「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a photoresist film 5 is formed on the first mask pattern so as to cover the thin film part 3a.例文帳に追加

薄膜部３ａを覆うように第１マスクパターン上にフォトレジスト膜５を形成する。 - 特許庁

Finally an ITO film having a desired pattern is obtained by removing the resist mask 3.例文帳に追加

最後にレジストマスク３を除去することにより、所望のパターンを有するＩＴＯ膜を得る。 - 特許庁

APPARATUS FOR MEASURING WIDTH OF PATTERN STRUCTURE ON MASK OR SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR INDUSTRY例文帳に追加

半導体産業用のマスクないし基板上のパターン構造の幅を測定する装置 - 特許庁

A masking processing unit 16 masks the time-frequency component X1 (f, t) using the mask pattern m1 (f, t).例文帳に追加

マスキング処理部16は、マスクパターンm1(f,t)を用いて時間周波数成分X1(f,t)をマスキングする。 - 特許庁

A mask layout pattern is generated by disposing a plurality of cells subjected to OPC processing.例文帳に追加

ＯＰＣ処理が施された複数のセルを配置することでマスクレイアウトパターンを生成する。 - 特許庁

MASK PATTERN CREATING METHOD, EXPOSURE DATA CREATING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン作成方法、露光データ作成方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The mask pattern is used to perform exposure and development, therefore a semiconductor is manufactured.例文帳に追加

このマスクパターンを用いて露光および現像することにより半導体装置を製造する。 - 特許庁

An overlay means 12 superimposes the motion image outputted from the camera 10 over the mask pattern.例文帳に追加

オーバーレイ手段１２は、カメラ１０から出力される動画像と、マスクパターンを重畳する。 - 特許庁

MASK PATTERN DATA CREATION METHOD, METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK, AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

マスクパターンデータ作成方法、フォトマスク作製方法、及び集積回路の製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS USING HOLOGRAM MASK FOR PRINTING COMPOSITE PATTERN ONTO LARGE SUBSTRATE例文帳に追加

ホログラムマスクを用いて合成パターンを大型基板に印刷するための方法および装置 - 特許庁

MASK CONFIGURED TO MAINTAIN NUTRIENT TRANSPORT WITHOUT PRODUCING VISIBLE DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加

可視性の回折模様を生成せずに栄養素伝達を維持するように構成されたマスク - 特許庁

METHOD FOR GENERATING MASK DATA PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンデータ生成方法、フォトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To correct a design pattern to a shape suited to mask plotting or inspection by simple processing.例文帳に追加

設計パターンを、簡単な処理でマスク描画や検査に適した形状にパターン補正する。 - 特許庁

To easily change a chip in a mask with the chip having an aperture pattern joined therewith.例文帳に追加

開口パターンを有するチップが接合されたマスクにおいて、チップの交換を容易にする。 - 特許庁

The MRAM manufacturing method comprises a step of etching a magnetoresistive film 220 by using a mask pattern 961, a step of fabricating an insulating film and then a metal film on the whole surface after the etching step, and a step of removing the mask pattern 961 and the insulating film and the metal film that are on the mask pattern 961.例文帳に追加

マスクパターン９６１を用いて磁気抵抗効果膜２２０をエッチングする工程と、エッチング後に、全面に絶縁膜、金属膜を順次成膜する工程と、マスクパターン９６１と該パターン上の絶縁膜および金属膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The light shielding region of the mask pattern is a half-shielding part which partially transmits the exposure light.例文帳に追加

マスクパターンの遮光領域は、露光光を部分的に透過させる半遮光部である。 - 特許庁

After the silicon nitride film 23 is etched by using the resist pattern 24 as a mask so as to form a silicon nitride pattern 25, the Al alloy film 22 is ecthed while using the resist pattern 24 and silicon nitride pattern 25 as a mask, so as to form a wiring layer 26 made of Al alloy, and the resist pattern 24 is removed.例文帳に追加

レジストパターン２４をマスクとして窒化シリコン膜２３をエッチングして窒化シリコンパターン２５を形成した後、レジストパターン２４および窒化シリコンパターン２５をマスクとしてＡｌ合金膜２２をエッチングしてＡｌ合金の配線層２６を形成した後、レジストパターン２４を除去する。 - 特許庁

A first mask pattern 13 consisting of a first phase shift region 11 which is offset in phase by 180°C with respect to the phase of the exposure light transmitted through the transmissible region exclusive of the pattern part and a second mask pattern 14 consisting of a second phase shift region 12 are formed as a phase shift mask 100 on a mask substrate 100.例文帳に追加

位相シフトマスタ１００として、パターン部以外の透過領域を透過する露光光の位相に対して、位相が１８０°ずれる第１の位相シフト領域１１からなる第１のマスクパターン１３および第２の位相シフト領域１２からなる第２のマスクパターン１４をマスク基板１１０上に形成する。 - 特許庁

An EUV mask inspection device 100 includes a stage 7 where an EUV mask 20 is placed in a state that the pattern face 21 of the EUV mask 20 is made upside, and a planar collar 5 to be disposed in parallel with the pattern face 21 to cover the pattern face 21 during inspecting the EUV mask 20.例文帳に追加

本発明の一態様に係るＥＵＶマスク検査装置１００は、ＥＵＶマスク２０のパターン面２１を上側にした状態で、当該ＥＵＶマスク２０を載置するステージ７と、ＥＵＶマスク２０の検査中に、パターン面２１を覆うように、当該パターン面２１に平行に配置される平板状のツバ５とを備える。 - 特許庁

In a photomask 100 used in a semiconductor manufacturing process, a first mask pattern 106 transferred to a resist pattern and a second mask pattern 108 of a resolution limit or less for suppressing the light proximity effect are provided.例文帳に追加

半導体製造工程に用いられる露光用１００において、レジストパタンに転写される第１マスクパタン１０６と光近接効果を抑制するための、解像限界以下の第２マスクパタン１０８を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an exposure mask and an exposure method for performing pattern exposure with a high precision and a high resolution for a more versatile pattern with respect to pattern exposure using a Levenson-type phase shift mask.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクを用いたパターン露光において、より多用なパターンについて高精度かつ高解像度でパターン露光を行うことが可能な露光マスクの作製方法および露光方法を提供する。 - 特許庁

Then the organic film 605 is patterned by etching the film 605 by using a second resist pattern 609 and the mask pattern 608 as a mask and, at the same time, the second resist pattern 609 is removed.例文帳に追加

有機絶縁膜６０５に対して第２のレジストパターン６０９及びマスクパターン６０８をマスクとしてエッチングを行なって、第２の有機膜６０５をパターン化すると共に第２のレジストパターン６０９を除去する。 - 特許庁

A pseudo defect is relieved by dividing a pattern into a stitching part and the other pattern portion on comparing the mask image to mask data and by decreasing the defect detection sensitivity in the stitching part than that in the pattern portion.例文帳に追加

マスク画像とマスクデータとの比較検査を行う際に、ステッチング部とそれ以外のパターン部とに分割して、ステッチング部の欠陥検出感度をパターン部よりも低くすることで、上記擬似欠陥を救済する。 - 特許庁

After a mask pattern which has low wettability on a substrate is formed, a material which has high wettability is applied or discharged on an outer edge of the first mask pattern, thereby a substrate having the film pattern is formed.例文帳に追加

基板上に塗れ性の低い１のマスクパターンを形成した後、前記第１のマスクパターンの外縁に塗れ性の高い材料を塗布塗布又は吐出して、膜パターン、及び該膜パターンを有する基板を形成する。 - 特許庁

This pattern layer 9 is etched to form a pre-mask pattern 10 made fine and the PMGI layer 3 is dissolved and removed with an aqueous alkali solution to obtain the objective mask pattern 11 made fine.例文帳に追加

この金属パターン層９にエッチング処理を施すことにより、狭小化されたプレマスクパターン１０を形成し、ＰＭＧＩ層３をアルカリ水溶液で溶解除去することにより、狭小化されたマスクパターン１１を得る。 - 特許庁

To obtain a mask scarecely causes warping or deformation due to heat during the formation of an electrically conductive pattern or an external force during the handling and composes the conductive pattern with high precision, in a mask for forming an electrically conductive pattern for an electrode and the like.例文帳に追加

電極等の導電パターンを形成するためのマスクであって、導電パターン形成時の熱や取り扱い時の外力による反りや変形が生じ難く、高精度に導電パターンを構成し得るマスクを得る。 - 特許庁

The mask for measuring flare includes a box pattern as an outer frame, a measurement pattern for measuring the displacement amount inside the box pattern, and an auxiliary pattern, having a dimension lower than the resolution and adjacent to the measurement pattern.例文帳に追加

フレア測定用マスクは外枠となるボックスパターンと、ボックスパターンの内部に位置ズレ量を計測するための計測用パターンと、計測用パターンに隣接した解像限界寸法以下の補助パターンとを備えている。 - 特許庁

A light shielding pattern comprising a resist film formed in the integrated circuit pattern region of a mask with a light shielding pattern comprising a metal formed in the peripheral region is removed and a new light shielding pattern comprising a resist film is formed again in the integrated circuit pattern region of the mask to regenerate the mask.例文帳に追加

また、周辺領域にメタルからなる遮光パターンが形成されたマスクの集積回路パターン領域に形成されたレジスト膜からなる遮光パターンを剥離した後、再度、その周辺領域にメタルからなる遮光パターンが形成されたマスクの集積回路パターン領域にレジスト膜からなる新たな遮光パターンを形成することでマスクを再生するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a charged particle beam transfer mask at a high productivity and a mask manufactured thereby; the mask having a stencil mask structure having a transferring pattern of holes formed in a conductive thin film layer.例文帳に追加

転写すべきパターンを導電性の薄膜層に開口形成したステンシルマスク構造の荷電粒子線用転写マスクを、量産性良く製造できる製造方法とそれにより作製されたマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a reproducing method of a reflection-type mask blank, with which an expensive EUV exposure mask blank can easily be re-used and to provide a manufacturing method of the reflection-type mask using the reflection-type mask blank and having a high quality pattern.例文帳に追加

高価なＥＵＶ露光用のマスクブランクの再利用が容易な反射型マスクブランクの再生方法および該反射型マスクブランクを用いた高品質パターンを有する反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type projection exposure mask blank such that a pattern of a reflection type mask can be transferred onto a wafer with high precision, to provide a reflection type projection exposure mask, and to provide a method of manufacturing the reflection type projection exposure mask.例文帳に追加

高精度に反射型マスクのパターンをウエハ上に転写することが可能な反射型投影露光マスクブランク、反射型投影露光マスク及び反射型投影露光マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

On the parallel hard mask line and the hard mask spacer layer, a second parallel line pattern (second photoresist film) is formed which intersects with the parallel hard mask line and has a second size width for transcription on the hard mask layer (second etching).例文帳に追加

平行ハードマスクラインおよびハードマスクスペーサ層上に、平行ハードマスクラインと交差し、かつ第２サイズの幅を有する第２平行ラインパターン（第２フォトレジスト膜）を形成し、これをハードマスク層に転写する（第２エッチング）。 - 特許庁

In the electron beam proximity exposure method, a mask 32 is disposed in proximity to a wafer 44 and a mask pattern formed on the mask 32 is transferred to a resist layer on the wafer 44 by scanning the mask 32 with an electron beam.例文帳に追加

ウエハ４４にマスク３２を近接配置し、電子ビームによってマスク３２を走査することにより該マスク３２に形成されたマスクパターンをウエハ４４上のレジスト層に転写する電子ビーム近接露光方法である。 - 特許庁

The mask 15 is a scattering stencil mask, in which a bored pattern 15a is formed on a film 15b through which as illumination beam passes being scattered.例文帳に追加

マスク１５は、照明ビームが散乱されながら透過する膜１５ｂに孔明きパターン１５ａが形成された散乱ステンシルマスクである。 - 特許庁

A hard mask layer is formed on an insulating layer and a pattern in a shape corresponding to the outline of a main magnetic pole layer is formed on the hard mask layer.例文帳に追加

絶縁層上にハードマスク層を形成し、ハードマスク層に主磁極層の外郭に対応した形状のパターンを形成する。 - 特許庁

The protective film filled into the contact hole is etched by a second etching process with the hard mask pattern as a mask.例文帳に追加

前記ハードマスクパターンをマスクとした第２エッチング工程によって、前記コンタクトホールの内部に充填された前記保護膜をエッチングする。 - 特許庁

To provide a halftone mask that facilitates process shape control during etching and to provide a method of manufacturing a pattern substrate using the mask.例文帳に追加

エッチングの際の加工形状制御が容易となるハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること - 特許庁

The aligner transfers the pattern of a mask M to a substrate by an exposure light while the mask M and the substrate are synchronously moved in a predetermined direction.例文帳に追加

マスクＭと基板とを所定の方向に同期移動しつつ露光光によりマスクのパターンを基板に転写する露光装置である。 - 特許庁

An electrode pattern 28 for providing identification information indicating the kind of the mask layer 24 is provided on an end of the mask layer 24.例文帳に追加

マスク層２４の端部には、マスク層２４の種類を示す識別情報を提供するものとして電極パターン２８が設けられる。 - 特許庁

To provide a phase shift mask for forming a fine line pattern at a relatively low cost and to provide an exposure method using the mask.例文帳に追加

比較的低コストで微細なラインパターンを形成することが可能な位相シフトマスク及びそれを用いた露光方法を提供する。 - 特許庁

Resist is applied on the mask material layer, and then a resist pattern 143 for a mask for producing a grating using electron-beam exposure.例文帳に追加

マスク材料上にレジストを塗布した後に電子ビーム露光法により回折格子の作製マスク用のレジストパターン１４３を作製する。 - 特許庁

CLEANING DEVICE FOR MASK FOR EXPOSURE, CLEANING METHOD USING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE TRANSFERRED WITH PATTERN USING CLEANED MASK FOR EXPOSURE例文帳に追加

露光用マスクの洗浄装置、これを用いた洗浄方法、及び洗浄した露光用マスクを用いてパターン転写した半導体装置 - 特許庁

The method further includes a step of generating a vertical mask based on the target pattern where the vertical mask contains low contrast horizontal features.例文帳に追加

この方法は、ターゲットパターンに基づいて垂直マスクを作成するステップをさらに含み、垂直マスクは低コントラスト水平フィーチャを含む。 - 特許庁

The EUV mask having a multilayer film and an absorber pattern is placed on a mask stage, and the position of a reference mark is detected (step S101).例文帳に追加

多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶマスクをマスクステージに載置し、基準マークの位置を検出する（ステップＳ１０１）。 - 特許庁

A plurality of mask patterns, which determine the presence or absence of ink discharge from ink jet nozzles in one scan, are stored in a mask pattern storage section 15.例文帳に追加

１走査内において、インク噴射ノズルのインク吐出の有無を決定する複数のマスクパターンをマスクパターン記憶部１５に記憶する。 - 特許庁