「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a mask for forming resist pattern which is hardly deformed by heat, a resist pattern which is hardly deformed by heat, and a method of forming the resist pattern.例文帳に追加

熱により変形が生じにくいレジストパターンを形成するためのマスク及び熱により変形が生じにくいレジストパターン並びにレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Luminous flux reflected by a pattern of a variable pattern generation section VPG forms an image of a mask pattern on a plate PL as a photosensitive substrate via a projection lens 6.例文帳に追加

可変パターン生成部ＶＰＧのパターンで反射された光束は、投影レンズ６を介して、感光性基板であるプレートＰＬ上にマスクパターンの像を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 105, a first conductive film, an etching protecting film pattern 109a, a hard mask pattern 111a, and a reflection preventing film pattern are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１の上にゲート絶縁膜１０５、第１導電膜、エッチング阻止膜パターン１０９ａ、ハードマスクパターン１１１ａ及び反射防止膜パターンを形成する。 - 特許庁

A resist pattern 4 is formed and subjected to anisotropic dry etching using the pattern as a mask to form a gate electrode 5 on a gate insulating film 2, and then the resist pattern 4 is removed.例文帳に追加

レジストパターン４を形成し、それをマスクとして異方性ドライエッチングを行うことによりゲート電極５をゲート絶縁膜２上に形成し、レジストパターン４を除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printing mask that can prevent deformation occurring in a metal film pattern corresponding to a print pattern when jointing the metal film pattern to a mesh.例文帳に追加

印刷パターンに対応した金属膜パターンをメッシュに接合するときに該金属膜パターンに生じる変形を防止できる印刷用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A dummy gate pattern 4 is formed above an n well 1 in a semiconductor wafer and p^+ diffusion regions 2 and 3 are formed on both sides of the dummy gate pattern 4 with the pattern as an inhibition mask.例文帳に追加

半導体ウェハ中のｎウェル１の上方にダミーゲートパターン４を形成し，ダミーゲートパターン４を阻止マスクとしてその両側にｐ^+ 拡散領域２，３を形成する。 - 特許庁

The method of framing the resist pattern includes a step of forming the resist pattern on a material worked by discharging a composition containing a photosensitive agent to the material under reduced pressure, and a step of etching the material by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

A mask M is illuminated with linearly polarized illumination light to transfer a pattern of the mask M onto a wafer W through a projection optical system PL.例文帳に追加

直線偏光の照明光でマスクＭを照明し、マスクＭのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に転写する。 - 特許庁

Then, the insulating film 6 is etched using the wiring groove pattern 8 of the hard mask 7 as a mask, and a wiring groove 8 and a connection opening 14 are formed.例文帳に追加

次に、ハードマスク７の配線溝パターン８をマスクとして、絶縁膜６をエッチングして配線溝８および接続孔１４を形成する。 - 特許庁

Then, the second insulation film 9 is dry-etched with a resist pattern 11 as a mask to form a hard mask and an opening which reaches the first organic film 8.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして第２の絶縁膜９をドライエッチングし、ハードマスクと、第１の有機膜８に達する開孔部とを形成する。 - 特許庁

In this manner, the scattering of the fine particles forms the pseudo defect 5 with the fine particle as the base in the mask pattern 4 on the mask substrate.例文帳に追加

このように微粒子を散布することで、前記マスク基板上のマスクパターン４に前記微粒子を基にした擬似欠陥５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for creating mask data for creating mask data in a short time from which a pattern of desired dimensions can be accurately transferred to a substrate.例文帳に追加

基板上に所望寸法のパターンを正確に転写できるマスクデータを短時間で作成するマスクデータ作成方法を提供すること。 - 特許庁

DEFECT DETECTION METHOD AND DEFECT DETECTION DEVICE FOR GRAY TONE MASK, DEFECT DETECTION METHOD FOR PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、フォトマスクの欠陥検査方法、グレートーンマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 - 特許庁

To suppress the roll over (defective inclined shape) of the edge sections of resist mask patterns caused by the shrinkage of a resist when the mask pattern is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にレジストマスクパターンを形成する場合に、レジスト収縮によりパターンエッジ部のダレ（不良傾斜形状）を抑制する。 - 特許庁

To make mask patterns able to be more exactly evaluated by taking the acceptance or rejection of a pattern relief into consideration in evaluating the mask patterns.例文帳に追加

マスクパターンを評価するに際して、パターン救済の可否を考慮することで、より正確なマスクパターンの評価を行うことが出来るのである。 - 特許庁

Further, a mask is formed based on the pattern subjected to OPC correction (S110), and a wafer process is carried out by using the formed mask (S111).例文帳に追加

そして、ＯＰＣ補正したパターンに基づいてマスクの形成が行われ（Ｓ１１０）、形成したマスクによりウェハプロセスが実施される（Ｓ１１１）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an EUV mask by using an electron beam, without changing the size of a mesh area or the design of a mask pattern.例文帳に追加

メッシュ領域のサイズやマスクパターンの設計変更をすることなしに、電子ビームを用いてＥＵＶマスクを製造する方法を提供する。 - 特許庁

PHOTOMASK DEFECT CORRECTION METHOD, PHOTOMASK MANUFACTURING METHOD, PHASE SHIFT MASK MANUFACTURING METHOD, PHOTOMASK, PHASE SHIFT MASK, PHOTOMASK SET, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、フォトマスク、位相シフトマスク、フォトマスクセット及びパターン転写方法 - 特許庁

To provide a gradation mask that can control transmittance from 0% to 100% and facilitates pattern formation, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

透過率を０％から１００％の間で制御でき、かつ、パターン形成も容易な階調マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polarized state of an incident light to the mask or the substrate is stabilized, and the pattern on the mask is exposed on the substrate.例文帳に追加

マスクまたは感光性基板への入射光の偏光状態を安定化させ、その後にマスク上のパターンを感光性基板上に露光する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to create different etching conditions, depending on the regions on the mask and to improve nonuniformity in the resulting mask pattern.例文帳に追加

したがって、マスク上に領域別に相異なっているエッチング条件を有するようにでき、これによって、マスクパターンの不均一性が改善する。 - 特許庁

To provide a photolithography mask for optically transferring a pattern formed in the mask onto a substrate and for negating the optical proximity effects.例文帳に追加

その中に形成されたパターンを基板上に光学的に転写し、かつ光近接効果を打ち消すためのフォトリソグラフィ・マスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming an amorphous-carbon hard mask generating no bowing and thinning of a pattern when an amorphous-carbon film is worked in a hard mask shape.例文帳に追加

アモルファスカーボン膜をハードマスク形状に加工する際、ボーイングやパターンの細りの起こらないアモルファスカーボンハードマスクの形成方法を提供する。 - 特許庁

As the result, the antireflective structure having a pitch finer than the mask pattern of the X-ray mask 1 is formed on the surface of the member 2.例文帳に追加

これにより、部材２の表面には、Ｘ線マスク１のマスクパターンよりも微細なピッチを有する反射防止構造体が形成される。 - 特許庁

To provide a hard mask composition for forming an inorganic hard mask film having an excellent etching selectivity to an organic hard mask film over the organic hard mask film used in etching of a fine pattern of a semiconductor device, and a method for manufacturing semiconductor devices in which an underlying layer pattern of a semiconductor device is formed using a hard mask formed using the hard mask composition.例文帳に追加

半導体素子の微細パターンの食刻に用いられる有機系ハードマスク膜の上部に、有機系ハードマスク膜に対する食刻選択比に優れた無機系ハードマスク膜の形成のためのハードマスク用組成物、及びこれを利用して形成されるハードマスクを用いて半導体素子の被食刻層パターンを形成する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A white part of the mask pattern corresponds to the outline of the text which is made thicker, so the background image and mask pattern are ANDed and the text pattern is ORed, to form a void part around the text superposed on the background image.例文帳に追加

マスクパターンの白部分は、テキストの輪郭を太くしたものに対応しているので、背景画像とマスクパターンとをＡＮＤ合成し、テキストパターンをＯＲ合成すれば、背景画像に重ねられたテキストの周囲に白抜き部が形成される。 - 特許庁

Since the pattern size of the master mask is made larger than the pattern size of the objective mask, the rounding of the pattern due to diffraction can be decreased and the time for inspection can be reduced even when a die-to-DB comparison method is applied.例文帳に追加

マスターマスクは、目的とするマスクのパターンサイズよりもパターンサイズを十分大きくできるため、回折によるパターンの丸まりを小さくできるため、Ｄｉｅ ｔｏ ＤＢ比較法を適用させても検査時間を短くできる。 - 特許庁

The manufacturing method comprises steps of forming a photoresist pattern of irregular thickness through a mask equipped with a dual slit pattern, and finishing the transfer of a two-layered conductor layer pattern used for forming a source, a drain, and channels by the use of only one mask.例文帳に追加

この製造方法は、デュアルスリットパターンを具えたマスクにより厚さが不均一なホトレジストパターンを形成し、一つのマスクを使用して、ソース、ドレインとチャネルの形成に用いられる二層の導体層のパターン転移を完成する。 - 特許庁

While the second resist pattern and the hard mask pattern are used as an etching mask, the organic insulating film is etched until the organic insulating film is removed inside the via hole so as to form a wiring groove 110 on the via hole, and the second resist pattern is removed.例文帳に追加

第２レジストパターン及びハードマスクパターンをエッチングマスクとしてビアホール内の有機系絶縁膜が除去されるまで有機系絶縁膜をエッチングしてビアホール上に配線溝１１０を形成し、第２レジストパターンを除去する。 - 特許庁

The operator is able to generate a mask or wipe pattern in an arbitrary shape.例文帳に追加

本発明によると、オペレータが任意形状のマスク又はワイプ・パターンを作成することができる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING MAGNETIZATION PATTERN OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDER, AND MASK例文帳に追加

磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにマスク - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING ACCELERATION SENSOR AND ANGULAR VELOCITY SENSOR USING THE SAME例文帳に追加

マスクパターンの補正方法およびそれを用いた加速度センサと角速度センサの製造方法 - 特許庁

Thereby, the line width of the mask pattern can be changed into the width of the prescribed dimension of the center figure.例文帳に追加

これにより、マスクパタン線幅を中心図形の所定寸法幅に変更することができる。 - 特許庁

Pattern exposure is conducted by making exposure light 12 irradiate the resist film 11 via a mask 13.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して露光光１２をマスク１３を介して照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a mask manufacturing method which are capable of high precision pattern forming.例文帳に追加

高精度なパターン形成が可能な基板処理方法及びマスク製造方法を提供する。 - 特許庁

RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFT MASK USING SAME例文帳に追加

感放射線組成物、パタン形成方法およびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁

An exposed substrate WS on which the exposure pattern of a mask is transferred is held again on a substrate stage.例文帳に追加

マスクの露光パターンが転写された露光済みの基板ＷＳを、再度、基板ステージで保持する。 - 特許庁

Then a correction section 21 corrects a mask pattern based on the distribution of calculated change values.例文帳に追加

この後、その算出した変化値の分布に基づいて、マスクパターンを補正部２１が補正する。 - 特許庁

Consequently, decrease of NILS value in the fine pattern of ≤50 nm in mask size is prevented.例文帳に追加

マスク寸法が５０ｎｍ以下の微細パターンにおいて、ＮＩＬＳ値の悪化を防止するものである。 - 特許庁

Light is irradiated only to the resist pattern 30G for green color via a third mask 62.例文帳に追加

第３のマスク６２を介して、緑色用のレジストパターン３０Ｇのみに光照射を行う。 - 特許庁

Then, a pattern forming of a conductive body film is conducted by a lift-off method by using this resist mask.例文帳に追加

そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。 - 特許庁

To provide a halftone film type gray tone mask having an excellent pattern shape and cross-sectional shape.例文帳に追加

パターン形状及び断面形状の良好なハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクを提供する。 - 特許庁

The objective shape is simulated and a mask with a GM pattern is formed using a CAD software.例文帳に追加

目的形状をシミュレーションし、別途ＣＡＤソフトを使用してＧＭパターンのマスクを製作する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR PRINTING RESIST MASK, METHOD FOR FORMING CONDUCTOR PATTERN, AND ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

レジストマスク印刷装置、レジストマスク印刷方法、導体パターンの形成方法、並びに電子部品 - 特許庁

In Fig., dotted lines show drawing coordinates and solid lines are designed border lines of the mask pattern.例文帳に追加

図中の点線は描画座標であり、実線は設計上のマスクパターンの境界線である。 - 特許庁