「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The reflective exposure method includes a step for selecting a specific pattern, e.g. a pattern of smallest size, in a reflective mask, a step for calculating the electromagnetic field near the mask for the pattern, and a step for determining the propagation direction of highest intensity from the distribution of diffraction light which is determined from the electromagnetic field near the mask thus calculated.例文帳に追加

反射型露光方法は、反射型マスクにおいて、特定のパターン、例えば、最も寸法の小さいパターンを選択するステップと、該パターンについてマスク近傍の電磁界を計算するステップと、計算されたマスク近傍の電磁界から求まる回折光の分布から最も強度が強い伝播方向を求めるステップを含む。 - 特許庁

Instead of a variable XY slit mechanism used in the conventional mask repair device, a pattern of Cr film attached to a glass substrate similar to a photomask is made to be the mask and the mask formed with an OPC pattern such as a serif on the pattern is used and, thereby, the working having about 1/2 R as the ratio with the conventional one is enabled.例文帳に追加

通常のマスクリペア装置で使用されている可変ＸＹスリット機構に代わり、フォトマスクと同様のガラス基板上に付けられたＣｒ膜のパターンをマスクとし、且つ、前記パターンにセリフなどのＯＰＣパターンを形成したマスクを使用することによって、従来比約１／２のＲを有する加工が可能となる。 - 特許庁

To provide etchant which suppresses a film decrease amount by etching of a mask pattern or can reduce dispersion of the etching rate of the mask pattern at the time of wet-etching a silicon substrate through the mask pattern in a prescribed shape which is formed of an oxide film, and to provide a manufacturing method of etchant and a manufacturing method of a liquid injection head.例文帳に追加

酸化膜からなる所定形状のマスクパターンを介してシリコン基板をウェットエッチングする際に、マスクパターンのエッチングによる膜減り量を抑制し、又はマスクパターンのエッチグレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The image forming apparatus, which forms an image on a recording medium by adding a specific pattern to inputted image data, comprises: a mask generation section which generates a mask region wherein addition of the specific pattern is inhibited; and a control section which performs image formation upon the mask region so as to inhibit the addition of the specific pattern.例文帳に追加

入力された画像データに特定パターンを付加して記録媒体上に画像形成を行う画像形成装置において、特定パターンの付加を禁止するマスク領域を生成するマスク生成部と、マスク領域に特定パターンの付加を禁止するよう画像形成を行う制御部と、を有する。 - 特許庁

The mask pattern generating device is equipped with an area dividing means 12 which divides the whole mask pattern into multiple areas and a correction pattern generating means 16 which generates new mask patterns laterally or longitudinally increased or decreased in the size of patterns belonging to areas by the areas.例文帳に追加

マスクパターン全体を複数の領域に分割する領域分割手段１２と、複数の領域ごとに、その領域に属するパターンの大きさを横方向および／または縦方向に増加または減少させた新たなマスクパターンを生成する補正パターン生成手段１６と、を備えてマスクパターン生成装置を構成する。 - 特許庁

The mask pattern is a mask pattern for sequential lateral solidification (SLS), and the mask pattern includes a first set slit for achieving a first 2-shot SLS process (a), and a second set slit for forming a desired angle to the first set slit for achieving a second 2-shot SLS process.例文帳に追加

本発明のマスクパターンは、逐次横成長結晶化（ＳＬＳ）のためのマスクパターンであって、ａ）第１の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための第１のセットのスリットと、ｂ）第２の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための、該第１のセットのスリットに対して所望の角度をなす第２のセットのスリットとを含む。 - 特許庁

An element shape pattern which is formed every working partition of a print mask material 60 is specified based on working shape data relating a kind, a dimension and a forming position on the print mask material 60 of a working shape which composes a working pattern incorporated in design data (garber data) of the working pattern formed in the print mask material 60.例文帳に追加

印刷マスク材６０に形成する加工パターンの設計データ（ガーバーデータ）に含まれる該加工パターンを構成する加工形状の種類、寸法及び印刷マスク材６０上での形成位置に関する加工形状データに基づいて、印刷マスク材６０の各加工区画ごとに形成する要素形状パターンを特定する。 - 特許庁

A single crystal silicon base board is put under a dry-etching process using a resist film with a square checker pattern, or in another word, the resist film having an opening pattern with a square checker pattern as a mask.例文帳に追加

正方形の市松模様のレジスト膜、言い換えれば、正方形の市松模様の開口パターンを有するレジスト膜をマスクとして、単結晶シリコン基板をドライエッチングする。 - 特許庁

The mask pattern data stored in the pattern data storing unit 21 are corrected for each material or a process in a correction pattern merging unit 26 based on the selected correction values.例文帳に追加

上記選択された補正値に基いて、上記パターンデータ格納部２１に格納されたマスクパターンデータが、上記材料若しくは加工プロセス別に、補正パターンマージ部２６で補正される。 - 特許庁

A plurality of assist features 15 is added close to the narrow region 11 in the mask pattern having the main isolated pattern (narrow region 11) so as to locally increase the pattern density.例文帳に追加

主たる孤立パターン（狭小領域１１）を含むマスクパターンに、その狭小領域１１のごく近傍に複数のアシスト形状部１５を付加し、パターン密度を局所的に高める。 - 特許庁

As the pattern on a mirror device 106 is controlled in 10,000 Hz frame number in the pattern drawing apparatus, a new pattern is projected onto a mask substrate 108 at every 0.1 ms.例文帳に追加

パターン描画装置では１００００Ｈｚのフレーム数でミラーデバイス１０６上のパターンが制御されるため、０．１ｍｓごとに新しいパターンがマスク基板１０８上に投影される。 - 特許庁

Each of a plurality of mask patterns is formed by the first coating pattern and the second coating pattern having a laminated region in a region in part of the first coating pattern.例文帳に追加

この複数のマスクパターンは、其々が、第1の被覆パターンと、この第1の被覆パターンの一部の領域において積層領域を有する第２の被覆パターンとにより形成されている。 - 特許庁

A system and the method for printing the pattern on a semiconductor by a lithography are executed by using a combination of an illumination and a mask pattern to be optimized so as to generate a desired pattern.例文帳に追加

所望のパターンを生成するように最適化される照明及びマスク・パターンの組み合わせを用いて、半導体上にパターンをリソグラフィにより印刷するシステム及び方法が述べられる。 - 特許庁

To provide a mask pattern determining method, capable of highly precisely and reliably judging an optical proximity effect compensated pattern to exposure a circuit pattern having the desired electrical characteristics.例文帳に追加

所望の電気特性を有する回路パターンを露光するための光近接効果補正パターンを精度よく、かつ信頼性高く判定することができるマスクパターン判定方法を得る。 - 特許庁

A halftone pattern 3c made of a resist film as well as a light-shielding pattern 2a made of a metal for transferring an integrated circuit pattern is disposed on a mask substrate 1 constituting a photomask PM5.例文帳に追加

フォトマスクＰＭ５を構成するマスク基板１上に、集積回路パターン転写用のメタルからなる遮光パターン２ａの他に、レジスト膜からなるハーフトーンパターン３ｃを設けた。 - 特許庁

To provide a method for correcting the device pattern of a mask by which the exposure pattern on a wafer can rapidly simulated with high accuracy and the device pattern can be corrected with high accuracy.例文帳に追加

ウエハ上の露光パターンを高精度で且つ迅速にシミュレーションすることができると共に、デバイスパターンを高精度で補正することができるマスクのデバイスパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

To decrease the data quantity for correction of a pattern obliquely disposed in patterns for drawing a mask pattern on a photomask while maintaining the accuracy almost equal to correction of a pattern disposed in parallel.例文帳に追加

フォトマスクにマスクパターンを描くためのパターンのうち、斜めに配置されたパターンの補正について、平行に配置されたパターンの補正と同等の精度を維持しつつ、データ量を低減する。 - 特許庁

This resist film 11 is irradiated with F2 laser light 13 through a mask 12 and pattern exposure is carried out and the resist film 11 subjected to pattern exposure is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１にＦ_2 レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern, by which process margin at the time of forming a device pattern can be sufficiently secured and desired specifications of an element realized by the device pattern can be secured.例文帳に追加

デバイスパターンを形成するときのプロセスマージンを十分に確保でき、且つデバイスパターンにより実現される素子の所望のスペックを確保できるマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

A dummy pattern of chrome or tungsten is further formed in a free space on the membrane of a conventional electron beam mask, which contains only a main pattern corresponding to the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子のパターンに対応するメインパターンだけを含む従来の電子ビームマスクのメンブラン上の余裕空間に、クロムまたはタングステンパターンよりなるダミーパターンをさらに形成する。 - 特許庁

To provide a pattern film forming device capable of forming a pattern film with favorable positional accuracy by arranging a mask formed in a thin film on the surface of a wafer with high precision, and to provide a pattern film forming method.例文帳に追加

基板表面に対して薄膜化したマスクを高精度に配置させ、位置精度良好なパターン成膜を行うことが可能なパターン成膜装置および方法を提供する。 - 特許庁

To avoid lowering the yield due to breaking of a resist pattern and prevent an etching liquid flow from being blocked in the gap between thick film patterns to accurately form a desired pattern over the entire substrate, when photosensitive layers on a substrate are exposed and developed to form a mask pattern and the substrate is etched with the mask pattern to form the pattern of the same shape as that of the mask pattern on the substrate.例文帳に追加

基板上に形成された感光層に露光および現像によりマスクパターンを形成し、そのマスクパターンを用いて基板をエッチングすることにより、基板にマスクパターンと同一形状のパターンを形成する際に、レジストパターンの破れによる歩留の低下を防止する一方で、厚膜パターン同士の隙間でエッチング液の流れが阻害されることを防止し、基板全体にわたり所望のパターンを精度良く形成できるようにする。 - 特許庁

Then, the upper thin film 4 appearing out of the patterning mask 5 is patterned by etching into an upper thin film pattern 6, and then the patterning mask 5 and the protective mask 3 appearing from the upper thin film pattern 6 are removed simultaneously.例文帳に追加

次に、パターニング用マスク５から露出している上層側薄膜４をエッチングによりパターニングして上層側薄膜パターン６を形成し、しかる後に、パターニング用マスク５と、上層側薄膜パターン６から露出している保護用マスク３とを同時に除去する。 - 特許庁

The frequency characteristics information of the thinned images are compared with one another, and a divided mask pattern to be applied to input image data is selected from the plurality of mask data stored in the storing device to form an image using the selected divided mask pattern.例文帳に追加

その後、複数の間引き画像それぞれの周波数特性情報を比較して、記憶手段に格納されている複数のマスクデータの中から、入力画像データに適用すべき分割マスクパターンを選択し、選択した分割マスクパターンを用いて画像の形成を行う。 - 特許庁

In a reflective lithographic projection apparatus, shifts of a mask pattern image in the scanning direction, which are caused by changes in the position of the mask pattern surface along the optical axis, are corrected by shifting the relative position(s) of the mask and/or a substrate in the scanning direction.例文帳に追加

反射型リソグラフィ投影機器において、光軸に沿ってマスクのパターン表面の位置が変動することによって生じるマスクのパターン像の走査方向のシフトを、マスクおよび／または基板の相対位置を走査方向にシフトすることによって補正する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank and a mask, wherein the linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (real dimensional difference) between a design dimension of a line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of a line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Ｌｉｎｅａｒｉｔｙを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the pattern of the resist mask for processing the shape of the (p) layer or (n) layer of the top layer is formed to be a size smaller than the pattern of the resist mask for processing the shape of the (i) layer though a mask having the same shape is used.例文帳に追加

上記構成により、同一の形状を有するマスクを用いながらも、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンを、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンよりも、１回り小さく形成することができる。 - 特許庁

A mask 10 having a machining pattern for a laser machining is formed of a mask member layer 12 made of a metallic material having the machining pattern and a first and a second base plate members 11 and 13, composed of a laser beam transmissible material, which clamp the mask member layers on the upper and lower faces.例文帳に追加

レーザ加工用の加工パターンを持つマスク１０を、前記加工パターンを持つ金属材料によるマスク部材層１２と、該マスク部材層を上下両面から挟んでいるレーザ光の透過材料より成る第１、第２の基板部材１１、１３とで形成した。 - 特許庁

The diffraction grating mask comprises a mask substrate made of an optically transparent material, a diffraction grating pattern formed on part of the mask substrate, and a light absorbing layer formed at at least part of the circumference of the diffraction grating pattern.例文帳に追加

本発明による回折格子マスクは、光学的に透明な材料より成るマスク基板と、前記マスク基板の一部に形成された回折格子パターンと、前記回折格子パターン周囲の少なくとも一部に形成された光吸収層より成る回折格子マスクである。 - 特許庁

To have the center of a wafer coincide with the center of a mask pattern in with proper precision by a manufacture of a semiconductor sensor, having a transfer step where the mask pattern is transferred by exposing the semiconductor wafer via the mask, without relating to the kind of exposing apparatus.例文帳に追加

マスクを介して半導体ウェハ上を露光することにより該マスクのパターンを転写する転写工程を有する半導体センサの製造方法において、露光機の種類に関係なく、ウェハの中心とマスクパターンの中心とを精度良く合致させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask, for reducing the mask price without significantly increasing a load of electron beam drawing on the mask, and ensuring dimensional uniformity of a device pattern under the same conditions of manufacturing a full-chip mask, in a method for manufacturing a mask in which the number of chips in an effective exposure area of the mask is reduced and a vacant area is formed.例文帳に追加

マスクの有効露光領域内のチップ数を削減し、空き領域が形成される場合のマスクの製造方法において、マスクの電子線描画負荷を著しく上げずにマスク価格の低減を図り、フルチップの時と同一の製造条件で、デバイスパターンの寸法均一性が保証されたマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank substrate and a method for manufacturing a mask blank, which are capable of recycling a mask blank substrate by, if a transfer mask is unavailable because of the existence of a defect or the like, removing traces of a transfer pattern remaining on a principal surface of the mask blank substrate which has been used in the transfer mask.例文帳に追加

転写用マスクに欠陥が存在するなどのために使用が不可能な場合、転写用マスクに使用されていたマスクブランク用基板の主表面に残る転写パターンの痕跡を除去することにより、マスクブランク用基板の再生を可能にする、マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A hard mask layer pattern for demarcating a recess region is formed on a semiconductor substrate 310, a recess channel structure 340 is formed by selectively etching the semiconductor substrate with the hard mask layer pattern serving as an etching mask, the hard mask layer pattern is removed to expose the semiconductor substrate 310 including the recess channel structure 340, and a gate electrode 364 is formed so as to fill the recess channel structure.例文帳に追加

半導体基板３１０にリセス領域を画成するハードマスク層パターンを形成し、ハードマスク層パターンを食刻マスクに半導体基板を選択食刻してリセスチャンネル構造３４０を形成し、ハードマスク層パターンを除去してリセスチャンネル構造３４０を含む半導体基板３１０を露出し、リセスチャンネル構造を埋め込むゲート電極３６４を形成する。 - 特許庁

A laminated mask having a second mask 1411 with a second pattern, laminated on a first mask 1402 with a first pattern 1410 is formed on a substrate 1401, and the second mask 1411 comprises an opening portion 1411B having an inclined sidewall and a flat portion 1411A, and also has a pattern including wide-width portions 1415A and 1415B in top view.例文帳に追加

第１のパターン１４１０を有する第１のマスク１４０２の上層に、第２のパターンを有する第２のマスク１４１１を積層する積層マスクを基板１４０１上に形成し、前記第２のマスク１４１１は、側壁に傾斜を有する開口部１４１１Ｂと、平坦部１４１１Ａと、からなり、かつ、上面視で幅広部１４１５Ａおよび１４１５Ｂを有するパターンとする。 - 特許庁

In this manufacturing method for a transfer mask, having openings formed into a thin film supported with a support frame, the openings are formed, using an etching mask layer as a mask, the etching mask layer is formed, using a resist pattern formed by the lithography using a photoresist as the mask, and the corner squareness of the opening pattern is set at 90°±0.3°.例文帳に追加

支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、前記開口は、エッチングマスク層をマスクとして形成されてなり、前記エッチングマスク層は、フォトレジストを用いたリソグラフィー法により形成されたレジストパターンをマスクとして形成され、開口パターンのコーナーの直角度が、９０°±０．３°であることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁

The mask M for depositing a thin film having a predetermined pattern with respect to a substrate for film deposition comprises a mask base material S consisting of silicon, a reinforcing base material H adhered to one main surface MB of the mask base material S to reinforce the mask base material S, and an opening part 24 formed through the mask base material S and the reinforcing base material H corresponding to the predetermined pattern.例文帳に追加

被成膜基板に対して所定パターンを有する薄膜を形成するためのマスクＭにおいて、シリコンからなるマスク基材Ｓと、マスク基材Ｓの一方の主面ＭＢに密着配置されてマスク基板Ｓを補強する補強基材Ｈと、所定パターンに対応してマスク基材Ｓ及び補強基材Ｈを貫通して形成された開口部２４と、を備える。 - 特許庁

When the threshold is judged, a detecting mask pattern is produced from the secret key included in the anti-tamper device and the embedding of the additional information is judged based on the inner product value of the detecting mask pattern and the data received form the server.例文帳に追加

閾値判定では、耐タンパ性デバイスに内包された秘密鍵から検出用マスクパターンを作成し、サーバから送信されたデータとこの検出用マスクパターンとの内積を取った値により埋め込み判定を行なう。 - 特許庁

Etching progresses at a lower rate in the part for forming the ink supply chamber recess as compared with the ink supply chamber side until the mask pattern 31a is removed, and progresses at the same rate after the mask pattern a is removed.例文帳に追加

マスクパターン３１ａが除去されるまでは、インク供給室形成用凹部を形成する部分は、インク圧力室側よりも遅い速度でエッチングが進み、マスクパターンが剥離後は同一速度でエッチングが進行する。 - 特許庁

After a wiring trench pattern is formed in the hard mask, etching is performed from the top of the wiring layer insulating film 34 up to the midpoint of the via layer insulating film 31 by using the resist pattern as a mask, and a via hole 42 is formed halfway of the whole depth.例文帳に追加

ハードマスクに配線溝パターンを形成後、レジストパターンをマスクとして配線層絶縁膜３４の上面からビア層絶縁膜３１の中間までエッチングし、ビアホール４２を途中の深さまで開口する。 - 特許庁

Then, in the formation of the mask pattern 4, fine particles having a nanosize particle diameter are scattered for distributing uniformly, and the particle diameter of the fine particle, a distribution state, or the like is adjusted in relation to the shape of the mask pattern 4.例文帳に追加

そして、そのマスクパターン４の形成に際して、粒径がナノサイズの微粒子を散布して一様に分布させるとともに、マスクパターン４の形状十の関係でその微粒子の粒径や分布状況等を調整する。 - 特許庁

The step transferring the first mask pattern includes a step transferring the first mask pattern portion to one part 49 of the pixel 16a being in a position at an overlap exposure area, in which the first and the second areas are laid over the other.例文帳に追加

第１のマスクパターンを転写する工程は、第１および第２領域が重なった重複露光領域に位置する画素１６ａ内の一部分４９に第１のマスクパターン部分を転写する工程を含む。 - 特許庁

To obtain an exposure mask, a method for manufacturing the mask and a method for forming a pattern so that a cell can be finished to its most end part in a desired dimension without using a dummy pattern, therefore, without increasing the cell area.例文帳に追加

ダミーパターンを用いずに、したがって、セル面積を増大させることなく、セルの最端部まで所望寸法に仕上げることが可能な露光用マスク、その製造方法及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern is printed on the surface of foil 2 using an ink jet type printer, the foil 2 exposed to the opening parts of the mask pattern is etched, and pits 4 are formed in the foil, thus the foil 2 is subjected to area enlargement treatment.例文帳に追加

箔２に、インクジェット方式の印刷機を用いて箔２表面にマスクパターンを印刷し、マスクパターンの開口部に露出する箔２をエッチングし、箔にピット４を形成することにより、箔２に拡面処理を施す。 - 特許庁

An etching mask is formed on the surface of a copper-plated laminate, a circuit pattern 5 is formed, and a mask position ascertaining electrode pattern 13 is formed so as to surround a region where the through-hole 11c is formed.例文帳に追加

銅張積層板の表面にエッチング用マスクを形成して回路パターン５を形成するのと同時に、スルーホール１１ｃが形成されるべき領域を囲むようにマスク位置確認用電極パターン１３を形成する。 - 特許庁

To prevent a misregistration and transformation of a transferred image (distortion of a pattern width) and the like arising from the direction of a mask pattern even if extremely short ultraviolet light is obliquely incident upon a reflection type mask in lithography.例文帳に追加

リソグラフィ工程において、極短紫外光が反射型マスクに対して斜め入射する場合であっても、マスクパターンの方位によって生じる転写像の位置ずれや変形（パターン幅の歪み）等の発生を回避する。 - 特許庁