「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

If a pattern corresponding to the second mask pattern changes in size owing to temporal variation in PPE in a device mass-production process, the intermediate film or resist film thickness is changed to a value at which the size change is reduced by reference to the database.例文帳に追加

デバイス量産工程においてＰＰＥの経時変化により第２マスクパターンに対応するパターンの寸法が変動した場合、データベースを参照し、中間膜又はレジストの膜厚を寸法変動が低減するような値に変更する。 - 特許庁

A square surface exposing pattern 9 is formed on a dielectric separation wafer 100 and a cross-shaped mask-side alignment mark 14 is formed at a position corresponding to the pattern 9.例文帳に追加

誘電体分離ウェハ１００上に四角形状の表面露出パターン９を形成すると共に、この表面露出パターン９の位置に対応するマスク２００上の位置に十字形状のマスク側位置合わせマーク１４を形成する。 - 特許庁

The lower and upper resist layers 103Z, 104Z are selectively exposed to form a double layer resist pattern 105, and by dry etching using the pattern 105 as a mask, the 1st thin-film 111Z and the soluble layer 102Z are selectively etched.例文帳に追加

下部および上部レジスト層１０３Ｚ，１０４Ｚを選択的に露光して２層レジストパターン１０５を形成し、これをマスクとしたドライエッチングにより第１薄膜１１１Ｚおよび可溶層１０２Ｚを選択的にエッチングする。 - 特許庁

After a soluble layer 2 is formed so as to separate a first thin film 17Z and a two-layer resist pattern 5 from each other, the first thin film 17Z and soluble layer 2 are selectively removed by dry etching using the two-layer resist pattern 5 as a mask.例文帳に追加

第１の薄膜１７Ｚと２層レジストパターン５とを互いに隔てるように可溶層２を形成したのち、２層レジストパターン５をマスクとしたドライエッチングにより第１の薄膜１７Ｚおよび可溶層２を選択的に除去する。 - 特許庁

A composite mask 282 is provided with a group of a surface through-holes 283a which form a-print pattern on the surface (a-surface) of a substrate 1, and a group of b-surface through-holes 283b which form a print pattern on the surface (b-surface) of the substrate 1.例文帳に追加

複合マスク２８２には、基板１の表面（ａ面）の印刷パターンが設けられたａ面貫通孔群２８３ａと、基板１の裏面（ｂ面）の印刷パターンが設けられたｂ面貫通孔群２８３ｂとが設けられている。 - 特許庁

To provide a resist composition for liquid immersion exposure, the composition which improves reproducibility of a mask shape, pattern collapse and exposure latitude when the resist is used for liquid immersion exposure and which shows excellent follow-up property in liquid immersion liquid, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

液浸露光に適用した場合のマスク形状再現性、パターン倒れ及び露光ラチチュードを改良し、液浸液追随性に優れた液浸露光用レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The film to be processed is etched by using the first and second patterns as a mask, the third pattern is removed, and the film to be processed, which is exposed by the removal of the third pattern, is etched to form gate electrode patterns 7a, 7d small in an interval.例文帳に追加

第１および第２のパターンをエッチングマスクとして被加工膜をエッチングするとともに、第３のパターンを除去し、第３のパターンの除去により露出した被加工膜をエッチングし、間隔の小さいゲート電極パターン７ａ、７ｄ。 - 特許庁

In the exposure method, the pattern of a mask (M) disposed on the object surface of a projection optical system (PL) is exposed on the photosensitive substrate (W) disposed on the image surface of the projection optical system to form the pattern of a desired line width on the photosensitive substrate.例文帳に追加

投影光学系（ＰＬ）の物体面に設置されたマスク（Ｍ）のパターンを、投影光学系の像面に設置された感光性基板（Ｗ）上に露光して、感光性基板上に所望線幅のパターンを形成する露光方法。 - 特許庁

The surface of a substrate 1 is coated with a thick-film resist film 3 of photosensitive resin, a gray scale mask 4 having a specific pattern drawn is brought into contact with the resist film 3 with a uniform force, and 1st exposure is carried out through the specific pattern.例文帳に追加

基板１面上に感光性樹脂である厚膜レジスト膜３を塗布し、所定のパターンが描画されているグレイ・スケール・マスク４を、レジスト膜３に均等の力でコンタクトさせ、所定のパターンによる１回目の露光をする。 - 特許庁

To take in a resist pattern of a metal base body as an image having high SN ratio to efficiently and precisely detect a hole defect of the resist pattern, in a manufacturing process for a shadow mask of a color picture tube.例文帳に追加

本発明は、カラー受像管のシャドウマスクの製造工程において、金属基体のレジストパターンをＳＮ比の高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精度良く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of inexpensively manufacturing a structure having an uneven pattern that is uniform and fine over a large area, and an etching mask used for forming the uneven pattern that is uniform and fine over a large area.例文帳に追加

低コストで、かつ、大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを有する構造体の製造方法及び大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを形成するために用いられるエッチングマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

While a photosensitive substrate 16 placed on a substrate stage 17 is moved stepwise for a projective optical system 15, a pattern image of a mask 14 in which a required pattern is formed is successively exposed on each exposure region of the photosensitive substrate.例文帳に追加

基板ステージ（１７）上に載置された感光性基板（１６）を投影光学系（１５）に対してステッピング移動させつつ、所定のパターンが形成されたマスク（１４）のパターンの像を感光性基板上の各露光領域に順次露光する。 - 特許庁

An electron beam source 1 is constituted of a transparent substrate 2, a photoelectric cathode film 3 formed on the transparent substrate 2, and a mask film 4 formed on the photoelectric cathode film 3 and equipped with the reversed pattern of a pattern to be transferred.例文帳に追加

電子線源１は、透明基板２と、透明基板２上に成膜された光電陰極膜３と、光電陰極膜３上に成膜され、転写すべきパターンの反転パターンを有するマスク膜４から構成される。 - 特許庁

Then, in accordance with an opening pattern of a stencil mask to be manufactured, a through hole corresponding to the opening pattern is formed by etching the second silicon oxide layer 2, second silicon layer 4, first silicon oxide layer 6, and first silicon layer 10 in order.例文帳に追加

次に、製造するステンシルマスクの開口パターンに応じて、第２酸化シリコン層２と第２シリコン層４と第１酸化シリコン層６と第１シリコン層１０を順にエッチングして開口パターンに応じた貫通口を形成する。 - 特許庁

This lithography device is provided with a supporting structure configured to hold a phase shift mask configured so that any unpolarized radiation beam can be pattern-formed according to a desired pattern and a substrate table configured to hold a substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、所望のパターンに従って非偏光放射のビームをパターン形成するように構成された位相シフト・マスクを保持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルとを備えている。 - 特許庁

A photo mask is formed where a diffraction grating pattern or an auxiliary pattern is arranged having a light intensity reduction function comprising a translucent film, or a complicated gate electrode is formed by applying a reticle to a photolithographic process for forming a gate electrode.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して複雑なゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a diffraction grating and a method for manufacturing a semiconductor laser, which can suppress shift of a diffraction grating pattern from a design value even when a pattern dimension of a mask layer is shifted from the design value.例文帳に追加

マスク層のパターン寸法がその設計値からずれた場合においても、回折格子のパターンがその設計値からずれることを抑制可能な回折格子を形成する方法及び半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

A second mask pattern used in a second exposure process includes at least one localized adjustment to at least one feature thereof to compensate for scattering effects of the developed resist pattern that is present when the second exposure is performed.例文帳に追加

第２の露光工程で使用される第２のマスクパターンは、第２の露光が実行される時に存在する現像レジストパターンの散乱効果を補償するその少なくとも１つのフィーチャに対する少なくとも１つの局所調整を含む。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

When the copying machine having the copy guard function reads this printed matter, the dot pattern can be detected without being disturbed by the latent image since only the mask pattern is printed in an area corresponding to a read start position.例文帳に追加

コピーガード機能を備えた複写機においてこの印刷物を読み取ると、読み取り開始位置に相当する領域にはマスクパターンのみ印刷されているため、潜像画像に邪魔されることなくドットパターンの検出を行うことができる。 - 特許庁

An inhibition check pattern 603 is created in an inhibition area 701 so that no transfer of the inhibition check pattern 603 onto a mask, that is, appropriate disposition of the inhibition region 701, can be checked.例文帳に追加

また、禁止領域７０１中に禁止処理確認パターン６０３を発生させ、この禁止処理確認パターン６０３がマスク上に転写されない、つまり禁止領域７０１が適切に設定されていることを確認することができる。 - 特許庁

When creating a mask used for a photoengraving process (Fig(1)), a peripheral circuit area (1) effective for high-speed operation or low consumption is intensively formed so that a pattern becomes coarse (2A<B), distinguishably from a memory area (2) wherein the pattern is made fine (2A≥B).例文帳に追加

図１（イ）：写真製版に使用するマスクの作成時に、高速動作や低消費に効く周辺回路部領域（１）を意図的にパターンが疎（２Ａ＜Ｂ）となるように形成し、パターンを密（２Ａ≧Ｂ）にするメモリ部領域（２）と区別する。 - 特許庁

The aligner EX is provided with a lighting optical system IL for illuminating a mask M forming a pattern by exposure light EL from the light source 10, and a projection optical system PL for transferring a pattern image on a photosensitive substrate P.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、光源１０からの露光光ＥＬで、パターンが形成されたマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、パターンの像を感光基板Ｐ上に転写する投影光学系ＰＬとを備えている。 - 特許庁

A mask includes an exposure pattern area corresponding to one exposure for forming the element formation area by divided exposure and a mark formed on a joint part of divided exposure in the exposure pattern area.例文帳に追加

また、本発明は、素子形成領域を分割露光によって形成するための一露光分に対応した露光パターン領域と、露光パターン領域における分割露光の継ぎ目部分に設けられるマークとを有するマスクである。 - 特許庁

In order to make defect detection easier by reducing the influence of scattered light generated by the normal pattern of the mask 6, the image is formed through an angle distribution control board 10.例文帳に追加

マスクの正常パターンから発生する散乱光の影響を小さくして欠陥の検出を容易にするため、角度分布制御板１０を通して結像する。 - 特許庁

Enhancement of the symmetry which is obtained in the distribution of the pattern intrinsic property over the mask area upgrades lithographic processability, thereby improving a yield of die 100.例文帳に追加

マスク領域にわたるパターン固有特性の分布について得られる対称性の増強は、リソグラフィ加工性を高め、それにより、ダイ１００の歩留まりを改善する。 - 特許庁

The scanning equi-speed stroke length on the mask stage 101 is made longer than the conventional exposure apparatus having a scale down to 1/4 so that the pattern writing area is the same.例文帳に追加

マスクステージ１０１におけるスキャンの等速度ストローク長を従来の１／４に縮小される露光装置より長くすることで描画領域が同一になるようにする。 - 特許庁

To provide a method for correcting the mask data so as to correct the dimensional errors produced by the defocus state during exposure due to the difference in height of a base layer and by the proximity effect of the correction pattern.例文帳に追加

下地層の高さの差による露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により生ずる寸法誤差を補正するマスクデータ補正方法を提供すること。 - 特許庁

According to an embodiment, a mask film 12 and a core material film 13 in a predetermined-shaped pattern are formed on a processed film 11 first, and a spacer film 14 is formed thereupon.例文帳に追加

実施形態によれば、まず、被加工膜１１上にマスク膜１２と所定の形状のパターンの芯材膜１３とを形成し、その上にスペーサ膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a mask pattern designing method by which an increasing OPC processing time is shortened, consequently the manufacture TAT of a semiconductor device is shortened and the cost is reduced.例文帳に追加

増大するＯＰＣ処理時間の短縮を実現し、半導体デバイスの製造ＴＡＴを短くし、コストを削減するマスクパターン設計方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a stencil mask for charged particle beam capable of being manufactured inexpensively, without having to employ an SOI (silicon-on insulator) substrate and avoided from the distortion of a substrate, while being formed through pattern forming with high accuracy.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いることなく、安価に製造でき、基板の歪みが回避され高い精度でパターン形成された荷電粒子線用ステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

This aligner is equipped with the exposure main body part 1a exposing the pattern of a mask M on a substrate P, and an adjusting device 23 adjusting the condition of the atmosphere of the main body part 1a.例文帳に追加

マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する露光本体部１ａと、露光本体部１ａの雰囲気の状態を調整する調整装置２３とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can prevent the deformation of a pattern or contact failure due to optical proximity effect, and to provide a mask for exposure used for the same.例文帳に追加

光近接効果によるパターンの変形や配線間のコンタクト不良を防止しうる半導体装置の製造方法、並びにこれに用いる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern which can prevent delta CD(critical dimension) or CD reversal phenomenon generated in an alternating phase inversion mask and improve the resolution and focus margin.例文帳に追加

交番位相反転マスクで発生するΔＣＤ現象やＣＤ逆転現象を防止し、解像度およびフォーカスマージンが向上したパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a mask pattern used when a multi-path recording is performed, the recording allowance rate of a delivering opening positioned at the end part of a row of the delivering openings is set higher than the other part.例文帳に追加

マルチパス記録を行う際に使用するマスクパターンにおいて、吐出口列の端部に位置する吐出口の記録許容率を他の部分よりも高く設定する。 - 特許庁

An isolated light-shielding pattern comprising a light-shielding film region 101 and a phase shift region 102 is formed on a transparent substrate 100 serving as a mask.例文帳に追加

マスクとなる透過性基板１００上に、遮光膜領域１０１と位相シフト領域１０２とから構成された孤立した遮光性パターンが形成されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing an imprint mold, a fresh pattern is patterned again on a patterned photosensitive resin having been used as an etching mask and etching repeatedly.例文帳に追加

本発明のインプリントモールド製造方法は、エッチングマスクとして用いたパターニングされた感光性樹脂に新たなパターンを再度パターニングし、再度エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

Further, in the step S9, remaining balls are removed, and the solder balls with which the opening pattern of the mask is filled up can be pressed and closely attached to flux.例文帳に追加

また、ステップＳ９においては、残ボールを除去すると共に、マスクの開口パターンに充填された半田ボールをフラックスに押し付けて密着させることができる。 - 特許庁

Therefore, even if the burrs 21a of the chips 41 break through the silk 51 or the green mask 16, the floating-island pattern 55 can protect the inner copper foil 11.例文帳に追加

このため、バリ２１ａまたは切粉４１がシルク５１及びグリーンマスク１６を仮に突き破ったとしても、浮島パターン５５によって内層銅箔１１を保護することができる。 - 特許庁

The device has a light source 14 which partially exposes the photosensitive layer 64 on the body to be exposed with the information on the pattern forming surface displayed on the display means 30 as a mask.例文帳に追加

表示手段に表示されたパターン形成面情報をマスクとして、被露光体上の前記感光層を部分的に露光する光源を有することを特徴とする - 特許庁

A stage member 21 which projects in the opposite side of a magnetic thin film layer (the processed layer) 18 is formed along the peripheral edge of a first mask layer 20 which corresponds to the contour of an etching pattern.例文帳に追加

エッチングパターンの輪郭に相当する第１のマスク層２０の周縁部に沿って、磁性薄膜層（被加工層）１８の反対側に突出する段部２１を形成する。 - 特許庁

To not only add a sub-picture such as an explanation sentence and a mask pattern to a main picture so as to be displayed but also to display only the main picture with one coding data.例文帳に追加

１の符号化データによって、主画像に説明文やマスクパターンなどの副画像を付加して表示することも、主画像だけを表示することもできるようにする。 - 特許庁

To suppress a decrease in yield of a semiconductor device due to a difference in growth amount between foreign bodies on a sunny side and a shade side of a pattern of an EUV mask.例文帳に追加

ＥＵＶマスクのパターンにおける日向面側と日陰面側とで異物の成長量が異なることに起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in lithographic characteristics such as a resolution and a mask error factor (MEF), and to provide a method for forming a resist pattern using the positive resist composition.例文帳に追加

解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a simple method for evaluating the in-plane distribution of the resist pattern dimensions of a photomask blank coated with a resist, and to provide a process management method for a lithography line for mask production.例文帳に追加

レジストを塗布したフォトマスクブランクのレジストパターン寸法の面内分布の簡易評価方法、及びマスク製造用リソグラフィーラインの工程管理方法を提供する。 - 特許庁