「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pattern forming method by which an organic film to be worked can be worked without rupturing a mask material.例文帳に追加

マスク材の破裂を起こすことなく、有機膜からなる被加工膜を加工することが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The glass mask for patterning is provided with: a plurality of laminated glass sheets; and a pattern forming layer held by at least one sheet of glass sheet.例文帳に追加

重ね合わせた複数枚のガラス板と、少なくとも一枚のガラス板によって保持されるパターン形成層とを備えるパターニング用ガラスマスク。 - 特許庁

To realize a new method for accurately detecting the defect and distortion of the mask pattern of an electron beam exposure device relatively in a short time.例文帳に追加

電子ビーム露光装置に使用するマスクパターンの欠陥及び歪みを、実際の露光電子パターンを比較的短時間に正確に測定できる。 - 特許庁

Both the diamond or diamond like carbon film and the protective film are used as a hard mask so that a pattern is formed in a trench that has metallic features.例文帳に追加

ダイヤモンドまたはダイヤモンド様炭素膜と保護膜はともに、金属フィーチャになるトレンチにパターンを形成するためのハードマスクとして用いられる。 - 特許庁

To enlarge the area of a diaphragm to the open area of a mask pattern when forming the diaphragm by anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングによりダイアフラムを形成するにあたり、マスクパターンの開口面積に対するダイアフラムの面積を、従来よりも大きな面積にする。 - 特許庁

Since pattern accuracy of an anisotropic etching mask improves, accuracy of micromirror formation also improves, thus enabling formation of a micromirror of higher flatness.例文帳に追加

異方性エッチングマスクのパターン精度が向上するため、マイクロミラー形成の精度も向上し、より平坦性の高いマイクロミラーが形成可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which pattern deformation is minimized by increasing etching selectivity of a sacrifice hard mask.例文帳に追加

本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask having both improved position accuracy of a pattern and easiness of alignment, an exposure method and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

パターンの位置精度の向上と、アライメントの容易性を兼ね備えたマスク、露光方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The side forming a mask pattern is set to make a specified angle or more (preferably, 3° or above) against the (0001) face of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

マスクパターンを構成する辺が、炭化珪素基板の（０００１）面に対して所定角度以上（好ましくは３°以上）となるようにする。 - 特許庁

Than, an alignment pattern growth stopping mask and one pair of growth stopping masks extending in the same direction are selectively formed on the substrate 9.例文帳に追加

次に、半導体基板９上に目合わせパターン成長阻止マスク及び１対の同方向に延びる成長阻止マスクを選択的に形成する。 - 特許庁

On the second mask film, a resist pattern (16) which covers a read element area and has openings provided on both sides of the read element area is formed.例文帳に追加

第２のマスク膜の上に、読取素子領域が被覆され、該読取素子領域の両側に開口が設けられたレジストパターン(16)を形成する。 - 特許庁

Grooves or holes are machined thinner than pattern dimensions in a BARC etching step, and etching is made under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2.例文帳に追加

BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。 - 特許庁

Further, positioning precision of the mask does not decrease, so there is no decrease in baking precision of a pattern, so that a substrate of different size is exposed.例文帳に追加

また、マスクの位置決め精度が低下しないので、パターンの焼付け精度が低下することなく、異なる大きさの基板の露光が行われる。 - 特許庁

Further, normal etching processing using the tapered resist pattern 12c as a mask is carried out to manufacture a semiconductor device and a device in microstructure.例文帳に追加

更に、このテーパー状のレジストパターン１２ｃをマスクとして、通常のエッチング処理を行って微細構造の半導体装置やデバイスを製造する。 - 特許庁

To provide a reticle used as a mask for exposure in resist pattern formation in a semiconductor device and to provide a method for producing the reticle.例文帳に追加

半導体装置においてレジスト形成などの露光のマスクとして使用されるレチクルとこのレチクルの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

During a first irradiation step, a resist is exposed with an original mask (100), i.e. comprising substantially a pattern to be obtained in a layer.例文帳に追加

第１の照射ステップの間、レジストが、元のマスク（１００）すなわち層の中に得られるパターンを実質的に含む元のマスクで露光される。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern with high precision, in which diffraction of exposure light, light reflection between a surface and a mask, and light scattering on the surface are suppressed.例文帳に追加

露光光の回折、表面−マスク間反射、表面散乱を抑制することで、高精細なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

On the first mask pattern 14b, the half-light-shield part 13b has portions to face to the spaces (16, 17) across the light shielding part 12b.例文帳に追加

第１マスクパターン１４ｂにおいて、半遮光部１３ｂは、遮光部１２ｂを挟んでスペース（１６、１７）と対向する部分を有する配置である。 - 特許庁

While one face of the chip 20 of the mask for film deposition is superimposed on the lower face of the substrate to be treated, a thin film pattern 260c is formed.例文帳に追加

被処理基板の下面に成膜用マスクのチップ２０の一方面２０ｘを重ねた状態で、薄膜パターン２６０ｃを形成する。 - 特許庁

In the mask body 20, the spaces between the pattern regions 30 and fixing parts 5 are provided with stress relaxing regions 60 composed of a plurality of pores 61.例文帳に追加

マスク本体２０は、パターン領域３０と固定部５１との間に、複数の細孔６１からなる応力緩和領域６０を有している。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask capable of giving suitable light transmission to a halftone film according to the size of a pattern.例文帳に追加

パターンの寸法に応じて適切な光透過率をハーフトーン膜に対して与えることが可能なハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁

The center of gravity is calculated for each divided image to extract the intermediate concentration (S214-S218), which is defined as the mask image of the border of the light-and- shade pattern.例文帳に追加

分割画像毎に重心計算して中間濃度を抽出し（Ｓ２１４〜Ｓ２１８）、これを明暗パターンの境界のマスク画像とする。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that can appropriately shield a non-exposure area from light when pattern exposure is carried out by relatively moving a substrate and a mask.例文帳に追加

基板とマスクとを相対移動させることでパターン露光を行う際に、非露光領域を適切に遮光できる露光装置を提供する。 - 特許庁

Further, the electrode and the insulation layer can be made in a desired shape, since the mono-layer mask pattern can be controlled as desired in its shape.例文帳に追加

また、単層マスクパターンは形状を任意に制御できるため、電極及び絶縁膜等を所望の形状に作成することが可能となる。 - 特許庁

The prediction profile I (find.) of a resist latent image is determined at the time of transferring a mask pattern MP by exposure, based on a parameter σk after the specification.例文帳に追加

この特定後のパラメータσｋに基づいて、マスクパターンＭＰを露光により転写するときのレジスト潜像の予測プロファイルＩ(find.)を確定する。 - 特許庁

Then, second pattern exposure is performed by irradiating the resist film with exposure light 105 via a second mask through the light absorbing film.例文帳に追加

続いて、第２のマスクを介した露光光１０５をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第２のパターン露光を行う。 - 特許庁

To allow a vacuum film with high pattern precision to be formed by applying a fixed force between a mask and a substrate.例文帳に追加

本発明は、一定の力でマスクと基板の間に力を加えてパターン精度の高い真空成膜を可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The SAP is included in a mask layout for efficient self-alignment of various sub-layouts of a target pattern in a multi-patterning lithography process.例文帳に追加

ＳＡＰは、マルチパターニングリソグラフィ工程中のターゲットパターンの様々なサブレイアウトの効率的なセルフアライメントのためにマスクレイアウト内に含まれる。 - 特許庁

To provide a resist composition that can give a resist pattern having an excellent exposure margin and a mask error factor and less generation of defects.例文帳に追加

優れた露光マージン及びマスクエラーファクターを有し、且つ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The ratio D_0/D' of the outside diameter D_0 of the mask pattern for opening and the inside diameter D' of the opening is corrected depending on the inside diameter D' of the opening of the solder resist layer.例文帳に追加

ソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’に応じて、開口用マスクパターン外径Ｄ_０と開口内径Ｄ’との比Ｄ_０／Ｄ’を補正する。 - 特許庁

A resist pattern 7 is irradiated with VUV light 9 radiated from a light source 10 through a unit image formation optical system 11 and the mask 8.例文帳に追加

光源１０から放射されたＶＵＶ光９は、等倍結像光学系１１およびマスク８を介してレジストパターン７を照射する。 - 特許庁

Enlargement/reduction parts 13 and 14 respectively perform enlargement/reduction processings accompanying a filtering processing to the input image and the mask pattern.例文帳に追加

拡大縮小部１３および１４は、入力画像およびマスクパターンに対してそれぞれフィルタ処理を伴う拡大縮小処理を施す。 - 特許庁

A second mask pattern is formed by patterning the photoresist film 5, and a part of the photoresist film 5 is left on the thin film part 3a.例文帳に追加

このフォトレジスト膜５をパターニングすることにより第２マスクパターンを形成するとともに、薄膜部３ａ上にフォトレジスト膜５の一部を残す。 - 特許庁

The mask 8 is provided with an opening having an exposure margin of 0.5-1.0 times of the line width in the line width direction of the resist pattern 7.例文帳に追加

マスク８は、レジストパターン７の線幅方向に、この線幅の０．５倍以上１．０倍以下の寸法の露光マージンを有する開口部を備える。 - 特許庁

MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND DESIGNING DEVICE FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION OF PHOTOLITHOGRAPHY, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

光リソグラフィの光近接補正におけるマスクパターン設計方法および設計装置ならびにこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

Furthermore, the CPU 10 decimates dots included in the pixel string data using the mask pattern and uses the resulting data as dot data.例文帳に追加

さらに、ＣＰＵ１０は、マスクパターンを用いて画素列データに含まれるドットを間引くとともに、そうして得られたデータをドットデータとして用いる。 - 特許庁

Then, the metallic mask pattern 8 is removed (g), followed by overcoating on the rugged gratings of the double refracting film 3 (h), and dicing to individual polarizing diffraction elements (i).例文帳に追加

金属マスクパターン８を除去し（ｇ）、複屈折膜３の凹凸格子上にオーバーコートし（ｈ）、個々の偏光回折素子にダイシングする（ｉ）。 - 特許庁

This can ensure a focus margin for exposure and easily form a resist mask pattern for forming the floating gate electrode 15.例文帳に追加

これにより、フローティングゲート電極１５形成のためのレジストマスクパターンを形成する際に、露光時のフォーカスマージンを確保でき、容易に形成できる。 - 特許庁

The photoresist pattern 13 is used as a mask, and a plating base film 14 composed of Cu/Ti is formed on the whole surface of the board 11 through electron beam deposition.例文帳に追加

このフォトレジストパターン１３をマスクとして、基板１１全面に、電子ビーム蒸着でＣｕ／Ｔｉからなるメッキ下地膜１４を形成する。 - 特許庁

Deposits are accumulated covering a pattern of the photoresist mask with the plasma of CH4 gas before the coating film formed of an oxide is etched.例文帳に追加

酸化物からなる塗布膜のエッチングを行う前に、ＣＨ4ガスのプラズマによってフォトレジストマスクのパターンを覆うように堆積物を堆積させる。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask capable of giving suitable light transmissivity to a halftone film according to the size of a pattern.例文帳に追加

パターンの寸法に応じて適切な光透過率をハーフトーン膜に対して与えることが可能なハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること - 特許庁

Thereafter, a recess 13 is formed by removing, by etching, a portion of the principal surface of the semiconductor substrate 1Sub using the photoresist pattern PR2 as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンＰＲ２をエッチングマスクとして、半導体基板１Subの主面の一部をエッチングにより除去して窪み１３を形成する。 - 特許庁

To transfer a designated pattern well even when an exposure light over the wavelength of 200 nm is used in an exposure process using a resist mask.例文帳に追加

レジストマスクを用いた露光処理において波長２００ｎｍを越える露光光を用いる場合でも、所定のパターンを良好に転写する。 - 特許庁

A mask 4 having a larger pattern than the width disappearing due to side etching is formed in an area wherein the ZnO layer 3 is still left.例文帳に追加

ＺｎＯ層３を残存させる領域に、サイドエッチにより消失される幅より大きい寸法を有するパターンのマスク４を形成する。 - 特許庁

Impurity ion with a dose amount of 1×10^14 cm^-2 or more is implanted into the semiconductor substrate using the resist film pattern as a mask.例文帳に追加

次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０^14ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。 - 特許庁