「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

After a solid density is corrected by adjusting a ratio of a distribution mask pattern of plural pass printing, each gradation density is corrected with the use of the mask pattern, so that the absolute density is made constant independently of the printing heads.例文帳に追加

複数パス印字の振り分けマスクパターンの比率を調整してベタ濃度を補正した後、そのマスクパターンを用いて各階調の濃度の補正を行い、絶対濃度をプリントヘッドに依らず一定にする。 - 特許庁

To provide a mask blank for mold production and a mask blank with resist for mold production, which drastically shorten a production period of mold by forming a fine pattern in high pattern accuracy; and to provide a production process of the mold.例文帳に追加

高いパターン精度で微細パターンを形成し、モールドの作製時間を大幅に短縮化するモールド製造用マスクブランクス、モールド製造用レジスト付きマスクブランクス及びモールドの製造方法を提供する。 - 特許庁

When an index start position command (901) is transmitted and the masking is processed, the mask pattern is arranged so that a head of the mask pattern is matched with a head raster of an received index processing start position.例文帳に追加

インデックス開始位置コマンド９０１を発信し、マスク処理を実行する際には、受信したインデックス処理開始位置の先頭ラスタにマスクパターンの先頭を一致させるようにマスクパターンを配置する。 - 特許庁

A mask pattern formed in a photo mask is processed in a simulation of measuring the depth of focus of a pattern imprinted to a sensitization material by varying coma aberration and spherical aberration of a projection system of an exposing device.例文帳に追加

フォトマスクに形成されたマスクパターンについて、露光装置の投影系のコマ収差と球面収差とを変化させて、感光材に転写されたパターンの焦点深度を測定するシミュレーション行う。 - 特許庁

A mask 3 is irradiated by an illuminating optical system, and electron rays passing through the pattern are image-formed on a wafer by lens 1 and 2, and a pattern on the mask 3 is reduced and transferred on the wafer 4.例文帳に追加

照明光学系によりマスク３が照射され、その上のパターンを通過した電子線が２つのレンズ１、２により、ウェハ上に結像され、マスク３上のパターンをウェハ４上に縮小転写する。 - 特許庁

A width Tb1 of a pattern 21a of an embedded via mask 1a for forming the via contact is made broader than a width TL1 of the pattern 26 of an upper-layer wiring mask 6.例文帳に追加

前記ビアコンタクトを形成するための埋め込みビアマスク１ａのパターン２１ａの幅Ｔ_b1は前記上層配線を形成するための上層配線マスク６のパターン２６の幅Ｔ_L1より広くなっている。 - 特許庁

Grooves 3a and 3b each having a width W1 and formed by digging in a mask substrate 1 are provided on both sides of a light shielding pattern 2 formed on the mask substrate 1 by leaving an interval H1 from the pattern 2.例文帳に追加

マスク基板１上に形成された遮光パターン２の両側に、マスク基板１を掘り込むことにより形成された幅Ｗ１の溝３ａ、３ｂを間隔Ｈ１だけ隔てて設ける。 - 特許庁

The mask writing system comprises a data processing function part for generating pattern data by taking in the data described by those functions, and a writing function part for writing on the mask in accordance with the pattern data.例文帳に追加

そのような関数で記述されたデータを取り込んでパターンデータを生成するデータ処理機能部と、パターンデータに従って、マスクに描画を行う描画機能部とを有するマスク描画装置。 - 特許庁

To form an accurate upper electrode extraction line by eliminating deformation of a mask pattern by forming a film forming mask for the upper electrode extraction line in a luminescent display device with a stable pattern shape.例文帳に追加

発光表示装置における上部電極引き出し線の成膜用マスクを安定したパターン形状で構成し、マスクパターンの変形を無くすことで精度の高い上部電極引き出し線を形成する。 - 特許庁

Record permitting pixels of a mask pattern C1 for the first nozzle group and a mask pattern M1 for the second nozzle group which are used for the same scan (e.g. a first scan) among a plurality of times of scanning are differently arranged.例文帳に追加

複数回の走査のうちの同じ走査（例えば、第１走査）で使用される、第１ノズル群用のマスクパターンＣ１と第２ノズル群用のマスクパターンＭ１との記録許容画素の配置を異ならせる。 - 特許庁

To provide a mask for vacuum deposition suitably used for forming a fine thin film pattern by vacuum deposition and also to provide a method for depositing a thin film pattern and a method for manufacturing an EL (electroluminescence) element using the mask.例文帳に追加

微細な薄膜パターンを真空蒸着して形成するのに好適な真空蒸着用マスク、それを用いた薄膜パターンの形成方法及びＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve practical application of a pattern transfer process by using a gray-tone mask having a gray-tone part which is constituted by a micro- light-shielding pattern lower than a limit of resolution of an exposing equipment that uses the gray-tone mask.例文帳に追加

グレートーンマスクを使用する露光機の解像限界以下の微細遮光パターンで構成されるグレートーン部を有するグレートーンマスクを用いたパターン転写プロセスの実用化を目的とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the liquid droplet discharge head, a predetermined nozzle hole pattern formed in a mask is irradiated with a laser beam and a workpies is irradiated with the laser beam after passing through the nozzle hole pattern of the mask.例文帳に追加

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法によれば、マスクに形成された所定のノズル孔パターンにレーザビームを照射してマスクのノズル孔パターンを透過して加工試料に照射する。 - 特許庁

To provide a mask pattern design method for easily and rapidly designing a mask pattern free from a dimensional error caused by a difference of a resist film thickness due to the level difference part of a base layer.例文帳に追加

下地層の段差部によって生じるレジスト膜厚の相違が原因となる寸法誤差を解消したマスクパターンを容易にかつ迅速に設計することが可能なマスクパターンの設計方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern 4 of resist is then formed on the insulating film 3 and a charge transfer electrode 2 is formed by performing etching through the mask pattern 4 using mixture gas of CHF_3, CF_4 and Ar.例文帳に追加

次に、絶縁膜３上にレジストのマスクパターン４を形成し、このマスクパターン４を介してＣＨＦ_３とＣＦ_４とＡｒの混合ガスを用いたエッチングを行って電荷転送電極２を形成する。 - 特許庁

The exposure device has a mask frame 1 disposed in such a manner that the non-pattern part in the central part of the mask pattern passes the rib 11 contg. temp. controllable cooling piping 14 and piping 13 for adsorption.例文帳に追加

また、その露光装置において、温度制御可能な冷却配管及び吸着用配管を内蔵したリブをマスクパターンの中央部の非パターン部をも通るように設けたマスクフレームを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a mask for vapor deposition, a mask for vapor deposition, and a manufacturing method of a display device in which a multiple pattern can be materialized while forming a through hole pattern with excellent accuracy.例文帳に追加

透過孔パターンを精度良く形成しつつ、多面取りを実現することが可能な蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスクならびに表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation apparatus capable of obtaining a high-quality thin film pattern which has no pattern outline blurring, no film formation due to wrapping of an evaporation material around a mask and the like caused by the evaporation material that enters through a gap between the mask and a substrate.例文帳に追加

マスクと基板との隙間を介して侵入する蒸着物質によって生じる輪郭ボケや回り込み等のない、高品位な薄膜パターンを得ることができる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning device or cleaning method which is capable of cleaning a mask for fine pattern exposure with high performance without the occurrence of the change in the pattern dimensions of the mask and film stress distortion and to provide a semiconductor device transferred with the high-accuracy patterns.例文帳に追加

微細パターン露光用マスクのパターン寸法変化や膜応力歪みを生じさせない高性能なマスク洗浄が可能となる洗浄装置あるいは洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure mask which can form a design pattern having roughness and fineness in compliance with design data with good accuracy and a method of manufacturing the same, and a method of forming a transfer pattern using this exposure mask.例文帳に追加

疎密を有する設計パターンを設計データ通りに精度よく形成することが可能な、露光マスクその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing device 100 of a display device is to be faced a substrate 2 formed a pattern 24 to form a display part to a positioning member (mask 3), and carries out positioning between the pattern 24 and the mask 3.例文帳に追加

表示装置の製造装置１００は表示部を形成するためのパターン２４が形成された基板２に被位置合わせ部材（マスク３）を対面させてパターン２４とマスク３との位置合わせを行う。 - 特許庁

An opening section electrode forming mask 110 as an exposure mask for manufacturing a liquid crystal display device has a translucent pattern 114 same as a translucent pattern 104 of a conventional opening section electrode forming mask 100 as a basic pattern part, and translucent patterns 116 and 118 for partial correction as correction pattern parts at the point where disclination may occur.例文帳に追加

液晶表示装置製造用露光マスクとしての開口部電極形成マスク１１０は、従来技術の開口部電極形成マスク１００の透光パターン１０４と同じ透光パターン１１４を基本パターン部として、さらに、ディスクリネーションの発生する箇所に補正パターン部である部分補正用の透光パターン１１６，１１８を有する。 - 特許庁

To provide a metal mask for printing which enables printing of a high-definition pattern with successful precision and increasing of productivity of electrical components, and a manufacturing method of the metal mask for printing.例文帳に追加

高精細なパターンを精度よく印刷でき、かつ電気部品の生産性を高められる印刷用メタルマスクとその製造方法とを提供する。 - 特許庁

Corresponding to a process fluctuation amount generated in film thickness or a dielectric constant of the insulation film during the deposition of the insulation film, a mask dimension of the mask pattern is changed.例文帳に追加

絶縁膜の成膜時に該絶縁膜の膜厚又は誘電率に生じるプロセス変動量に応じて、マスクパターンのマスク寸法を変更する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass substrate for a mask blank for manufacturing an exposure mask which accurately transfers a pattern onto a transfer object.例文帳に追加

被転写体へのパターン転写の転写精度を良好にできる露光用マスクを製造できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask for forming a thin film pattern of a lamination structure to solve a problem of accuracy degradation when a metal mask of high accuracy is used, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

精度が高いメタルマスクを用いた場合の精度の低下を除いた積層構造の薄膜パタン−ン形成用マスクとその製造方法を提供する。 - 特許庁

Serial signal rays emitted from an optical fiber 12 are parallelized by a lens 14 and a mask member 16 on which a mask pattern is formed is irradiated therewith.例文帳に追加

光ファイバー１２から射出されたシリアル信号光は、レンズ１４により平行化され、マスクパターンが形成されたマスク部材１６に照射される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a mask in which a mask can be formed in good dimensional accuracy and a pattern can be drawn with good dimensional accuracy.例文帳に追加

寸法精度よくマスクを形成することが可能であり、また寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The blinds 41a and 41b are so moved as to cover the segments (light shielding zones) exclusive of the pattern regions 55 of the mask during the synchronous movement of the mask and the photosensitive substrate (56).例文帳に追加

マスクと感光基板（５６）を同期移動中に、マスクのパターン領域５５以外の部分（遮光帯域）を覆うようにブラインド４１ａ，４１ｂを移動する。 - 特許庁

To prevent displacement in a vapor deposition pattern by bringing an expansion amount of a metal mask close to that of a substrate when one metal mask is used for one substrate.例文帳に追加

１枚の基板に１枚のメタルマスクを用いる場合のメタルマスクの膨張量を基板の膨張量に近づけて蒸着パターンの位置ズレを防止する。 - 特許庁

To manufacture an exposure mask group with high accuracy by considering difference in the pattern density of exposure masks where mask areas corresponding to various processes are present as mixed.例文帳に追加

異なる工程に対応したマスク領域が混在する露光用マスクのパターン密度差を考慮して精度の高い露光用マスク群を製造すること。 - 特許庁

The bank 12 is formed on the mask 14 having a set pattern formed therein or on the treated member 10 and overlapped with the mask.例文帳に追加

前記バンク１２は、設定されたパターン形状を形成したマスク１４に設ける方法と、被処理部材１０に設けてマスクを重ねる方法とがある。 - 特許庁

To provide a method for exposure by which the manufacturing cost of a mask can be suppressed to a low cost by improving the method of forming a device pattern on the mask.例文帳に追加

デバイスパターンをマスク上に形成する方法に改良を加え、マスクの作製コストを低く抑えることのできる露光方法を提供する。 - 特許庁

Next, the mask pattern 307 is used as a mask to remove by etching the LSI chip area 332 exposed in the opening 307a, and a blind area 301a is formed.例文帳に追加

次に、マスクパターン３０７をマスクとし、開口部３０７に露出しているＬＳＩチップ領域３３２をエッチング除去し、ブラインド領域３０１ａを形成する。 - 特許庁

A terminal device 10 houses a mask pattern table 133 that is the same as a router 200, and creates a premium packet using a bit mask described on the table.例文帳に追加

端末装置１０は、ルータ２００と同じマスクパターンテーブル１３３を格納し、このテーブルに記載されたビットマスクを用いてプレミアパケットを作成する。 - 特許庁

After installing the mask in the lithographic projection apparatus, changes in the position of the mask pattern surface along the optical axis can be determined by using an interferometer.例文帳に追加

リソグラフィ投影機器にマスクを設置した後で、干渉計によって光軸に沿ったマスクのパターン表面の位置の変動を求めることができる。 - 特許庁

Next, etching for the film 2 to be made etching is made by using the etching mask 4 and after that a punched pattern of the film 2 to be made etching is formed by eliminating the etching mask 4.例文帳に追加

次にエッチングマスク４を用いて、被エッチング膜２をエッチングし、その後エッチングマスク４を除去して被エッチング膜２の抜きパターンを形成する。 - 特許庁

When a mask pattern having the angle of 90° on the end surface is formed, a positive resist is over-exposed by using a binary mask shown in (c).例文帳に追加

端面が９０°の角度を有するマスクパターンを形成しようとするとき、（ｃ）に示すような２値化マスクを使用し、ポジ型レジストをオーバ露光する。 - 特許庁

The first mask pattern is transferred to the first area of the resist film by exposing the first area constituting of a part of the resist film with use the first mask.例文帳に追加

第１のマスクを用いて、レジスト膜の一部を構成する第１領域を露光することにより、レジスト膜の第１領域に第１のマスクパターンを転写する。 - 特許庁

To provide a mask for exposure capable of preventing the occurrence of an unnecessary projected pattern part in exposure using a single phase shift mask by a single exposure.例文帳に追加

単一の位相シフトマスクを用いた露光における、不要な投影パターン部分の発生を、単一の露光で防止しうる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

A protective mask 3 is formed over the whole lower thin film pattern 2 on the surface of a board 1, and then the protective mask 3 is subjected to a thermal treatment.例文帳に追加

基板１の表面において、下層側薄膜パターン２全体を覆う保護用マスク３を形成した後、この保護用マスク３に熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a metal mask which has an improved structure of the wall face and can manufacture a product having a precisely same pattern as that of the bottom face of the metal mask.例文帳に追加

メタルマスクの壁面の構造を改善し、メタルマスクの下面のパターンと正確に同一の形状の製品を製造できるメタルマスクを提供する。 - 特許庁

This aligner is equipped with illumination systems 1 to 15 which illuminates a mask 16, and a projection optical system 18 which projects an image of the pattern of the mask on a substrate 19.例文帳に追加

マスク（１６）を照明する照明系（１〜１５）と、マスクのパターンの像を基板（１９）上に投影する投影光学系（１８）とを備えた露光装置。 - 特許庁

A light-sensitive mask 510 is formed to cover a desired sensor are therewith, and reactive ion etching (RIE) is performed to transfer a pattern of the light-sensitive mask 510 onto a low order ARC layer 508.例文帳に追加

光電性マスク510を形成して所望のセンサ領域を覆い、リアクティブ・イオン・エッチング（RIE）を実行して、光電性マスク510のパターンを下位のARC層508上に移す。 - 特許庁

A metal mask is placed on the surface of a substrate 11 and a fluorine coating agent is vapor-deposited on the metal mask to form a liquid repellant layer 16 with a prescribed negative pattern.例文帳に追加

基板１１の表面にメタルマスクをのせて、フッ素系コーティング剤を蒸着することで、所定のネガパターンの撥液性層１６を形成する。 - 特許庁