「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a film of a mask from being damaged or generating position changes in pattern openings due to difference in thermal expansion, in case of cleaning of the mask consisting of the film and a frame.例文帳に追加

フィルムとフレームからなるマスクを洗浄した場合に、熱膨張差によってマスクのフィルムにダメージやパターン開口の位置変化が生じるのを防ぐ。 - 特許庁

As one of a plurality of mask patterns complementing with each other, a mask pattern having a different pixel thinning ratio in the sub scanning direction of a recording image is used.例文帳に追加

互いに補完し合う複数のマスクパターンの１つとして、画素の間引き率が記録画像の副走査方向において異なるマスクパターンを用いる。 - 特許庁

The upper electrode 6 is formed by using a film forming mask 20A having an upper electrode forming mask pattern 20a opened to the element region E; and at least a part of the upper extraction line 7 is formed by using a film forming mask 20B having a mask pattern 20b for the upper electrode extraction line comprising a plurality of openings without communicating with one another on the upper electrode forming mask pattern side.例文帳に追加

発光素子領域Ｅに開口する上部電極形成用マスクパターン２０ａを有する成膜用マスク２０Ａを用いて上部電極６を成膜し、上部電極形成用マスクパターン側で互いに連通しない複数の開口からなる上部電極引き出し線用マスクパターン２０ｂを有する成膜用マスク２０Ｂを用いて上部電極引き出し線７の少なくとも一部を成膜する。 - 特許庁

The stencil mask comprises a basic body and a parent material of mask supported by the basic body wherein the parent material of mask comprises a silicon compound thin film having a through hole pattern passing a charged particle beam.例文帳に追加

基体と、この基体により支持されたマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するシリコン化合物薄膜からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sheet provided with a vapor deposition mask, which includes a vapor deposition mask that enables a pattern with extremely high definition to be formed, and can inhibit the vapor deposition mask from being damaged while being handed.例文帳に追加

極めて高精細なパターニングを行うことを可能とする蒸着マスクを含み、取り扱い中に蒸着マスクを破損してしまうことを抑制することができる蒸着マスク付シートを提供する。 - 特許庁

The stencil mask comprises a basic body and a parent material of mask supported by the basic body wherein the parent material of mask comprises a thin film principally comprising carbon and having a through hole pattern passing a charged particle beam.例文帳に追加

基体と、この基体により支持されたマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有する、炭素を主成分とする薄膜からなることを特徴とする。 - 特許庁

The photomask unit 100 comprises a mask substrate 10 on which a prescribed pattern is formed, a pellicle frame 20 joined with the mask substrate 10 and a pellicle 30 joined with the pellicle frame 20 to protect the mask substrate 10.例文帳に追加

ホトマスクユニット１００は、所定のパターンが形成されたマスク基板１０と、マスク基板１０に接合するペリクルフレーム２０と、ペリクルフレーム２０に接合してマスク基板１０を保護するペリクルと３０を備える。 - 特許庁

The stencil mask comprises a basic body and a parent material of mask supported by the basic body wherein the parent material of mask comprises a non-single crystal silicon based thin film having a through hole pattern passing a charged particle beam.例文帳に追加

基体と、この基体により支持されたマスク母体とを具備し、前記マスク母体は、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有する非単結晶シリコン系薄膜からなることを特徴とする。 - 特許庁

The second layer 6 becomes a mask when performing etching for the first layer 5, and is etched with a resist pattern 4 formed on the hard mask layer 3 as a mask.例文帳に追加

前記第二層６は、前記第一層５に対してエッチングを行う際にマスクとなるとともに、前記ハードマスク層３上に形成されるレジストパターン４をマスクにしてエッチングが行われる層である。 - 特許庁

When the determined period comes, the EUV mask is replaced or cleaned and the replaced EUV mask or the EUV mask having been cleaned is irradiated with EUV light to transfer the pattern to resist formed on a wafer.例文帳に追加

決定された時期が到来した場合にＥＵＶマスクを交換又はクリーニングし、該交換後又はクリーニング後のＥＵＶマスクにＥＵＶ光を照射してウエハ上に形成されたレジストにパターンを転写する。 - 特許庁

To provide a stencil mask and a mask blank therefor by which the stencil mask with appropriate pattern position accuracy can be obtained without curving or peeling of a thin film, and to provide a method for manufacturing them.例文帳に追加

反りや薄膜の剥離が生ずることがなく、良好なパターン位置精度を有するステンシルマスクを得ることの可能なステンシルマスク用マスクブランク、ステンシルマスク、及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask for organic electroluminescence having an opening of a stripe pattern, in which mask strength is improved and a pitch accuracy after mask expansion can be made to be highly accurate.例文帳に追加

ストライプパターンの開孔部を有するマスクにおいて、マスク強度の向上を図り、かつ、マスク伸張後のピッチ精度を高精度化することが可能な有機エレクトロルミネッセンス用マスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for precisely correcting a distortion of a mask pattern for exposure due to flexure of a stencil mask at a high speed, and to provide a method for manufacturing a mask for exposure to which the correcting method is applied.例文帳に追加

ステンシルマスクのたわみ等による露光用マスクパターンの歪みを精度良く、且つ高速に補正する方法、並びにこの補正方法を適用した露光用マスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The mask holder 21 for absorbing and holding an outer circumference region of the mask on which a device pattern is formed comprises at least not less than two holding parts 22 capable of absorbing and independently moving the mask.例文帳に追加

デバイスパターンが形成されたマスクの外周領域を吸着保持するマスクホルダ２１において、マスクを吸着しつつ独立移動可能な、少なくとも２つ以上の保持部２２を有する。 - 特許庁

A tensile stress due to the mask part 11 is offset by the tension of the tension member 14, rigidity of the whole mask is strengthened and, therefore, the deterioration in the pattern accuracy due to warping of the mask part 11 can be prevented.例文帳に追加

マスク部１１による引張応力がテンション部材１４の張力によって相殺され、マスク全体の剛性が強化されるため、マスク部１１の反りによるパターン精度の劣化を防ぐことができる。 - 特許庁

By using the mask for proximity effect correction, each section of the mask for pattern transfer is subjected to correction exposure, in response to the region of the opening of the section corresponding to the mask for proximity effect correction.例文帳に追加

この近接効果補正用マスクを用いて、パターン転写用マスクの各区画に、近接効果補正用マスクの対応する各区画の開口面積に応じた光量の補正露光を行う。 - 特許庁

The mask holding member 5 is provided with a rotating mechanism which rotates the intensity modulating mask 4 so that a pattern which the intensity modulating mask has forms a prescribed angle to the longitudinal direction of the optical fiber.例文帳に追加

マスク保持部材５は、強度変調マスク４が有するパターンが光ファイバの長手方向に対して所定の角度となるように強度変調マスク４を回転する回転機構を有する。 - 特許庁

A mask pattern corresponding to the flare value of the pattern is created based on a flare difference which is a difference between the flare value in an arrangement position at which the pattern is disposed and the reference flare value and based on the extracted reference mask correction amount and the extracted change amount information.例文帳に追加

さらに、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した基準マスク補正量および変化量情報とに基づいて、前記パターンのフレア値に応じたマスクパターンを作成する。 - 特許庁

A groove pattern 12 is formed on the lower layer by etching an exposed part of the lower layer 1 by using the mask layer having the fixed-height groove pattern 11 as a mask, so that the groove pattern 12 which has uniform height is precisely formed on a glass original disk 13.例文帳に追加

この一定高さの溝パターン１１を有する２層構造のマスク層をマスクとして下層１の露出した部分をエッチングして下層に溝パターン１２を形成し、ガラス原盤１３に均一な高さの溝パターン１２を精度良く形成する。 - 特許庁

An assigned pattern selection part 55 selects an assigned pass mask pattern, on the basis of the combination of ink colors obtained by the used color combination obtaining part 52, by referring to the plurality of pass mask patterns stored in the assigned pattern storage part 54.例文帳に追加

割り当てパターン選択部５５は、割り当てパターン格納部５４に格納されている複数のパスマスクパターンを参照し、使用色組み合わせ取得部５２により取得されたインク色の組み合わせに基づき、割り当てるパスマスクパターンを選択する。 - 特許庁

After an etching process is carried out as the first resist pattern is used as a mask, the residual resist layer 3 is successively subjected to exposure, developing, and post baking again to form a second resist pattern 3b, and the oxide film 2 is etched through the second resist pattern 3b as a mask.例文帳に追加

第１レジストパターンによるエッチング処理の後、残存するレジスト層３に対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで第２レジストパターン３ｂを形成し、この第２レジストパターン３ｂを用いて酸化膜２に対するエッチング処理を行う。 - 特許庁

A pattern forming method comprises a process of forming the resist pattern 12 on a polysilicon film 10, a process of forming mask patterns 12 and 15, for which a resin film 14 is selectively formed on the surface of the resist pattern 12, and a process of slimming the mask patterns 12 and 15.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０上にレジストパターン１２を形成する工程と、前記レジストパターン１２の表面に樹脂膜１４が選択形成されたマスクパターン１２，１５を形成する工程と、前記マスクパターン１２，１５のスリミングを行う工程とを含む。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of securing the wide margin of exposure in test pattern formation and a mask used for the execution.例文帳に追加

テストパターン形成における露光のマージンを広く確保することができるパターン形成方法およびこの実施に用いるマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and a method which can form a pattern by treating an extremely small area at a low cost without using a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンを用いずに、低コストで微小領域を処理し、パターンを形成することができるプラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for effectively forming a highly reliable pattern on a substrate by compensating for a defect of mask.例文帳に追加

マスクの欠陥を補償して基板上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することが可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Next, a protrusion 200 arranged on the desired pattern is formed (Fig.3(c)) by machining the material 200' using the pattern of the resist film 700 as a mask.例文帳に追加

次に、レジスト膜７００のパターンをマスクにして材料２００’を加工し、所望のパターンに配置された凸部２００を形成する（図３（ｃ））。 - 特許庁

The left part 1b is anisotropically etched further by using a second resist pattern 3 as a mask, and a smaller pattern of the workpiece is formed.例文帳に追加

第２のレジストパターン３をマスクに用いて、残された部分１ｂをさらに異方性エッチングし、被加工物のより小さなパターンを形成する。 - 特許庁

A change in the temperature of the dummy mask 41 in plotting an original pattern by a pattern plotter 27 is measured by the thermometer 41a.例文帳に追加

そして、パターン描画装置２７による原画パターンの描画を行った際の、ダミーマスク４１の温度の変化を温度計４１ａにより測定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase shift mask by which a pattern with a profile nearer to the profile of a target pattern can be formed on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板に目標とするパターンの形状により近い形状のパターンを形成し得る位相シフトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Masking processing is performed with respect to 2 pl dot data obtained from the dot pattern development unit 604 by using an interlaced mask pattern at a masking unit A.例文帳に追加

ドットパターン展開部６０４で得られる２ｐｌのドットデータについては、マスク処理部Ａでインターレースマスクパターンを用いてマスク処理を行う。 - 特許庁

To exactly obtain a distribution of a line width difference between a pattern which is constituted on a mask and a design pattern, or a distribution of positional errors of these patterns.例文帳に追加

マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。 - 特許庁

Using an exposure mask form, based on a prescribed pattern data, a test pattern is formed on different bases on a semi conductor substrate (S10-S12).例文帳に追加

所定のパターンデータに基づいて形成した露光マスクを用いて半導体基板上の異なる下地にテストパターンを形成する（Ｓ１０〜Ｓ１２）。 - 特許庁

To provide a mask pattern for semiconductor device fabrication and a forming method thereof, and a manufacturing method for a semiconductor device with a fine pattern.例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method or the like of forming a pattern by which the pattern is formed without using a resist as an etching mask and without using a lift-off method.例文帳に追加

レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。 - 特許庁

To correct a mask pattern with high accuracy with respect to an etching proximity effect so that a wiring pattern having a desired dimensions is formed on a substrate.例文帳に追加

所望の寸法を持つ配線パターンが基板上に形成されるように、エッチング近接効果に対して精度良くマスクパターンの補正を行う。 - 特許庁

The silicon oxynitride film pattern 16 is regarded as the mask to anisotropically etch the aluminum wiring layer 13 so as to form an aluminum wiring layer pattern 17.例文帳に追加

シリコン酸窒化膜パターン１６をマスクとしてアルミニウム配線層１３を異方性エッチングしてアルミニウム配線層パターン１７を形成する。 - 特許庁

On the basis of the standard pattern and on the basis of the actual pattern for the differential value, the step and the mask residual film thickness of the second material to be treated are found.例文帳に追加

前記標準パターンと前記微分値の実パターンとに基づき、前記第２の被処理材の段差とマスク残膜厚さを求める。 - 特許庁

To speedily and accurately measure shape characteristic values, representing features of the mask pattern shape of a phoromak, from the profile of the pattern.例文帳に追加

フォトマスクのマスクパターン形状の特徴を表す形状特性値を、パターンの輪郭形状から迅速かつ正確に計測することを課題とする。 - 特許庁

To measure a sidewall angle of a pattern of a mask used as an original of a semiconductor circuit at the same time of measuring dimension of the pattern.例文帳に追加

半導体回路原版として用いるマスクのパターン寸法を計測する際に、パターンの寸法とともに側壁角度も同時に計測する。 - 特許庁

A resist 106 is developed to form the resist pattern, and by using the resist pattern as a mask, an absorbing layer 105 and a buffer film 104 are subjected to patterning.例文帳に追加

レジスト１０６を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして吸収層１０５と緩衝膜１０４をパターニングする。 - 特許庁

To provide an exposure mask capable of forming a fine pattern by applying pattern exposure blocking a specified wavelength without modifying an exposure device.例文帳に追加

露光装置を改造することなく特定の波長をカットしたパターン露光を行うことで微細なパターン形成が可能な露光マスクを提供する。 - 特許庁

A lens material layer 313 with a lens interval holder is formed by applying etching to a lens material layer by using a resist pattern 300 for a mask and the resist pattern 300 is removed.例文帳に追加

レジストパターン３００をマスクにエッチングを行って、レンズ間隔保持部付レンズ材層３１３を形成し、レジストパターン３００を除去する。 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, RESIST PATTERN, CROSSLINKABLE NEGATIVE CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION FOR ORGANIC SOLVENT DEVELOPMENT, RESIST FILM AND RESIST-COATED MASK BLANKS例文帳に追加

レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクス - 特許庁

The antireflection film 4 is etched using the resist pattern 5 as a mask and phosphorus ions are implanted into the resist pattern 5 and the etched antireflection film 4.例文帳に追加

レジストパターン５をマスクとして反射防止膜４をエッチングした後、レジストパターン５とエッチングされた反射防止膜４とにリンイオンを注入する。 - 特許庁

A resist film is formed on the wafer, the exposure light is radiated on the resist film through the mask pattern, and a resist pattern is formed on the wafer.例文帳に追加

ウェーハ上にレジスト膜を形成し、マスクパターンを介してレジスト膜に露光光を露光し現像し、ウェーハ上にレジストパターンを形成する。 - 特許庁