| 意味 | 例文 |
MASK patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5189件
A pattern-coating material 5, for use in a process of etching a pattern 3B formed on a substrate 1 with use of the pattern as a mask 4, contains a metal compound which can generate hydroxyl groups through hydrolysis.例文帳に追加
基板1の上に形成されたパターン3Bをマスク4としてエッチングをするプロセスに用いられるパターン被覆材料5であって、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物を含有することを特徴とするパターン被覆材料を用いてパターンを被覆する。 - 特許庁
In the next step, the first removing layer 4 and the exposed part of the second removing layer 8 without the mask of the inorganic material pattern 6 are removed from the transcript 20 to form a spacer including the inorganic material pattern 6 and a part of the second removing layer 8 covered with the pattern.例文帳に追加
その後、転写体20から第1剥離層4を除去し、無機材料パターン6をマスクとして第2剥離層8の露出部分を除去することで、無機材料パターン6とそれにより覆われた第2剥離層部分とを含んでなるスペーサを形成する。 - 特許庁
In the exposure mask M to be used for an exposure apparatus S, a plurality of pattern blocks comprising a pair of a light blocking pattern to block light emitting from the exposure apparatus S and a transmissive pattern to transmit the light are continuously arranged in such a manner that the pitch of the continuous pattern blocks is constant while a ratio of the light blocking pattern to the transmissive pattern is gradually varied.例文帳に追加
本発明は、露光装置Sで用いられ露光用のマスクMにおいて、露光装置Sから出射される光を遮断する遮光パターンと、この光を透過する透過パターンとの対から構成されるパターンブロックが複数連続して配置されているとともに、その連続するパターンブロックのピッチが一定で、しかも遮光パターンと透過パターンとの比率が徐々に変化するよう設けられている。 - 特許庁
To provide a method of forming a fine pattern to form the pattern by covering, with a cover forming agent, a substrate including a photoresist pattern (mask pattern) in which pattern size can be well controlled, a fine pattern satisfying the excellent profile and requested chararacteristic for a semiconductor device can be obtained and moreover generation of particles which can result in contamination of device can be prevented.例文帳に追加
ホトレジストパターン(マスクパターン)を有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行う微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができ、さらにデバイスの汚染の原因となり得るパーティクルの発生を防止した、微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
The surface of a substrate 2 is provided with a mask 2, and a liquid w containing fine particle polishing material is injected from a nozzle 5 to the surface of the substrate 2 to work a pattern.例文帳に追加
基板2の表面にマスク2を設け、該基板2の表面に微粒の研磨材を含む液体wをノズル5から噴射してパターンを加工する。 - 特許庁
To provide a method for forming a mask including a pattern forming process by lift-off, the method by which a film is accurately patterned while the occurrence of damage to a resist is suppressed.例文帳に追加
リフトオフによるパターンの形成工程を含むマスクの形成方法に関し、膜を精度良くパターニングし、しかもレジストのダメージ発生を抑制すること。 - 特許庁
The light 6 emitted from the optical system 5 forms the image of the standard pattern formed on the mask 4 on the surface of a wafer 8 placed on a wafer stage 7.例文帳に追加
極短紫外線光学系5からの出射光6は、マスク4の標準パターンの像をウエハステージ7上に載置されたウエハ8の表面に結像する。 - 特許庁
At the time of performing scanning exposure, the mask 14 is moved upward or downward in the figure so that the whole surface of the pattern area 10 may be illuminated successively.例文帳に追加
スキャン露光では、マスク14を図の上方、又は下方に向けて移動させ、これによりパターン領域全面が順次照明されるようにする。 - 特許庁
To provide a method for identifying an extreme interaction pitch region, a method for designing and manufacturing a mask pattern, a device manufacturing method and a computer program.例文帳に追加
極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計、製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラムを提供すること。 - 特許庁
To provide a shadow mask subjected to a pattern correction capable of making the boundary of an image area appearing on a panel straight or in a curved line near the straight.例文帳に追加
パネル上に表れる画像エリアの境界を直線または直線に近い曲線にすることを可能とするパターン補正されたシャドウマスクを提供する。 - 特許庁
A photosensitive resist is applied on the surface of a transparent conductive layer 3, exposed through a specified mask pattern and developed to form a resist layer 4.例文帳に追加
透明導電層3の表面上に感光性レジストを塗布し、所定のマスクパターンによって露光し、現像することによって、レジスト層4を形成する。 - 特許庁
To provide a touching-up method as a method for imparting new images to a faulty pattern part of a metal image on a mask for exposure and to an image unformed part.例文帳に追加
露光用マスク上金属画像のパターン不良箇所等、及び画像未形成部への新たな画像付与としての加筆方法を提供する。 - 特許庁
A pattern is formed on the wafer by using a mask, with which respective chips are arrayed so as to cross the direction of '01 bar 1 bar' forming the orientation flat at 45°.例文帳に追加
オリエンテーションフラットを形成した[01バー1バー]方向に対して45度に交差するように各チップを配列したマスクを用いて、ウェハにパターンを形成する。 - 特許庁
On the basis of the reference bias, the amount of mask bias for each element of a pattern is calculated, and correction is made to give dimensional change (reshaping) to each element.例文帳に追加
そして、この基準バイアスを基にしてパターンの各要素のマスクバイアス量を計算して、各要素に寸法変化(リシェイプ)を与える補正を行う。 - 特許庁
Then the mask area 11 with the X-direction pattern P1 arranged therein is exposed to an electron beam EB having smaller out-of-focus in the X-direction as compared with the Y-direction.例文帳に追加
そして、X方向パターンP1が配置されたマスク領域11にはX方向に比べてY方向のぼけが小さい電子線EBで露光する。 - 特許庁
To provide a reflection type exposing method capable of securing the quality of a pattern transferred to a wafer while mitigating allowable specifications of a reflection type mask varying in size error.例文帳に追加
寸法誤差が変化する反射型マスクの許容仕様を緩和しつつ、ウエハに転写したパターンの品質を確保できる反射型露光方法を提供する。 - 特許庁
To provide a projection exposure apparatus transferring by exposure a circuit pattern of a mask onto an exposure object with high accuracy while preventing production of foreign matter or dust.例文帳に追加
ゴミ又はホコリを発生させることなく高精度にマスクの回路パターンを被露光体に露光できるようにすることが可能な投影露光装置を提供する。 - 特許庁
A method for producing a color filter is also provided which includes a step of forming a pattern by applying the colored curable composition on a support, exposing it through a mask and performing development.例文帳に追加
および該着色硬化性組成物を支持体上に塗布後マスクを通して露光し、現像してパターンを形成する工程を含むカラーフィルタの製造法。 - 特許庁
To obtain a method for analyzing a defect of a mask blank, which is capable of accurately specifying which process a defect occurred during formation of a thin film for pattern formation in.例文帳に追加
パターン形成用薄膜の際、どのプロセスで欠陥が発生したのかを正確に特定することができるマスクブランクの欠陥分析方法を得る。 - 特許庁
In addition, there is no need to prepare a conveyance route for the mask M outside the pattern drawing apparatus 1, thereby the work space for the total process flow can be decreased.例文帳に追加
また、パターン描画装置1の外部にマスクMの搬送経路を確保する必要がないため、工程全体の作業スペースを低減させることができる。 - 特許庁
To provide a proximity correction mask with high accuracy and no defect in a short period of time while keeping a process margin in a complicated LSI pattern.例文帳に追加
複雑なLSIパターンにおいて、プロセス余裕度を保ちながら欠陥の無い高精度な近接効果補正マスクを短時間で提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a reflective exposure mask which suppresses the deterioration of the image contrast of a transfer pattern even when a target dimension is reduced into an finer dimension area.例文帳に追加
ターゲット寸法がより微細な寸法領域に突入しても、転写パターンの像コントラストの低下を抑制できる反射型露光用マスクを提供する。 - 特許庁
To provide a charged particle beam exposing mask suppressing or eliminating non-opening or opening failure of a desired pattern and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
所望のパターンの未開口や開口不良を抑止ないしは解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスクとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To determine an exposure condition or a mask pattern with which a desired image can be obtained when exposure is actually performed even if a lateral shift of an image due to exposure equipment occurs.例文帳に追加
露光装置に起因する像の横ずれがあっても、実際に露光を行った場合に所望の像が得られる露光条件またはマスクパターンを決定する。 - 特許庁
To manufacture an organic EL display device which can display multicolored images without using a metal fine mask for pattern deposition of emission layers.例文帳に追加
有機EL表示装置の製造で発光層をパターン成膜するための金属製ファインマスクを使用することなしに多色画像を表示可能とする。 - 特許庁
To provide a metal mask for solder printing featuring that the quantity of a soldering paste to be printed on a land electrode can be made stable despite the pattern of the land electrode.例文帳に追加
ランド電極のパターンにかかわらず、ランド電極に印刷されるはんだペーストの量が安定するはんだ印刷用メタルマスクを提供する。 - 特許庁
In production of the beam structure 144 having the step portion 160 by wet etching, an etching substance 400 is coated with a mask pattern 450.例文帳に追加
ステップ部160を有するはり構造体144をウエットエッチングによって製作するために、被エッチング材400にマスクパターン450をコーティングする。 - 特許庁
To provide a power supply noise reduction package capable of bypassing effectively a noise voltage by a capacitor without increasing a mask pattern and a diffusion step of a semiconductor chip.例文帳に追加
半導体チップのマスクパタン、拡散工程の増加をすることなく、ノイズ電圧をコンデンサにより効率的にバイパスできる電源ノイズ低減パッケージを提供する。 - 特許庁
Furthermore, the substrate 21 is etched with the resist 35 and mask pattern 37 to form the substrate 21 into the prescribed shape.例文帳に追加
そして、角部保護用レジスト35と成形用マスクパターン37に基づいて、半導体基板21をエッチング加工して該半導体基板21を設定の形状に形作る。 - 特許庁
A material liquid ejector 60 ejects film forming material liquid 70 for patterning in the form of liquid drops 72 being injected into a pattern opening 58 of the mask 50.例文帳に追加
原料液吐出器60は、パタンを形成するための成膜用原料液70を液滴72として吐出し、マスク50のパターン開口58に注入する。 - 特許庁
A projection optical unit PL1 forms an image on a first surface (where a pattern DP formed on a mask is arranged) on a second surface (the upper face of a plate P).例文帳に追加
投影光学ユニットPL1は、第1面(マスクに形成されたパターンDPが配置され面)の像を第2面(プレートPの上面)上に結合させる。 - 特許庁
The amorphous carbon layer and the upper part of the layers to be patterned except at least the layer 43 of the lower part of the layers are etched by using the resist pattern 47 as a mask.例文帳に追加
レジストパターン47をマスクとして、アモルファスカーボン膜と、パターニングすべき膜の少なくとも下層部分43を残して一部上層部分をエッチングする。 - 特許庁
A metal mask 12 and a quartz glass plate 13, provided with holes according to the pattern of the circuit to be formed, are placed over the surface of the organic semiconductor film 11.例文帳に追加
有機半導体膜11の表面に、形成する回路等のパターンに応じた孔を設けたメタルマスク12及び石英ガラス板13を載置する。 - 特許庁
In the laser beam machining method, laser beam is emitted to irradiate a substrate 600 with an image through a pattern formed on a mask 501 and an imaging lens 506.例文帳に追加
本レーザ加工方法では、レーザ光を照射し、マスク501に形成されたパターンを介し、結像レンズ506を経て、基板600上に像を照射する。 - 特許庁
To provide a mask for exposure capable of suppressing shortening corresponding to the environment without increasing the chip area and a method for correcting its pattern.例文帳に追加
チップ面積を増大させることなく、環境に応じたショートニングの抑制を可能とする露光用マスク及びそのパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁
Luminescent layers 31 to 33 are formed by forming films from polymer compounds, and hardening them in a given pattern by irradiating light on them through a mask and bridging them.例文帳に追加
高分子化合物を成膜し、マスクを介して光照射して架橋させることにより所定のパターンに硬化させて発光層31〜33を形成する。 - 特許庁
Then, the frequency of replacing or washing the mask M is decreased, consequently, the production capacity of the pattern drawing device is improved.例文帳に追加
従って、マスクMの交換や洗浄の頻度を低減させることができ、その結果、パターン描画装置の生産能力を向上させることができる。 - 特許庁
The circuit 31 conforming to the main pattern 11 and the mark 32 continued conforming to the auxiliary patterns 13 are formed by photo-etching using the first mask 10.例文帳に追加
第1のマスク10による写真蝕刻を通じ、主パターン11に従う回路部31と、補助パターン13に従って繋がるマーク32とが形成される。 - 特許庁
The second conductive film 109 for wiring is etched with the second via contact 111 as the mask, to form a metal dot pattern 109B.例文帳に追加
第2のビアコンタクト111をマスクとして第2の配線用導電膜109に対してエッチングを行なってメタルドットパターン109Bを形成する。 - 特許庁
The resist pattern 64 is removed to thereby form an SiO_2 mask for manufacturing a waveguide layer structure having a tilted surface a on InP (e).例文帳に追加
レジストパターン64を除去することにより、InP上に傾斜面aを有する導波層構造を作製するためのSiO_2マスクが形成される(e)。 - 特許庁
To provide an evaluation method for a mask pattern and an evaluation device capable of making lithographic simulation results coincident with the results of actual wafer exposure.例文帳に追加
リソグラフィシミュレーションの結果と実際のウェハ露光の結果を一致させることができるマスクパターン評価方法及び評価装置を提供すること。 - 特許庁
The undercoat of the light shielding layer is subjected to a third etching process by using the light shielding layer and the resist pattern for correction as a mask to correct the excess defect.例文帳に追加
遮光層及び修正用レジストパターンをマスクにして遮光層の下層に対して第3のエッチング処理を施し余剰欠陥箇所を修正する。 - 特許庁
The projections of the light extraction surface can be formed by etching using a dot pattern formed by phase separation of a block copolymer, as a mask.例文帳に追加
この光取り出し面の凸部は、ブロックコポリマーの相分離により形成されるドットパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成させることができる。 - 特許庁
Then the resist film 9 is subjected to exposure through a predetermined mask and to heat treatment, and developed to form a resist pattern.例文帳に追加
その後、レジスト膜9に対して、所定のマスクを介しての露光および加熱処理を行った後、現像処理を施すことによってレジストパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a vacuum deposition mask wherein the patterning part will have no distortion of a pattern shape or misregistration, even if it is fixed to a fixed frame with tensile force applied to it.例文帳に追加
張力をかけた状態で固定枠に固定してもパターニング部のパターンの形状の歪みや位置ずれのない真空蒸着マスクを提供する。 - 特許庁
To provide a vapor deposition apparatus which forms a vapor deposition pattern stably over a long period, by keeping a mask free from the slack and a wrinkle.例文帳に追加
マスクに弛みやシワが無い状態を維持できるようにして、長期に亘って安定した蒸着パターンを得ることができる蒸着装置を提供する。 - 特許庁
When the object is outputted on a display apparatus in this case, the display apparatus draws an image of the image data on the memory according to a function of a mask pattern of the graphic object.例文帳に追加
このときディスプレイ上に出力するときは、図形オブジェクトが有するマスクパターンの機能に従って、メモリ上の画像データに描画する。 - 特許庁
To reduce the processing time and to suppress generation of a minute edge when a mask pattern subjected to optical proximity correction is partially changed.例文帳に追加
光近接効果補正が施されたマスクパターンの一部について変更を行う場合、処理時間の短縮化と微小エッジの発生の抑制を図ること。 - 特許庁
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