「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

A specific machine (machine A) that is a specific aligner is arbitrarily selected from among a plurality of aligners for exposing a substrate to light via a mask pattern.例文帳に追加

マスクのパターンを介して基板を露光する複数の露光装置のうちから特定の露光装置である特定号機（号機Ａ）を任意に選定する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR GENERATING MASK PATTERN, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM WITH PROGRAM MAKING COMPUTER TO IMPLEMENT THE SAME METHOD RECORDED THEREON, AND PHOTOMASK例文帳に追加

マスクパターン生成装置、マスクパターン生成方法、その方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体およびフォトマスク - 特許庁

Subsequently, ion implantation is performed using a resist mask of a convex shape pattern covering a drain region 3, a channel region 35 and the source region 4 to form a channel stopper 7.例文帳に追加

そして、ドレイン領域３、チャネル領域３５及びソース領域４を覆う凸字形パターンのレジストマスクを用いてイオン注入し、チャネルストッパ７を形成する。 - 特許庁

To improve accuracy of shape control for a silicon substrate, in a method for manufacturing a mask having a silicon substrate with an opening pattern formed thereon.例文帳に追加

開口パターンが形成されたシリコン基板を有するマスクを製造する方法において、シリコン基板に対する形状制御の精度向上を図る。 - 特許庁

An etching object film 102, a hard mask film 104, and first auxiliary patterns are formed on a semiconductor substrate, and silyration process is applied for the auxiliary pattern.例文帳に追加

半導体基板上にエッチング対象膜１０２、ハードマスク膜１０４及び第1の補助パターンを形成し、第1の補助パターンにシリレーション工程を行う。 - 特許庁

Successively, the sacrifice film 105 formed with the trench pattern 105a is used as a mask, and ultraviolet rays or electron beams are irradiated onto the insulating film 104.例文帳に追加

続いて、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に対して紫外線又は電子線を照射する。 - 特許庁

The photomask used when forming an etching mask for the emitter region of the HBT has a pattern wherein a region R is combined with regions T1-T4.例文帳に追加

エミッタ領域形成用のエッチングマスクを形成する際に用いられるフォトマスクは、領域Ｒと領域Ｔ_1〜Ｔ_4が組み合わされたパターンを有している。 - 特許庁

CALCULATION METHOD OF STORED ENERGY AND PROXIMITY EFFECT, PROGRAM MEMORY MEDIUM, DESIGNING METHOD OF MASK OR RETICLE PATTERN, AND PROCESSING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

蓄積エネルギー計算方法、プログラム記憶媒体、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

Through etching using the first mask, a plurality of periodic structures corresponding to the plurality of pattern parts respectively are formed in the semiconductor region in a stage S108.例文帳に追加

第１のマスクを用いたエッチングにより、複数のパターン部にそれぞれ対応する複数の周期構造を半導体領域に工程Ｓ１０８で形成する。 - 特許庁

To directly measure the phase difference working amount of a phase shifter without stripping a resist pattern in the working process of the phase shifter of an engraved Levenson type phase shifting mask, etc.例文帳に追加

彫り込み型レベンソン型位相シフトマスク等における位相シフター加工工程中にレジストパターンを剥離することなく位相差加工量を直接計測する。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring board includes a step for forming a wiring pattern 40 by etching a metal layer 20 formed with a patterned mask 30.例文帳に追加

配線基板の製造方法は、パターニングされたマスク３０が設けられた金属層２０をエッチングして配線パターン４０を形成することを含む。 - 特許庁

The gate pattern and the spacer are used as an ion implantation mask, impurities are injected to the semiconductor substrate, and high density source/drain regions are formed.例文帳に追加

ゲートパターン及びスペーサをイオン注入マスクとして使用し、半導体基板に不純物を注入して高濃度ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide a metal mask in which an opening width can be made narrower compared with a conventional one even if manufactured using the same pattern accuracy as a photoresist.例文帳に追加

フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができるメタルマスクを提供する。 - 特許庁

Thereby, a toner image corresponding to the electrode pattern 31 of the mask part 3 can be easily formed on the glass substrate 9 in the image forming apparatus.例文帳に追加

これにより、画像形成装置では、ガラス基板９上にマスク部３の電極パターン３１に対応するトナー画像を容易に形成することができる。 - 特許庁

A substrate is subjected to ashing after etching through a photoresist pattern disposed on the substrate as a mask and then the substrate is treated by applying the solution.例文帳に追加

そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理をした後、上記処理液組成物を適用して基板を処理する。 - 特許庁

An exposure pattern of the reticle R1 is multiply recorded on the hologram mask H1, and the focal point depth of a reproduction light can be adjusted at the time of hologram exposure.例文帳に追加

ホログラムマスクＨ１には、レチクルＲ１の露光パターンが多重記録され、ホログラム露光時に再生光の焦点深度を調整することが可能である。 - 特許庁

In a manufacture of a TFT panel, the semiconductor pattern and a drain electrode of a TFT are simultaneously patterned by etching using the same mask.例文帳に追加

本発明によるＴＦＴパネルの製造では、半導体パターンとＴＦＴのドレイン電極とを、同じマスクを利用したエッチングで同時にパターニングする。 - 特許庁

A channel ion implantation region is formed by ion-implanting a dopant of a first conductivity type in the active region of the semiconductor substrate using the mask pattern.例文帳に追加

前記マスクパターンを前記半導体基板の活性領域に第１導電型のドープ剤をイオン注入してチャンネルイオン注入領域を形成する。 - 特許庁

Intermediate layer patterns 3a, 4a are formed from the intermediate layer films by etching the intermediate layer films 3, 4 using the upper layer resist pattern as a mask.例文帳に追加

上層レジストパターンをマスクとして、中間層膜３、４をエッチングすることにより、中間層膜から中間層パターン３ａ、４ａを形成する。 - 特許庁

The set mask pattern is applied to the pixel region corresponding to each pixel, and recording pixels to be recorded at respective pixel regions are determined (step 260).例文帳に追加

設定されたマスクパターンが各々の画素に対応する画素領域に適用され、各々の画素領域で記録される記録画素が決定される（ステップ２６０）。 - 特許庁

The metal film 110 is selectively etched thereafter to be removed by a dry etching method such as reactive ion etching method, for example, using the resist pattern 111 as a mask.例文帳に追加

この後、レジストパターン１１１をマスクとし、例えばリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチング法により金属膜１１０を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

After the resist pattern is removed, the protective layer is selectively removed by wet-etching with the patterned film as a mask, so that the semiconductor laminate structure is exposed.例文帳に追加

レジストパターンを除去した後、パターニングされた被膜をマスクとして、保護層をウェットエッチングにより選択的に除去し、半導体積層構造を露出させる。 - 特許庁

The reduction of doming and the lowering of power consumption are attained by performing ON/OFF control of an electron beam in synchronization with a mask aperture pattern.例文帳に追加

マスク開口パターンに同期して、電子ビームをＯＮ／ＯＦＦ制御することにより、ドーミングの大幅な低減、消費電力の低減を図ることができる。 - 特許庁

A mask pattern 40 having a light shielding part 41 comprising a light shielding film such as a chromium film and phase shifters 42 and 43 is formed on a transmissive substrate 30.例文帳に追加

透過性基板３０上に、クロム膜等の遮光膜よりなる遮光部４１と位相シフター４２及び４３とを有するマスクパターン４０が形成されている。 - 特許庁

A mask 112 has a transfer pattern including a blocking area 3 and a transparent area 4 and transmits the electron beam 1a from the electron beam gun 102.例文帳に追加

マスク１１２は、ブロッキング領域３及び透明領域４からなる転写パターンを有し、電子ビーム銃１０２からの電子ビーム１ａが通過される。 - 特許庁

MASK PATTERN FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING COATING COMPOSITION FOR FORMING MICROPATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

A Cu layer 3 formed on a surface of a substrate 1 is overlaid with a photo resist pattern 4 that constitutes a mask corresponding to Cu wiring to be formed.例文帳に追加

基板１の表面に形成したＣｕ層３上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターン４を設ける。 - 特許庁

The peeling layer 102 and the insulating film 101 are subjected to plasma etching using a resist pattern 103 as a mask and an etching gas containing carbon and fluorine.例文帳に追加

剥離層１０２及び絶縁膜１０１に対してレジストパターン１０３をマスクにすると共に炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なう。 - 特許庁

To improve precision of a drawing position of a pattern in a continuous drawing-type EB mask drawing device.例文帳に追加

本発明は、連続描画型のＥＢマスク描画装置において、パターンの描画位置の精度をより向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal mask for vapor deposition capable of forming the vapor deposition pattern of an organic luminescent material in an organic EL (electroluminescence) display panel on a glass substrate with high positional precision.例文帳に追加

有機ＥＬ表示パネルの有機発光材料の蒸着パターンをガラス基板上に位置精度良く形成するための蒸着用メタルマスクを提供する。 - 特許庁

The inkjet recording system comprises an arrangement for determining the recording position of a dot at the time of binary recording with reference to a mask pattern when multipass recording is performed.例文帳に追加

マルチパス記録を実行する際のマスクパターンを参照することによって、２値記録を行う際のドットの記録位置を定める構成を具備する。 - 特許庁

The electrical contact button 120 is formed on the surface of the sacrificial post by the metal covering process for covering metal in a desired pattern using a mask.例文帳に追加

電気接点ボタン１２０は、マスクを使用して所望のパターンに金属被覆する金属被覆プロセスによって犠牲柱の表面に形成される。 - 特許庁

When a manipulation with a function key A is detected in a step S105, a mask pattern is read according to a photographic mode and superposed on the through image (step S106).例文帳に追加

また、ステップＳ１０５でファンクションキーＡの操作が検出されると、撮影モードに沿ってマスクパターンを読み出し、スルー画像に重畳表示する（ステップＳ１０６）。 - 特許庁

To provide a mask ROM-manufacturing method of a flat cell structure for preventing nonuniformity in wrought wear due to difference in pattern density, and for reducing manufacturing time and costs.例文帳に追加

パターン密度差に起因する錬磨不均一を防止し、製造時間及び原価を節減することができるフラットセル構造のマスクロム製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask has a pattern in which stripe-like covering parts extending in <11-20> direction are arranged in parallel with each other, and has the aperture 112 between the adjacent covering parts.例文帳に追加

マスクは、<１１−２０>方向に延在するストライプ状の被覆部が平行配置されたパターンを有し、隣接する被覆部の間に開口部１１２を有する。 - 特許庁

The position accuracy of a mask used to form the second group of the repeat pattern is judged based on the decided second and first pitches.例文帳に追加

第２組の繰り返しパターンを形成するのに用いられるマスクの位置精度は、その決定された第２ピッチ及び第１ピッチに基づいて判断される。 - 特許庁

The mask has the reinforcing section 3 arranged over the open holes 2 for forming the wiring pattern, and a recess 4 formed on a part of the reinforcing section 3, which covers the open holes 2.例文帳に追加

配線パターンを形成する貫通孔２を跨いで補強部３を配設し、補強部３の貫通孔２を覆う部分に凹部４を設ける。 - 特許庁

Based on the obtained ratio, a profile of a residual film thickness of a surface protection film in the one-chip mask region, that is, the pattern ratio for CMP is obtained.例文帳に追加

取得されたこの面積割合に基づいて、ワンチップマスク領域内での表面保護膜の残膜厚の分布、すなわち、ＣＭＰ用パターンレシオを取得する。 - 特許庁

The mask 56 has a pattern 59 for the non-recessed part corresponding to the non-recessed part and patterns 54 for the recessed parts corresponding to the recessed parts 20 and the pattern 59 for the non-recessed part has a frame-shaped region 53 enclosing the patterns 54 for the recessed parts.例文帳に追加

このマスク５６は、非凹部に対応する非凹部用パターン５９と、凹部２０に対応する凹部用パターン５４とを有し、非凹部用パターン５９は凹部用パターン５４を取り囲む枠状の領域５３を有する。 - 特許庁

Subsequently, in S4, the substrate 10 is separated from the transfer target material 22, and the metal foil 12 is transferred onto the surface of the transfer target material 22 through the hot-melt adhesive layer 14 with a pattern reverse to the pattern in the mask image 18.例文帳に追加

その後Ｓ４にて、被転写材２２から基体１０を引き離し、被転写材２２の表面にホットメルト接着層１４を介して金属箔１２をマスク画像１８のパターンとは逆パターンで転写する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflection-type exposure mask to give high contrast inspection images upon pattern inspection, and to give high contrast exposure images upon pattern transfer, making it possible to achieve highly reliable reflection-type masks.例文帳に追加

パターン検査の際には高コントラストの検査像が得られ、パターン転写の際には高コントラストの露光像が得られ、信頼性の高い反射型マスクを実現できる反射型露光マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, a uniform pattern can be obtained on the wafer by measuring an opening/closing ratio within the region influenced by flare can be measured based on the amount of flare of lens and then correcting (S8) the line widths of the mask pattern based on this opening/closing ratio.例文帳に追加

また、レンズのフレア量により、フレアの影響を受ける領域内にて開閉比を測定し、この開閉比により、マスクパターンの線幅を補正（Ｓ８）することにより、ウェーハ上部に均一なパターンが得られる。 - 特許庁

For example, when a dry film resist 60 is negative, the pattern of the light transmissive region 201a of the mask 201 corresponds to only part of a (designed) prescribed pattern of the dry film resist 60 to be left after exposure and development.例文帳に追加

例えば、ドライフィルムレジスト６０がネガ型の場合、マスク２０１の透光部２０１ａのパターンは、露光現像後に残存させるべき（設計上の）ドライフィルムレジスト６０の所定パターンの一部のみに対応する。 - 特許庁

The deposition mask 10 forms a deposition pattern of an organic layer including a light emitting function layer so as to cover light emitting area forming parts 3R, 3G, 3B, and has a hole 10A corresponding to the deposition pattern.例文帳に追加

成膜用マスク１０は、発光領域形成部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを覆うように発光機能層を含む有機層の成膜パターンを形成するものであり、この成膜パターンに応じた開口部１０Ａを備えている。 - 特許庁

In the second step, a pattern constituting the mask has an end part having greater width in the length direction of the pattern, which is a direction intersecting with the axial direction, than the width of center part in the length direction.例文帳に追加

第２の工程においては、マスクを構成する一つのパターンにおいて、軸の方向と交差する方向である当該パターンの長さ方向における端部の幅が、長さ方向における中央部分の幅よりも大きい。 - 特許庁