「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The circuit conforming to the main pattern and the mark conforming to the sub-pattern are formed by the photo-etching using the second mask via a light shielding film layer 4.例文帳に追加

遮光膜層４を介し第２のマスクによる写真蝕刻を通じ、主パターンに従う回路部と、副パターンに従うマークとが形成される。 - 特許庁

A dummy pattern is formed in a thin pattern region on a mask by utilizing phase contrast to impart the same shape as the shape of light diffracted by a dense pattern to light diffracted by the thin pattern, thereby reducing the thin-dense deflection of an element pattern formed on a wafer.例文帳に追加

マスク上の疎らなパターン領域に位相差を利用してダミーパターンを形成して、疎らなパターンの回折光を密なパターンの回折光と同じ形にすることによって、ウェーハ上に形成される素子パターンの疎密偏差を低減する。 - 特許庁

The mask pattern includes a pattern group having a main pattern 303 that is a light-shielding region in an isolated line form, an assist pattern 301 composed of a plurality of minute phase shifters disposed on one side of the main pattern 303, and an opening region 302 disposed on the other side of the main pattern 301.例文帳に追加

マスクパターンは、孤立線状の遮光領域であるメインパターン３０３と、メインパターン３０３の一側方に配置された複数の微小位相シフターから構成されるアシストパターン３０１と、メインパターン３０１の他側方に配置された開口領域３０２とを有するパターン群を含む。 - 特許庁

To avoid the distortion of a semiconductor element pattern due to flares by sectioning a mask in a test pattern region and a chip pattern region and setting a fine pattern having a line width small enough to form no pattern in exposure on the test pattern region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、さらに詳しくは、マスク開口領域を縮小しフレア効果を減少させることにより、望むパターンを歪みなく転写させ得るようにした半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

The non-pattern is removed, the Ga oxide film under the non-pattern is removed together with the removal of the non-pattern making the pattern as a mask, the first protection layer and the second protection layer are formed to obtain a channel protective film.例文帳に追加

この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。 - 特許庁

At this time, an image on the substrate 1 is detected by a line CCD camera, and a first layer pattern on the substrate is taken as a reference pattern to detect whether the exposure pattern of the mask 3 coincides with the reference pattern or not.例文帳に追加

このとき、基板１上の画像をラインＣＣＤカメラにより検出し、基板上の第１層パターンを基準パターンとして、マスク３の露光パターンがこの基準パターンと一致しているか否かを検出する。 - 特許庁

Then, the pattern position is corrected by the portion of pattern displacement caused by the variation of the flatness from the time of measuring the pattern position to the posture in exposure to obtain the pattern position of the mask in the posture in exposure (step ST 5).例文帳に追加

そして、パターン位置の測定時から露光時の姿勢への平面度の変化に起因するパターン変位分だけパターン位置を補正して、露光時の姿勢におけるマスクのパターン位置を求める（ステップＳＴ５）。 - 特許庁

The mask pattern includes a first conductive pattern corresponding to a region for forming a product, a second conductive pattern corresponding to a frame part, and a third conductive pattern electrically connecting the first and second conductive patterns.例文帳に追加

マスクパターンは、製品形成領域に対応する第１導電性パターンと、枠部に対応する第２導電性パターンと、第１及び第２導電性パターンを電気的に接続する第３導電性パターンを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electroforming mold by which the need of precise mask positionings when a first pattern layer and a second pattern layer are formed is eliminated and the displacement of the first pattern layer and the second pattern layer is hardly caused.例文帳に追加

１層目のパターンを形成するときと２層目のパターンを形成するときのマスクの正確な位置合わせが不要となり、しかも、１層目のパターンと２層目のパターンの位置ずれがほとんど生じることがない。 - 特許庁

When the exposure pattern is not accorded with the reference pattern, the microlens arrays 2 are inclined from a direction parallel to the substrate 1 to adjust the exposure area on the substrate by the microlens arrays 2 and make the exposure pattern of the mask accord with the reference pattern.例文帳に追加

不一致の場合に、マイクロレンズアレイ２を基板１に平行な方向から傾斜させ、マイクロレンズアレイ２による基板上の露光領域を調整して、マスクの露光パターンを基準パターンに一致させる。 - 特許庁

After a pattern of the magnetic layer 12 is obtained by using the protective layer pattern 14P as a hard mask, the pattern of the magnetic layer 12 is exposed to the hydrogen plasma PLH to remove halogen active species adhering to the pattern of the magnetic layer 12.例文帳に追加

そして、保護層パターン１４Ｐをハードマスクにして磁性層１２のパターンを得た後に、磁性層１２のパターンを水素プラズマＰＬＨに晒して、磁性層１２のパターンに付着したハロゲン系の活性種を除去した。 - 特許庁

Then, the image on the substrate 1 is detected by a line CCD camera and whether the exposure pattern on the mask 3 is accorded with a reference pattern or not, with a first layer pattern on the substrate defined as the reference pattern.例文帳に追加

このとき、基板１上の画像をラインＣＣＤカメラにより検出し、基板上の第１層パターンを基準パターンとして、マスク３の露光パターンがこの基準パターンと一致しているか否かを検出する。 - 特許庁

The mask includes a first pattern repeating in a first direction, a second pattern having a first width W1 and arranged between the first patterns and parallel to the first pattern, and a supplemental pattern disposed between the first pattern and the second pattern and is spaced apart by a first distance D1 from the second pattern.例文帳に追加

該マスク及び方法は、第１方向に繰り返された第１パターンと、第１パターンの間に位置し、第１パターンと平行に配列される第１幅Ｗ１の第２パターンと、を備え、第１パターンと第２パターンとの間に配置され、第２パターンと第１間隔Ｄ１を維持する補助パターンを備える。 - 特許庁

A hard mask layer, having a first wiring pattern, is formed on a substrate whereon a metal layer is formed, a spacer is formed on the sidewall of the hard mask layer, and the metal layer is etched with a etching mask, comprising the hard mask layer and the spacer.例文帳に追加

金属層を形成されている基板の上に第１の配線パターンを有する硬マスク層を形成し、その後前記硬マスク層の側壁にスペーサを形成し、次に前記硬マスク層及びスペーサをエッチングマスクとして前記金属層をエッチングする。 - 特許庁

Respective pattern transfer images 17, 18 are simulated using defect data 15 formed on the basis of a mask image around a defect in a mask 2 and reference data 16 corresponding to the mask image in design data for fabrication of the mask 2.例文帳に追加

マスク２が有する欠陥周辺のマスク像に基づいて作成された欠陥データ１５、およびマスク２の製作用の設計データのうちマスク像に対応する参照データ１６を用いて、それぞれのパターン転写像１７，１８をシミュレートする。 - 特許庁

To provide a mask capable of providing a display of a deposition pattern capable of providing high luminance, and of preventing deformation of the mask itself; to provide a mask fixing device; and to provide a method of manufacturing a display manufactured by using a mask.例文帳に追加

本発明の目的は、高輝度を実現可能な蒸着パターンのディスプレイを得ることができ、マスクの変形を防止することができるマスク、マスク固定装置、及びマスクを使用して製造するディスプレイの製造方法を提供することである。 - 特許庁

In this method, loads are imposed on a mask structure consisting of a mask substrate provided with a rectangular window, wherein a mask pattern is formed on a thin film and a frame, in the in-surface directions and in the out-of-surface directions as to the front and rear surfaces of the mask structure.例文帳に追加

本発明は、薄膜上にマスクパターンが形成された矩形窓が設けられたマスク基板とフレームからなるマスク構造体に面内方向と、さらに該マスク構造体の表裏の面外方向から荷重を与えることを特徴とする。 - 特許庁

The mask making apparatus is characterised in that a partial mask pattern 110 formed by a two-dimensional micromirror 106 is moved by an XY stage to produce an enlarged mask pattern 111, which is reduced and projected by a reduction projecting optical system 102 onto a mask substrate 112 disposed in pure water 114 at 4°C.例文帳に追加

本発明では、二次元微小ミラー１０６によって形成された部分マスクパターン１１０をＸＹステージ１０９によって移動することで、拡大マスクパターン１１１が形成でき、これが縮小投影光学系１０２によって、水温４℃の純水１１４中に配置されているマスク基板１１２上に縮小投影される。 - 特許庁

The exposure apparatus 1 has a plurality of heads 3, each head 3 having a photomask 7 comprising a unit mask 27 that has a transmitting portion 47, a semitransmitting portion 45 and non-transmitting portion 43, or a photomask 55 comprising the unit mask 27 or a unit mask 28, with a pattern density of the unit mask in the periphery being smaller than a pattern density in a center portion.例文帳に追加

露光装置１はヘッド３を複数有し、ヘッド３は、透過部４７と半透過部４５と不透過部４３を有する単位マスク２７からなるフォトマスク７か、単位マスク２７又は単位マスク２８からなり、周囲の単位マスクのパターン密度が、中心部のパターン密度に比べて小さいフォトマスク５５を備える。 - 特許庁

After a shift between the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement and the pattern for interlayer shift measurement is measured, the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement is removed by ashing while the resist pattern in the display region is left, the remaining resist pattern in the display region is used as a mask to pattern the second layer in the method of manufacturing the display device.例文帳に追加

その後、層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンと層間ズレ測定用パターンとのズレを測定した後、アッシングにより表示領域に位置するレジストパターンを残しつつ層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンを除去し、残った表示領域のレジストパターンをマスクとして第２層をパターニングする表示装置の製造方法。 - 特許庁

In this aligner, the image of a pattern formed on a mask 1 is exposed to a substrate 8 by a projection optical system.例文帳に追加

露光装置は、マスク１に形成されたパターンの像を投影光学系により基板８に露光する。 - 特許庁

Using alignment information obtd. during exposing, the positioning is executed for exposing a mask pattern on the substrate.例文帳に追加

露光中に得られたアライメント情報を使用して、基板にマスクパターンを露光するときの位置決めを行なう。 - 特許庁

To form a conductor pattern on the surface of a substrate with high accuracy by a print method using a mask.例文帳に追加

マスクを使用する印刷方法を用いて基板の表面に導体パターンを高精度に形成する。 - 特許庁

To form a metallic film of a specific pattern with a fewer processes without a mask by a resist film.例文帳に追加

レジスト膜によるマスクなしに、少ない工程で、特定のパターンの金属膜を形成できるようにする。 - 特許庁

Because of this, a loading effect of etching caused by a density of a mask pattern can be inhibited.例文帳に追加

これによってマスクパターンの疎密に起因するエッチングのローディング効果を抑制する事が可能となる。 - 特許庁

To provide a photoresist composition which can form a pattern having excellent MEEF (Mask Error Enhancement Factor) and profile.例文帳に追加

優れたＭＥＥＦ及び形状を有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物を提供。 - 特許庁

To shorten a time required for alignment and transfer easily and accurately a mask pattern to each die of wafers.例文帳に追加

アライメントに要する時間を短縮し、マスクパターンを簡単にかつ精度よくウエハの各ダイに転写する。 - 特許庁

Meanwhile, at a masking unit B a random mask pattern is used and masking is performed with respect to 5 pl dot data.例文帳に追加

一方、５ｐｌのドットデータについては、マスク処理Ｂでランダムマスクパターンを用いてマスク処理を行う。 - 特許庁

A camera 23 acquires an image of a detection pattern 21 provided on a mask 2 and outputs an image signal.例文帳に追加

カメラ２３は、マスク２に設けた検出用パターン２１の画像を取得して、画像信号を出力する。 - 特許庁

To provide a method for producing a phase shift mask, capable of contributing to fineness and high accuracy of a circuit pattern.例文帳に追加

回路パターンの微細化や高精度化に貢献し得る位相シフトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

With an oxidized upper layer resist pattern 61 used as a mask, a lower layer resist 2 is patterned by dry-etching.例文帳に追加

酸化された上層レジストパターン６１をマスクとして、ドライエッチングにより下層レジスト２をパターニングする。 - 特許庁

MASK AND METHOD FOR PATTERN TRANSFER, EXPOSURE METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

パターン転写用マスク、パターン転写方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁

The substrate is etched with use of the resist pattern 3 as a mask to form a contact hole 4 in the TEOS film 2.例文帳に追加

このレジストパターン３をマスクとしたエッチングにより、ＴＥＯＳ膜２内にコンタクトホール４を形成する。 - 特許庁

An aligner exposes the pattern of a mask (M) to a photosensitive substrate (W) via a projection optical system (PL).例文帳に追加

マスク（Ｍ）のパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して感光性基板（Ｗ）上に露光する露光装置。 - 特許庁

In an exposure equipment, a mask 20 for exposure has an arrangement of a plurality of pattern areas 20a corresponding to a display panel.例文帳に追加

露光用マスク２０は、表示パネルに対応するパターン領域２０ａが複数個配列されている。 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING LOCAL VARIANCE IN MASK PATTERN, METHOD FOR ASSURING LOCAL VARIANCE, AND INSPECTION PROGRAM FOR LOCAL VARIANCE例文帳に追加

マスクパターンのローカルばらつき検査方法、ローカルばらつき保証方法、及びローカルばらつき検査プログラム - 特許庁

To provide a method and jig for simple mask alignment by which a resist pattern can be formed at a low cost.例文帳に追加

低コストでレジストパターン形成を行うことができる簡易マスクアライメント方法及び治具を提供する。 - 特許庁

To provide a phase shift mask blank with which a fine pattern is stably transferred with high accuracy.例文帳に追加

微細なパターンを高い精度で安定的に転写することが可能な位相シフトマスクブランクを提供すること。 - 特許庁

To provide a screen mask which can easily form a printing pattern of high precision and high density with no bleeding.例文帳に追加

滲みがなく、高精度かつ高密度な印刷パターンを容易に形成可能なスクリーンマスクを提供する。 - 特許庁

In a surface of a mask 3, holes 3a are formed in the same planar pattern as that of the surface of the intaglio 1.例文帳に追加

マスク版３の表面には、凹版１表面と同じ平面パターンで孔３ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a photoresist composition which can form a pattern having an outstanding mask error enhancement factor.例文帳に追加

優れたマスクエラーエンハンスメントファクターを有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND RECOGNITION PATTERN MASK AND METHOD FOR SPECIFYING MEMORY CELL POSITION例文帳に追加

半導体記憶装置及びその製造方法及び認識パターンマスク及びメモリセル位置特定方法 - 特許庁

Hereupon, in the aged-deterioration counteracting step 50, the initial-mask layout pattern 10 is modified based on the evaluated results.例文帳に追加

経年劣化対策ステップ５０では、評価結果に基づいて初期マスクレイアウトパターン１０を修正する。 - 特許庁

The resist pattern is used as a mask for a dry etching method to transfer the figure onto a substrate material.例文帳に追加

このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いることで、基板材料に形状転写する。 - 特許庁

To provide a laser machining machine capable of suitably forming a complex pattern without using a shielding mask.例文帳に追加

遮蔽マスクを用いずとも複雑なパターンを好適に形成することのできるレーザ加工機を提供する。 - 特許庁