンを有するエッチングマスクを用い、領域Ｒの辺Ｓ_11が〔０１１〕方向に沿うようしてエッチングマスクを配置し、エッチングを行なうと矩形状のエミッタ領域が得られる。 - 特許庁

After removing the resist pattern, a wiring trench 43 and a via hole 42 are formed at the same time by using a hard mask 36 as a mask and using the upper etching stopper film 33 and the diffusing barrier film 30 as etching stoppers.例文帳に追加

レジストパターンを除去後、ハードマスク３６をマスクとし上側エッチングストッパ膜３３と拡散バリア膜３０をエッチングストッパとして、配線溝４３を形成すると同時にビアホール４２を開口する。 - 特許庁

In storing a barrier mask pattern to a barrier mask memory, when an overlapped part is present between a plurality of objects, data at the highest position are written to the corresponding overlapped parts by priority.例文帳に追加

バリアマスクメモリにバリアマスクパターンを格納するに際して、複数のオブジェクト間で重なっている部分が存在する場合には、重なり部分の対応位置に最上位のデータを優先的に書き込む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory device improving a margin in a photo process, preventing defects in pattern, and preventing defects such as photo mask collapse by decreasing aspect ratio of photo mask.例文帳に追加

フォト工程のマージンを向上させること、パターン不良を防止すること、及びフォトマスクのアスペクト比を減らしてフォトマスク崩壊などの不良を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

A pattern formed on a mask M is scanned and exposed in plural exposed areas A1-A6 on a substrate P by synchronous moving of the mask M and the substrate P in a predetermined direction-X with respect to exposure light.例文帳に追加

マスクＭと基板Ｐとを露光光に対して所定の方向−Ｘに同期移動させて、マスクＭに形成されたパターンを基板Ｐ上の複数の露光領域Ａ１〜Ａ６に走査露光する。 - 特許庁

To provide a high-precision pattern duplication method that is not subject to mask flexure in spite of a small clearance between the mask and projection optical system and eliminates exposure errors for defocusing.例文帳に追加

マスクと投影光学系との間の空間が少ない場合であっても、マスクの撓みなどの影響を受けることなく、デフォーカスによる露光不良のない高精度なパターンの転写を実現する。 - 特許庁

In the exposure device 1 exposing a mask pattern on a substrate 100 by aligning the substrate 100 and a mask 4, an alignment mark 51 arranged on a stage 2, a laser-length measurement system 6, and cameras 7 are mounted.例文帳に追加

基板１００とフォトマスク４とを位置合わせして基板１００にマスクパターンを露光する露光装置１において、ステージ２に配置されたアライメントマーク５１と、レーザー測長系６と、カメラ７とを備える。 - 特許庁

The formed SiOX layer 6a is removed with hydrofluoric acid to form the SiOC mask 6b, the gate electrode layer 3 is etched using this SiOC mask 6b, and thereby a wiring pattern 3a of the gate electrode can be obtained.例文帳に追加

形成されたＳｉＯ_x層６ａをフッ酸で除去してＳｉＯＣマスク６ｂを形成し、このＳｉＯＣマスク６ｂを用いてゲート電極層３をエッチングし、ゲート電極の配線パターン３ａを得る。 - 特許庁

An image composition circuit 53 combines a mask image 57 for a test having a prescribed reference pattern 65 with the endoscope image 30a including a test chart image 35a to generate a mask composite image 67 for the test.例文帳に追加

画像合成回路５３は、テストチャート画像３５ａを含む内視鏡画像３０ａに所定の基準パターン６５を有するテスト用マスク画像５７を合成し、テスト用マスク合成画像６７を生成する。 - 特許庁

To avoid a decrease in fidelity in a transfer image on a wafer by correcting a mask pattern considering an influence by an oblique incidence effect for a mask for exposure to light corresponding to extremely short ultraviolet light.例文帳に追加

極短紫外光に対応する露光用マスクについて、斜め入射効果による影響を考慮したマスクパターンの補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実度低下を回避する。 - 特許庁

A resist mask is prepared by applying a negative resist having light shielding property against exposure light on a mask substrate and then selectively irradiating the resist with electron beams to form a desired light shielding pattern (process 100).例文帳に追加

露光光に対して遮光性を有するネガレジストをマスク基板上に塗布した後、これに電子線を選択的に照射して所望の遮光パターンを形成したレジストマスクを用意する（工程１００）。 - 特許庁

The X-rays generated from the plasma 105 is radiated on a mask 110 by an illuminating optical system 109, and a mask pattern image is formed and exposed on a resist 112 by an image forming optical system 111.例文帳に追加

プラズマ１０５から発生したＸ線は、照明光学系１０９によりマスク１１０上に照射し、結像光学系１１１によりレジスト１１２上にマスクパターンの像を形成して露光する。 - 特許庁

The support member 3 has an opening 3A corresponding to the opening pattern forming region 2A of the mask sheet 2, and also, has a magnetized flat face 3B for flattening the mask sheet 2 by attracting it.例文帳に追加

支持部材３は、マスクシート２の開口パターン形成領域２Ａに対応した開口部３Ａを有すると共に、マスクシート２を吸着して平坦化する磁化された平坦面３Ｂを有している。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which, when a substrate is pressed to a mask, cause little positional deviation between the substrate and the mask in a direction of planes thereof, then, form an image pattern of satisfactory dimensional accuracy.例文帳に追加

基板をマスクに押圧する際、基板とマスクの面方向の位置ずれが少なく、寸法精度の良好な画像パターンを形成することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

Then the gray scale mask 4 is replaced with another mask, which is brought into uniform-force contact with the resist film 3 as mentioned above; and 2nd exposure is so carried out as to form a pattern at a part which is not exposed in the 1st exposure.例文帳に追加

次に、グレイ・スケール・マスク４を取り換え、前回と同様にレジスト膜３に均等の力でコンタクトさせ、前回の非露光部に対しパターンを形成するように２回目の露光を行う。 - 特許庁

To provide a method for forming mask data by which the mask data with a corrected optical proximity effect are formed by obtaining a process conversion difference, through a series of processes with an entire pattern required for correcting in a short period of time.例文帳に追加

短時間で補正の必要な全てのパターンについて一連のプロセスを通したプロセス変換差を求め、光近接効果を補正したマスクデータを作成できるマスクデータ生成方法を提供する。 - 特許庁

A patterning sapphire substrate 1 in which the surface of a sapphire substrate 2 is covered with a mask 3 of a specific pattern is characterized in that the mask 3 is arranged in the shape of dots.例文帳に追加

サファイヤ基板２の表面が所定パターンのマスク３で覆われているパターニングサファイヤ基板１において、前記マスク３がドット状に配置されていることを特徴とするパターンニングサファイヤ基板１である。 - 特許庁

To provide a mask and a mask blank and an exposure device and a method by which the presence of a beam is prevented from increasing complementary exposures while increasing the strength of a pattern forming portion.例文帳に追加

パターン形成部の強度を補強しつつ、梁部の存在による相補露光回数の増大を抑制することができるマスクおよびマスクブランクス、並びに露光装置および露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for inspecting a transfer mask for defects, which inspect a pattern opening of a transfer mask accurately and reprodusibly for defects such as foreign matters and projections.例文帳に追加

転写マスクのパターン開口部の異物や突起等の欠陥を精度良く、再現性良く検査するための転写マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The mask 1 for film deposition comprises opening patterns 2 formed corresponding to the film deposition regions in an object to be film-deposited, and each opening pattern 2 comprises a reinforcing part 5 for preventing the deformation of the mask for film deposition.例文帳に追加

成膜用マスク１は、被成膜対象の成膜領域に対応して形成された開口パターン２を有し、この開口パターン２が、当該成膜用マスクの変形を防止する補強部５を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a shadow mask wherein variations do not occur in the size of a photo-resist film opening part by making an exposure light entering into the mask for pattern exposure uniform.例文帳に追加

パターン露光用マスクに入射する露光光を均一とすることで、形成されるレジスト膜開口部の寸法にバラツキの生じないシャドウマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for generation as to reference data used for inspection to perform pattern inspection of a mask, etc., with high precision, and manufacturing method for the mask using them.例文帳に追加

マスク等のパターン検査を高精度に行うために、検査の際に用いる参照データについての発生方法と発生装置、パターン検査装置および、それを用いたマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁