「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

On the gallium nitride layer, a mask layer such as photoresist, a metal layer, or a dielectric layer is pattern-formed in a stripe.例文帳に追加

窒化ガリウム層上で、フォトレジストなどのマスク層、金属層または誘電体層をストライプにパターン形成する。 - 特許庁

Next, the base insulation layer 1 is exposed into a predetermined pattern using a photo mask PM having a partially different transmissivity.例文帳に追加

次に、部分的に透過率の異なるフォトマスクＰＭを用いてベース絶縁層１を所定のパターンで露光する。 - 特許庁

A mask 45 includes a pattern of openings 46 for arranging conductive balls 48 in given positions of a wafer 10.例文帳に追加

マスク４５は、導電性ボール４８をウェハ１０の所定の位置に配置するための開口パターン４６を含む。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK USING THE COMPOSITION例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク - 特許庁

This scanning exposure apparatus projects the exposure pattern of a mask on a substrate 1 by a plurality of microlens arrays 2.例文帳に追加

スキャン露光装置は、複数個のマイクロレンズアレイ２により、マスクの露光パターンが基板１上に投影される。 - 特許庁

The positioning when a mask pattern is exposed on a substrate is performed using the alignment information obtained when the exposing operation is performed.例文帳に追加

露光中に得られたアライメント情報を使用して、基板にマスクパターンを露光するときの位置決めを行なう。 - 特許庁

After irradiation with the ultraviolet rays 13, the film 2 is dry-etched with a fluororesin resist pattern 32 as a mask.例文帳に追加

紫外光１３を照射した後、フッ素樹脂レジストパターン３２をマスクとして、ポリシリコン膜２をドライエッチングする。 - 特許庁

Furthermore, the lower layer resist film 2 is subjected to patterning by dry etching by using the upper layer silylation pattern 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、この上層シリル化パターン６をマスクとしたドライエッチング処理により、下層レジスト膜２をパターニングする。 - 特許庁

A mask pattern 14 is formed on a semiconductor substrate 11, and oxygen ions 15 are implanted from the upper side of the substrate.例文帳に追加

半導体基板１１上にマスク・パターン１４を形成し、基板上部から酸素イオン１５を注入する。 - 特許庁

Impurities for source and drain are injected to the surface layer part of the semiconductor substrate (b) using the gate pattern as a mask.例文帳に追加

（ｂ）ゲートパターンをマスクとして、半導体基板の表層部に、ソース及びドレイン用の不純物を注入する。 - 特許庁

Essentially uniform n-type impurity doping is executed into the polysilicon film by the ion implantation mask pattern.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを用いて前記ポリシリコン膜内に実質的に均一なｎ型不純物ドーピングを実施する。 - 特許庁

To obtain a method of forming an array with high compression efficiency of the data size in the conversion process of the mask pattern of an LSI.例文帳に追加

ＬＳＩのマスクパターンの変換処理におけるデータサイズの圧縮効率の良いアレイ化方法の実現。 - 特許庁

After the layer 12 is etched by using the pattern 13 as a mask, a nitride-based intermediate crystalline layer 14 is formed.例文帳に追加

これをマスクとして下地結晶層１２をエッチングしたのち、窒化物系中間結晶層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating EUVL mask 50, which fabricates a pattern of an absorbing layer 56 with high accuracy.例文帳に追加

吸収層５６のパターンを精度よく加工することが可能な、ＥＵＶＬマスク５０の加工方法を提供する。 - 特許庁

A chamfer 8 is provided at the corner part of a pattern 4 corresponding to a light transmission area surrounded by the black mask.例文帳に追加

ブラックマスクによって囲まれる光透過領域に対応するパターン４のコーナー部に面取り８を設ける。 - 特許庁

The resist is exposed/developed using an evaluation mask pattern arranged opposedly to a line and space pattern with pitches different each other, and the line end retreat amount of the pattern is found using an overlapping inspection device.例文帳に追加

互いにピッチの異なるラインアンドスペースパターンが対向して配置される評価用マスクパターンを用いてレジストの露光／現像をし、重ね合わせ検査装置を利用してパターンのライン端後退量を求める。 - 特許庁

Then the resist pattern 43 is used as a mask to etch the substrate 41 as shown in (d), and the resist film pattern 43 is peeled from the substrate 41 as shown in (e) to obtain a pattern 41a with two surface levels.例文帳に追加

(d)に示すように、レジスト膜パターン４３をマスクとして基板４１をエッチングし、(e)に示すように、基板４１からレジスト膜パターン４３を剥離すると２段形状のパターン４１ａを得る。 - 特許庁

After pattern transfer is completed to all the divided regions, the resist layer 71 is collectively developed to form a resist pattern 79 and the substrate or the working layer 70 is subjected to cutting treatment by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

すべての分割領域毎にパタン転写が終了したのち、レジスト層７１を一括現像してレジストパタン７９を形成し、これをマスクにして基板又は加工層７０を切削加工する。 - 特許庁

A resist film 44 is formed on an Al film 42h (c), exposed to light with a reticule 45a as a mask (d), and a pattern of the reticule 45a is transferred to the resist film 44 and is put into a pattern to form a resist pattern 44a.例文帳に追加

Ａｌ膜４２ｈ上にレジスト膜４４を形成し(c)、レチクル４５ａをマスクとして露光し(d)、レチクル４５ａのパターンがレジスト膜４４に転写されてパターン化され、レジストパターン４４ａを形成する。 - 特許庁

A hole-type mark being used for alignment of a mask pattern is provided on a solid pattern formed on a semiconductor substrate and the solid pattern is formed to cover a region including the opening of the mark after it is used.例文帳に追加

マスクパターンの位置合わせに使用するホールタイプのマークを半導体基板に形成したベタパターン上に設け、該マークの使用後にはマークの開口部を含む領域を被覆するようにベタパターンを形成する。 - 特許庁

When the mask comprising a resist layer is formed on the film to be patterned, a layered resist pattern containing a lower layer resist pattern 111 and an upper layer resist pattern 112 is formed on the film 102 to be patterned.例文帳に追加

被パターニング膜上にレジスト層でなるマスクを形成するにあたり、被パターニング膜１０２上に、下層レジストパターン１１１と、上層レジストパターン１１２とを含む積層レジストパターンを形成する。 - 特許庁

Finally, a second gate insulating film 207 is formed only on a high-voltage element forming area 203 by using the silicon nitride film pattern 205a as an oxidation preventing mask pattern and the pattern 205a is removed.例文帳に追加

最後に、シリコン窒化膜パターン２０５ａを酸化防止マスクパターンとして高電圧素子形成領域２０３上のみに第２ゲート絶縁膜２０７を形成し、シリコン窒化膜パターン２０５ａを除去する。 - 特許庁

To carry out inspection with high accuracy without causing any pseudo defects by performing the pattern data collation corresponding to a small change of the pattern generated by an etching process of the pattern formed on a photo mask.例文帳に追加

フォトマスク上に形成されるパターンのエッチングプロセスによって生じるパターンの微妙な変化に対応したパターンデータの合わせを行い、疑似欠陥の発生を招くことなく精度良い検査を行う。 - 特許庁

To provide a photomask pattern verification method, capable of preventing abnormality in a resist pattern due to occurrence of an MEF (mask error factor) in a semiconductor manufacturing process and capable of determining the photomask pattern that has a suitable shape.例文帳に追加

半導体製造工程でのＭＥＦの発生に起因するレジストパターンの異常を抑制することができ、適した形状のフォトマスクパターンを判定できるフォトマスクパターンの検証方法を提供する。 - 特許庁

A graphic pattern to be included in a divided region 72 is transferred to a resist layer 74 via a mask 73 by using a pattern transfer method of an optical contact-less system to form a latent image 75b of the graphic pattern.例文帳に追加

光学的非接触方式のパタン転写方法を用いて、分割領域７２に含まれる図形パタンをマスク７３を介してレジスト層７４に転写し、図形パタンの潜像７５ｂを形成する。 - 特許庁

A resist film pattern 26B independent of the pattern of a beam passing hole 27 of a color selection mechanism is formed on the color selection mechanism, and the resist pattern 26B is used for a mask for exposure to form a fluorescent screen 44.例文帳に追加

色選別機構上に該色選別機構のビーム透過孔２７のパターンと独立したレジスト膜パターン２６Ｂを形成し、レジストパターン２６Ｂを露光用マスクに用いて蛍光面４４を作成する。 - 特許庁

The protective system is in contact with the mask at the location other than the pattern surface, and is connected to a holder 110 to have a space SP between the pattern surface and itself via the contact, and has a cover 120 for protecting the pattern surface.例文帳に追加

保護機構はパターン面以外でマスクと接触し、接触部を介してパターン面との間で空間ＳＰを有するように保持部１１０と接続し、パターン面を保護するカバー部１２０を有する。 - 特許庁

To provide a photomask pattern position correcting method which corrects an error of a position of a random mask pattern of a photomask which cannot be corrected conventionally, using a simple and effective method, and to provide a pattern position corrected photomask.例文帳に追加

従来不可能であったフォトマスクのランダムなマスクパターンの位置誤差を、簡便かつ有効な方法で補正するフォトマスクのパタン位置の補正方法およびパタン位置が補正されたフォトマスクを提供する。 - 特許庁

These two layers of the photo resists are simultaneously exposed via a mask pattern for selective exposure, only the upper photo resist 7 is first developed and presence/absence of a pattern defective part of a development pattern 72 of the photo resist 7 is inspected.例文帳に追加

これら２層のフォトレジストを選択露光用マスクパターンを介して同時に露光し、まず、上側フォトレジスト７のみを現像し、その現像パターン７２のパターン欠陥部の有無を検査する。 - 特許庁

In this case, the print mask 2, having the size of the aperture pattern forming area wherein the aperture pattern is formed smaller than that of the print object area of the print pattern in the substrate, is used.例文帳に追加

ここで、印刷マスク２として、開口パターンが形成されている開口パターン形成領域のサイズが、基板における印刷パターンの印刷対象領域のサイズよりも小さいものを用いる。 - 特許庁

When a resist pattern that covers areas c and d is formed, a resist pattern 22 is formed by displacing a mask pattern such that the groove of the area c is completely covered even in the case that a alignment error occurs (step 3).例文帳に追加

領域ｃ，ｄを覆うレジストパターンを形成する場合、位置合わせ誤差が生じても領域ｃの溝が完全に覆われるように、マスクパターンの位置をずらしてレジストパターン２２を形成する（工程３）。 - 特許庁

An illumination optical system 70 irradiates a substrate W with light for pattern exposure via the mask M, and exposure-transfers the line-like pattern 84 corresponding to the main pattern part 81, on the substrate W.例文帳に追加

照明光学系７０が基板Ｗに対してパターン露光用の光をマスクＭを介して照射し、基板Ｗに主パターン部８１に対応するライン状のパターン８４を露光転写する。 - 特許庁

A first mask 1 having a first opening pattern is formed on a compound semiconductor substrate 11, and then wet etching is performed by using the first mask to form a first recess; thereafter, a second mask 19 having a second opening pattern wherein an opening is formed above the first recess is formed; and then the wet etching is performed by using the second mask to form a second recess 13.例文帳に追加

化合物半導体基板１１上に、第１の開口パターンを有する第1のマスク１を形成し第1のマスクを用いてウェットエッチングを行い、第１のリセスを形成し、第１のリセス上に開口部が形成された第２の開口パターンを有する第２のマスク１９を形成し、第２のマスクを用いてウェットエッチングを行い、第２のリセス１３を形成する。 - 特許庁

The pattern inspecting method includes: a film forming process of forming a film on a substrate; an ion implantation pattern forming process S12 of forming an ion implantation pattern on the film through an opening pattern formed on a stencil mask; and an optical inspecting process S13 of optically inspecting the ion implantation pattern based upon the opening pattern.例文帳に追加

基板上に膜を形成する膜形成工程と、ステンシルマスクに形成された開口パターンを通じて前記膜にイオン注入パターンを形成するイオン注入パターン形成工程Ｓ１２と、イオン注入パターンを開口パターンに基づいて光学的に検査する光学的検査工程Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

Prior to a pattern boring process by dry etching, a stencil mask substrate 1 on a region 13 of a fine pattern is etched away along the depth to make the substrate film thickness less than that of a region 12, and then even a stencil mask substrate having various pattern sizes can be processed to precise size in the mask surface.例文帳に追加

ドライエッチングによるパターン開口工程に先立って、微細パターンの領域１３上のステンシルマスク基板１をエッチングによりエッチング深さ方向に除去し、基板膜厚を他の領域１２に対し薄膜化することにより、種々のパターン寸法が混在するステンスルマスク基板においてもマスク面内の寸法を精度よく加工することができる。 - 特許庁

The method of forming the two-dimensional mask pattern on the substrate (1) comprises (a) printing a non-electrically conductive material (2) on the substrate in a coarse version of the required mask patterns (3A to 3D) and (b) selectively ablating a portion (3B) of the material using a laser to refine the coarse pattern to form the desired mask pattern.例文帳に追加

基板（１）上に二次元マスクパターンを形成する方法は、（ａ）非導電性材料（２）を所要のマスクパターン（３Ａ〜３Ｄ）の粗いバージョンで基板上に印刷することと、（ｂ）所望のマスクパターンを形成するために、粗いパターンの精度を高めるために、レーザを用いて、材料の一部（３Ｂ）を選択的に融解除去することと、を備える。 - 特許庁

The photomask (gray tone mask) includes a mask pattern on a transparent substrate 24, the pattern for forming a desired transfer pattern onto a transfer object, and includes conductive patterns 11a and 11b, 11c and 11d, 12a and 12b, 12c, and 12d drawn from each of a plurality of electrically isolated mask patterns 10a, 10b, 10c.例文帳に追加

被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板２４上に有するフォトマスク（例えばグレートーンマスク）であって、電気的に孤立する複数のマスクパターン１０ａ，１０ｂ，１０ｃからそれぞれ引き出された導電性パターン１１ａと１１ｂ，１１ｃと１１ｄ，１２ａと１２ｂ，１２ｃと１２ｄを有する。 - 特許庁

Etching state is inspected by inputting a plurality of line patterns 2 of different line widths to a copper foil pattern mask 1 in advance, and recognizing the presence or absence of a line pattern remaining in an etched printed substrate 3 by using the copper foil pattern mask 1 of a plurality of line patterns 2 of different line widths.例文帳に追加

銅箔パターンマスク１に予め線幅の異なる複数の線パターン２を入力し、前記線幅の異なる複数の線パターン２の内前記銅箔パターンマスク１を用いてエッチングが完了したプリント基板３に残った線パターンの有無を確認することによりエッチング状態を検査する。 - 特許庁

An aperture 15 having a width wider than the width of the conductive film pattern 13 is opened on the film to be an etching mask so as to make the angle Θ by transversal edge of the aperture 15 on the conductive film pattern 13, and a longitudinal edge of the conductive film pattern 13 covered by a matching mask, a sharp angle.例文帳に追加

次に、エッチングマスクとなる膜に、導電膜パターン１３の横幅より広い横幅をもつ開口部１５を、導電膜パターン１３上の開口部１５の横縁と、エッチングマスクにより覆われる導電膜パターン１３の縦縁とのなす角度Θが鋭角となるように、開ける。 - 特許庁

The manufacturing method comprises applying a photosensitive resist 4 on one side of a substrate 1, carrying out laser lithography to the photosensitive resist 4, developing the drawn image to form a mask pattern 5 having a desired opening pattern 5a, and etching the substrate 1 through the mask pattern 5 to a desired depth to obtain a mold 11.例文帳に追加

基板１の一方の面に感光性レジスト４を塗布し、この感光性レジス４トにレーザ描画を行い、その後、現像を施して、所望の開口パターン５ａを有するマスクパターン５を形成し、このマスクパターン５を介して基板１を所望の深さまでエッチングしてモールド１１とする。 - 特許庁

The first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 are patterned, by using a mask pattern in which the position of the mask pattern to pattern the first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 is shifted to the position 614 of the gap.例文帳に追加

第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングするためのマスクパターンの位置がギャップの位置６１４に対してずれたマスクパターンを用いて、第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングされる。 - 特許庁

In a master pattern creation method of an embodiment, an oblique incidence effect measuring pattern used to measure an oblique incidence effect of incident light made incident on a reflective mask is formed on the reflective mask for pattern transfer used for an exposure device including a reflection type optical system.例文帳に追加

実施形態のマスクパターン作成方法では、反射型光学系を備えた露光装置に用いられるパターン転写用の反射型マスクに、前記反射型マスクへ入射する入射光の斜入射効果の測定に用いられる斜入射効果測定用パターンを形成する。 - 特許庁

To obtain the shape of the pattern of a mask to be illuminated with exposing lights as a target value in each part on a substrate at the transfer of the image of the pattern to the substrate, while overlapping the mutually peripheral parts of the image of the pattern of the mask.例文帳に追加

露光光で照明されるマスクのパターンの像の周辺部どうしを互いに重ね合わせつつ基板上に転写する際、パターンの形状が基板上の各部分において目標値となるように形成することができる露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To increase etching seeds contributing etching, in a method for making, on a semiconductor surface, a desired pattern having varying depth by using a first mask having a desired pattern and a second mask for controlling the amount of etching seeds diffused in an opening of the desired pattern.例文帳に追加

所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。 - 特許庁

To provide a method for correcting data for drawing a mask pattern, which can be generally and practically used by determining the correction amount of an auxiliary pattern as the drawing data so as to improve the squareness of a mask pattern in the manufacture of a photomask employing a drawing apparatus using a charged beam such as an electron beam.例文帳に追加

電子線等の荷電ビームによる描画装置を用いたフォトマスクの製造において、マスクパターンの矩形性を向上させるため、描画データとしての補助パターンの補正量を決定し、汎用性があり実用的なマスクパターンの描画用データ補正方法を提供する。 - 特許庁