| 意味 | 例文 |
MASK patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5189件
To provide a method for manufacturing a resist pattern capable of further improving CD uniformity and mask error factor.例文帳に追加
CD均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a photo mask by which a pattern formed body for various uses can be easily formed under comparatively high exposure sensitivity.例文帳に追加
種々の用途のパターン形成体を比較的高い露光感度の下に形成することが容易なフォトマスクを提供する。 - 特許庁
The resist film 3 is irradiated with an X-ray 4 through a mask 1 for X-ray exposure to form an exposure pattern 5.例文帳に追加
次いで、X線露光用マスク1を介してX線4をレジスト膜3に照射し、露光パターン5を形成する。 - 特許庁
To decrease the work labor for evaluating a receding amount in the edge of a line pattern and to simplify the mask CAD process therefor.例文帳に追加
ラインパタン端部の後退量を評価する作業による労力の低減と、そのマスクCAD処理の簡易化を図る。 - 特許庁
Furthermore, it is dipped in a chemical liquid tank filled with hydrofluoric acid, thereby etching the oxidized film 1 while using the resist pattern 2 as a mask.例文帳に追加
その後、フッ酸で満たされた薬液槽に浸すことにより、レジストパターン2をマスクとして酸化膜1をエッチングする。 - 特許庁
METHOD OF FORMING MASK FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE AND PROGRAM FOR PROCESSING PATTERN DATA FOR FORMING THE SAME例文帳に追加
荷電粒子線露光用マスクの形成方法および荷電粒子線用マスクを形成するためのパターンデータの処理プログラム - 特許庁
RECTANGULAR/GRID DATA CONVERSION METHOD OF MASK PATTERN FOR ELECTRICALLY CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE AND ELECTRICALLY CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE METHOD USING IT例文帳に追加
荷電粒子ビーム露光用マスクパターンの矩形/格子データ変換方法及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光方法 - 特許庁
Step ST12: First mask pattern data are prepared in which first opening patterns are arranged on all of the grid points.例文帳に追加
全ての前記グリッド点上に第1の開口パターンが配置された第1のマスクパターンデータを用意する(ステップST12)。 - 特許庁
To improve reliability by simplifying configuration when forming a pattern in an endless shape on a mask for drawing electron beams.例文帳に追加
電子線描画用マスク上に無端形状パターンを形成する場合、構成を簡単にして信頼性を向上させる。 - 特許庁
CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法 - 特許庁
To measure a proximity gap between surface of a substrate and a pattern surface of a mask through a glass plate from outside a negative pressure chamber.例文帳に追加
負圧室の外側からガラス板を介して、基板の表面とマスクのパターン面とのプロキシミティギャップを測定する。 - 特許庁
To manufacture a mask having an opening pattern suitable for refining in which an opening diameter is made uniform, and the opening diameter is easily controlled.例文帳に追加
開孔径が均一で開孔径の制御が容易な、微細化に適した開孔パターンを有するマスクを製造する。 - 特許庁
To provide a resist composition which excels in a mask error factor (MEF) and a focus margin (DOF) in pattern forming.例文帳に追加
パターンを形成する際のマスクエラーファクター(MEF)及びフォーカスマージン(DOF)に優れるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a resist composition that allows formation of a pattern having excellent resolution and a mask error factor (MEF).例文帳に追加
優れた解像度及びマスクエラーファクター(MEF)を有するパターンを形成することができるレジスト組成物等を提供する。 - 特許庁
To provide a high speed controllable film formation device capable of forming a film pattern by an AD method without using a mask.例文帳に追加
マスクを使用することなくAD法による膜パターンを形成できる、高速制御可能な成膜装置を提供する。 - 特許庁
To provide a photomask in which the presence or absence of misalignment of drawn images on a mask pattern can be easily checked visually.例文帳に追加
マスクパターン上に発生した描画ズレの有無を目視によって容易に検査することができるフォトマスクを提供する。 - 特許庁
Next, UV light 508 is caused to pass through a mask 510 in order to create a desired pattern on the polymerization initiator layer 504.例文帳に追加
次いで重合開始剤層504に望まれるパターンを作り出すためにUV光508がマスク510を通される。 - 特許庁
Furthermore, laser is cast on the resist pattern 2a through a correction mask 5 for correcting temperature distribution of a hot plate 6.例文帳に追加
更に、ホットプレート6の温度分布を補正するための補正マスク5を介して、レジストパターン2aにレーザを照射する。 - 特許庁
To suppress execution of useless rendering processing in rendering including logical operation or arithmetic processing such as a mask pattern.例文帳に追加
論理演算やマスクパターン等の演算処理が含まれるレンダリングにおいても無駄なレンダリング処理の実行を抑止すること。 - 特許庁
To expose a pattern, having a fine line width on a resist with high precision by an electron beam exposure method which uses a stencil mask.例文帳に追加
ステンシルマスクを使用する電子ビーム露光方法に関し、微小線幅のパターンを高精度にレジストに露光すること。 - 特許庁
To easily inspect local variance in a pattern of an exposure mask only by measuring diffracted light without using a microscope.例文帳に追加
露光用マスクのパターンのローカルばらつきを、顕微鏡を用いることなく回折光の測定だけで簡易に検査する。 - 特許庁
A resist is coated on an SiO_2 film 63, and then a resist pattern 64 for a mask for diffraction-grating formation is formed (c).例文帳に追加
SiO_2膜63上にレジストを塗布した後に回折格子作製マスク用のレジストパターン64を作製する(c)。 - 特許庁
To provide a pattern forming member which is suitably employed for measurement of synchronous accuracy between a mask stage and a substrate (substrate stage).例文帳に追加
マスクステージと基板(基板ステージ)の同期精度の計測に好適に用いることができるパターン形成部材を提供する。 - 特許庁
With a resist pattern 7b as a mask, the etching of the storage node interlayer insulating film 9 is performed to the stopper film 10.例文帳に追加
レジストパターン7bをマスクとして、まず、ストレージノード層間絶縁膜9のエッチングをエッチングストッパ膜10まで行う。 - 特許庁
A plurality of openings 102 are formed corresponding to the pattern of each organic electroluminescence material layer in the shadow mask 101.例文帳に追加
シャドウマスク101には、各有機EL材料層のパターンに対応して複数の開口部102が形成されている。 - 特許庁
RESIST FILM, RESIST COATED MASK BLANK USING RESIST FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION例文帳に追加
レジスト膜、該レジスト膜を用いたレジスト塗布マスクブランクス及びレジストパターン形成方法、並びに、化学増幅型レジスト組成物 - 特許庁
To provide an exposure apparatus for transferring a mask pattern while reducing variation in electrical characteristic in a wafer.例文帳に追加
ウェハ内における電気的特性のばらつきを低減するようにマスクパターンを転写する露光装置を提供すること。 - 特許庁
DEVICE FOR EVALUATION OF MASK PATTERN SHAPE, METHOD OF EVALUATING SHAPE AND RECORDING MEDIUM IN WHICH PROGRAM FOR EVALUATION OF SHAPE IS RECORDED例文帳に追加
マスクパターン形状評価装置および形状評価方法並びに形状評価プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁
By transferring a mask pattern, a welding part 21 and a non-welding part 31 are formed on the surface of a substrate 1.例文帳に追加
マスクパターンを転写することによって、基板1の表面に、溶着部21と非溶着部31とを形成する。 - 特許庁
To provide a means of obtaining a phase shifting mask which widens a process window in pattern formation in an exposure step.例文帳に追加
露光工程におけるパターンを形成する際のプロセスウィンドウを広げる位相シフトマスクを実現する手段を提供する。 - 特許庁
The mask pattern producing device 120 is disposed above a substrate 10 and electrically connected to the microcomputer system 110.例文帳に追加
マスクパターン生成器120は基板10の上方に配置され、マイクロコンピュータシステム110に電気的に接続されている。 - 特許庁
Since a wiring pattern 66 is formed by discharging the droplets of a metallic solution onto an insulating substrate 10, the need for a mask is eliminated.例文帳に追加
絶縁基板10に金属溶液の液滴を吐出し配線パターン66を形成するため、マスクが不要となる。 - 特許庁
A shadow mask 22 is arranged very close to the substrate 14 to form the pattern vapor deposited layer on the substrate 14.例文帳に追加
シャドウマスク22は、パターン蒸着を基板14上に形成するために、基板14に極めて接近して配置される。 - 特許庁
DEVICE FOR EVALUATION OF MASK PATTERN SHAPE, METHOD FOR EVALUATION OF SHAPE AND RECORDING MEDIUM IN WHICH PROGRAM FOR EVALUATION OF SHAPE IS RECORDED例文帳に追加
マスクパターン形状評価装置および形状評価方法並びに形状評価プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁
A mask 22 is arranged so as to extremely be close to the substrate 14 for forming the pattern vapor deposition on the substrate 14.例文帳に追加
マスク22は、パターン蒸着を基板14上に形成するために、基板14に極めて近接して配置される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an X-ray mask, which can improve resolution of the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置のパターンの解像度を向上させることが可能なX線マスクの製造方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a screen mask by which printing deviation is extremely small, and a fine image pattern can be precisely printed.例文帳に追加
印刷ずれが極めて小さく、かつ微細な画像パターンを精度良く印刷することが可能なスクリーンマスクを提供する。 - 特許庁
A plurality of openings 102 are formed, corresponding to the pattern of each organic electroluminescence material layer in the shadow mask 101.例文帳に追加
シャドウマスク101には、各有機EL材料層のパターンに対応して複数の開口部102が形成されている。 - 特許庁
MASK PATTERN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION, METHOD OF FORMING SAME, AND METHOD OF FABRICATING FINELY PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体素子の製造用のマスクパターンとその形成方法、及び微細パターンを有する半導体素子の製造方法 - 特許庁
An etching-stop film 106a and a hard mask pattern are formed on the first interlayer insulating film and the contact plugs.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜106a及びハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁
A solder mask 11 is applied to a surface 10a of a substrate 10 for protecting a copper wiring pattern 12 thereon.例文帳に追加
基板10の表面10a上の銅配線パターン12を保護するためのはんだマスク11が被覆されている。 - 特許庁
A substrate registration mark and a pattern formed on a mask R are projected onto a substrate P through a projection optical system 12 for exposure.例文帳に追加
マスクRに形成された基板位置合わせマークとパターンとを投影光学系12を介して基板Pに露光する。 - 特許庁
To provide a method which enables the easy confirmation of a mask pattern formed by etching a block copolymer on a substrate.例文帳に追加
基板上のブロック共重合体のエッチングにより形成されたマスクパターンを、容易に確認できる方法を提供する。 - 特許庁
To raise reliability of measured values by exactly detecting the dimensions of inspected pattern formed on a photo mask.例文帳に追加
フォトマスクに形成された被検査パターンの寸法を正確に検出することができ、測定値の信頼性を向上させる。 - 特許庁
To prevent deviation of a printing pattern caused by the elongation of the thin portion of a mask through tension of a silk gauze or the like from developing.例文帳に追加
紗張り等を行うことでマスクの薄い部分が伸びてしまい印刷パターンにずれが生じることを防止する。 - 特許庁
The bits 9-16 specify a mask to select the bits to look at and the bits 17-23 specify the bit pattern to look for. 例文帳に追加
第 9-16 ビットは注目すべきビットを選択するためのマスクを指定し、第 17-23 ビットは探すべきビットパターンを指定する。 - JM
Wiring (45a and 45b) are formed by etching the conductive film using a gas containing halogen, with the resist pattern as a mask.例文帳に追加
レジストパターンをマスクとして、ハロゲンを含むガスを用いて導電膜をエッチングすることにより、配線(45a,45b)を形成する。 - 特許庁
The light absorbing layer 2 is patterned by water treatment, using the photoresist layer 3 with the formed diffraction grating pattern as a mask.例文帳に追加
回折格子パターンが形成されたフォトレジスト層3をマスクにして、水処理にて光吸収層2をパターニングする。 - 特許庁
A silicon nitride film 4 is subjected to isotropic etching by using a polyimide film 5 on which a specified pattern is formed as a mask.例文帳に追加
所定のパターンが形成されたポリイミド膜5をマスクに用いてシリコン窒化膜4に対して等方性エッチングを行う。 - 特許庁
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| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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