「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result of this, a pattern formed on the orientational carbon nanotube cathode 5 is exposed and transferred to the face of the wafer 8, without having to use a special mask or a reticle.例文帳に追加

これにより、特別のマスクやレチクルを用いることなく、配向性カーボンナノチューブ陰極５に形成されたパタンが、ウェハ８面に転写される。 - 特許庁

"mask work" means a functional design which consists of a pattern of an image however fixed or encoded, having or representing at least a part of an integrated circuit;例文帳に追加

「マスクワーク」とは，固定化又は記号化された画像の模様から成り，集積回路の少なくとも一部を有するか又は表わす機能的意匠をいう。 - 特許庁

To provide a mask for film deposition which maintains a high pattern precision though being heated, a film deposition device, an electro-optical device, and an electronic appliance.例文帳に追加

マスクが加熱されも高いパターン精度を維持することができる膜形成用マスク、膜形成装置、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure device and an exposure method capable of achieving highly reliable fine pattern exposure while reducing mask defect.例文帳に追加

マスク欠陥を低減しつつ、高信頼性の微細パターン露光が達成できる露光装置及び露光方法、露光用マスク、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Light from an external light source is radiated to the mask 1 through the optical fibers 4 to transfer the herringbone groove pattern onto the inner peripheral surface of the dynamic pressure bearing 2.例文帳に追加

そして、外部の光源の光を光ファイバ４によりマスク１に照射して、ヘリングボーン溝パターンを動圧軸受２の内周面に転写する。 - 特許庁

Thus, the light density is made uniform without deforming the mask pattern P by thinning or thickening, and the optical proximity correction can be easily carried out.例文帳に追加

これによって、マスクパターンＰを細くしたり太くしたりして変形させることなく、光密度を均一化して光近接効果補正を容易に行える。 - 特許庁

The same exposure mask as one used for manufacturing the first inspection wafer is used, a second inspection wafer is manufactured where the lithography conditions are changed and the pattern is formed (S6).例文帳に追加

第１検査ウエハの作製と同一の露光マスクを用い、リソグラフィー条件を変化させてパターンを形成してなる第２検査ウエハを作製する（Ｓ６）。 - 特許庁

Further, the photoresist layer is removed to expose the mask layer having the aperture pattern and the embedded buffer layer.例文帳に追加

さらに等方性エッチングを行い、前記第２開口によって露出された前記バッファ層を除去し、前記対応する第１開口の側壁を露出させる。 - 特許庁

In addition, another mask area 12 with the Y-direction pattern P2 arranged therein is exposed to an electron beam EB having smaller out-of-focus in the X-direction as compared with the Y-direction.例文帳に追加

また、Ｙ方向パターンＰ２が配置されたマスク領域１２にはＹ方向に比べてＸ方向のぼけが小さい電子線ＥＢで露光する。 - 特許庁

Accordingly, both laser beams L13 and L14 proceeding from the beam splitter 110 also have approximately the same mean power, and are transmitted to a mask pattern projecting section 101b.例文帳に追加

したがって、ビームスプリッタ１１０から進むレーザ光Ｌ１３もＬ１４もどちらもほぼ同じ平均パワーとなり、マスクパターン投影部１０１ｂに供給される。 - 特許庁

Here, for the reduction process, a projection vertical to the gate electrode is arranged in the partial region by using a mask pattern.例文帳に追加

ここで、上記低減工程は、上記一部領域に、マスクパターンを用いて上記ゲート電極に垂直な突出部を設ける工程とすることなどができる。 - 特許庁

To provide at a low cost an X-ray mask with a structure having a high aspect ratio absorber pattern by ensuring a large exposure area by improving a thin film strength.例文帳に追加

薄膜の強度を上げて大きな露光面積を確保し、高アスペクト比の吸収体パターンを持つ構造のＸ線マスクを低コストで提供する。 - 特許庁

To provide at low cost an X-ray mask which has structure having an absorber pattern with a high aspect ratio by securing large exposure area by increasing the strength of a thin film.例文帳に追加

薄膜の強度を上げて大きな露光面積を確保し、高アスペクト比の吸収体パターンを持つ構造のＸ線マスクを低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a wiring trench pattern in a hard mask film on an interlayer insulating film in a non-stepped state.例文帳に追加

層間絶縁膜上のハードマスク膜に配線溝パターンを段差のない状態で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric sensor, from which the influence of interference fringe is removed, and to provide a pattern-inspecting device using the sensor, a microscope and the manufacturing method of a mask.例文帳に追加

干渉縞の影響を除去した光電センサと、それを用いたパターン検査装置、顕微鏡およびマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The second cap film 37 on the second active region is coated with a second mask pattern, and the second cap film 37 on the first active region is etched and removed.例文帳に追加

第２活性領域上の第２キャップ膜３７を第２マスクパターンで覆い、第１活性領域上の第２キャップ膜３７をエッチングして除去する。 - 特許庁

To conduct exposure by an EPL without using a complementary segment mask and without conducting double exposure for a pattern requiring the complementary segment.例文帳に追加

相補分割が必要となるパターンについて、相補分割マスクを用いることなく、また二重露光を行うことなくＥＰＬで露光処理を行う。 - 特許庁

To generate beams for exposure condensed for every area of a plurality of irradiation areas set on a pattern forming mask and having different size.例文帳に追加

パターン形成用のマスクに設定される異なる大きさの複数の照射エリア別に集光する露光用の光束を生成できるようにする。 - 特許庁

To provide an image processing technology for establishing the high speed operation of a density pattern method and high picture quality equivalent to that of an error diffusion method(or blue noise mask method).例文帳に追加

濃度パターン法の高速化と誤差拡散法（或いはブルーノイズマスク法）並みの高画質を両立させ得る画像処理技術を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method which prevents a pattern by ensuring a remaining film after etching of resist, which becomes a mask by making a counter-resist selection ratio high.例文帳に追加

対レジスト選択比を高くすることにより、マスクとなるレジストのエッチング後残膜を確保し、パターンの肩落ちを防ぐエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A pattern of the gap filling mask is transferred onto the damascene layer to remove IMD at least partially and to form an air gap.例文帳に追加

ギャップ充填マスクのパターンは、一実施態様においては、ダマシン層に転写されて、ＩＭＤの少なくとも一部を除去するとともにエアギャップを形成する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus for carrying out multipass printing using a mask pattern by which image-quality deterioration due to paper feeding displacement can be prevented.例文帳に追加

マスクパターンを用いたマルチパス印字を行う画像形成装置において、紙送りずれによる画像品質劣化を防止できる画像形成装置の提供。 - 特許庁

The metal-coating method can also coat the particle with the metal to form, for instance, a belt-shaped pattern thereon, because the method can mask a plurality of portions of the particle by masking the particle with a plurality of the substrates.例文帳に追加

また、複数枚の基板を用いてマスキングすることで、複数箇所のマスキングが可能となり、例えば、帯状パターンの金属コーティングが行える。 - 特許庁

The method for adjusting the landing angle in the charged particle beam exposure system includes a step of disposing a minute point pattern 51 regarded as being substantially a point on a mask stage 11, and a step of disposing a minute first pin hole 61 on the surface of a wafer.例文帳に追加

マスクステージ１１上にほぼ点とみなせる微小な点パターン５１を配置し、ウェハ面上に微小な第１ピンホール６１を配置する。 - 特許庁

Cumulative light exposure per a mask that uses organic photosensitive resin for the light-shielding film is recorded, and the light exposure for pattern transfer is corrected, based on the cumulative exposures.例文帳に追加

有機感光性樹脂を遮光膜とするマスク１枚当たりの積算露光量を記録し、その量に応じてパターン転写時の露光量に補正を施す。 - 特許庁

As shown in (e), resist is applied and is then exposed at two parts between bumps 104 using an exposure mask having a prescribed pattern.例文帳に追加

図１（ｅ）に示すように、レジストを塗付し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、各バンプ１０４の間に塗付されたレジストの２箇所を露光する。 - 特許庁

In an initial stage of etching, the first etching step in which a relatively high etching pressure is set is conducted to isotropically etch an opening region of a mask pattern.例文帳に追加

エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。 - 特許庁

To solve the difficulty in a prior art that in a method for encoding only mask data for specific effect, a specific effect procedure followed by a motion fails in converting a specific effect pattern to a library as data.例文帳に追加

特殊効果用のマスクデータのみをコード化する方法では、動きを伴う特殊効果手順をデータとしてライブラリ化することができない。 - 特許庁

The transition between the phase shift region and non-phase shift region alone defines a pattern on the wafer, without the need for an opaque structure on the mask.例文帳に追加

位相シフト領域と非位相シフト領域の間の遷移だけで、ウェハ上のパターンを画定するため、マスク上の不透明構造は不要となる。 - 特許庁

The center part of the second p-clad layer 6 is removed by wet etching by a mask pattern in accordance with the outline of a p electrode 8 to expose the first p-clad layer 5.例文帳に追加

第２ｐクラッド層６の中央部を、ｐ電極８の輪郭に合わせたマスクパターンによるウェットエッチングで除去して、第１ｐクラッド層５を露出させる。 - 特許庁

To suppress pattern defects due to deposits, when patterning a ground layer such as a wiring layer, where a titanium nitride layer is provided at the uppermost part using a hard mask.例文帳に追加

最上部に窒化チタン膜が設けられる配線層などの下地層を、ハードマスクを用いてパターニングする際の堆積物によるパターン欠陥を抑制する。 - 特許庁

The mask pattern has a semi-shielding part having specified transmittance for exposure light and a phase shifter disposed in an opening formed in the semi-shielding part.例文帳に追加

マスクパターンは、露光光に対して所定の透過率を有する半遮光部と、半遮光部に設けられた開口部に配置された位相シフターとを備えている。 - 特許庁

Thereafter, a recess 13 is formed by removing, by an etching process, a part of the principal surface of the semiconductor substrate 1Sub using the photoresist pattern PR2 as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンＰＲ２をエッチングマスクとして、半導体基板１Ｓｕｂの主面の一部をエッチングにより除去して窪み１３を形成する。 - 特許庁

A floating gate electrode is formed on the first gate insulating film through a process of partly etching the first conductive film by using the oxide film pattern as an etching mask.例文帳に追加

酸化膜パターンをマスクとして使用して第１導電膜を部分的にエッチングすることで第１ゲート絶縁膜上にフローティングゲート電極が形成される。 - 特許庁

To enable to create a desired mask pattern on a thin film magnetic head slider bar without generating an air bubble even when liquid photo-resist is used.例文帳に追加

液状フォトレジストを用いた場合においても気泡を発生させることなく、薄膜磁気ヘッドスライダーバーの上に所望のマスクパターンを生成可能にする。 - 特許庁

To provide a gray-scale mask that is advantageous for simplifying manufacturing processes of a display device and for formation of a pattern.例文帳に追加

本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

To correct the pattern data of an exposure mask in accordance with the number of surrounding bumps and with the distance between bumps to make the diameters of bumps identical after wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチング後のバンプの径を同一にするために、周囲のバンプの数、各バンプ間の距離に応じて露光マスクのパターンデータを補正することを目的とする - 特許庁

The alignment method is carried out in process of projecting a pattern (34) drawn on a mask (30) onto a first face (10A) and a second face (10B) of a quartz wafer (10) by exposure.例文帳に追加

本アライメント方法は、マスク（３０）に描かれたパターン（３４）を水晶ウエハ（１０）の第一面（１０Ａ）と第二面（１０Ｂ）とに露光する際のアライメントである。 - 特許庁

Here, the thin film generates a stepped cut between a part on the pattern and a part between the patterns, thickness of the mask being thinner than the thin film.例文帳に追加

このとき薄膜は、マスクの厚みが薄膜より厚くなっていることから、マスクのパターン上の部分とパターン間の部分との間で段切れが生ずる。 - 特許庁

In the process, the upper electrode 3 is also processed to a splayed tapered shape by forming a pattern section of a resist mask 4 to a splayed tapered shape.例文帳に追加

ただし、その際、レジストマスク４をそのパターン断面が裾広がりのテーパ形状とすることにより、上部電極３も裾広がりのテーパ形状に加工する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist shape with which an inclination angle close to a target value of a resist pattern can be obtained by using one grayscale mask.例文帳に追加

一つのグレースケールマスクを使用して、目標値に近いレジストパターンの傾斜角度を得ることができるレジスト形状の形成方法を提供する。 - 特許庁

After patterning the silicon oxide layer in accordance with a gate electrode pattern, the polysilicon layer is patterned by dry-etching using a remaining resist layer as a mask.例文帳に追加

シリコンオキサイド層をゲート電極パターンに従ってパターニングした後、残存するレジスト層をマスクとするドライエッチングによりポリシリコン層をパターニングする。 - 特許庁

Electrodeposition metals 6 corresponding to a mask base plate and waste electrodeposition metals 14 are elctrodeposited on a surface which is not covered with a pattern resist film 11 of an electroforming matrix.例文帳に追加

電鋳母型のパターンレジスト膜１１で覆われていない表面に、マスク基板に相当する電着金属６と、捨て電着金属１４とを電着形成する。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a base GaN film 5 are formed on the substrate 1, and the mask layer 3 of a straight stripe pattern is formed on the base GaN film 5.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２および下地ＧａＮ膜５が形成され、この下地ＧａＮ膜５上に直線ストライプパターンのマスク層３が形成される。 - 特許庁

To discriminate and detect the error occurring in mask patterns and the error by other factors relating to a method of factor analysis for wafer pattern error.例文帳に追加

本発明はウェハパターン誤差の要因解析方法に関し、マスクパターンに起因する誤差と、他の要因による誤差とを区別して検出することを目的とする。 - 特許庁