「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The laterally pattern-formed conductive layer is used as a common mask for laterally pattern-forming the first electric insulating layer, the sacrifice layer, and the first semiconductor layer.例文帳に追加

ラテラルにパターン形成された導電層を共通のマスクとして用いて、第１電気絶縁層、犠牲層、および、第１半導体層をラテラルにパターン形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a method for preparing mask pattern data by which a pattern shape to be formed on a wafer can be stabilized.例文帳に追加

ウエハ上に形成されるパターンの形状を安定させることが可能な半導体装置の製造方法、マスクパターンデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

In the pattern forming region 3, a mask pattern 7 to be transferred onto a semiconductor substrate 41 is formed by selectively depositing a light-shielding material.例文帳に追加

パターン形成領域３には、遮光性材料が選択的に付着することにより、半導体基板４１上に転写されるマスクパターン７が形成されている。 - 特許庁

The density of each ink is applied to a dither matrix prepared in advance to generate a mask matrix pattern (vector color pattern) to each ink (S46 and S55).例文帳に追加

予め用意したディザマトリクスに対して各インク色の濃度値を適用し、各インクに対するマスクマトリクスパターン（ベクタカラーパターン）を生成する（Ｓ４６，Ｓ５５）。 - 特許庁

Additionally, preferably, a step for removing the mask pattern is performed by using an etching recipe having a selection ratio to the first gate insulating film pattern 115.例文帳に追加

また、マスクパターンを除去する段階は、第１ゲート絶縁膜パターン１１５に対して選択比を有するエッチングレシピを使用して実施することが望ましい。 - 特許庁

MASK FOR VACUUM ULTRAVIOLET RAY, MANUFACTURING METHOD FOR PATTERN FORMED BODY BY VACUUM ULTRAVIOLET RAY, AND MANUFACTURING DEVICE FOR PATTERN FORMED BODY BY VACUUM ULTRAVIOLET RAY例文帳に追加

真空紫外光用マスク、真空紫外光によるパターン形成体の製造方法および真空紫外光によるパターン形成体製造装置 - 特許庁

Subsequently, dielectric film 4 is selectively etched and removed with use of the photo resist pattern 7 for dielectic processing as a mask to form a dielectic pattern 4a.例文帳に追加

次に誘電体加工用のフォトレジストパターン７をマスクとして、誘電体膜４を選択的にエッチング除去し誘電体パターン４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a means for detecting the failure of a circuit pattern accurately with high speed by comparing the pattern, formed on a photo mask or a wafer, with design data.例文帳に追加

フォトマスクやウエハ上に形成されたパターンを、設計データとの比較により、回路パターンの欠陥を精度良く、かつ高速に検出する手段の提供。 - 特許庁

To provide a thin film pattern forming method for directly forming a thin film circuit pattern using a mask by which a continuous circuit pattern difficult to be formed by mask film deposition can be formed without using any photo-lithography etching process in forming thin film circuit pattern, a pattern forming apparatus using the method, and an electronic circuit device manufactured by the forming apparatus.例文帳に追加

薄膜回路パターン形成において、ホトリソグラフィー・エッチィングプロセスを用いることなく、かつマスク成膜では難しかった連続回路パターン形成を可能とするマスクを用いた薄膜回路パターン直接形成するパターン形成方法とそれを用いたパターン形成装置、さらには該形成装置により製造された電子回路装置を提供する。 - 特許庁

In a substrate unit UT including a mask pattern layer MP, a dry film DF2 is put on the mask pattern layer MP, and the dry film DF2 is left to superpose only on a first resist pattern RP1 by photolithographic process through exposure from the backside 11r of a glass substrate 11.例文帳に追加

マスクパターン層ＭＰを含む土台ユニットＵＴに対し、マスクパターン層ＭＰ上に、ドライフィルムＤＦ２を被せ、ガラス基板１１の裏面１１ｒからの露光によるフォトリソグラフィー法で、ドライフィルムＤＦ２を第１レジストパターンＲＰ１だけに重なるように残す。 - 特許庁

To provide a phase shift mask which suppresses decrease in the intensity of the main peak or generation of a side peak and makes pattern transfer with high accuracy possible while relaxing the dimensional limitation as an auxiliary pattern, and to provide a method for forming a pattern by using the above phase shift mask.例文帳に追加

補助パターンとしての寸法的な制限を緩和しつつ、メインピークの強度低下やサイドピークの発生を抑制して、より高い精度でのパターン転写を可能とする位相シフトマスクおよび該位相シフトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The mask means 80 includes a pattern area on which a pattern 80p through which a light is transmitted, a clear inspection mark 80t formed at a prescribed position with respect to the pattern area, and reference sections 80a, 80b that are used to position the mask means 80 at a prescribed position.例文帳に追加

マスク手段８０は、光を透過するパターン８０ｐが形成されたパターン領域と、パターン領域に対して一定位置に形成された明瞭な検査マーク８０ｔと、マスク手段８０を所定位置に位置決めするための基準部８０ａ，８０ｂとを含む。 - 特許庁

After transferring a chip pattern to the negative resist film by EUV light exposure, the chip pattern is transferred by etching the intermediate layer film by using the negative resist film as a mask, and then the chip pattern is transferred by etching the lower layer film by using the intermediate layer film as a mask.例文帳に追加

ＥＵＶ光露光によりネガ型レジスト膜にチップパターンを転写した後、当該ネガ型レジスト膜をマスクとして中間層膜をエッチングしてチップパターンを転写し、その後、当該中間層膜をマスクとして下層膜をエッチングしてチップパターンを転写する。 - 特許庁

To provide a stencil mask for reducing an influence on the roughness of a transfer penetration pattern, and for controlling the dimension of the transfer penetration pattern while maintaining the rectangularity of the transfer penetration pattern or dimension uniformity in a plane, and a method for manufacturing the stencil mask.例文帳に追加

転写貫通パターン端部のラフネスへの影響が小さく、また転写貫通パターンの矩形性や面内の寸法均一性を維持したまま転写貫通パターンの寸法を制御することができるステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The pattern of the mask is projected on the photosensitive substrate with an exposure light quantity substantially different from a standard exposure light quantity required for forming a pattern of desired line width on the photosensitive substrate using a standard mask having a pattern of line width same as the converted value.例文帳に追加

換算値に等しい線幅のパターンを有する標準マスクを用いて感光性基板上に所望線幅のパターンを形成するのに必要な標準露光光量とは実質的に異なる露光光量で、マスクのパターンを感光性基板上に投影する。 - 特許庁

After an ITO film pattern, such as a pixel electrode 52, is formed on the planarizing film 4, the back channel part 55 in a groove form is formed by etching, while using the resist pattern for the ITO film pattern as a mask or using the ITO film itself as a mask to complete the TFT 7.例文帳に追加

そして、平坦化膜４上に画素電極５２等のＩＴＯ膜パターンを形成した後、これに用いたレジストパターン、またはＩＴＯ膜パターンそのものをマスクとしたエッチングにより、谷溝状のバックチャネル部５５を形成し、ＴＦＴ７を完成させる。 - 特許庁

The mask shape of the visual field masking is stored in a serial EEPROM 121 as a bit pattern and mask formation means 11, 12 and 122 for reading the bit pattern from the serial EEPROM 121 and performing the visual field masking to the video signals on the basis of the bit pattern are provided.例文帳に追加

視野マスクのマスク形状をビットパターンとしてシリアルＥＥＰＲＯＭ１２１に格納すると共に、シリアルＥＥＰＲＯＭ１２１からビットパターンを読み出してそのビットパターンに基づいて映像信号に視野マスクを施すマスク形成手段１１，１２，１２２を設けた。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method and a fine pattern forming method wherein a process for slimming a resist pattern is eliminated in forming a fine pattern by forming a silicon oxide film on a pattern organic film, and the cost of the process is reduced.例文帳に追加

パターン有機膜にシリコン酸化膜を成膜して微細パターンを形成する際に、レジストパターンをスリミング処理する工程を削減することができ、プロセスのコストを低減することができるマスクパターンの形成方法及び微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method and a fine pattern forming method wherein a process for slimming a resist pattern is eliminated in forming a fine pattern by forming a silicon oxide film on a pattern organic film, and the cost of the process is reduced.例文帳に追加

パターン有機膜にシリコン酸化膜を成膜して微細パターンを形成する際に、レジストパターンをスリミング処理する工程を削減することができ、プロセスのコストを低減することができるマスクパターンの形成方法及び微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

In an exposing method of projecting an exposure light image of a pattern formed on a mask onto a substrate to form a transfer pattern of the pattern on the substrate, the transfer pattern is measured, and the exposure light image is adjusted according to a mask expansion/contraction correction value calculated based on a mask expansion/contraction variation amount calculated by correcting a predetermined contribution amount when projected for a result of measurement.例文帳に追加

マスクに設けられたパターンの露光光像を基板に投影して前記基板に前記パターンの転写パターンを形成する露光方法であって、前記転写パターンを計測し、この計測結果に対して投影時の所定の寄与分を補正して算出されたマスクの伸縮変動量に基づいて算出されたマスク伸縮補正値に応じて前記露光光像を調整する。 - 特許庁

As the ideal pattern, an exposure mask pattern based on an exposure mask when performing exposure on a semiconductor wafer, and an exposure simulation pattern based on exposure simulation on the basis of the exposure mask and an exposure condition, or the like, can be used other than a circuit pattern (CAD data) based on design information of a semiconductor, and at least one of them is displayed three-dimensionally.例文帳に追加

なお、理想的なパターンとしては、半導体の設計情報に基づく回路パターン（ＣＡＤデータ）の他、半導体ウェーハ上に露光を行う際の露光マスクに基づく露光マスクパターン、及び露光用マスクと露光条件に基づく露光シミュレーションに基づく露光シミュレーションパターン等があり、それらの少なくとも１つを３次元的に表示するようにしている。 - 特許庁

To provide a metallic mask for spray coating which is capable of efficiently preventing a coating liquid stuck on the surface of the mask during spray process from running along the inner wall of a pattern forming hole to flow into a gap between the mask and a material to be coated.例文帳に追加

スプレー工程時にマスク表面に付着した塗布液が、パターン形成用孔の内壁を伝ってマスクと被塗布物との間に流れ込むことを効率的に防止し得るスプレー塗布用メタルマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide an eaves type Levenson phase shift mask for transferring a fine pattern in which fragments of eaves are restored with high accuracy, and to provide a mask defect modifying method for restoring broken parts of the eaves of the eaves type phase shift mask.例文帳に追加

ひさし折れが修復された、微細パターンを高精度に転写できるひさし型レベンソン位相シフトマスクと、ひさし型位相シフトマスクのひさし折れ部分を修復できるマスク欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

The mask 4 is provided with a mask part 11 for printing the solder paste and having a through-hole of a shape formed according to a prescribed pattern, a pair of peripheral walls 12 erecting from the peripheral edge of the mask part 11 and a fixing member 36.例文帳に追加

マスク４ははんだペーストを印刷する所定のパターンにしたがった形状の貫通孔を備えたマスク部１１とこのマスク部１１の外縁から立設した一対の周壁１２と固定部材３６を備えている。 - 特許庁

The exposure apparatus detects a focusing state of the mask 2, measures a shape of a reverse surface of a pattern surface of the mask 2 when the focusing state of the mask 2 is detected, and stores a measurement result in a storage part 11 in advance.例文帳に追加

露光装置が、マスク２の合焦状態を検出し、マスク２の合焦状態が検出された時のマスク２のパターン面の裏面の形状を計測し、計測結果を格納部１１に予め格納する。 - 特許庁

A pattern is formed for a reflective film layer 101, a protective film layer 102, and a mask layer 103 by using a patterned resist layer 104 as a mask, and then the resist layer 104 and the mask layer 103 for masking are removed.例文帳に追加

パターン形成したレジスト層１０４をマスクとして、反射膜層１０１、保護膜層１０２、マスク層１０３に対してパターンを形成し、その後、レジスト層１０４、マスク加工用マスク層１０３を剥離する。 - 特許庁

To provide a high quality halftone mask which can reduce the loads of a production process with reduced cost and causes no damage to a pattern, and to provide a manufacturing method for the halftone mask and a halftone mask blank used therefor.例文帳に追加

ハーフトーンマスクにおいて製造工程の負荷を減らしてコストダウンが図れ、かつパターンにダメージがない高品質なハーフトーンマスクおよびその製造方法、さらにこれに用いるハーフトーンマスクブランクスを提供すること。 - 特許庁

A master mask having a pattern size larger than an objective mask is first produced, and a plurality of identical masks are produced from the master mask by reduced projection and subjected to a die-to-die comparison with one another.例文帳に追加

対象となるマスクよりも大きいパターンサイズを有するマスターマスクを先に製作し、マスターマスクから、縮小投影によって、複数の同じマスクを製作し、これらの間で、Ｄｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ比較法を行う。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100 including an active layer 102, an etching mask pattern 104 composed of an etching mask 104a for an optical waveguide and an etching mask 104b for the mirror part is formed as shown in Fig. 1 (A).例文帳に追加

図１（Ａ）に示すように、活性層１０２を含む半導体基板１００上に、光導波路用エッチングマスク１０４ａ、ミラー部用エッチングマスク１０４ｂから構成されるエッチングマスクパターン１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a deposited mask that allows high-accuracy patterning, and has a thin precise pattern mask, and its manufacturing method, and to provide organic electroluminescent equipment with a high numerical aperture by using the deposited mask.例文帳に追加

高精度のパターニングが可能な、薄い精密パターンマスクを有する蒸着マスクとその製造方法を提供すること、その蒸着マスクを使用することで開口率の高い有機電界発光装置を提供すること。 - 特許庁

The tool 10 for sputtering positions the pattern mask 18 onto the glass substrate 16 installed on the magnetism-proof mask 14 of the mask plate 12 in such a manner that its apertures 17 face the color patterns 15 on the glass substrate 16.例文帳に追加

本スパッタ用治具１０では、ベースプレート１２の防磁マスク１４の上に設置したガラス基板１６の上に、パターンマスク１８をその開口部１７がガラス基板１６の上のカラーパターン１５に対向するように位置決めする。 - 特許庁

To enable a correction verification method to reflect the stress distribution or heat distribution over an exposure mask so to improve the device in verification accuracy when it is verified that the correction of distortion made for a mask pattern on the exposure mask is right or not.例文帳に追加

露光用マスク上のマスクパターンに対する歪補正の適否を検証するのにあたり、その露光用マスク上での応力分布や熱分布を反映させ得るようにして、その検証精度を向上させる。 - 特許庁

The test is conducted by using a tester having a test mask and an radiator to emit light and an objective lens to observe the test mask and a reference grid provided in a pattern observing area of the test mask.例文帳に追加

テストマスクと、テストマスクの、パターンを観察する領域に、光を照射する照射手段と、テストマスクを観察するための対物レンズと、基準格子と、観察手段とを備える検査装置を用いて、検査を行う。 - 特許庁

After the optical image and the reference image of the entire mask 101 are stored, a pattern defect inspection of the mask 101 is conducted by a defect inspection section 124 using the optical image and the reference image of the entire mask.例文帳に追加

マスク１０１全体の光学画像及び参照画像が格納された後、欠陥検査部１２４によりこのマスク全体の光学画像及び参照画像を用いてマスク１０１のパターン欠陥検査が実行される。 - 特許庁

Under that state, the mask supporting arm 106 holding the mask 103 is lowered and a pattern surface 103a of the mask 103 is brought into contact with an adhesive layer 107a thus realizing a state where they are stuck overlapped on the stage 105.例文帳に追加

この状態で、マスク１０３を保持しているマスク支持アーム１０６を下降させ、マスク１０３のパターン面１０３ａを粘着層１０７ａに当接させ、これらがステージ１０５の上で重着した状態とする。 - 特許庁

In the exposure system, a mask 30 on which the pattern of an inscribing numeric or symbol is drawn is selected, and exposure is conducted by a mask storage controller 22 and a mask shifter 23 at every column of wafer-discrimination information.例文帳に追加

露光装置は、ウエハ識別情報の各桁毎に、マスク格納コントローラ２２およびマスク移載機２３によって、記入する数字または記号のパターンが描画されたマスク３０を選択して露光を行う。 - 特許庁

To provide a screen printing equipment, which can realize a good quality screen printing by a simple operation under a low cost construction even under the case that the existing printing mask is changed for a printing mask, the size of a printing pattern of which is different from that of the existing printing mask.例文帳に追加

既設の印刷マスクを印刷パターンのサイズが異なる印刷マスクに付け換えた場合でも、簡単な操作及び低コストの構成で良質なスクリーン印刷を実現できるスクリーン印刷装置を提供する。 - 特許庁

A printing mask having the opening in a prescribed pattern formed is obtained by removing the matting sheet 160 bonded and fixed on the printing mask material 140, together with the bonding agent 170, from the printing mask material 140.例文帳に追加

印刷用マスク材１４０に接着固定された上敷き板１６０を、接着剤１７０とともに該印刷用マスク材１４０から除去して、所定パターンからなる開口が穿孔された印刷用マスクを得る。 - 特許庁

To provide a SOI substrate easily manufactured and occurrence of warpage of which is prevented, mask blanks for charged particle beam exposure employing the SOI substrate, and a mask for charged particle beam exposure wherein the positional precision of its mask pattern is high.例文帳に追加

製造が容易で基板の反りが防止されたＳＯＩ基板、そのＳＯＩ基板を用いた荷電粒子線露光用マスクブランクス、およびマスクパターンの位置精度の高い荷電粒子線露光用マスクを提供する。 - 特許庁

The left-side mask left-side Φ electrodes and a center Φ electrode pattern are projected so as to enable the left-side mask virtual aligning line to overlap with the left-side mask virtual aligning line projected onto the semiconductor substrate.例文帳に追加

基板仮想合わせラインに対して、半導体基板に露光投影された左側マスク仮想合わせラインが重なるように左側マスクの左側Φ電極と中央Φ電極のパターンを露光投影する。 - 特許庁

To provide a mask flaw inspection device capable of conducting mask flaw inspections at a time even when the film thickness of mask pattern is thick independently of short wavelength of illumination light, and of easily discriminating the type of the flaw.例文帳に追加

照明光の短波長化にもかかわらずかつマスクのパターンの膜厚が厚くなってもマスクの欠陥検査を一度に行うことができかつその欠陥の種類の識別も容易に行うことができる。 - 特許庁

HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, RESIST PATTERN FORMING METHOD USING HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK, AS WELL AS METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法、並びに半導体装置の製造方法。 - 特許庁

STRESS ADJUSTMENT METHOD AND DEVICE OF MASK FOR EXPOSURE, MANUFACTURING METHOD OF THE MASK FOR EXPOSURE INCLUDING THE STRESS ADJUSTMENT METHOD IN PROCESS, AND PATTERN-TRANSFERRED SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE MASK FOR EXPOSURE例文帳に追加

露光用マスクの応力調整方法、応力調整装置、およびこの応力調整方法を工程に含む露光用マスクの製造方法、並びにこの露光用マスクを用いてパターン転写した半導体装置 - 特許庁

To facilitate the separation between a substrate holder and a mask holder in a substrate holding tool capable of film deposition in an optional pattern to a substrate through a mask, and to correctly arrange the mask to the substrate with high reproducibility.例文帳に追加

マスクを通して基板への任意のパターンでの成膜を可能とする基板保持具を、基板ホルダーとマスクホルダーとの分離が容易で、かつ基板に対しマスクを正確かつ再現性よく配置できるようにする。 - 特許庁

To provide a mask for mask ROM as well as manufacturing method for mask ROM, wherein the variation in size of a resist opening part caused by difference in density of an ROM pattern is controlled to provide a sufficient work margin.例文帳に追加

ＲＯＭパターンの疎密によるレジスト開口部の大きさのばらつきを制御し、十分な加工マージンを得ることができるマスクＲＯＭ用マスクと、これを用いたマスクＲＯＭの製造方法を提供すること - 特許庁