「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an exposure apparatus in which exposure of a mask pattern can be fast performed with high accuracy while preventing misalignment of exposure caused by expansion/contraction of an object substrate to be exposed or of a mask on exposing the object substrate.例文帳に追加

被露光基板に露光を行う際、被露光基板またはマスクの伸縮に起因する露光のズレの発生を防止してマスクパターンの露光を迅速に且つ高精度に行うことができる露光装置を提供すること。 - 特許庁

A mask R wherein a prescribed pattern is formed is illuminated under cross pole illumination conditions, a wafer W is exposed via a projection optical system PL by light IL projected from the mask, and a hole array is formed on the wafer.例文帳に追加

クロスポール照明条件下で所定のパターンが形成されたマスクＲを照明し、該マスクから射出される光ＩＬで投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光し、そのウエハ上にホールアレイを形成する。 - 特許庁

Then the shadow mask 100 is fitted to a color fluorescent screen of the cathode ray tube for a color display so that the fluorescent pattern 103 of the shadow mask 100 is opposed to the color fluorescent screen, thereby obtaining the cathode ray tube for the color display.例文帳に追加

さらに、シャドウマスク１００の蛍光体パターン１０３をカラーディスプレー用陰極線管のカラー蛍光面に対向させる形でシャドウマスク１００を取り付け、本発明のカラーディスプレー用陰極線管を得る。 - 特許庁

This exposure system is equipped with an illuminating optical system which has a mask 27 irradiated with illuminating light and a projection optical system which projects an illuminating light onto a substrate 30, and a mask pattern is transferred onto a substrate through irradiation with illumination light.例文帳に追加

マスク２７に照明光を照射する照明光学系と、照明光を基板３０上に投射する投影光学系２９とを備え、照明光の照射によってマスクのパターンを基板上に転写する。 - 特許庁

To provide a mask member that allows execution of film-formation according to an opening pattern of the mask member, even when each beam part is arranged between opening parts, and to provide an organic EL device manufacturing method that uses the same.例文帳に追加

開口部間に梁部を配置した場合でも、マスク部材の開口パターンどおりに成膜を行うことのできるマスク部材、およびこのマスク部材を用いた有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

At first, a substrate is prepared, the substrate having a recessed part 24 formed by etching a low dielectric constant layer 21 using a metal hard mask layer 25, which is formed in a predetermined pattern on the low dielectric constant layer 21, as a mask.例文帳に追加

はじめに、低誘電率層２１上に所定パターンで形成されたメタルハードマスク層２５をマスクとして低誘電率層２１をエッチングすることにより形成された凹部２４を有する基板を準備する。 - 特許庁

An angular distribution of exposure light exposing a substrate is measured using an exposure apparatus having an illumination optical system that illuminates a mask using light from a light source and a projection optical system that projects a mask pattern on the substrate.例文帳に追加

光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを有する露光装置を用いて、基板を露光する露光光の角度分布を計測する。 - 特許庁

After the heat treatment, the mask blank is conveyed into an electron beam lithography machine 102 being in a vacuum state, through a conveyance chamber 106 kept in a vacuum state, and a pattern is drawn on the mask blank in the electron beam lithography machine 102.例文帳に追加

熱処理後には、マスクブランクを真空状態に保持された搬送チャンバ１０６内を通して真空状態にある電子線描画機１０２内に搬送し、この電子線描画機１０２内でパターンを描画する。 - 特許庁

To conquer the difficulty of mask production while enhancing resolution in the exposure of a gate line, or the like, of a severe dimensional rule when a desired pattern is obtained by projection mapping using a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めることを可能にしつつ、そのマスク製造の困難さを克服する。 - 特許庁

Since a desired pattern is uniformly formed through a light semitransmission layer of the half tone mask according to the uniformity of an oxygen-containing chromium film, that is uniformity of sputtering, the half tone mask is not limited in size.例文帳に追加

また、該ハーフトーンマスクの半透過層は、酸素（Ｏ）含有のクロム（Ｃｒ）膜の均一度、すなわち、スパッタリングの均一度によって形成しようとするパターンを均一に形成できるので、ハーフトーンマスクの大きさに制限を受けない。 - 特許庁

The speed of a printhead which scans a sheet or other print media varies based on whether a mask pattern for starting the nozzle of the printhead alternatively includes a start in a pixel position where the mask patterns are continued.例文帳に追加

用紙または他のプリント媒体をスキャンするプリントヘッドの速度は、プリントヘッドのノズルを選択的に起動するためのマスクパターンがマスクパターンの連続する画素位置における起動を含むかどうかに基づき変化する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask blank and a halftone phase shift mask having proper chemical resistance and light resistance and ensuring accurate pattern drawing without a charge-up phenomenon on patterning a resist film by electron beam lithography.例文帳に追加

耐薬品性、耐光性が良好で、レジスト膜に対して電子線描画してパターニングする際にも、チャージアップせずに正確なパターン描画ができるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

The reticle 10 is provided with a substrate 11, a shot region 12 set on the substrate 11, a mask pattern 13 formed in the shot region 12, and mask magnification information 14x formed outside the shot region 12.例文帳に追加

レチクル１０は、基板１１と、基板１１上に設定されたショット領域１２と、ショット領域１２内に形成されたマスクパターン１３と、ショット領域１２外に形成されたマスク倍率情報１４ｘとを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element closely contacts a metal mask to a board with a magnet at evaporation, and thereby accurately transcribes a pattern of the metal mask.例文帳に追加

蒸着の際にマグネットによってメタルマスクを隙間なく基板に密着させることができ、それによりメタルマスクのパターンを正確に転写できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a polygonal metal mask 5, the aperture arranging directions of aperture groups 1p, 2p, 3p and 4p for a solder printing pattern of which the number corresponds at least to the number of the sides of polygonal shape of the mask are made parallel to the sides of the polygonal shape.例文帳に追加

多角形をしたメタルマスク５において、少なくとも多角形の辺の数に対応した数のはんだ印刷パターン用の開口群１ｐ，２ｐ，３ｐ，４ｐの開口配列方向を、それぞれ多角形の辺に平行にした。 - 特許庁

To provide a substrate inspection device 100 for a mask capable of inspecting the foreign matter on the front and back of a substrate for the mask such as a reticle used when a circuit pattern is exposed to a semiconductor wafer by a simple and inexpensive constitution.例文帳に追加

半導体ウエハに回路パターンを露光する際に用いられるレチクル等のマスク用基板における表裏面の異物等を、簡単かつ安価な構成で検査できるマスク用基板検査装置１００を提供する。 - 特許庁

This aligner is provided with an illuminating optical system which illuminates a mask 51 having a pattern to be transferred on a wafer 91, and a projection optical system which projects a charged particle beam which has passed the mask 51 on the wafer 91.例文帳に追加

本露光装置は、ウエハ９１上に転写すべきパターンを有するマスク５１を照明する照明光学系と、マスク５１を通過した荷電粒子線をウエハ９１上に投影する投影光学系を備える。 - 特許庁

When the diffraction grating is formed on the side face of a ridge in a ridge-shaped waveguide, a mask pattern is formed while irregularities formed on the surface of a crystal layer are used, and its side face is side-etched so as to form a mask.例文帳に追加

また、リッジ型導波路においてそのリッジ側面に回折格子を形成する際に、結晶層の表面に形成した凹凸を利用してマスクパターンをつくり、その側面をサイドエッチングしてマスクを形成する。 - 特許庁

To obtain a transferred image with higher accuracy than a conventional one by not only simply carrying out OPC (optical proximity correction) on the mask pattern figure of an exposure mask but by taking into consideration the occurring tendency of dimensional errors after transferring.例文帳に追加

露光用マスクのマスクパターン形状に対して、単にＯＰＣを行うだけではなく、転写後の寸法誤差の生じ易さをも考慮することで、従来よりも高精度な転写像を得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mask capable of forming by exposure a contact hole pattern which has a fine hole diameter and in which the contact holes ranging from isolated contact holes to contact hole arrays coexist with high resolution and without replacing the mask.例文帳に追加

微細なホール径を持ち、コンタクトホールあるいは孤立コンタクトホールからコンタクトホール列までが混在するコンタクトホールパターンを、マスクを交換せずに、高解像度で露光可能なマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

An illuminating optical system which projects lighting light upon a mask 27 and a projection optical system 29 which projects lighting light upon a substrate 30 are provided, and the pattern of the mask 27 is transferred to the substrate 30 by projecting the illuminating light rays.例文帳に追加

マスク２７に照明光を照射する照明光学系と、照明光を基板３０上に投射する投影光学系２９とを備え、照明光の照射によってマスクのパターンを基板上に転写する。 - 特許庁

The distortion induced by the reflective mask (MA), on the absorbing layer of which a mask pattern has been embodied, and the inclined lighting is calculated and aberration in a projection system (PL) is introduced and/or controlled in order to correct the distortion.例文帳に追加

厚い吸収層にマスクパターンを具現した反射性マスク（ＭＡ）と傾斜照明が誘起する歪みを計算し、それを補正するために投影システム（ＰＬ）に収差を導入および／または制御する。 - 特許庁

By moving and exposing a mother mask 4 by scanning in the X direction and stepwise moving in the Y direction, a pattern region 9 of the mother mask 4 can be transferred onto the entire surface of the exposure region 11 of the mother substrate 10.例文帳に追加

マザーマスク４をＸ方向のスキャンとＹ方向のステップによって移動させて露光することにより、マスク基板１０における露光領域１１の全面に、マザーマスク４のパターン領域９が転写できる。 - 特許庁

To provide a blank holder which enables the user to process the other side, keeping a pattern already made at one side of a blank for formation of an exposure mask in non-break condition, and a method of manufacturing the exposure mask.例文帳に追加

露光マスク形成用のブランクスの一方の面に既に形成されたパターンを非破壊に保った状態で、他面の加工を行うことが可能なブランクス保持具および露光マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

After openings for the contact holes of the hard mask 107A are transferred to the second interlayer insulation film 106 and the etching stopper film, openings for interconnection trenches in second resist pattern 110 are transferred to the hard mask 107A.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０６及びエッチングストッパー膜にハードマスク１０７Ａの接続孔用開口部を転写した後、ハードマスク１０７Ａに第２のレジストパターン１１０Ａの配線溝用開口部を転写する。 - 特許庁

A work 25 coated with a photosensitizer such as a resist is irradiated with a light emitted from the integrator 20 through a collimator 21 and a mask 23, and a pattern formed to the mask 23 is exposed and formed to the photosensitizer on the work 25.例文帳に追加

インテグレータ２０から出射した光は、コリメータ２１、マスク２３を介してレジスト等の感光剤が塗布されたワーク２５に照射されマスク２３に形成されたパターンがワーク２５上の感光剤に露光形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflection type mask, by which an absorption layer pattern having a desired tapered angle is formed relatively easily with high precision in manufacture of a reflection type mask for EUV exposure.例文帳に追加

ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造において、所望するテーパー角度を有する吸収層パターンを比較的容易に高精度で形成することができる反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the image forming apparatus, a mask part 3 and a glass substrate 9 are disposed parallel to each other in a liquid toner in a toner container 21 with the electrode pattern 31 of the mask 3 opposing to the counter face of the glass substrate 9.例文帳に追加

画像形成装置では、トナー容器２１内の液体トナー中にて、マスク部３の電極パターン３１とガラス基板９の対向面とを対向させつつマスク部３とガラス基板９とが互いに平行に配置される。 - 特許庁

A CP aperture mask is formed (S9) as a shape correction based on a blur difference (S2) of the beam between the directions of X and Y is taken into consideration, and the image of the pattern is transferred on the specimen for CP exposure by the use of the CP aperture mask.例文帳に追加

ＸＹ方向における電子ビームのぼけ量（Ｓ２）の違いによる形状補正を取り入れてＣＰアパーチャマスクを作成し（Ｓ９）、該ＣＰアパーチャマスクを用いて試料上にパターンをＣＰ露光する。 - 特許庁

The photo mask is disposed on the upper layer side of the long-wavelength light reflective film, and includes a mask pattern formed by using an absorption film which absorbs the EUV light and the long wavelength light.例文帳に追加

また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。 - 特許庁

Shapes and dimensions of the resist pattern and the hard mask patterns are set so that edges on both sides of the lower electrode extending in the first direction are depressed inward in regions between the hard mask patterns.例文帳に追加

下部電極の、第１の方向に延在する両側の縁が、ハードマスクパターンの間の領域において、内側に向かって窪むように、レジストパターン及びハードマスクパターンの形状及び寸法が設定されている。 - 特許庁

An etching operation is carried out using the resist film 42 as a mask, by which the hole pattern 43 is transferred onto the insulating films 38, 37, 36, and 35.例文帳に追加

レジスト膜４２の存在下でエッチング処理を施し、絶縁膜３８，３７，３６および絶縁膜３５の一部に孔パターン４３を転写する。 - 特許庁

To provide a method and an aligner for exposure which can transfer an image of a fine isolated pattern formed on a mask to a wafer with high resolution.例文帳に追加

マスク上に形成された微細な孤立パターンの像を高い解像力でウェハ上に転写可能な露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The patterning of a first pattern is carried out on a layer composed of a photosensitive member prepared on a processed substrate 1 sandwiching a processed layer 2 and a mask layer.例文帳に追加

被処理基板１上に被加工層２およびマスク層を挟んで設けられた感光性部材からなる層に第１のパターンをパターニングする。 - 特許庁

The first insulating film on the first region is covered with a mask pattern and the first insulating film on the second region is removed.例文帳に追加

前記第１の領域上の前記第１の絶縁膜をマスクパターンで覆い、前記第２の領域上の前記第１の絶縁膜を除去する。 - 特許庁

The material liquid 70 in the pattern opening 58 is repelled by the liquid repellent film 54 and prevented from intruding between the mask 50 and the work 40.例文帳に追加

パターン開口５８内の原料液７０は、撥液膜５４によってはじかれ、マスク５０とワーク４０との間に浸入することが阻止される。 - 特許庁

Therefore, while maintaining strong phase shift effects as features of a conventional crome-less phase shift mask, pattern falling can be suppressed.例文帳に追加

したがって、従来のクロムレス位相シフトマスクの特徴である強い位相シフト効果を維持しつつ、パターン倒れを抑制することが可能となる。 - 特許庁

The vector data are converted into raster data by referencing the mask matrix pattern obtained in this way and the vector is printed on the basis of the raster data.例文帳に追加

このようにして得られたマスクマトリクスパターンを参照して前記ベクタデータをラスタデータに変換し、該ラスタデータに基づいてベクタの印字を行う。 - 特許庁

Based on the expansion/contraction rate measured at the time of alignment, incident angle of an electron beam to the mask pattern is controlled thus correcting the transfer magnification.例文帳に追加

そして、転写時に前記測定した伸縮率に基づいて電子ビームのマスクパターンへの入射角度を制御し、転写倍率を補正する。 - 特許庁

An EUV light radiated from a light source passes through an illumination optical system and is inputted onto a device pattern 21 on a reflection mask 8 from a tilted direction.例文帳に追加

光源部から照射されたＥＵＶ光は、照明光学系を経て、反射型マスク８上のデバイスパターン２１に斜めに入射する。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of accurately transferring a mask pattern to a substrate surface by exposure even with a simple structure, and an exposure method.例文帳に追加

簡易な構造であっても、マスクパターンを高い精度で基板表面に露光することができる露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁

According to this method, a pretreatment is effected for forming a modified part 13b by processing the film to be etched 13 exposed from the mask pattern 15 with SiO_2.例文帳に追加

これにより、マスクパターン１５から露出している被エッチング膜１３部分をＳｉＯ_2化して改質部１３ｂを形成する前処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of forming a hard mask pattern for defining active regions arrayed in a matrix below a resolution limit of exposure equipment.例文帳に追加

マトリックス状に配列された露光装備の解像度限界以下の活性領域を定義するためのハードマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A contact portion of the magnetic body film 6 which contact the mask patterns 7' and 8' is not exposed at the time of removing the resist pattern, and therefore is not easily oxidized.例文帳に追加

磁性体膜６のうちマスクパターン７’、８’と接触する接触部分は、レジストパターンの除去の際に露出されず、酸化されにくい。 - 特許庁

A film to be etched 13, consisting of an SiOCH-based insulating film, is formed on a substrate 11 and a plasma treatment on a mask pattern 15 is effected.例文帳に追加

基板１１上にＳｉＯＣＨ系絶縁膜からなる被エッチング膜１３を形成し、マスクパターン１５上からのプラズマ処理を行う。 - 特許庁