「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposure pattern 1 for the lens aberration measuring exposure mask is projected to a photoresist via a projection lens for exposing the photoresist.例文帳に追加

このようなレンズ収差測定用露光マスクの露光パターン１を、投影レンズを介してホトレジストに投影し、ホトレジストを露光する。 - 特許庁

A portion between the between-gate oxide films of the mask pattern is removed to form a spacer on a inner wall of a second opening portion.例文帳に追加

マスクパターンのゲート間酸化膜の間の部分を除去して定義された第２開口部の内壁にスペーサを形成する。 - 特許庁

To decrease the number of micro figures generated in large quantity owing to a difference in position of very small steps of opposite edges of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数を削減する。 - 特許庁

To easily form a circuit pattern without using a screen mask.例文帳に追加

スクリーンマスクを使用せずに、容易に回路パターンの形成が可能な回路パターン形成装置及び回路パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This equipment for charged particle beam reduction transfer reduces and projects and transfers a pattern on a mask, on a sensitive substrate.例文帳に追加

本荷電粒子線縮小転写装置は、マスク上のパターンを感応基板上に縮小投影して転写する装置である。 - 特許庁

It is performed for each column and recording is carried out using that mask pattern thus suppressing variation in the number of recording pixels of each recording elements.例文帳に追加

これを各行について行い、このマスクパターンで記録することで各記録素子の記録素子数のばらつきを抑える。 - 特許庁

An image (of the mask pattern or the like) different from the image displayed by the liquid crystal can be visually recognized in the direction according to the above control.例文帳に追加

前記の制御に応じた方向では、液晶表示画像とは異なる（前記マスクパターンなどの）画像が視覚される。 - 特許庁

Observation light OL from an observation light source 82 illuminates a reference pattern formed on a mask 22 via an objective 83.例文帳に追加

観察光源８２からの観察光ＯＬは、対物レンズ８３を経てマスク２２上に形成した基準パターンを照明する。 - 特許庁

To perform a code injection by using openings of uniform pattern density and uniform size, as a mask in ROM coding.例文帳に追加

ＲＯＭコーディングにおいてパターン密度の差がない均一な寸法の開口部をマスクとしてコード注入を行うことができる。 - 特許庁

To provide a masking device provided with a mask member having a rod-like part and capable of suppressing collapse of a pattern caused by the magnetic attraction.例文帳に追加

棹状部を有するマスク部材を備えつつ、磁気吸引によるパターンの崩れを抑制可能なマスキング装置を提供する。 - 特許庁

A mask is disposed on which a pattern having a line width substantially smaller than a converted value on the object surface of a desired line width.例文帳に追加

所望線幅の物体面における換算値よりも実質的に小さい線幅のパターンが形成されたマスクを設置する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method of a resist film capable of production with enhanced productivity and yield without using an expensive glass mask.例文帳に追加

高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生産可能なレジスト膜のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A pattern dimension calculation method includes a mask shape calculating step, an opening angle calculating step, and a dimension calculating step.例文帳に追加

パターン寸法算出方法が、マスク形状算出ステップと、開口角算出ステップと、寸法算出ステップと、を含んでいる。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION OF X-RAY MASK USING THAT PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION例文帳に追加

感光性樹脂組成物並びにこの感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法およびＸ線マスクの製造方法 - 特許庁

For writing a pattern, the relative position fixing means fixes the relative position of the mask stage to the wafer stage in the horizontal direction.例文帳に追加

描画の際に相対位置固定手段によりマスクステージとウエハステージとの水平方向の相対位置が固定可能となっている。 - 特許庁

LIGHT INTENSITY DISTRIBUTION SIMULATION SYSTEM, LIGHT INTENSITY DISTRIBUTION SIMULATION METHOD, MASK PATTERN CORRECTING METHOD, AND LIGHT INTENSITY DISTRIBUTION SIMULATION PROGRAM例文帳に追加

光強度分布シミュレーションシステム、光強度分布シミュレーション方法、マスクパターン補正方法、及び光強度分布シミュレーションプログラム - 特許庁

By patterning the intermediate layer 10 and the anti-reflection film 11, with the resist pattern 12a as a mask, the lower layer resist film 9 is developed.例文帳に追加

レジストパターン１２ａをマスクとして中間層１０と反射防止膜１１をパターニングし、下層レジスト膜９を現像する。 - 特許庁

The photomask where a mask pattern is formed is provided as it is kept separate from the substrate as an object of exposure by a certain space.例文帳に追加

被露光基板支持ステージに支持させた被露光基板に対してマスクパターンが形成されたフォトマスクを間隔をあけて配設する。 - 特許庁

The collar 5 is attached to the periphery of an objective lens 4 condensing the inspection light onto the pattern face 21 of the EUV mask 20.例文帳に追加

ツバ５は、ＥＵＶマスク２０のパターン面２１に検査光を集光する対物レンズ４の周囲に取り付けられている。 - 特許庁

A mask 17 is formed which has such a pattern that only a region of an i-AlGaN layer 12 where a gate electrode 15 is formed is opened.例文帳に追加

ｉ−ＡｌＧａＮ層１２のゲート電極１５を形成する領域のみを開口させたパターンのマスク１７を形成する。 - 特許庁

An experiment shows that the mask pattern having high verticality in the organic film constituting the multilayer resist is provided.例文帳に追加

実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。 - 特許庁

A lower electrode is formed by etching the lower electrode layer using the resist pattern and the capacitor dielectric film as the etching mask.例文帳に追加

レジストパターン及びキャパシタ誘電体膜をエッチングマスクとして、下部電極層をエッチングすることにより、下部電極を形成する。 - 特許庁

The mask pattern has a width smaller than that of the transfer gate electrode so that the edge of the transfer gate electrode is exposed.例文帳に追加

前記マスクパターンは前記転送ゲート電極の端を露出させるように前記転送ゲート電極よりも小さい幅を有する。 - 特許庁

The pattern images of a mask are formed by projection aligning on a photosensitive substrate by using a projection optical system having plural projection optical modules.例文帳に追加

複数の投影光学モジュールを有する投影光学系を用いてマスクのパターン像を感光性基板へ投影露光する。 - 特許庁

EXPOSURE MASK USING GRAY-TONE PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF TFT SUBSTRATE USING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE TFT SUBSTRATE例文帳に追加

グレイトーン露光用マスク、それを用いたＴＦＴ基板の製造方法及び該ＴＦＴ基板を有する液晶表示装置 - 特許庁

The resist film is repeatedly exposed with the exposure mask arranged in the exposure process so that an end part of a pattern hole is sequentially overlapped.例文帳に追加

そして、露光工程で露光マスクをパターン孔の端部が順次重なるように配設してレジストフィルムを繰り返し露光する。 - 特許庁

To provide a mask pattern creating device and a creating method for efficiently processing OPC, using a library of corrected values.例文帳に追加

補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することのできるマスクパターン作成装置および作成方法を提供する。 - 特許庁

First, a mask pattern is first formed on the upper surface of a semiconductor substrate, and a gate trench 21 is formed from the upper surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

まず，半導体基板の上面にマスクパターンを形成し，半導体基板の上面からゲートトレンチ２１を形成する。 - 特許庁

Thereafter the multipath printing is carried out based on the image data on which the ejected dots are loaded, and the mask pattern data which has been changed.例文帳に追加

その後、前記吐出ドットが付加された画像データおよび前記変更されたマスクパターンデータに基づいてマルチパス印字を行う。 - 特許庁

Then, a gate electrode 5 is formed on the insulating layer 4 and the gate electrode 5 is etched by using a resist film pattern 6P as a mask.例文帳に追加

次に、絶縁層４の上にゲート電極５を形成し、レジスト膜パターン６Pをマスクとしてゲート電極５をエッチングする。 - 特許庁

An insulating film 201 is subjected to plasma etching using an etching gas composed of fluorocarbon gas and a resist pattern 202 as a mask.例文帳に追加

絶縁膜２０１に対してレジストパターン２０２をマスクにして、フルオロカーボンガスよりなるエッチングガスを用いてプラズマエッチングを行なう。 - 特許庁

Plating is then performed using the first resist pattern 41 as a mask to form a plated coating 42 at the required part of the copper layer 21.例文帳に追加

第１のレジストパターン４１をマスクとしてめっきを施し、銅層２１の所要部位Ｗにめっき被膜４２を形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning method and a cleaning liquid for removing photo-resist which sticks on a photomask to form a mask pattern.例文帳に追加

フォトマスクに付着したマスクパターンを形成するためのレジストを除去するための洗浄方法と洗浄液とを提供する。 - 特許庁

The insulation films 34, 35 and 36 are selectively removed, by using the photoresist pattern as an etching mask and an opening part 38 is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターンをエッチングマスクとして絶縁膜３４、３５および３６を選択的に除去し、開口部３８を形成する。 - 特許庁

The printing is carried out by applying the selected mask pattern to the overlapping portions with the adjacent the printing device in every printing device.例文帳に追加

各印刷装置では、選択されたマスクパターンを、隣接する印刷装置とのオーバーラップ部分に適用して印刷を実行する。 - 特許庁

Thereafter, the emitter contact layer 7 and the emitter layer 6 are removed sequentially by ICP system dry etching using the resist pattern 9 as a mask.例文帳に追加

その後、レジストパターン９をマスクとして、ＩＣＰ方式ドライエッチングにより、エミッタコンタクト層７とエミッタ層６とを順次除去する。 - 特許庁

A resist mask 3 of a remaining pattern is selectively formed on a film 2 to be made etching on a semiconductor substrate 1 through exposure and development.例文帳に追加

半導体基板１上の被エッチング膜２上に残しパターンのレジストマスク３を、露光、現像により選択的に形成する。 - 特許庁

An anisotropic etching is performed to a single-crystal silicon film using a hard mask HM to form a single-crystal silicon pattern.例文帳に追加

ハードマスクＨＭを用いて単結晶シリコン膜について異方性エッチング処理を実施し、単結晶シリコンパターンを形成する。 - 特許庁

The method of processing a substrate includes processing the underlaid substrate with a particulate pattern formed using the method as an etching mask.例文帳に追加

上記の方法を用いて形成された微粒子パターンをエッチングマスクとして、下地基板を加工するする基板の加工方法。 - 特許庁

Second impurity layers are formed in the substrate using a photoresist pattern as an ion implantation mask and third impurity layers are formed in the substrate.例文帳に追加

フォトレジストパターンをイオン注入マスクとして半導体基板に第２不純物層を形成し、第３不純物層を形成する。 - 特許庁

The mask 1 for forming resist pattern has a slit 4 so formed as to have one side which is shorter than the wavelength of exposure light.例文帳に追加

レジストパターンを形成するマスク１において、マスクに、露光光の波長よりも短い一辺を有するスリット４を形成した。 - 特許庁

The resist 5 is used as a mask and the silicon film 4 is etched, thereby forming a gate electrode 4a and a dummy pattern 4b.例文帳に追加

次に、レジスト５をマスクにして、多結晶シリコン膜４のエッチングを行い、ゲート電極４ａ及びダミーパターン４ｂを形成する。 - 特許庁

The upper face of the rutile crystal TiO_2 is irradiated with ions accelerated in the state that a mask 3 is formed at a desired pattern.例文帳に追加

ルチル型結晶ＴｉＯ_2板の上面に所望のパターンでマスク３を形成した状態で加速したイオンを照射する。 - 特許庁

To easily make a mask capable of forming a thin film pattern of pixels of an organic EL element with accuracy adaptable to high-precision pixels.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の画素をなす薄膜パターンを高精細画素に対応できる精度で成膜可能なマスクを容易に作製する。 - 特許庁

Thereafter, a mask layer M is formed by performing an etching process such that the organic films JM1 and JM2 and the resist pattern PRp are etched.例文帳に追加

その後、その有機膜ＪＭ１，ＪＭ２，レジストパターンＰＲｐをエッチングするエッチング処理を実施して、マスク層Ｍを形成する。 - 特許庁