「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can form via holes, a wiring groove or the like by etching a layer insulation film or the like, while restraining enlargement of a pattern size of a hard mask and can properly remove the used hard mask.例文帳に追加

ハードマスクのパターン寸法の拡大を抑制しつつ層間絶縁膜等をエッチングしてビアホールや配線溝等を形成することができ、また、用いたハードマスクを十分に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first mask 43 wherein the shape of a spiral contactor 20 is pattern-formed on the surface of a conducting member 40 is formed, and the conducting member 40 not covered with the first mask 43 is etched up to the middle part by the wet etching method.例文帳に追加

導電性部材４０の表面にスパイラル接触子２０の形状がパターン形成された第１マスク４３を形成し、前記第１マスク４３に覆われていない前記導電性部材４０を途中までウエットエッチング法にてエッチングする。 - 特許庁

A belt-like work W is carried and moved, the work mark on the belt-like work W is detected by the alignment microscopes of two alignment units AU, the alignment of the mask M and the work W is performed, and a mask pattern is exposed on the work W.例文帳に追加

帯状ワークＷを搬送移動して、帯状ワーク上のワークマークＷＡＭを、２台のアライメントユニットＡＵのアライメント顕微鏡により検出しマスクＭとワークＷの位置合わせを行ってマスクパターンをワークＷ上に露光する。 - 特許庁

Light from a lamp 1 is made incident on an integrator lens 4 housed in an integrator lens housing part 12 and radiated toward a mask 7 through a reflection mirror 5 and a collimator lens 6, so that the rectangular mask pattern is cast on the surface to be exposed of the substrate (not illustrated).例文帳に追加

ランプ１からの光はインテグレータレンズ収納部１２に収納されたインテグレータレンズ４に入射し、反射ミラー５、コリメータレンズ６を介して、マスク７に照射され、長方形状のマスクパターンが図示しない基板の被露光面に照射される。 - 特許庁

To improve the printing resistance and paste omission of a screen printing mask by coating the surface of a photosensitive emulsion and plain gauze formed with a pattern in the screen printing mask, with a protective film excelling in corrosion resistance and lubricating ability.例文帳に追加

本発明は、スクリーン印刷用マスクにおいてパターン形成された感光性乳剤と紗の表面を耐摩耗性、耐食性、潤滑性に優れた保護膜で被覆し、スクリーン印刷用マスクの耐印刷性とペースト抜けの改善を行おうとするものである。 - 特許庁

With the mask pattern as an etching mask, the semiconductor film is etched to form a recess, and the etching is stopped in such state that a first film is exposed in a partial region of the bottom surface of the recess with a residue of the semiconductor film left in the other region.例文帳に追加

マスクパターンをエッチングマスクとして、半導体膜をエッチングすることにより、凹部を形成するとともに、凹部の底面の一部の領域に第１の膜が露出し、他の領域には、半導体膜の残渣が残っている状態でエッチングを停止させる。 - 特許庁

To provide an OPC(optical proximity correction) mask producing method by which the dispersion of line width of a pattern practically formed on a wafer is suppressed by performing simulation faithfully reflecting the influence of space dependency, an OPC mask and a chip.例文帳に追加

スペース依存性の影響を忠実に反映したシュミレーションを行なうことにより、実際にウェハ上に形成されるパターンの線幅のばらつきを抑制することができるＯＰＣマスクの製作方法およびＯＰＣマスクならびにチップを提供する。 - 特許庁

In a groove pattern forming process, a photoresist film 42 is formed so as to have an opening 42a in a groove forming area on a wafer mask 40 and to be larger than an external shape of the piezoelectric vibration element (mask 40 for wafer).例文帳に追加

溝パターン形成工程において、ウエハ用マスク４０上に溝部の形成領域に開口部４２を有するとともに、圧電振動片（ウエハ用マスク４０）の外形形状よりも大きいフォトレジスト膜４２を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A Levenson phase shift mask 4 is subjected to projection exposure and the intensity distribution of the light which transmitted through the Levenson phase shift mask 4 is detected by a CCD camera 6, to obtain the relation between the defocus quantity on the CCD camera 6 and the dimension of the optical pattern.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスク４を投影露光し、このレベンソン位相シフトマスク４を透過した光の強度分布をＣＣＤカメラ６により検出し、ＣＣＤカメラ６上のデフォーカス量と、光学的パターン寸法との関係を求める。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, first, in a state that a second insulating film 8 provided with a connection hole 12 and a first mask 9' and a second mask 10' having a connection hole pattern are provided on a first insulating film 7, an energy line E is irradiated on the first insulating film 7.例文帳に追加

まず、第１絶縁膜７上に、接続孔１２が設けられた第２絶縁膜８および接続孔パターンを有する第１マスク９’および第２マスク１０’が設けられた状態で、第１絶縁膜７にエネルギー線Ｅを照射する。 - 特許庁

To provide a stencil mask in which the transfer of a defect of the stencil mask to a material to be exposed is reduced and the positional accuracy of a circuit pattern to be transferred to the material to be exposed can be improved, and to provide a method of exposing and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ステンシルマスクの欠陥が被露光体へ転写されるのを低減し、かつ、被露光体へ転写される回路パターンの位置精度を向上させることができるステンシルマスク、露光方法、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Inside the vacuum chamber 100, a resist film 102 is irradiated with the EUV light, emitted from an EUV light source through the reflection type mask 106, from which the deposit film is removed, and the pattern of the reflection-type mask 106 is transferred to the resist film 102.例文帳に追加

真空チャンバー１００の内部において、ＥＵＶ光源から出射されたＥＵＶ光を、堆積膜が除去された反射型マスク１０６を介してレジスト膜１０２に照射して、反射型マスク１０６のパターンをレジスト膜１０２に転写する。 - 特許庁

To provide a mask on which a plurality of patterns are arranged so that the plurality of patterns respectively formed in a plurality of pattern regions can satisfactorily be exposed onto a substrate even when the mask is deformed at the time of being mounted on an exposure apparatus.例文帳に追加

露光装置に搭載される際に変形が生じた場合においても複数のパターン領域のそれぞれに形成される複数のパターンを基板上に良好に露光することができるようにパターンが配置されているマスクを提供する。 - 特許庁

An identical resist film is pattern-exposed twice with the first half tone phase shift mask 10 and the second half tone phase shift mask 20 each having translucent sections 12 and 22 for the holes corresponding to the holes belonging to each group.例文帳に追加

そして、各組に属するホールと対応するホール用透光部１２及び２２を有する第１のハーフトーン型位相シフトマスク１０及び第２のハーフトーン型位相シフトマスク２０を用いて同一のレジスト膜に対してパターン露光を２回行なう。 - 特許庁

The photomask has a mask substrate, a step for placing an offset at an optimum focus position arranged on the mask substrate, and a monitor pattern having the properties of varying the size of the step region by focus variation of the exposure light.例文帳に追加

本発明のフォトマスクは、マスク基板と、前記マスク基板上に配置された最適フォーカス位置にオフセットを載せるための段差と、前記段差領域に露光光のフォーカス変動により寸法を変化させる性質を持つモニターパターンを有するものである。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank having uniform thickness and high flatness when mounted as a reflective mask on an electrostatic chuck of an exposure apparatus, and capable of achieving high pattern transfer accuracy.例文帳に追加

本発明は、その厚みが均一であり、反射型マスクとされた際に露光装置の静電チャックへ装着した場合の平坦性が高く、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクブランクスを提供することを主目的とする。 - 特許庁

Based on print data received from a band memory control section 13 and a mask pattern received from the mask selecting section 19, the print data creating section 18 creates print data determining the presence or absence of ink discharge, and prints using a printing control section 21.例文帳に追加

印字データ生成部１８は、バンドメモリ制御部１３から受信した印刷データと、マスク選択部１９から受信したマスクパターンによりインク吐出の有無を決定した印字データを生成し、印刷制御部２１により印刷を行う。 - 特許庁

A reflection-type pattern transfer apparatus, having a beam source for radiating charged particle beams, a first stage for mounting a mask 103 and a second stage for mounting a wafer provides a accurate alignment method for reflecting to the control of a wafer stage 105 and a mask stage 104.例文帳に追加

荷電粒子ビームを照射する線源と、マスクを載置する第１のステージと、ウェハを載置する第２のステージをもつ反射型のパターン転写装置で、ウェハステージ、マスクステージの制御に反映するための高精度なアライメント方法を提供する。 - 特許庁

An aligner E synchronously moves a mask M and a substrate P from an accelerating section H 1 to a decelerating section H 4 through a setting section H 2 and a normal section H 3, and during the movement, transfers the image of a pattern formed on the mask M to the substrate P.例文帳に追加

露光装置Ｅは、マスクＭ及び基板Ｐを、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に同期移動させ、この移動中にマスクＭに形成されたパターンの像を基板Ｐ上に転写する。 - 特許庁

Concretely, by providing each opening part 3 with a projecting part 5b as the reinforcing part 5 toward the inside of the opening part, the rigidity (strength) of the mask increases, the deformation of the mask upon film deposition can be reduced, and the film deposition pattern can be formed at high precision.例文帳に追加

詳細には開口部３に、開口部の内側に向けて補強部５として凸部５ｂを設けることにより、マスクの剛性（強度）が高くなり、成膜時のマスクの変形を低減することができ、高精度に成膜パターンを形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for generating a mask pattern in which a variety of masks can be generated by setting the phase management of a mask and the management unit of offset for increasing randomness separately, and managing the position of a nozzle and the kind of a table to be copied.例文帳に追加

マスクのフェーズ管理とランダム性を増すためのオフセットの管理単位を別々に設定し、またノズルの位置とコピーするテーブルの種類を管理することにより多様なマスク生成を行うことが可能なマスクパターン生成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of semiconductor device comprising a step for etching a metal film using a resist pattern as a mask in which resist used as a mask at the time of patterning the film can be removed easily along with reaction products produced at the time of patterning the film.例文帳に追加

レジストパターンをマスクに使用して金属膜をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法に関し、膜のパターニングにマスクとして使用されたレジストと膜のパターニングの際に発生した反応生成物を容易に除去すること。 - 特許庁

To provide an exposure mask which easily causes a heat flow effect to a resist through an exposure process carried out once by the use of a mask having a plurality of regions different from each other in transmittance, and to provide a resist pattern manufacturing method using the same.例文帳に追加

透過率の異なる複数の領域を有するマスクを用いて１回の露光プロセスによって、レジストに容易に熱フロー効果を起こさせるようにする露光用マスクおよび露光用マスクを用いたレジストパターンの製造方法を提供することである。 - 特許庁

An optical imaging device especially used for microlithography comprises a mask device for housing a mask having a projection pattern, a projection device having an optical element group, a substrate device for housing the substrate, and a liquid immersion zone 110.例文帳に追加

投影パターンを有するマスクを収容するためのマスク装置と、光学素子群を有する投影装置と、基板を収容するための基板装置と、液浸ゾーン１１０とを備える、特にマイクロリソグラフィで使用するための光学結像装置である。 - 特許庁

In a method of manufacturing the face crystal oscillator piece, an upper mask 26 and a lower mask 27 having the same pattern are disposed on top and reverse surfaces of a crystal substrate, cut at a cut angle θ of 0° or 45° represented by (YXlt)ϕ/θ in IEEE representation while shifted from each other along a +Z' axis.例文帳に追加

ＩＥＥＥ表示の（ＹＸｌｔ）φ／θで表されるカット角θ＝０°又は４５°で切り出した水晶基板の上下各面に同じパターンの上側マスク２６と下側マスク２７とを互いに＋Ｚ´軸方向にずらして配置する。 - 特許庁

To provide a mask for near field exposure, a near field exposure method, and a near field exposure apparatus capable of forming a resist pattern over a large area in the case of using a cylindrical member to form the resist pattern.例文帳に追加

円柱状部材を用いてレジストパターンを形成するに際して、大面積に亙ってレジストパターンを形成することが可能となる近接場露光用マスク、近接場露光方法、及び近接場露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a seal pattern of a liquid crystal display for improving the productivity and for reducing the tack time (tact time) relating to a large-area substrate by using a split mask to efficiently form a seal pattern.例文帳に追加

本発明は、分割マスクを使って效率的にシールパターンを形成することで大面積基板における生産性向上及びタックタイム(tact time)を短縮するようにした液晶表示装置のシールパターン形成方法に関する。 - 特許庁

To prevent the collapse of a barrier rib pattern material layer in a resist mask removing process by way of forming between a substrate and a barrier rib material layer a bonding layer which can be burnt off when the barrier rib pattern material layer is calcined.例文帳に追加

基板と隔壁材料層との間に、隔壁パターン材料層を焼成する際に焼失するような接着層を形成しておくことで、レジストマスクの除去工程における隔壁パターン材料層の倒壊を防止する。 - 特許庁

Next, a second pattern exposure which irradiates exposing light on the second resist film 105 through a second mask 103B is carried out, and the second resist film 105 develops to form a second resist pattern 105a from the second resist film 105.例文帳に追加

続いて、第２のレジスト膜１０５に第２のマスク１０３Ｂを介した露光光を照射して第２のパターン露光を行い、第２のレジスト膜１０５を現像して、第２のレジスト膜１０５から第２のレジストパターン１０５ａを形成する。 - 特許庁

A phase shift mask in which a phase of a transmitted light through one electrode pattern is inverted to a phase of a transmitted light through the other electrode pattern is used as a reticle for forming the reproducing track width of the magnetic head of the magnetic disk device to form ≤0.25μm track width.例文帳に追加

磁気ディスク装置の磁気ヘッドの再生トラック幅を形成するためのレチクルに、一方の電極パターンの透過光の位相が他方の透過光の位相と反転する位相シフトマスクを用い、0.25μｍ以下のトラック幅を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for inspecting unevenness of a periodic pattern which can accurately image and detect unevenness even in an object to be inspected in which it is difficult to inspect by visible light, such as a periodic pattern, particularly a halftone mask.例文帳に追加

周期性のあるパターン、特にハーフトーンマスクのように可視光による検査が困難とされるような被検査体に対しても、ムラを高精度に撮像、検出可能な周期性パターンのムラ検査装置、および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern by which shoulder dropping of a hard mask can be prevented in an etching process for forming the pattern in an organic polymer film, and to provide a method of forming a multilayer wiring and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

有機ポリマー膜へのパターン形成におけるエッチング時のハードマスクの肩落ちを低減できるパターン形成方法、及びこれを用いた多層配線形成方法並びに半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a processing mask capable of sufficiently corresponding to the formation of a fine pattern even in the case of using trilevel resist without generating a defective pattern on a 1st resin film which is the lowermost layer of the constitutional elements of the tri-level resist.例文帳に追加

トリレベルレジストを用いるも、当該トリレベルレジストの構成要素である最下層の第１の樹脂膜にパターン不良を発生せしめることなく、更なる微細パターン形成にも十分に対応できる加工用マスクを実現する。 - 特許庁

The mask for forming a pattern has a masking member having openings corresponding to the pattern to be formed on an object to be treated and sticking preventing members each arranged to cover at least one part of the surface except the openings of the masking member.例文帳に追加

被処理物上に形成すべきパターンに対応した開口を有するマスキング部材と、該マスキング部材の開口を除く表面の少なくとも一部を覆うように配置された防着部材とを有するパターン形成用マスク。 - 特許庁

Dry etching is performed to the P-type second clad layer 20 by using a first insulating pattern 22B as a mask, and the P-type second clad layer is patterned in a ridge form to which the first insulating pattern 22B is transferred.例文帳に追加

続いて、第１の絶縁性パターン２２Ｂをマスクとして、ｐ型第２クラッド層２０に対して、ドライエッチングを行なうことにより、ｐ型第２クラッド層を、第１の絶縁性パターン２２Ｂが転写されたリッジ形状にパターニングする。 - 特許庁

To provide a design method of mask pattern that can be simply corrected without increasing a chip area so as not to deform a circuit pattern on a film for forming a surface layer side circuit due to a level difference of a substrate side circuit.例文帳に追加

表層側回路を形成する為の膜上の回路パターンが、基板側回路の段差に起因して変形しないように、チップ面積を増大させることなく、簡易に補正することが出来るマスクパターンの設計方法の提供。 - 特許庁

Then a second mask M2 consisting of a recessed pattern M2Xa of a line width d2 and a recessed pattern M2Xb of the line width d1 is imaged while the position of the focus is changed and the relative positions MD2 of both patterns M2Xa and M2Xb are measured.例文帳に追加

次に、線幅ｄ２の凹パターンＭ２Ｘａと線幅ｄ１の凹パターンＭ２Ｘｂとからなる第２マークＭ２Ｘをフォーカス位置を変化させながら撮像し、両凹パターンＭ２Ｘａ，Ｍ２Ｘｂの相対位置ＭＤ２を計測する。 - 特許庁

The mask for measuring flare is used for patterning, and the displacement amount is calculated from the respective distances L1, L2 between both ends of the measurement pattern and the box pattern, and flare rate is calculated by using the correlation function between the exposure dose and flare rates.例文帳に追加

このフレア測定用マスクを用いてパターニングし、計測用パターンの両端とボックスパターンとのそれぞれの距離Ｌ１，Ｌ２から位置ズレ量を算出し、露光量とフレア率との相関関数を使ってフレア率を算出する。 - 特許庁

A photo mask B has an inspection pattern 12 composed of line groups arranged with regular spacings in directions X, Y so that lines gradually shift to lie on the holes, together with a pattern concerning the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

フォトマスクＢは半導体集積回路に関係するパターンと共に、上記各ホール上に次第にずれて乗るようにＸ方向、Ｙ方向それぞれに規則性を持つ間隔で並べられた各ライン群でなる検査パターン１２を有する。 - 特許庁

CHARGED-BEAM EXPOSURE SYSTEM, APERTURE, CHARGED-BEAM EXPOSURE METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING PHOTO MASK, METHOD AND APPARATUS OF GENERATING EXPOSURE PATTERN DATA, AND EXPOSURE PATTERN例文帳に追加

荷電ビーム露光装置、アパーチャ、荷電ビーム露光方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法、露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、及び、露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒体 - 特許庁

The method comprises a hologram recording process of recording a hologram of a predetermined pattern 5 on a hologram recording medium 1 from the mask original plate 6 on which the predetermined pattern 5 is formed, a hologram regenerating process of exposing a regenerated image of the hologram on a substrate.例文帳に追加

所定のパターン５が形成されたマスク原盤６からホログラム記録媒体１にパターン５のホログラムを記録するホログラム記録工程と、ホログラムの再生像を基板上のレジストに露光するホログラム再生工程とを有する。 - 特許庁

The lighting area partitioning mask 22 is placed in a way that it can block zero-order diffracted lights among the exposure lights passing the translucent pattern 26b formed at the periphery of the translucent pattern formation area, but can pass first-order diffracted lights.例文帳に追加

採光領域区画用マスク２２が、透光パターン形成領域の周縁部に形成された透光パターン２６ｂを透過した露光光の内、０次回折光を遮断し、かつ、１次回折光を透過させるように配置される。 - 特許庁

While outputting dummy data to a data packing section 58, a mask processing section 60 reads out the detected pattern data from the buffer memory based on a main scanning sync signal Ls_1 for the print out image data and delivers the detected pattern data to the data packing section.例文帳に追加

マスク処理部６０は、データパッキング部５８へダミーデータを出力しながら、印刷出力用の画像データに対する主走査同期信号Ｌｓ_1に基づいて、バッファメモリから検出パターンデータを読み出して、データパッキング部へ出力する。 - 特許庁

To provide a positive type pattern forming material having high sensitivity and high resolution, excellent in various performances such as dimension controllability and developed with an aqueous alkali solution and to provide a method for producing a mask for exposure in which the pattern forming material is made to function as a light shielding film.例文帳に追加

高感度、高解像度、寸法制御性等の諸性能に優れたアルカリ水溶液を用いて現像するポジ型パタン形成材料およびそれを遮光膜として機能させる露光用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows formation of a pattern having good properties of PEBS (post exposure bake sensitivity), MEEF (mask error enhancement factor), coverage dependence and bridge defects, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢＳ、ＭＥＥＦ、被覆率依存性、ブリッジ欠陥のいずれもが良好なパターンを形成することが可能な感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁