「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the array substrate is manufactured by performing the patterning of a transparent conductive film 13 having the same pattern as that of the pixel electrode 8 with the resist pattern 13 as a mask, ion-irradiating the transparent conductive film 10 and forming the transparent conductive pattern 13.例文帳に追加

そして、前記レジストパターン１１をマスクとして、前記透明導電膜１０にイオン照射することによりパターニングを行い、前記画素電極８と同じパターンの透明導電パターン１３を形成することによりアレイ基板が製造できる。 - 特許庁

To provide an exposure method and an aligner wherein exposure can be made with high resolution but without exchanging a mask pattern having a fine width (e.g. smaller than 0.15 μm), with the pattern being a mixture pattern ranging from various patterns, isolated and complicated patterns including L and S patterns.例文帳に追加

微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）線幅を持ち、各種パターンや、Ｌ＆Ｓパターンから孤立及び複雑なパターンまでが混在するマスクパターンを、マスクを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁

When an upper layer pattern is formed above a base layer in which difference in level is formed, correction amount of light shielding pattern 11 of a mask for exposure 10 for forming the upper layer pattern is determined corresponding to a distance from an end part of difference in level in the base layer.例文帳に追加

段差が形成された下地層の上方に上層パターンを形成する際、下地層の段差の端部からの距離に応じて、上層パターンを形成するための露光用マスク１０の遮光パターン１１の補正量が決定されている。 - 特許庁

The method for forming a resist pattern is carried out by using a mask having an auxiliary pattern 5 on each side of a butting part 11 of a pair of patterns 2 adjacent to each other and forming a resist pattern having two dissolved patterns in a butted state from the pair of patterns 2.例文帳に追加

隣合う一対のパターン２の突き合わせ部１１の両側に補助パターン５を有するマスクを用いて、一対のパターン２により２つの抜きパターンを突き合わせ状態のレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法である。 - 特許庁

To provide an exposure method and an exposure device by which the degree of the deterioration of a pattern imparting member (mask or the like) for giving a pattern which is to be transferred to a material to be exposed is easily and appropriately known and the quality control of the pattern imparting member is efficiently performed.例文帳に追加

転写すべきパターンを被露光材に与えるパターン付与部材（マスク等）の劣化程度を簡便かつ適切に知ることができ、パターン付与部材の品質管理を効率よく行うことを可能とした露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

The mask pattern include a resist pattern formed on a semiconductor device and a gel layer on a surface of the resist pattern having a zipper type junction area including hydrogen bonds between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターンの表面上で陽子供与ポリマー及び陽子受容ポリマーが水素結合によって相互連結されたジッパー型の接合領域を持つゲル層と、を備える半導体素子製造用のマスクパターン。 - 特許庁

In the pattern drawing device, pattern groups (Ga1 and Ga2, Gb1 and Gb2, Gc1 and Gc2, and Gd1 and Gd2) having the same shape and substitutable each other are included in eight pattern groups Ga1 to Gd2 formed on the mask M.例文帳に追加

このパターン描画装置では、マスクＭ上に形成された８組のパターン群Ｇａ１〜Ｇｄ２の中に、同一の形状を有して互いに代替可能なパターン群（Ｇａ１とＧａ２，Ｇｂ１とＧｂ２，Ｇｃ１とＧｃ２，Ｇｄ１とＧｄ２）が含まれている。 - 特許庁

According to the ink jet recording method, ejected dots are loaded on image data to be recorded, according to a predetermined ejecting location pattern, and mask pattern data for the multipath printing is changed such that the ejected dots according to the ejecting location pattern are dispersed to different paths.例文帳に追加

記録対象の画像データに対して、予め定めた吐出位置パターンに従って吐出ドットを付加するとともに、当該吐出位置パターンの吐出ドットを異なるパスに分散させて印字するようにマルチパス印字用のマスクパターンデータを変更する。 - 特許庁

To prevent occurrence of a side lobe and occurrence of a resist defect even when an enhancer mask with which both of a fine isolated contact pattern and a dense contact pattern can be simultaneously formed is provided with an accessory pattern or the like comprising a large aperture.例文帳に追加

微細な孤立コンタクトパターン及び密集コンタクトパターンの同時形成が可能なエンハンサマスクに大開口部からなるアクセサリパターン等を設けている場合にも、サイドローブの発生及びレジスト欠陥の発生を同時に防止できるようにする。 - 特許庁

An element isolation region is formed in a boundary of the element isolation region by forming a dielectric pattern locally in a boundary of an element region and carrying out etching using the dielectric pattern as a mask, and thereafter a semiconductor film is formed in an element region adjacent to the element isolation region by selective growth using the dielectric pattern as a mask.例文帳に追加

誘電体パターンを素子領域の境界部に局所的に形成し、前記誘電体パターンをマスクにエッチングを行うことで素子分離領域を前記素子領域の境界部に形成し、その後、前記素子分離領域に隣接する素子領域に半導体膜の成膜を、前記誘電体パターンをマスクとした選択成長によりに実行する。 - 特許庁

To provide a method for making, on a semiconductor surface, a desired pattern having depth changed depending on the place thereof, by using a first mask having a desired pattern and a second mask for controlling the amount of etching seeds diffused in an opening of the desired pattern, the method providing a distribution corresponding to the change in depth, of supply of etching seeds contributing etching.例文帳に追加

所望のパターンを有する第１のマスクと、所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが場所によって変化する前記所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種の供給に前記深さの変化に対応した分布を設ける。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which a preliminarily determined pattern such as a grating, comb-shaped and circular pattern can be formed in a single film forming process using a single mask under conventional various mask use environments such as high temperature, low temperature, vacuum and gas atmospheres, and to provide a patterned substrate prepared by the method, and a solar cell element using the substrate.例文帳に追加

従来の高温・低温・真空・ガス雰囲気中などの様々なマスク使用環境下で、格子状、櫛形、環状などの所定のパターンの成膜を、単独のマスクを用いて１回の成膜で行うことができるパターン形成方法、該方法によって作成されたパターン形成基板、及び該基板を用いた太陽電池素子の提供。 - 特許庁

To provide correction methods for a photomask capable of correcting an auxiliary pattern of the photo mask, when the auxiliary pattern is resolved on a surface to be transferred by a reliable and compatibly easy method in the photo mask having an ArF excimer laser as an exposure light source and having the auxiliary pattern used for projection exposure by means of deformation illumination, and to provide a corrected photomask.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられる補助パターンを有するフォトマスクにおいて、補助パターンが転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクを、確実で比較的容易な方法により補助パターンを修正するフォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The lithography simulation method includes steps of: applying defocus processing to an image formation condition of lithography simulation by referring to a table with a relationship between the dimension of a mask pattern of a simulation object and a defocus amount specified therein; and calculating the dimension of a transfer pattern corresponding to the mask pattern using the image formation condition with the defocus processing applied thereto.例文帳に追加

リソグラフィシミュレーションの結像条件に対して、シミュレーション対象のマスクパターンの寸法とデフォーカス量との関係が規定されたテーブルを参照してデフォーカス処理を施す工程と、前記デフォーカス処理が施された結像条件を用いて前記マスクパターンに対応する転写パターンの寸法を算出する工程と、を備えたリソグラフィシミュレーション方法である。 - 特許庁

Next, a plurality of normal patterns corresponding to the respective cores formed from a wiring pattern material layer and a plurality of dummy patterns formed at least one side of each of the normal patterns apart from the normal pattern by a prescribed interval are formed by depositing the wiring pattern material layer on the mask layer for lift-off and peeling off the exposed mask layer for lift-off.例文帳に追加

次いで、リフトオフ用マスク層上に配線パターン材料層を堆積し、露光されたリフトオフ用マスク層を剥離することにより、配線パターン材料層から形成された各コアに対応する複数の正規パターンと各正規パターンの少なくとも片側に該正規パターンから所定間隔離間して形成された複数のダミーパターンを形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing an exposure mask which is used to perform pattern exposure with a high resolution by shifting the phase of light transmitting both sides in the line width direction of a mask pattern, high-precision patterns requiring line width precision and high-resolution patterns requiring pattern exposure with high resolution are extracted from gate patterns (design patterns) (S2).例文帳に追加

マスクパターンの線幅方向両側を透過する光の位相をシフトさせることで高解像度のパターン露光を行う際に用いられる露光マスクの作製方法であって、ゲートパターン（設計パターン）の中から、線幅精度が要求される高精度パターンと、高解像度でのパターン露光が要求される高解像度パターンとを抽出する（Ｓ２）。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

A phase shifter 21 is extended in such a manner that a shifter pattern image 121 produced by illuminating the Levenson phase shift mask having the phase shifter 21 formed thereon and a trim pattern image 131 produced by illuminating a trim mask having a trim pattern 31 formed thereon do not overlap with each other at a position extended in a direction distancing from a gate electrode 11a.例文帳に追加

位相シフタ２１が形成されたレベンソン位相シフトマスクが照明されることで生ずるシフタパターン像１２１と、トリムパターン３１が形成されたトリムマスクが照明されることで生ずるトリムパターン像１３１とが、ゲート電極１１ａから離れる方向へ延長する位置にて互いに重ならないように、その位相シフタ２１を延長する。 - 特許庁

A pattern for via holes is formed by photo etching on one or both sides of a polyamide film having copper layers on both sides thereof which are bonded without using adhesive, the polyamide is etched by alkali solution with the pattern as a mask to form blind via holes, and then laser is radiated using the pattern as a mask.例文帳に追加

両面に銅層を有し、かつ銅層との接合に接着剤を用いないポリイミドフィルムの片面あるいは両面の銅層に、フォトエッチングによりビア開孔用パターンを形成し、該パターンをマスクとしてアルカリ溶液によるポリイミドエッチングによりブラインドビアホールを形成し、さらに該パターンをマスクとして、レーザーを照射することを特徴とする。 - 特許庁

In case a screen printing method is used, a bus-electrode pattern and a pattern of the black-color strip are formed on a sheet of screen mask, on which black-colored silver paste is coated, and finally it is molded at one time in the printing.例文帳に追加

スクリーン印刷法を用いる場合、一枚のスクリーンマスク上にバス電極パターンと黒色ストリップのパターンを形成し、黒色銀ペーストを塗布し、最終的にスクリーン印刷で一度に成型する。 - 特許庁

After a resist pattern 14 is formed on the anti-reflection film 13, the patterned anti-reflection film 13 is dry-etched using the resist pattern 14 for the mask to form a patterned anti-reflection film 13A.例文帳に追加

反射防止膜１３の上にレジストパターン１４を形成した後、反射防止膜１３に対して、レジストパターン１４をマスクにドライエッチングしてパターン化された反射防止膜１３Ａを形成する。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition, an actinic ray- or radiation-sensitive film, mask blanks, and a pattern formation method, which enable pattern formation with excellent shapes.例文帳に追加

良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Two layers of thin films 3 and 2 are successively formed on a substrate 1, then the thin film 2 is etched using a first mask pattern 4 formed on the upper surface of the thin film 2, and a first thin film pattern 6 is formed.例文帳に追加

基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。 - 特許庁

To prevent roughness from appearing on the wall surface of a pattern formed on a film to be etched, when dry etching is performed while using a resist pattern, which is provided by having the resist film irradiated with EUV light as a mask.例文帳に追加

ＥＵＶ光をレジスト膜に照射して得られたレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なったときに、被エッチング膜に形成されるパターンの壁面にラフネスが現われないようにする。 - 特許庁

To provide a patterning method for plating in which no resist is used and no influence is produced upon a pattern mask and which is capable of repeated use and requires relatively low equipment cost and can cope with the recent demand for finer pattern.例文帳に追加

レジストを用いることなしに、また、パターンマスクへの影響がなく、繰り返し使用が可能で設備コストが比較的小さく、微細なパターンに対応できるめっきのパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that, when a pattern of a resist mask is formed with light, the exposure light passes through a glass substrate and is reflected from a stage to decrease the accuracy of pattern forming.例文帳に追加

レジストマスクのパターン描画を光で行うとき、描画光がガラス基板を通してステージ上で反射し、パターン描画精度が低下するという問題が本発明で解決すべき課題である。 - 特許庁

On a mask M, an identification code 13 is formed which includes a 1st unique code 15 corresponding to a pattern 11 and a 2nd code 16 for discriminating a plurality of masks M where the same pattern 11 is formed is formed.例文帳に追加

マスクＭ上に、パターン１１に対応した固有の第１コード１５と、同一のパターン１１が形成された複数のマスクＭを識別するための第２コード１６とを含む識別コード１３を形成する。 - 特許庁

The insulation film 1 is etched with the pattern 3a as a mask, a trench 1a for embedding wiring is formed at the surface side of the insulating film 1, and at the same time the pattern 3a is eliminated from the area on the insulating film 1.例文帳に追加

パターン３ａをマスクにして絶縁膜１をエッチングし、絶縁膜１の表面側に埋め込み配線用のトレンチ１ａを形成すると共に、絶縁膜１上からパターン３ａを除去する。 - 特許庁

Alternatively, the pattern film deposition is performed by the PVD method by using a mask having a plurality of wire parts arrayed at the spacing corresponding to the width of the line-like pattern while one wire is bent.例文帳に追加

若しくは、１本のワイヤが折り曲げられて形成され、ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤ部を有するマスクを用いて、ＰＶＤ法によりパターン成膜を行う。 - 特許庁

To reduce generation of mask distortions due to side wall oxidization of an X-ray absorber pattern, without making a membrane region coincide with an exposure pattern region.例文帳に追加

Ｘ線露光用マスク及びその製造方法に関し、メンブレン領域と露光パターン領域とを一致させることなく、Ｘ線吸収体パターンの側壁酸化にともなうマスク歪みの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of forming a fine pattern of a semiconductor device capable of forming a fine pattern having a line thickness of 60 nm or less by preventing the deformation when patterning a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクをパターニングする際の変形を防止することにより、線幅が６０ｎｍ以下の微細パターンを形成することができる半導体素子の微細パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

The surface forming method is a method for forming a desired pattern in a calcium fluoride substrate and has a step for irradiating the substrate with a beam through a mask in which the above desired pattern has been formed.例文帳に追加

弗化カルシウム基板に所望のパターンを形成する方法であって、前記所望のパターンが形成されたマスクを介して前記基板にビームを照射するステップを有する形成方法を提供する。 - 特許庁

A substrate is subjected to etching and ashing in succession with a photoresist pattern formed on the substrate as a mask, the photoresist pattern is removed using the removing solution and then the substrate is rinsed with water.例文帳に追加

そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、続いてアッシング処理をした後、上記剥離液を用いてホトレジストパターンを剥離し、次いで基板を水でリンス処理する。 - 特許庁

Using the metal pattern formed on one surface as at least part of a mask, the metal pattern is formed on the opposite surface of the base material.例文帳に追加

及び片面に形成された金属パタンを少なくともマスクの一部として利用し、支持体を挟んで反対の面の金属パタンを形成することを特徴とする電磁波遮蔽シートの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an exposure mask by which a resist pattern formed by a lithographic process can be finely processed with preferable pattern shape accuracy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

リソグラフィー処理によって形成されたレジストパターンを形状精度良好に微細化処理することが可能な露光マスクの作製方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a screen mask capable of drastically shortening the ball sorting processing time by making the pattern opening area as large as possible, as a result of examination of various combination ways of pattern opening shape.例文帳に追加

パターン開口形状の組み合わせ方を各種検討した結果、パターン開口面積をできるだけ大きくしてボール選別処理時間を大幅に短縮できるようにした篩用マスクを得る。 - 特許庁

A method of manufacturing an electronic substrate has a process of providing a mask having an opening 22a on a substrate having a wiring pattern 21; and a process of machining the wiring pattern 21 with a predetermined size through the opening 22a.例文帳に追加

配線パターン２１を有する基板上に、開口部２２ａを有するマスクを設ける工程と、開口部２２ａを介して配線パターン２１を所定の大きさで加工する工程とを有する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of removing the exposed part of the first metal layer by etching with the gate electrode upper part pattern 38a formed as above as a mask, and forming the gate electrode lower pattern 36a.例文帳に追加

そして、これにより形成されたゲート電極上部パターン３８ａをマスクとして、第１の金属層の露出部分をエッチングにより除去しゲート電極下部パターン３６ａを形成する。 - 特許庁

A stereoscopic processing part 46 generates the detailed shape data 36 of the object by applying stereoscopic processing of these pattern irradiation images 30 while excluding the projected mask pattern 28 from a target of stereoscopic processing.例文帳に追加

ステレオ処理部４６は、投影されたマスクパターン２８をステレオ処理の対象から外して、複数のパターン照射画像３０をステレオ処理し、対象物の詳細形状データ３６を生成する。 - 特許庁

The photoresist pattern is removed, an insulation film 29 exposed from the opening part 32 is removed by using the insulation film 30 as an etching mask and insulation films 33, 34, 35 and 36 and a photoresist pattern are formed.例文帳に追加

フォトレジストパターンを除去し、絶縁膜３０をエッチングマスクとして開口部３２から露出する絶縁膜２９を除去し、絶縁膜３３、３４、３５および３６とフォトレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The semiconductor region 13 is etched, by using the mask 31 and periodic structures 42a-42g for the diffraction grating corresponding to the first pattern and a monitor structure 44, corresponding to the second pattern are formed.例文帳に追加

マスク３１を用いて半導体領域１３をエッチングして、第１のパターンに対応する回折格子用の周期構造４２ａ〜４２ｇと第２のパターンに対応するモニタ構造物４４とを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern capable of overcoming the limit of resolution even in an already-provided exposure apparatus when exposing a photosensitive film and of making it possible to form a fine pattern below the resolution.例文帳に追加

感光膜を露光する場合に既設の露光装備であっても解像度の限界を克服でき、解像度以下の微細パターンの形成を可能とするマスクパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of plotting a photosensitive material for an ultraviolet ray in a pattern with high throughput by a mask-less direct plotting exposure device having an irradiating light source being an h-line in a main wavelength.例文帳に追加

主波長がｈ線である照射光源を持つマスクレス直接描画露光装置で紫外線用の感光性材料を高スループットにパターン描画可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The film-forming method makes the mask 20 closely contact with the substrate 10 by using the deflection due to the tare mass of the substrate 10 without using a permanent magnet or a pressing device, and can form a highly precise pattern without causing the deviation of the pattern.例文帳に追加

マグネットや押圧装置を用いることなく、基板１０の自重によるたわみを利用してマスク２０と基板１０を密着させ、パターンずれ等のない高精度なパターンを形成することができる。 - 特許庁

In the stencil mask of the present invention, by providing at least a part of or the entire of the side surface of the opening pattern with a film, an opening pattern enlarged by a side etching can be corrected.例文帳に追加

本発明のステンシルマスクは、開口パターンの少なくとも側面の一部または側面の全体に、膜を備えることにより、サイドエッチングにより拡大した開口パターンを補正することが出来る。 - 特許庁