「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The dynamic mask module 100 has a microcomputer system 110, a mask pattern producing device 120, and a light source 130.例文帳に追加

マイクロコンピュータシステム１１０、マスクパターン生成器１２０、および光源１３０を備えるダイナミックマスクモジュール１００が説明される。 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern by which correction of the mask can be made with high precision by using electric measurement with respect to OPE.例文帳に追加

ＯＰＥに対して電気的測定を用いて高精度なマスク補正ができるマスクパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

To perform high-accuracy patterning on a pattern transfer mask, through which a charged particle beam is transmitted by preventing the adhesion of particles to the mask.例文帳に追加

荷電粒子線を透過させるパターン転写用マスクに、パーティクルが付着することを抑止して、精度の高いパターニングを行う。 - 特許庁

A mask (M) is illuminated on the basis of the exposure light from a light source (1), and a pattern on the mask is exposed on the photosensitive substrate (W).例文帳に追加

光源（１）からの露光光に基づいてマスク（Ｍ）を照明し、マスク上のパターンを感光性基板（Ｗ）上に露光する。 - 特許庁

To provide a mask inspection device capable of detecting phase defect at the stage of mask blank that is a stage before depositing a absorber pattern.例文帳に追加

吸収体パターンを被着させる前のマスクブランクの段階で位相欠陥を検出することが可能な装置を提供する。 - 特許庁

A SCALPEL mask 10 has an electron transmitting portion 11, and has an electron scattering portion 12 of a desired mask pattern formed on its front surface side.例文帳に追加

SCALPELマスク１０は、電子透過部１１と、表面側に形成された所望のマスクパターンである電子散乱部１２とを有する。 - 特許庁

The beam is reflected by a collimator mirror 6 and made incident on a mask M having a stripe pattern formed therein held on a mask stage MS.例文帳に追加

この光はコリメータミラー６で反射され、マスクステージＭＳに保持されたストライプパターンが形成されたマスクＭに入射する。 - 特許庁

EXPOSURE MASK, DESIGNING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD AND EQUIPMENT, PATTERN LITHOGRAPHY METHOD, AND FABRICATION METHOD OF DEVICE例文帳に追加

露光用マスク、露光用マスクの設計方法及び製造方法、露光方法及び装置、パターン形成方法、デバイスの作製方法 - 特許庁

A mask pattern to be transferred onto a substrate through the projection optical system of a projection exposure apparatus is provided on an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク上には、投影露光装置の投影光学系を介して基板上に転写されるマスクパターンが設けられている。 - 特許庁

To obtain a method for forming a hard mask in which a hard mask having dimensions finer than those of the initial pattern of a resist film can be formed.例文帳に追加

ハードマスクの寸法をレジスト膜の当初のパターンより細く形成することができるハードマスクの形成方法を得る。 - 特許庁

Further, a pattern is formed on the absorbent film of the exposure reflection type mask blank, thereby, the exposure reflection type mask is obtained.例文帳に追加

また、この露光用反射型マスクブランクスの吸収体膜にパターンを形成することにより露光用反射型マスクが得られる。 - 特許庁

A mask and the wafer are synchronously moved for exposure light, and the pattern image of the mask is projected onto the wafer for exposure.例文帳に追加

露光光に対してマスクと基板とを同期移動させて、マスクのパターン像を投影光学系を介して基板に露光する。 - 特許庁

To restrain a stress layer and a membrane that can be generated on the side of a mask pattern, and to increase the positional accuracy in a mask.例文帳に追加

マスクバターン側面に発生しうる応力層や膜を抑制し、ひいてはマスクの位置精度を高めることを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencil mask which is suitable for manufacture of the stencil mask including a fine throughhole pattern.例文帳に追加

微細である貫通孔パターンを備えたステンシルマスクの製造に適したステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Each frame of the mask is provided with a through hole passing through the mask for generating the pattern light corresponding to each frame.例文帳に追加

マスクは、各フレームごとに、マスクを貫通する貫通穴を、各フレームに対応するパターン光を生成するために備えている。 - 特許庁

METHOD FOR ESTIMATING FILM THICKNESS, LAYOUT DESIGN METHOD, MASK PATTERN DESIGNING METHOD FOR EXPOSING MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

膜厚予測方法、レイアウト設計方法、露光用マスクのマスクパターン設計方法、及び、半導体集積回路の作製方法 - 特許庁

The gate electrode 126 is formed by selectively removing the conductive film 120 using the hard mask pattern 70 as a mask.例文帳に追加

次いで、ハードマスクパターン７０をマスクとして導電膜１２０を選択的に除去することにより、ゲート電極１２６を形成する。 - 特許庁

Etching is conducted using the resist pattern as a mask on the a-Si membrane by dry etching by using CF_4 gas to form a Si mask 5.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクとしてＣＦ_４ガスを用いたドライエッチングでａ−Ｓｉ膜をエッチングしてＳｉマスク５を形成する。 - 特許庁

In a method of forming a pattern, multiple exposures are effected, using a Levenson phase shift mask 10 and a half-tone phase shift mask 20, respectively.例文帳に追加

パターン形成方法において、レベンソン位相シフトマスク１０、ハーフトーン位相シフトマスク２０のそれぞれで多重露光を行う。 - 特許庁

A mask case that accommodates a mask on which a cylindrical pattern face is formed around a certain center axis includes a case body that forms a storage space for storing the mask and includes a window facing the pattern face of the mask stored in the storage space, and a regulation part that regulates a movement of the mask to prevent the pattern face from contacting the case body.例文帳に追加

所定の中心軸線周りに円筒面状にパターン面が設けられたマスクを収容するマスクケースであって、マスクを収容する収容空間を形成し、収容空間に収容されたマスクのパターン面に対向する窓部が設けられたケース本体と、パターン面がケース本体に接触しないようにマスクの移動を制限する制限部と、を備える。 - 特許庁

A resist film 34 which is used as a mask when the impurities are implanted has a strip-shaped pattern 38 and a wide region pattern 40.例文帳に追加

不純物注入の際にマスクとするレジスト膜３４は、短冊状パターン３８と広域パターン４０を備える。 - 特許庁

To compare a pattern image of design data with a pattern image of a reticule mask by a parameter which can be numerized.例文帳に追加

数値化が可能なパラメータで、設計データのパターン画像とレチクルマスクのパターン画像とを比較することを課題とする。 - 特許庁

A workpiece 1b is anisotropically etched by using a first resist pattern 2 as a mask, and a pattern of the workpiece 1b is formed.例文帳に追加

第１のレジストパターン２をマスクに用いて、被加工物１ｂを異方性エッチングし、被加工物１のパターンを形成する。 - 特許庁

The pattern R1 is used as a mask to etch the film F to be treated, and a pattern F1 is formed on the film F to be treated (Fig.5(c)).例文帳に追加

パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern which can eliminate the need for a mask, save resist, and facilitate identification of the resist pattern.例文帳に追加

マスクが不要でレジストが節約でき、さらにレジストパターンの識別が容易なレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern which forms a pattern that has high process likelihood and correction accuracy on a semiconductive wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ上にプロセス裕度及び補正精度が高いパターンを形成するマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

PATTERN FILM-FORMING MASK FOR SOLUTION COATING, ITS MANUFACTURING METHOD, PATTERN FILM-MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

溶液塗布用パターン製膜用マスクとその製造方法、パターン膜の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide a mask layout pattern verification device and its method for precisely verifying rectangular layout pattern data.例文帳に追加

矩形レイアウトパターンデータに対する検証を高精度に行なえるマスクレイアウトパターン検証装置および方法を提供する。 - 特許庁

When the mismatching pattern data are extracted, a mask data from which the mismatching pattern data are removed is formed.例文帳に追加

不一致パターンデータが抽出された場合は、補正マスクデータから不一致パターンデータを除去したマスクデータを生成する。 - 特許庁

A third pattern 37 constituted of an unevenness is formed on a surface of the substrate 31 by the second pattern 35 as a mask.例文帳に追加

第２のパターン３５をマスクとして基板３１の表面に凹凸で構成された第３のパターン３７を形成する。 - 特許庁

To start up an OPC which is adaptive to nearly all patterns early by adequately correcting a layout pattern and a mask pattern in a short time.例文帳に追加

レイアウトパターン、マスクパターンを短時間で適切に補正し、ほとんどのパターンに対応したＯＰＣを早期に立ち上げる。 - 特許庁

With the resist film 14a provided with the pattern 16 as a mask, the bottom surface of the recess 12a is etched and the pattern 16 is transferred.例文帳に追加

パターン１６を有するレジスト膜１４ａをマスクとして、リセス１２ａの底面をエッチングし、パターン１６を転写する。 - 特許庁

The SiO_2 film is processed by use of the resist pattern as a mask to thereby transfer the resist pattern to the SiO_2 film 63 (d).例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてＳｉＯ_２膜を加工することにより、レジストパターンをＳｉＯ_２膜６３に転写する（ｄ）。 - 特許庁

Etching processing is performed using the resist pattern as a mask to form a pattern with the predetermined dimensions in the film to be processed (a step S6).例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

Then, with the resist pattern 32 as a mask, the silicon nitride film 31 and silicon oxide film 30 are etched to remove the resist pattern 32.例文帳に追加

次いで、レジストパターン３２をマスクとしてシリコン窒化膜３１、シリコン酸化膜３０をエッチングし、レジストパターン３２を除去する。 - 特許庁

To provide a photomask with which a negative resist can be formed into a desired pattern even when a mask pattern has a corner part.例文帳に追加

マスクパターンに角部があっても、所望の形状にネガレジストを形成することができるフォトマスクを提供すること。 - 特許庁

MAGNETIZATION PATTERN FORMING MASK OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIZATION PATTERN FORMING METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING APPARATUS例文帳に追加

磁気記録媒体の磁化パターン形成用マスク、磁化パターン形成方法、及び磁気記録媒体、並びに磁気記録装置 - 特許庁

WIRING PATTERN GENERATION DEVICE, WIRING PATTERN GENERATION PROGRAM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, MASK FOR EXPOSURE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

配線パターン生成装置、配線パターン生成プログラム、半導体装置の製造方法、露光用マスク、および、画像表示装置 - 特許庁

MASK PATTERN FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FINE PATTERN例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR DESIGNING DUMMY PATTERN, EXPOSURE MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DESIGN PROGRAM OF DUMMY PATTERN例文帳に追加

ダミーパターンの設計方法、露光マスク、半導体装置、半導体装置の製造方法およびダミーパターンの設計プログラム - 特許庁

MASK PATTERN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION AND FORMING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FINE PATTERN例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを持つ半導体素子の製造方法 - 特許庁

The pattern pitch of a film mask 10 is previously measured and the rotation of a cylindrical body 11 is controlled in according with the pattern pitch.例文帳に追加

フィルムマスク１０のパターンピッチを予め測定しておき、該パターンピッチに応じて円筒体１１の回転制御を行う。 - 特許庁

Then, a lower resist layer 11 is etched, using the upper resist pattern 12' as a mask for the formation of a rectangular resist pattern 11'.例文帳に追加

次に、上層レジストパターン１２’をマスクにして下層レジスト１１をエッチングして、矩形なレジストパターン１１’を形成する。 - 特許庁

A dimension of a pattern of an x-ray absorptive body 4a is made up to about 1.5-fold (about 75 nm) a half pitch (L/2=50 nm) of a mask pattern.例文帳に追加

Ｘ線吸収体４ａのパターン寸法をパターンハーフピッチ（Ｌ／２＝５０ｎｍ）の約１．５倍（約７５ｎｍ）にする。 - 特許庁

To provide a mask that can transfer an angled pattern without forming an angle at the opening section of the mask, and a manufacturing method of the mask, and to provide a projection aligner and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

マスクの開口部に角を形成せずに、角を有するパターンを転写できるマスク、その製造方法、露光装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁