「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a screen mask which suppresses the sublimation of a solvent contained in an ink, and makes the unevenness of a wiring pattern or wire breakage hardly occur even if wiring pattern printing is repeatedly conducted.例文帳に追加

インク中の溶剤の揮散を抑え、連続的に配線パターンの印刷を繰り返しても、配線パターンに対する凹凸の発生、または断線の発生が起こり難いスクリーンマスクを提供する。 - 特許庁

Even when difference in etching transformation arises in an etching step, a mask pattern can be generated while considering the variation of the pattern on a wafer due to the difference in etching transformation.例文帳に追加

これにより、エッチング工程でエッチング変換差が発生する場合であっても、エッチング変換差によるウェハ上でのパターンの変動を考慮したマスクパターンを生成することができる。 - 特許庁

An ion beam is applied to a wafer that is coated with resist via a transmission-type unmagnified mask having the same size as a pattern to be exposed to light for collective pattern transfer in a simple configuration.例文帳に追加

露光するパタンと等倍のサイズを有する透過型等倍マスクを介して、レジストがコートされたウェハにイオンビームが照射され、一括してパタン転写できる簡単な構成となっている。 - 特許庁

The photo mask 3 is constituted of a pattern 3a which is formed on a region where the resist 2 is to be eliminated and has line width more than or equal to resolution limit and a pattern 3b having line width rougher than or equal to the resolution limit.例文帳に追加

フォトマスク３は、レジスト２を除去しようとする領域に形成した解像限界以上の線幅のパターン３ａと、解像限界以下の線幅のパターン３ｂとからなる。 - 特許庁

The resist layer 3 is successively subjected to exposure, developing, and post baking for the formation of a first resist pattern, and the oxide film 2 is subjected to an etching process through the first resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

このレジスト層３に対して露光、現像及びポストベークを順に行うことで第１レジストパターンを形成し、この第１レジストパターンを用いて酸化膜２に対するエッチング処理を行う。 - 特許庁

To inexpensively provide a metal mask which is excellent in the positional precision of a printed pattern during printing and has good printing properties based on the shape of the printed pattern and a high opening ratio.例文帳に追加

印刷時において印刷パターンの位置精度が優れ、かつ印刷パターン形状並びに高開口率に基づく優れた印刷性をもったメタルマスクを低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern by which a narrow and isolated pattern can be etched without using an expensive means such as optical proximity compensation, and to provide a method for etching a magnetic reproducing head.例文帳に追加

光近接効果補正等の高価な手法を用いずに狭小孤立パターンをエッチングし得るマスクパターンの形成方法および磁気再生ヘッドのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Successively, a second mask pattern 15 is formed on the surface of the layer 14 and, after the layer 14 is etched through the pattern 15, a surface crystalline layer is formed by growing nitride-based crystals.例文帳に追加

続いて、この表面に第２のマスクパターン１５を形成し、これを介して中間結晶層１４をエッチングしたのち、窒化物系結晶を成長させて表面結晶層を形成する。 - 特許庁

A pattern of an alignment mark 16 at a substrate side is photographed at timing wherein the slant lighting is turned off, and a pattern of an alignment mark 17 at a mask side is photographed at timing wherein the slant lighting is turned on.例文帳に追加

斜照明が消灯するタイミングで、基板側アライメントマーク１６のパターンを撮像し、斜照明が点灯するタイミングで、マスク側アライメントマーク１７のパターンを撮像する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element, capable of forming a gate pattern by using a hard mask pattern having a pitch not more than a resolution of an exposure apparatus.例文帳に追加

本発明は、露光装備の解像力以下のピッチを有するハードマスクパターンを用いてゲートパターンを形成することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A resist pattern 110, having a configuration corresponding to the opening part of the stencil mask 10, is formed on one surface of a silicon substrate 100 and, thereafter, a metal film 120 is formed to cover the resist pattern 110.例文帳に追加

シリコン基板１００の一方の面に、ステンシルマスク１０開口部に相当する形状のレジストパターン１１０を形成した後、金属膜１２０を形成してレジストパターン１１０を覆う。 - 特許庁

A second conducting layer pattern 32 is formed so that the whole overlaps with the first conducting layer pattern 24 by etching the second conducting layer 26 with the metal layer 30 as a mask.例文帳に追加

金属層３０をマスクとして第２の導電膜２６をエッチングして、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように第２の導電膜パターン３２を形成する。 - 特許庁

That is, the pattern projected onto an enlarged mask 110 is shifted by 1/4 of the size (the width in the X direction) of the projected pattern by generating pulse laser light L1.例文帳に追加

すなわち、０．１ｍｓ毎に、パルス状のレーザ光Ｌ１の発生によって、拡大マスク１１０上に投影されるパターンを投影パターンのサイズ（Ｘ方向の幅）の１／４づつ移動させる。 - 特許庁

Then, the resist film 42 and the anti-reflection 41 are removed off, and the groove pattern 40 and the hole pattern 43 are each transferred onto the insulating films 37 and 35 using the insulating film 38 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト膜４２，反射防止膜４１を除去し、絶縁膜３８をマスクとして溝パターン４０を絶縁膜３７に、孔パターン４３を絶縁膜３５に転写する。 - 特許庁

To prevent size valuation due to difference in a mask pattern layout when a linear pattern of a gate electrode/wiring or metal-wiring of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極・配線又はメタル配線等のライン状パターンを形成するときに、マスクパターンレイアウトの違いに起因して寸法ばらつきが生じることを防止する。 - 特許庁

To make the deterioration of the shape of a resist pattern reducible even when an antireflection film comprising an organic compound and having a large thickness is dry-etched with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

有機化合物からなり大きい膜厚を有する反射防止膜に対してレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行なっても、レジストパターンの形状劣化を低減できるようにする。 - 特許庁

Then the photomask 3 is divided into a plurality of mesh M, and the pattern form of the photomask 3 is corrected according to the possession rate R of the mask pattern in each mesh M.例文帳に追加

次に、フォトマスク３を複数のメッシュＭに分割し、各々のメッシュＭにおけるマスクパターンの占有率Ｒに応じてフォトマスク３のパターン形状を補正する補正方法を行う。 - 特許庁

Then image data of an inspection image obtained by a pattern defect inspecting device with inspection wavelength is compared and contrasted with the data for phase shift mask correspondence inspection to detect a pattern defect.例文帳に追加

続いて、検査波長でのパターン欠陥検査装置により得た検査画像の画像データと位相シフトマスク対応検査用データとを比較対照してパターン欠陥を検出する。 - 特許庁

To mask respective bits of attribute information holding the drawing pattern of special toner and to print the special toner even when drawing pattern information is eliminated.例文帳に追加

特殊トナーの描画パターンが保持されている属性情報の各ビットをマスク処理して描画パターン情報が消去された場合であっても特殊トナーを印刷できるようにする。 - 特許庁

To quantitatively evaluate a pattern formed on a resist film on a processed substrate or a pattern formed by processing the substrate through the resist film as a mask by using a projection exposure device.例文帳に追加

投影露光装置を用いて被処理基板上のレジスト膜に形成されるパターン、或いは該レジスト膜をマスクに該被処理基板を加工して形成されるパターンを定量的に評価する。 - 特許庁

Each pixel value taken into the RAM 148 is detected (step 235), and the mask pattern to be applied to each pixel region is determined by the random number on the basis of a pattern table (step 245).例文帳に追加

ＲＡＭ１４８に取り込まれた各画素の値が判定され（ステップ２３５）、各画素領域に適用されるマスクパターンが、乱数により、パターンテーブルに基いて決定される（ステップ２４５）。 - 特許庁

The precise pattern mask with a thickness of 20 μm or smaller has a deposited aperture array corresponding to the deposited pattern, and is fixed at a frame of 1 mm or thicker.例文帳に追加

蒸着パターンに対応した蒸着開口部配列をもつ厚さ２０μｍ以下の精密パターンマスクが、厚さ１ｍｍ以上のフレームに固定されていることを特徴とする蒸着マスク。 - 特許庁

To provide a mask for charged particle exposure along with its process for fabrication capable of forming a square, even if a pattern is micronized while an interval in arrangement of the pattern is not limited.例文帳に追加

パターンが微細化しても矩形形状を形成することができ、かつパターンの配置間隔が制約されないような荷電粒子露光用マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide mask blanks, etc., onto which chemically amplified resist is coated and in which occurrence of draggle-tailed projected part at the bottom of a resist pattern after forming the pattern is suppressed.例文帳に追加

化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えることのできるマスクブランクス等を提供する。 - 特許庁

This pattern recognition device has a dictionary learning part 23, a filter mask learning part 24, a partial area feature value calculating part 26, a pattern recognition part 28 and a feature vector generating part 29.例文帳に追加

このパターン認識装置は、辞書学習部２３、フィルタ・マスク学習部２４、部分領域特徴量計算部２６、パターン識別部２８および特徴ベクトル生成部２９を有している。 - 特許庁

The most proper pattern is computed based on structural dimensions measured for every individual glass panel and individual shadow mask to use, and thereby a black matrix pattern and a phosphor pattern are directly written on the inner glass panel without using a photographic exposure method.例文帳に追加

使用する個々のガラスパネルとシャドウマスク毎に計測した構造寸法を基に、最適なるパターンを算出し、写真露光方法を使用せず、直接にガラスパネル内面にブラックマトリックスパターン及び蛍光体パターンを書き込む。 - 特許庁

To provide a method for efficiently forming a superfine isolate resist pattern faithful to the mask pattern and having a favorable cross-sectional form so as to form a resist pattern as fine as 0.15 to 0.22 μm by using a KrF excimer laser.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザーを用いて０．１５〜０．２２μｍのような微細なレジストパターンを形成するための、マスクパターンに忠実で、断面形状の良好な超微細アイソレートレジストパターンを効率よく形成させる方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process for the semiconductor has applying, after forming a resist pattern on an underlaying layer, the thickening material to the surface of the resist pattern to be thickened, and patterning the underlying layer by etching, the pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, a photo mask, and an alignment inspection mark which matches an alignment inspection pattern with the design of a semiconductor integrated circuit to eliminate the pattern dependence of the superposition of aberration, the pattern size dependence, etc.例文帳に追加

合わせ検査のパターンを半導体集積回路の設計に合わせることで、収差の乗りのパターン依存性、パターン寸法依存性等を除去する半導体装置の製造方法、フォトマスク、合わせ検査マークを提供する。 - 特許庁

By paying attention to influential factors, such as the focus, exposure, the shape of a mask pattern, the instrumental error (aberration etc.) between aligners, etc., upon the dimension of a transferred pattern, the pattern dependency of the response of exposing conditions, such as the best focus shift etc., is evaluated.例文帳に追加

フォーカス、露光量、マスクパターン形状および露光装置機差（収差他）等のような転写されるパターンの寸法への影響要因を考慮して、ベストフォーカスシフト等、露光条件の応答のパターン依存性を評価する。 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material which is hardly affected by a change in the line width of a mask pattern and ensures good smoothness of the edges of a formed pattern when an original pattern is formed with a photo-plotter using laser light or light of a light emitting diode.例文帳に追加

レーザー光または発光ダイオード光を用いたフォトプロッターで原画パターンを描画する際に、マスクパターンの線巾変動を受けにく、描画パターンエッジのスムースネスが良いハロゲン化銀写真感光材料を提供すること。 - 特許庁

A metal film 101 is selectively etched by using a resist pattern (first resist pattern) 102 as a mask to make the wiring 370 and a metal pattern 103 formed on a metal substrate 300 on which a projected part 320 is formed.例文帳に追加

レジストパターン（第１レジストパターン）１０２をマスクとして金属膜１０１を選択的にエッチングし、突出部３２０が形成された電極基板３００の上に、配線３７０及び金属パターン１０３が形成された状態とする。 - 特許庁

In the case of joining the split patterns to form the original pattern, alignment information obtained at aligning of any split pattern is used for alignment of a mask to form at least two split patterns of the layer including the split pattern.例文帳に追加

分割パターンをつなぎ合わせて形成する際、いずれか１つの分割パターンのアライメントで得られたアライメント情報をマスクの位置合わせに用いて、その分割パターンを含む層の少なくとも２つの分割パターンを形成する。 - 特許庁

To prevent each pattern of the tracking patterns from being separated from a grid, the data mask circuit 66 generates a tracking pattern signal so that each pattern may have a length equivalent to at least two periods of the clock in a beam scanning direction.例文帳に追加

データマスク回路６６は追跡パターンの個々のパターンがグリッドから外れることを防止するため、個々のパターンが少なくともビーム走査方向に沿ってクロック２周期分に相当する長さとなるように追跡パターン信号を生成する。 - 特許庁

To provide a device and method for correcting pattern by which the position of a mask pattern composed of through holes formed by releasing the stress of a thin film can be corrected accurately by quickly and accurately calculating the displacement of the pattern.例文帳に追加

薄膜の応力解放による貫通孔からなるマスクパターンの変位を高速かつ正確に計算することができ、マスクパターンの位置補正を正確に行うことができるパターン補正装置およびパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

The lithography system includes an illumination system for providing projection beams, a mask table for supporting a mask that gives a pattern to the cross-section of the projection beams, a substrate table that holds the substrate, and a projection system that projects the pattern-formed beams to the target portion of the substrate.例文帳に追加

投影ビームを提供する照明システムと、投影ビームの断面にパターンを与えるマスクを支持するマスクテーブルと、基板を保持する基板テーブルと、パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを含むリソグラフィシステムに関する。 - 特許庁

To provide a method for inspecting a mask defect by which delay caused by pseudo-error occurrence can be prevented and decrease in the accuracy of defect inspection can be prevented in the process of inspecting a mask defect carried out for the pattern obtained by optical proximity effect correction of a designed pattern.例文帳に追加

設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法の提供。 - 特許庁

This machine 10 is provided with an oscillator 11 of an excimer laser beam and a mask 14 to regulate the excimer laser beam emitted from the oscillator to a prescribed pattern, and is an excimer laser beam machine to machine a work with the excimer laser beam pattern-regulated by the mask.例文帳に追加

本装置１０は、エキシマレーザ光の発振器１１と、発振器から出射されたエキシマレーザ光を所定の形状パターンに規制するマスク１４とを備え、マスクによりパターン規制されたエキシマレーザ光により被加工物に加工を施すエキシマレーザ加工装置である。 - 特許庁

To form a mask pattern exhibiting a high verticality in an organic film of a multilayer resist which becomes an etching mask of a film to be etched, which includes the organic film stacked on the film to be etched and a resist film stacked on the organic film and in which a resist pattern is opened.例文帳に追加

被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。 - 特許庁

The optical image of the mask is acquired and the shift quantity of the best focus position from the center of the focus of the halftone mask part 10a when the center of the focus of the light shielding pattern parts 10b as an origin is derived and the evaluation of the phase difference in the real pattern is executed.例文帳に追加

そして、このマスクの光学像を取得し、遮光膜マスク部１０ｂのフォーカスの中心を原点としたときの、ハーフトーン膜マスク部１０ａのフォーカスの中心からのベストフォーカス位置のシフト量を導出して、実パターンでの位相差の評価を行う。 - 特許庁

This invention relates to the gray tone mask for manufacturing a thin film transistor substrate having a pattern comprising a light-shielding part, a translucent part and a semi-translucent part, the gray tone mask for forming a resist pattern in which a channel part-forming area of the thin film transistor substrate is thinner than a source drain forming area.例文帳に追加

遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有する薄膜トランジスタ基板製造用グレートーンマスクであって、薄膜トランジスタ基板のチャネル部形成領域が、ソースドレイン形成領域より薄いレジストパターンを形成するためのグレートーンマスクである。 - 特許庁

In a dry etching method, a mask pattern 15 is formed on a semiconductor layer 14A and first etching treatment is performed for removing about 70% of the areas of the semiconductor layer 14A under the openings of the mask pattern 15 by using a first etching gas containing chlorine and bromine.例文帳に追加

半導体層１４Ａの上にマスクパターン１５を形成し、塩素と臭素とを含む第１のエッチングガスを用いて半導体層１４Ａにおけるマスクパターン１５の開口部の下側の領域の７０％程度を除去する第１のエッチング処理を行なう。 - 特許庁

Light projected from the glass plate 2 as it is reflected from the pattern surface 1a of the mask 1 and another light projected from the glass plate 2 as it is reflected from the surface of the substrate 3 are detected, and a proximity gap between the surface of the substrate 3 and the pattern surface 1a of the mask 1 is measured.例文帳に追加

マスク１のパターン面１ａで反射してガラス板２から射出する光と、基板３の表面で反射してガラス板２から射出する光とを検出して、基板３の表面とマスク１のパターン面１ａとのプロキシミティギャップを測定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a combination mask capable of removing wrinkles and slacks during a manufacturing process, even when wrinkles and slacks are easily generated on a mask member, and as a result, capable of keeping the positional accuracy of a pattern to be formed, while enabling correspondence with a fine evaporation pattern.例文帳に追加

マスク部材単体にしわ・たるみ等が発生し易い場合であっても、製造過程でそのしわ・たるみ等を除去することができ、これにより微細蒸着パターンへの対応を可能にしつつ形成パターンのパターン位置精度を高く保てるようにする。 - 特許庁

Then, a mask is formed on the rear surface of the substrate 1, and anisotropic etching is applied to the substrate 11 from the pattern opening of the mask to remove the silicon of the portion as a supply port and to remove the flow passage pattern R in the flow passage forming member 6, thereby a flow passage is formed.例文帳に追加

次いで、基板１の裏面にマスクを形成し、マスクのパターン開口から基板１１に異方性エッチングを施して供給口となる部分のシリコンを除去し、流路形成部材６内の流路パターンＲを除去することで、流路を形成する。 - 特許庁