「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a workpiece to be ground, in which a resin pattern is formed without using a mask for exposure and a sand blasting is provided to an object to be treated using the resin pattern as a mask.例文帳に追加

露光用マスクを使用せずに樹脂パターンを形成し、この樹脂パターンをマスクとして被処理体をサンドブラスト処理に付し研削する、被研削品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide mask blanks capable of suppressing the generation of a skirt shape projection portion generated at a pattern bottom after resist pattern formation in mask blanks to which chemistry amplification type resist is applied.例文帳に追加

化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えることのできるマスクブランクス等を提供する。 - 特許庁

PARAMETER EXTRACTING DEVICE AND PARAMETER EXTRACTING METHOD IN SIMULATION, MASK PATTERN DATA CREATED BY THE METHOD, PHOTOMASK CREATED FROM THE MASK PATTERN DATA, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

シミュレーションにおけるパラメータ抽出装置及びパラメータ抽出方法と、この方法により作成したマスクパターンデータ及びこのマスクパターンデータにより作成したフォトマスクと半導体装置 - 特許庁

The first region 2a is then patternwise etched using a resist pattern as a mask, and in another step, the second region 2b is patternwise etched, using a resist pattern as a mask.例文帳に追加

その後、第１領域２ａに対してレジストパターンをマスクに用いたパターンエッチングを施し、これとは別工程で第２領域２ｂに対してレジストパターンをマスクに用いたパターンエッチングを施す。 - 特許庁

A key judgement part 11 judges whether or not the respective pixels of an input image match with a key and a mask pattern generation part 12 generates a mask pattern corresponding to the judged result of the key judgement part 11.例文帳に追加

キー判定部１１は、入力画像の各画素がキーに合致するか否かを判定し、マスクパターン生成部１２は、キー判定部１１の判定結果に応じてマスクパターンを生成する。 - 特許庁

A first color layer is formed by using a mask pattern through spin coating and two protrusions 50 are also formed by using a mask pattern made in advance in the direction that the coating often becomes uneven.例文帳に追加

マスクパターンとスピニング塗布により第１着色層を形成し、さらに、別途作成したマスクパターンを用いて塗りムラの発生する方向に二つの凸部５０を形成する。 - 特許庁

To eliminate the necessity of developing a different resist for each mask by using the photoresist of the same kind for both a photomask having a punched pattern and another photomask having a solid pattern, and by obtaining a resist pattern having a rectangular shape even when the photomask having any pattern, either a punched pattern or a solid pattern, is used when the resist pattern is formed.例文帳に追加

レジストパターンの形成において、フォトマスクが抜きパターンの場合と残しパターンの場合に同一種類のフォトレジストを使い、かつ両方のパターンで矩形形状が得られるようにすることで、マスク毎に異なったレジストを開発する必要性を無くすことを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for inspecting an exposure mask capable of performing the standard guarantee of the inner dimensions of the exposure mask by the dimension of a place to be truly guaranteed and monitoring the pattern dimensions in an exposure area even when the exposure mask is the exposure mask of a semiconductor integrated circuit device having a random circuit pattern.例文帳に追加

ランダムな回路パターンを持つ半導体集積回路装置の露光マスクであっても、露光マスクの面内寸法の規格保証を、真に保証すべき箇所の寸法によって行え、かつ露光エリアでのパターン寸法のモニタも可能とする露光マスクの検査方法を提供すること。 - 特許庁

The solder paste printing device 100 includes: a squeegee module 130; and a mask that has a first mask 110 arranged at the top of a substrate and formed with a first pattern hole, and a second mask 120 arranged separately above the first mask 110 and formed with a second pattern hole.例文帳に追加

この半田ペースト印刷装置１００は、スクイージーモジュール１３０；及び基板の上部に配置され、第１パターンホールが形成された第１マスク１１０と、第１マスク１１０の上方に離隔して配置され、第２パターンホールが形成された第２マスク１２０とを備えるマスクを含んでなる。 - 特許庁

To provide a mask for patterning with which a preliminarily determined pattern such as a grating or circular pattern can be formed in a single film forming process using a single mask under conventional various mask use environments such as high temperature, low temperature, vacuum and gas atmospheres, and to provide a film forming device using the mask.例文帳に追加

従来の高温・低温・真空・ガス雰囲気中などの様々なマスク使用環境下で、格子状や環状などの所定のパターンの形成を、単独のマスクを用いて１回の成膜で行うことができるパターン形成用マスク、及び該マスクを用いた成膜装置の提供。 - 特許庁

The entire shot region 12 including the mask pattern 13 is expanded in a scanning direction (Y direction) shown as an arrow, with a magnification m of the mask in the X direction of the mask pattern 13 being four times (m>1) and a magnification n of the mask in the Y direction being 8 (n>m>1).例文帳に追加

マスクパターン１３を含めたショット領域１２全体は、矢印で示すスキャン方向（Ｙ方向）に伸張されており、そこに形成されるマスクパターン１３のＸ方向のマスク倍率ｍは４倍（ｍ＞１）、Ｙ方向のマスク倍率ｎが８倍（ｎ＞ｍ＞１）に設定されている。 - 特許庁

After first exposure, the overlap position of the mask pattern of a mask 201 for exposure and a substrate 300 to be exposed in plane view is varied by a prescribed extent in such a way that the mask pattern of the mask 201 overlaps part of a region exposed by the first exposure and exposure is carried out again.例文帳に追加

１回目の露光後に、１回目の露光で露光済みの部分の一部に露光マスク２０１のマスクパターンが重なるように、露光マスク２０１のマスクパターンと露光対象基板３００との平面視における重なり位置を所定量変化させて、再度、露光を行う。 - 特許庁

When the defective inspection is performed to the mask substrate which becomes the origin of the mask of exposure, an exposure region 13 is extracted after the mask pattern is formed from pattern data concerning the form of a mask pattern to be formed on the mask substrate, and the defective inspection must be performed only to a part before screening substrate corresponding to an exposure region 13.例文帳に追加

露光用マスクの元となるマスク基材に対して欠陥検査を行う場合にあたり、前記マスク基材に形成すべきマスクパターンの形状に関するパターンデータから当該マスクパターンが形成された後における露光領域１３を抽出し、前記露光領域１３に対応する前記マスク基材の部分についてのみ前記欠陥検査を行うようにする。 - 特許庁

Therefore, the substantially identical mask pattern 22 on the other unit exposure regions 13 is exposed over the same position of the material to be exposed by which the mask pattern 21 formed on the one unit exposure region 11 of the stencil mask is exposed, and a desired circuit pattern is transferred by the multiplex exposure.例文帳に追加

従って、上記のステンシルマスクの一つの単位露光領域１１に形成されたマスクパターン２１が露光された被露光体の同一位置に、他の単位露光領域１３に形成された略同一のマスクパターン２２が重ねて露光されて、多重露光により所望の回路パターンが転写される。 - 特許庁

Each corresponding layer provides a first mask layer at a side facing the conductor pattern ends (27 and 28), and widely and thinly provides a step getting over pattern 5 extended from upward of the lower layer conductor pattern ends (27 and 28) and gotten over the first mask layer on the step part of the first mask layer.例文帳に追加

該当各層では、導体パターン端部（２７，２８）に面する側に第１マスク層を設け、当該第１マスク層の段差部分に、下層の導体パターン端部（２７，２８）上から延びて第１マスク層上に乗り越える段差乗り越しパターン５を幅広で薄厚に設ける。 - 特許庁

To provide a pattern size measuring method for a photomask in which mask transfer characteristics are accurately predicted and OPC is accurately adjusted by correcting a hole pattern measured value of the mask by an SEM into a value matching actual mask pattern transfer and which has practically high reliability, and the photomask.例文帳に追加

ＳＥＭによるマスクのホールパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行うことができる実用的に信頼性が高いパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring a pattern dimension of a photomask and a photomask in which prediction of mask transfer characteristics and adjustment in OPC can be accurately performed and practically high reliability is achieved by correcting a mask pattern measurement value by an SEM into a value suited to actual mask pattern transfer.例文帳に追加

ＳＥＭによるマスクパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行い、実用的に信頼性が高いフォトマスクのパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。 - 特許庁

Then, a dielectric multi-layer film 2a accumulated on the mask pattern 11a is reduced as small as possible, and resist lift-off agent etc., can permeate through almost the whole surface of the mask pattern 11a at the lift-off process, then, the mask pattern can be easily and rapidly removed.例文帳に追加

それによって、マスクパターン１１ａ上に堆積する誘電体多層膜２ａは最小限に留まり、リフトオフ工程の際にレジスト剥離液等がマスクパターン１１ａのほぼ全面から浸透できることによって、マスクパターンの除去を容易かつ速やかに実施することが可能となる。 - 特許庁

The mask includes a mask pattern formed in front side of a transparent panel following the layout (layout) of a slanted line pattern extending in the direction turned in a certain direction from the axis of a rectangular coordinate system, and a phase grating of lines (line) extending at the back side of the panel in parallel with the extending mask pattern.例文帳に追加

透明基板の前面に直交座標系の軸から一定方向に回転した方向に延びる斜線パターンのレイアウト（layout）に従って形成されたマスクパターンと、基板の背面にマスクパターンの延長方向に並ぶ方向に延びたライン（line）形態の位相格子と、を含むマスクを提供する。 - 特許庁

To produce a phase shifting mask capable of achieving high transfer pattern dimensions, to provide a phase shifting mask which enables production of a high performance large-scale integrated circuit by achieving higher transfer accuracy and to provide a pattern forming method using the phase shifting mask and a solid-state device produced by the pattern forming method.例文帳に追加

高い転写パタン寸法を実現できる位相シフトマスクが製造でき、さらに高い転写精度を実現することで高性能な大規模集積回路の製造が可能となる位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子を提供する。 - 特許庁

A conductive film is formed on the whole surface of the transparent substrate, on which the mask pattern is formed and the light-shielding part or the light-semitransmitting part of each mask pattern in a region where at least the mask pattern is formed within the substrate plane is electrically equipotential through the conductive film.例文帳に追加

透明基板上の全面に導電膜が形成され、その上にマスクパターンが形成されており、基板面内の少なくともマスクパターンが形成された領域内における各マスクパターンの前記遮光部又は半透光部が、導電膜を介して電気的に等電位となっている。 - 特許庁

This scanning exposure device which transfers a pattern formed on a mask 12 to a substrate 16 by relatively moving the mask 12 and the substrate 16 in synchronization comprises a mask hold member 18 for placing the mask 12 thereon, a mask stage 20 for moving the mask hold member 18, and pressing means 72, 88a and 88b for pressing the mask 12 against the mask hold member 18.例文帳に追加

マスク（１２）と基板（１６）とを同期して相対移動させることにより、マスク（１２）に形成されたパターンを基板（１６）に転写する走査型露光装置であって、マスク（１２）が載置されるマスク保持部材（１８）と、マスク保持部材（１８）を移動させるマスクステージ（２０）と、マスク保持部材（１８）に対してマスク（１２）を押し付ける押付け手段（７２、８８ａ、８８ｂ）とを設けた。 - 特許庁

Shielding plates 50a, 50b for specifying at least a part of the profile shape of an image of the pattern illuminated onto the substrate are provided on a mask stage 5 holding the mask and moving the mask.例文帳に追加

基板上に照射されるパターンの像の外形形状の少なくとも一部を規定する遮光板５０ａ，５０ｂは、マスクを保持して移動するマスクステージ５上に設けられている。 - 特許庁

To provide a method for housing a mask blank, which is suitable for a mask blank having a chemical amplification resist film formed thereon and can keep stable resist performance for forming a desired mask pattern.例文帳に追加

化学増幅型レジスト膜を形成したマスクブランクスに好適で、所望のマスクパターンを形成するための安定したレジスト性能を維持できるマスクブランクスの収納方法等を提供する。 - 特許庁

A mask is fabricated with use of mask creation data DBM after the correction, and thereafter the mask is mounted to the exposure apparatus and a predetermined pattern is transferred onto a semiconductor wafer.例文帳に追加

その補正後のマスクの作成データＤＢM を用いてマスクを製造した後、そのマスクを上記露光装置に装着して半導体ウエハ上に所定のパターンを転写するものである。 - 特許庁

A first mask 10' having a wiring groove pattern is formed by etching the first mask forming layer from the top of the third mask 12', and the connection hole 13 is dug to the middle of the etching blocking film 7.例文帳に追加

第３マスク12’上から第１マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第１マスク10'を形成し、エッチング阻止膜7の途中まで接続孔13を掘り下げる。 - 特許庁

The photo mask 40 includes a transparent substrate 11, a first mask pattern 14b and second mask patterns (14a, 15) having portions to face to each other across spaces (16, 17) on the transparent substrate 11.例文帳に追加

フォトマスク４０は、透明基板１１と、透明基板１１上に、スペース（１６、１７）を挟んで対向する部分を有する第１マスクパターン１４ｂ及び第２マスクパターン（１４ａ、１５）を備える。 - 特許庁

To prevent deterioration and deformation of a mask due to forces applied to the mask from an exposure apparatus at accelerating, when a mask is moved at high speed for transferring a pattern by exposing with an electron beam.例文帳に追加

電子線露光によるパターン転写を行う場合に、マスクを高速移動すると、加速時に露光装置からマスクに加わる力によってマスクが劣化、変形するため、これを防止する。 - 特許庁

Double exposure is performed by using a pair of photomasks 1 and 2 such as an ordinary chrome mask or a half-tone phase shift mask or the like which is not the Levenson type phase shift mask, and a pattern is transferred onto a photoresist.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクでない通常のクロムマスク又はハーフトーン位相シフトマスク等の一対のフォトマスク１，２を用いて２重露光を行い、フォトレジストにパターン転写する。 - 特許庁

To provide a gray mask to be used for the exposure of circular, circular arc and curve patterns and a gray mask pattern manufacturing method for greatly shortening manufacturing time of the gray mask.例文帳に追加

この発明の目的は、円，円弧，曲線形状のパターンの露光に使用されるグレーマスク及びその製造時間を大幅に短縮可能なグレーマスク用パターン製造方法の提供である。 - 特許庁

During synchronous movement of a mask and an article while illuminating the mask R with an exposure light IL, a main controller 20 alters transfer conditions of a pattern depending on the positional information of the mask.例文帳に追加

露光光ＩＬによりマスクＲが照明され、マスクと物体とが同期移動される最中に、主制御装置２０がマスクの位置情報に応じてパターンの転写条件を変更する。 - 特許庁

The aligning method successively transfers the pattern of a mask to the mask while synchronously scanning the mask and a reticle in a state of irradiation with pulse-like exposure light.例文帳に追加

本発明の露光方法は、パルス状の露光光を照射した状態でマスクとレチクルとを同期走査させつつ、マスクのパターンを逐次マスク上に転写する露光方法である。 - 特許庁

To prevent deterioration and deformation of a mask due to forces applied to the mask from an exposure apparatus at accelerating, when the mask is moved at a high speed for transferring a pattern by an electron beam exposure.例文帳に追加

電子線露光によるパターン転写を行う場合に、マスクを高速移動すると、加速時に露光装置からマスクに加わる力によってマスクが劣化、変形するため、これを防止する。 - 特許庁

The substrate manufacturing apparatus carries out an exposure process by using a glass mask, and is equipped with a glass mask having an exposure pattern formed on one surface, a mask holder supporting the glass mask, and a heating means thermally deforming the glass mask.例文帳に追加

本発明による基板製造装置は、ガラスマスクを用いて露光工程を行う基板製造装置であって、一面に露光パターンが形成されているガラスマスクと、ガラスマスクを支持するマスクホルダと、ガラスマスクを熱変形させる加熱手段と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To simplify pattern data as well as to form a narrow pattern beyond the conventional resolving power and to form a fine pattern with enhanced resolution, in relation to a mask and a pattern forming method using the mask.例文帳に追加

本発明はマスク及びマスクを用いたパターン形成方法に関し、従来の解像力を越えて幅の狭いパターンを結像することができ、微細なパターンを解像度を向上させて形成することができると共に、パターンデータを簡略化可能とすることを目的とする。 - 特許庁

A processing area setting method in pattern matching sets a processing condition on the basis of the degree of overlapping between a pattern area and a mask area when the pattern area overlaps on a target area and the mask area in the process of moving the pattern area.例文帳に追加

パターンマッチングにおける処理領域設定方法は、パターン領域を移動させる段階でパターン領域が前記対象領域とマスク領域にまたがるとき、パターン領域とマスク領域との重なりの程度に基づいて処理条件を設定する。 - 特許庁

This mask M used in the proximity exposure device PE includes a mask pattern provided with a main pattern part 81 having a line-like opening, and a transmissive line-like auxiliary pattern part 83 formed in a side of the main pattern part 81 and not resolved after development processing.例文帳に追加

近接露光装置ＰＥで使用されるマスクＭには、ライン状の開口を有する主パターン部８１と、該主パターン部８１の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性でライン状の補助パターン部８３とを備えるマスクパターンが形成されている。 - 特許庁

The position with the highest correlative value is deemed the second positioning mark of the measuring pattern, and the mutual second position marks of the measuring pattern and the mask patterns are aligned, so that the mask pattern and the measuring pattern are aligned by each division region (step 109).例文帳に追加

最も相関値が高い位置を被測定パターンの第２の位置決めマークと見なし、被測定パターンとマスタパターンの互いの第２の位置決めマークの位置を合わせることにより、マスタパターンと被測定パターンの位置合わせを分割領域毎に行う（ステップ１０９）。 - 特許庁

A test transfer pattern is formed on a wafer by using a test exposure mask having a mask pattern with varied pattern area rates in the peripheral region so as to obtain the proximity correction data for each pattern area rate based on the transfer patterns (ST5, ST6).例文帳に追加

周辺領域におけるパターン面積率を変化させたマスクパターンを有するテスト用の露光マスクを用いてウェハ上にテスト用の転写パターンを形成し、当該転写パターンに基づいて前記パターン面積率毎の近接効果補正用データを得る（ＳＴ５，ＳＴ６）。 - 特許庁

The simulation method includes step S2 of applying bias processing to a mask pattern to be simulated with reference to a reference table wherein relations between pattern sizes and pattern bias amounts are regulated and step S3 of obtaining an optical image of the mask pattern subjected to the bias processing.例文帳に追加

リソグラフィシミュレーションの対象となるマスクパターンに対して、パターン寸法とパターンバイアス量との関係が規定された参照テーブルを参照してバイアス処理を施す工程Ｓ２と、バイアス処理が施されたマスクパターンの光学像を求める工程Ｓ３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by using a first photomask 106 having a first rectangular pattern 104a obtained by dividing a mask pattern, and a second photomask 108 having a second rectangular pattern 104b obtained by dividing the mask pattern.例文帳に追加

本発明によれば、フォトマスクとして、マスクパターンを分割して得られる第１矩形パターン１０４ａを有する第１フォトマスク１０６、および前記マスクパターンを分割して得られる第２矩形パターン１０４ｂを有する第２フォトマスク１０８を用いて半導体装置を製造する。 - 特許庁

Concerning the device for measuring and evaluating the form of the mask pattern, mask pattern image data are inputted and after pattern form data are extracted by processing these data by a computer, a prescribed form characteristic value is measured so that the pattern form can be evaluated.例文帳に追加

マスクパターンの形状計測評価装置において、マスクパターン画像データを入力し、これをコンピュータ処理してパターン形状データを抽出した後、所定の形状特性値を計測処理することにより、パターン形状を評価することを特徴とする。 - 特許庁

Further, the sizes that the round shapes 4 require are held in a database 10 and the size of the round shapes is read out of the database to determine the main mask pattern 2A and an auxiliary mask pattern 2B having round shapes, so decision data regarding the main mask pattern 2A and auxiliary mask pattern 2B having the round shapes can easily be read out and determined in a short period of time.例文帳に追加

また、丸み形状４が必要なサイズを既にデータベース１０として保持し、ここから丸み形状の寸法を読み出して、丸み形状を有する主マスクパターン２Ａと補助マスクパターン２Ｂとを決定するので、丸み形状を有する主マスクパターン２Ａと補助マスクパターン２Ｂとについての判定データを容易にかつ短時間で読み出し、決定することができる。 - 特許庁

The controller 2 executes a first step of making the controlled device 1 project the metal wiring mask pattern 31 and the identification mask pattern 32 onto a resist film 81, formed on the wafer 7 for each shot, and a second step of making the controlled device 1 project the metal wiring mask pattern 41 and the identification mask pattern 42 onto a resist film 82, formed on the wafer 7 in every shot.例文帳に追加

制御装置２は、被制御装置１に、ウエハ７上に形成されたレジスト膜８１に金属配線マスクパターン３１と識別マスクパターン３２とをショット毎に投影させる第１ステップと、被制御装置１に、ウエハ７上に形成されたレジスト膜８２に金属配線マスクパターン４１と識別マスクパターン４２とをショット毎に投影させる第２ステップとを実行する。 - 特許庁

Two kinds of 1st and 2nd mask layers 1 and 2 which have a large etching selection ratio are laminated and cut along the laminating direction to form a mask substrate and the 1st mask layer 1 is selectively etched by using a resist pattern as an etching mask to form a mask having a mask opening (beam transmission part) C determined by the film thickness d1 of the 1st mask layer 1.例文帳に追加

エッチング選択比の大きい２種類の第１および第２のマスク層１，２を積層し、積層方向に沿って切断することによりマスク基板を形成し、レジストパターンをエッチングマスクとして第１のマスク層１を選択的にエッチングすることで、第１のマスク層１の膜厚ｄ１によって決まるマスク開口（ビーム透過部）Ｃを有するマスクが形成される。 - 特許庁