「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a mask on which a pattern is arrayed so as to be able to efficiently conduct an exposure, and an exposure method or the like using the mask.例文帳に追加

効率的に露光することができるようにパターンを配列したマスク及びそのマスクを用いた露光方法等を提供する。 - 特許庁

A mask generation part 40 specifies an area unfit for stereoscopic processing in a reference image 24 of the object and prepares a mask pattern 28.例文帳に追加

マスク生成部４０は、対象物の基準画像２４においてステレオ処理に不向きな領域を特定し、マスクパターン２８を作成する。 - 特許庁

A second trench 225b is formed by etching one portion of the insulation film by a third etching process with the hard mask pattern as a mask.例文帳に追加

前記ハードマスクパターンをマスクとした第３エッチング工程によって前記絶縁膜の一部をエッチングして第２トレンチ２２５ｂを形成する。 - 特許庁

Continuously, a first resist film having a fine first pattern is formed on the hard mask film for patterning of the hard mask film (S108).例文帳に追加

つづいて、ハードマスク膜上に微細な第１のパターンを有する第１のレジスト膜を形成してハードマスク膜をパターニングする（Ｓ１０８）。 - 特許庁

By using the mask pattern of the reduced width as a mask, ion implantation for forming a diffusion layer is performed and a diffusion layer is formed.例文帳に追加

そして、幅の狭くなったマスクパターンをマスクとして、拡散層を形成するためのイオン注入を行い、拡散層を形成する。 - 特許庁

The laser light in a pattern reflected by two-dimensionally arranged micromirrors 106 controlled based on the mask data of a mask pattern data output device 107 forms an enlarged pattern 110, which is reduced and projected by a reduction projecting optical system 102 onto a mask substrate 109 to form a drawn pattern 111.例文帳に追加

マスクパターンデータ出力装置１０７のマスクデータに基づいて制御されている二次元配列微小ミラー１０６で反射するパターン状のレーザ光は、拡大パターン１１０を形成し、これを縮小投影光学系１０２によってマスク基板１０９上に縮小投影して、描画パターン１１１が形成される。 - 特許庁

Finally, the underlying film 14 is etched using the resist pattern 20 having a shrunk line width as a mask thus forming an underlying film pattern 22.例文帳に追加

次いで、線幅が縮小したレジストパターン２０をマスクとして下地膜１４をエッチングして、下地膜パターン２２を形成する。 - 特許庁

Next, etching is carried out to the oxidized film 120 using the pattern 130a as a mask and a pattern forming layer 120a is formed (Fig.2(c)).例文帳に追加

次に、パターン１３０ａをマスクとして、酸化膜１２０にエッチングを施し、パターン形成層１２０ａを形成する（図２（ｃ））。 - 特許庁

The pattern N1 and sacrifice film G are used as a mask to etch the processing film F to form a pattern F1 on the processing film F (Fig.7(g)).例文帳に追加

パターンＮ１と犠牲膜Ｇをマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図７（ｇ））。 - 特許庁

To provide a method for designing a new phase shift mask with less dimensional change in a pattern even in a random logic pattern.例文帳に追加

ランダムロジックパターンにおいてもパターンの寸法変動が少ない新たな位相シフトマスクの設計方法を実現できるようにする。 - 特許庁

Then, the uppermost layer conductive film 13 is etched using the resist pattern 14 as a mask to form an uppermost layer conductive film pattern 15.例文帳に追加

次に、レジストパターン１４をマスクとして最上層導電膜１３をエッチングし、最上層導電膜パターン１５を形成する。 - 特許庁

A resist pattern 107 formed on the intermediate film 104-1 is used as a mask to form an intermediate film pattern 108.例文帳に追加

その後、中間膜１０４−１上に形成された、レジストパターン１０７をマスクにして、中間膜パターン１０８を形成する。 - 特許庁

Then, when the metal lamination film 20 is etched by the hard mask 17, a metal wiring pattern 19 having few pattern defects can be obtained.例文帳に追加

その後、ハードマスク１７を用いてメタル積層膜２０をエッチングすると、パターン欠陥の少ないメタル配線パターン１９が得られる。 - 特許庁

The intermediate film pattern 108 is used as a mask for the dry etching of the processed film 103 to form a processed film pattern 109.例文帳に追加

その後、中間膜パターン１０８をマスクに用い、被加工膜１０３をドライエッチングして、被加工膜パターン１０９を形成する。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR MAGNETIZATION PATTERN OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MASK USED FOR FORMING MAGNETIZATION PATTERN, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加

磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、及び磁化パターン形成に使用するマスク、並びに磁気記録媒体、磁気記録装置 - 特許庁

Then, intensity distribution is calculated based on the geometry characteristics and illumination mode characteristics and mask pattern data of a pattern feature 154.例文帳に追加

次に、パターンフィーチャのジオメトリ特徴及び照明モード特徴及びマスクパターンデータに基づき、強度分布が計算される１５４。 - 特許庁

To provide a mask blank which can form a minute mold pattern with high pattern accuracy in manufacturing an imprint mold.例文帳に追加

インプリント用モールドの製造において微細なモールドパターンを高いパターン精度で形成することができるマスクブランクを提供する。 - 特許庁

In addition, the absorber AB1 forms an absorber pattern PA1 in a pattern region RP1 of the mask substrate SUB1.例文帳に追加

また、吸収体ＡＢ１は、マスク基板ＳＵＢ１のパターン領域ＲＰ１において、吸収体パターンＰＡ１を形成している。 - 特許庁

The photomask has a product pattern and a mask size checking mark 3 disposed on the periphery of the product pattern.例文帳に追加

フォトマスクは、製品パターンと、この製品パターンの周辺に配置されるマスク寸法検査マーク３とが描画されたものである。 - 特許庁

A mask 13, where a transmission pattern obtained by reversing a diffraction pattern obtained at the time of focusing is formed, is disposed at the focal position A.例文帳に追加

この焦点位置Ａに、合焦時に得られる回折パターンを反転させた透過パターンが形成されたマスク１３を配設する。 - 特許庁

The pattern 107 constituted of a conductive film is etched by using the photo-resist pattern 110 as an etching mask so that a gate electrode 111 can be formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン１１０をエッチングマスク用いて、導電膜でなるパターン１０７をエッチングし、ゲート電極１１１を形成する。 - 特許庁

Then a resist pattern is formed by exposing the resist, and the wiring is formed by etching the Al film by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

そして、レジストを露光してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ膜をエッチングして配線を形成する。 - 特許庁

A resist pattern 35a is formed in a region other than an opening formation region, and the core material film 31 is etched using the pattern as a mask.例文帳に追加

開口の形成領域以外の領域にレジストパターン３５ａを形成し、これをマスクに芯材膜３１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a mask capable of forming a pattern without giving damage such as a scratch in forming the pattern having a predetermined shape by executing mask etching; and to accurately and easily provide a polymer organic EL emission element by using the mask.例文帳に追加

マスクエッチングして所定形状のパターンを形成する際に、キズ等による損傷を与えることなくパターンを形成することが可能なマスク及びこのマスクを用いて高分子有機ＥＬ発光素子を高精度かつ容易に提供する。 - 特許庁

To provide a combination mask for printing in which elongation of the pitch size of pattern holes is reduced by substantially reducing tension acting on a thin metal mask by enlarging the size of the thin metal mask where the pattern holes are arranged.例文帳に追加

パターン孔が設けられた薄物のメタルマスクのサイズを大きくすることにより、薄物のメタルマスクに掛かる張力を従来よりも大幅に減らし、パターン孔のピッチ寸法の伸びを少なくした印刷用コンビネーションマスク版を得る。 - 特許庁

RESIST PATTERN LINE WIDTH CALCULATING METHOD, MASK PATTERN LINE WIDTH CORRECTION METHOD, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, EXPOSURE MASK FABRICATING METHOD, ELECTRON DRAWING METHOD FOR FABRICATING THE EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 - 特許庁

In the flare value calculation method, an average light intensity in the case of performing exposure processing to a substrate using a mask pattern group in which mask patterns created with two or more kinds of sizes are arranged is calculated for every above-mentioned mask pattern.例文帳に追加

前記フレア値算出方法、では、複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method and a mask by which a pattern transferred onto a wafer can be prevented from being significantly deformed when a phase shift mask and oblique incidence lighting are combined with the mask having an asymmetrical layout to perform exposure.例文帳に追加

非対称なレイアウトのマスクに位相シフトマスクと斜入射照明を組み合わせて露光を行う場合に、ウエハ上に転写されるパターンが大きく変形することを防止できるパターン形成方法及びマスクを提供する。 - 特許庁

When a rugged pattern is formed by dry etching corresponding to the shape of a mask formed on a substrate, the mask is controlled so that the mask is made to retreat as the etching proceeds and the shape of the side wall of the rugged pattern is formed in an inclined face shape.例文帳に追加

基板上に形成されたマスクの形状に対応してドライエッチングにより凹凸パターンを形成するに際し、マスクがエッチングに伴って後退し、凹凸パターンの側壁形状が傾斜面に制御されるようにする。 - 特許庁

By accompanying the step driving of the exposure stage in an initial period and a final period of the repetitive exposure of the exposure pattern, the control means makes the step driving of the mask stage 5 perform, and moves the mask by the amount of n times the array pitch of the mask pattern.例文帳に追加

制御手段は、露光パターンの繰り返し露光の初期と終期における露光ステージのステップ駆動に伴って、マスクをマスクパターンの配列ピッチのｎ倍の量移動させるマスクステージ５のステップ駆動を行わせる。 - 特許庁

When the operator selects a mask pattern having a desired shape out of displayed mask patterns by operating the buttons 171 of the unit 107 and presses the button 172, a mask pattern used for drawing the sticking picture is decided.例文帳に追加

操作者が、表示されたマスクパターンの中で所望の形状のマスクパターンをリモートコントロールユニット１０７の上下左右の４方向ボタン１７１で選択し、決定ボタン１７２を押すと、貼り付け画像を作成するためのマスクパターンが確定する。 - 特許庁

To provide a mask blank and a mask, wherein linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (actual dimensional difference) between a design dimension of the line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of the line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Linearityを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクを提供する。 - 特許庁

In an optical processing machine for optically processing a matter to be processed optically by illuminating a pattern on a mask with a luminous flux from a light source means and projecting the pattern on the mask onto the matter to be processed with a projection lens, the mask utilizes phase shift.例文帳に追加

光源手段からの光束でマスク上のパターンを照明し、該マスク上のパターンを投影レンズで加工物上に投影して該加工物を光加工する光加工機において該マスクは位相シフトを利用していること。 - 特許庁

Then, a second EB projection exposure 12B is carried out under the condition that a beam blur and a focus position are set at 20 nm and 21 μm, respectively, through the intermediary of a second mask 14 where a second mask pattern continuously joined to the first mask pattern is formed.例文帳に追加

次に、第１のマスクパターンと連続する第２のマスクパターンが形成された第２のマスク１４を介して、ビームブラー：２０ｎｍで且つ焦点位置：２１μｍの条件で第２回目のＥＢプロジェクション露光１２Ｂを行なう。 - 特許庁

To provide a photomask such as a gray tone mask capable of suppressing generation of dielectric breakdown in a pattern which can occur, upon handling a mask during being used, and preventing influencing the mask pattern to be used for formation of a device, even in the event of an occurrence of a dielectric breakdown.例文帳に追加

マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制でき、万一静電破壊が起きてもデバイス形成に使用されるマスクパターンには影響が及ばないグレートーンマスクなどのフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern for exposure by which a high accuracy corrected shape can be obtained at a high speed in correction of the optical proximity effect of a mask pattern for exposure.例文帳に追加

露光用マスクパターンの光近接効果の補正処理において、高精度な補正形状を高速に得ることが可能な露光用マスクパターンの補正方法等を提供する。 - 特許庁

To provide verifying techniques for a mask pattern to verify a mask pattern by using approximate verification standards corresponding to the structure of a semiconductor integrated circuit to be finally produced.例文帳に追加

最終的に製造される半導体集積回路の構造に応じた適切な検証規格を用いてマスクパターンの検証を行うことが可能なマスクパターン検証技術を提供する。 - 特許庁

This elastic pipe 4 expands to regulate the spacing between the pattern mask 1A and the vacuum frame 3, thereby suppressing the deformation and strain of the pattern mask 1A and the vacuum frame 3 when the pressure in the space M is reduced.例文帳に追加

この弾性管４は、空間Ｍ内が減圧される際に膨張し、パターンマスク１Ａと真空枠３との間隔を規制し、パターンマスク１Ａや真空枠３の変形や歪を抑える。 - 特許庁

To provide a mask for forming a pattern, with which stuck metal or the like on the mask after repeated use can be removed easily and the pattern can be formed with a high precision.例文帳に追加

繰り返し使用後にマスク上に付着した金属等を容易に除去することができ、高精度でパターンを形成することが可能なパターン形成用マスクを提供すること。 - 特許庁

A first well 210 is formed in the first element forming region 12 using a first mask pattern, and a second well 410 is formed in the second element formation region 13 using a second mask pattern.例文帳に追加

第１マスクパターンを用いて第１素子形成領域１２に第１ウェル２１０を形成し、第２マスクパターンを用いて第２素子形成領域１３に第２ウェル４１０を形成する。 - 特許庁

To provide mask blanks, and the like, for preventing a skirt shape protrusion from being generated at a pattern bottom after resist pattern formation in the mask blanks to which chemically-amplified resist is applied.例文帳に追加

化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えることのできるマスクブランクス等を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method forms an interlayer insulating film 105 and a hard mask film pattern 106a on a semiconductor substrate 101, and forms a spacer film 109 which covers the top surfaces of the interlayer insulating film 105 and hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

半導体基板１０１上に層間絶縁膜１０５とハードマスク膜パターン１０６ａを形成し、それらの表面を覆うようにしてスペーサ膜１０９を形成する。 - 特許庁

To provide a method for correction of a white defect in a mask pattern, capable of precisely correcting the white defect without damaging a photomask by using near field light, and to provide a mask pattern.例文帳に追加

フォトマスクがダメージを受けることなく、精度よく、白欠陥の修正を可能とする、近接場光を用いたマスクパターンの白欠陥修正方法およびマスクパターンを提供する。 - 特許庁

Therefore, the profile 8 of the etched pattern obtained by using the silica film 10 and the resist mask 11 as the mask remaining after etching the thin photosensitive film pattern shows is almost equal to the designed profile.例文帳に追加

従って、薄い方の感光膜パターンがエッチングされて残るシリカ膜１０及びレジストマスク１１をマスクとして得られるエッチングパターンの形状８は、設計値に近い形状となる。 - 特許庁

Then, a mask pattern 36 for forming a concave is formed and the semiconductor substrate 21 is etched with the resist 35 and mask pattern 36 to form a concave 27.例文帳に追加

そして、次に、凹部形成用マスクパターン３６を形成し、上記角部保護用レジスト３５と凹部形成用マスクパターン３６に基づいて半導体基板２１をエッチング加工して凹部２７を形成する。 - 特許庁