「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

Prior to recess etching, at an opening of the pattern mask 37, the oxide film 39 formed in the O_2 plasma treatment 38 is removed, and then, etching is performed through the pattern mask 37 to form the recess 34.例文帳に追加

リセスエッチング工程の前に、パターンマスク３７の開口部において、Ｏ_2 プラズマ処理３８の実施のために形成された酸化膜３９を除去し、その後、パターンマスク３７を介してエッチングを実施し、リセス３４を形成する。 - 特許庁

By the method for making mask pattern data, a proximity correction mask with high accuracy and no correction defect can be obtained in a short period of time while keeping the process margin in a complicated LSI pattern.例文帳に追加

以上のように、本発明のマスクパターンデータ作成方法によれば、複雑なＬＳＩパターンにおいて、プロセス余裕度を保ちながら補正欠陥の無い高精度な近接効果補正マスクを短時間で提供することができる。 - 特許庁

The method includes a step of identifying a target pattern having a plurality of features, including horizontal and vertical features, and a step of generating a horizontal mask based on the target pattern, where the horizontal mask includes low contrast vertical features.例文帳に追加

水平および垂直フィーチャを含む複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、前記ターゲットパターンに基づいて水平マスクを作成するステップを含み、水平マスクは低コントラスト垂直フィーチャを含む。 - 特許庁

METHOD OF MAKING PATTERN FOR EXPOSURE, METHOD OF MAKING MASK FOR EXPOSURE, MASK FOR EXPOSURE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PROGRAM FOR MAKING PATTERN FOR EXPOSURE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM RECORDED WITH THE PROGRAM例文帳に追加

露光用パターンの作成方法、露光用マスクの作成方法、露光用マスク、半導体装置の製造方法、半導体装置、露光用パターン作成用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 - 特許庁

The mask pattern 36 is removed and a mask pattern 37 is formed on the surface of the substrate 21 so that a substrate processing area including the concave 27 may be formed into a prescribed shape.例文帳に追加

その後に、上記凹部形成用マスクパターン３６を除去し、然る後に、凹部２７を含む基板加工領域を設定の形状に加工するための成形用マスクパターン３７を半導体基板２１の表面に形成する。 - 特許庁

EXPOSING PATTERN SHARING METHOD, EXPOSING MASK GENERATING METHOD, EXPOSING MASK, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, EXPOSING PATTERN SHARING PROGRAM AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM STORING THE PROGRAM例文帳に追加

露光用パターンの振り分け方法、露光用マスクの作成方法、露光用マスク、半導体装置の製造方法、半導体装置、露光用パターンの振り分け用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 - 特許庁

To provide an EUV exposure mask for leaving a buffer film, in which a pattern defect of an absorbing film is corrected and a decrease in a reflection rate is prevented, and to provide a pattern forming method employing the mask.例文帳に追加

緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an EUV exposure mask for leaving a buffer film, in which a pattern defect of an absorbing film is corrected and deterioration of a reflection rate is prevented, and to provide a pattern forming method employing this mask.例文帳に追加

緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask pattern verification device capable of easily and accurately retrieving a conductive path with a constant potential, and displaying the retrieval result in an easily viewable configuration for the mask pattern of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路のマスクパターンについて、同一電位の導通経路を容易にかつ正確に検索することができ、その検索結果を見やすい形態で表示することができるマスクパターン検証装置を提供する。 - 特許庁

A mask pattern covering film for covering a pattern formed on a mask base is provided which contains a silicone polymer, is transparent to an exposure wavelength and has a refractive index at the exposure wavelength in a range of 1.5-1.8.例文帳に追加

シリコーンポリマーを含有し、露光波長に透明で、かつ露光波長における屈折率が１．５〜１．８の範囲である、マスク基盤上に形成されたパターンを被覆するためのマスクパターン被覆膜を提供する。 - 特許庁

Then, in the first mask opening, a gradation region where film thickness is gradually reduced to the upper/lower edges or right/left edges of the film formation pattern is formed, and, in the second mask opening, the whole pattern is formed, so as to be a uniform film thickness.例文帳に追加

そして第１のマスク開口では成膜パターンの上下又は左右端に膜厚さが漸減するグラデーション領域を形成し、第２のマスク開口ではパターン全体を均一な膜厚さに形成する。 - 特許庁

To provide a method of estimating a relative profile of a residual film thickness (pattern ratio profile for CMP) between active condensation and rarefaction regions after CMP, based on the layout of a mask pattern within a one-chip mask region.例文帳に追加

ワンチップマスク領域内でのマスクパターンのレイアウトに基づいて、ＣＭＰ後のアクティブ疎密領域間における残膜の相対的な残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ分布）を推定するための方法を提供する。 - 特許庁

The method includes the steps of: identifying a target pattern having a plurality of features including horizontal and vertical features; and generating a horizontal mask based on the target pattern, where the horizontal mask includes low contrast vertical features.例文帳に追加

水平および垂直フィーチャを含む複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、前記ターゲットパターンに基づいて水平マスクを作成するステップを含み、水平マスクは低コントラスト垂直フィーチャを含む。 - 特許庁

The method includes determining an aerial image of the mask pattern at a substrate level; convolving the aerial image with at least two orthogonal convolution kernels; and determining a resist image representing the mask pattern in the resist.例文帳に追加

この方法は、基板レベルでマスクパターンの空間像を決定することと、少なくとも２つの直交畳み込みカーネルによって空間像を畳み込み、レジスト内のマスクパターンを表すレジスト像を決定することとを含む。 - 特許庁

Then, the reference mask correction amount and the change amount information are extracted corresponding to the pattern from association information in which the pattern, the reference mask correction amount, and the change information are associated with each other.例文帳に追加

そして、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報から、前記パターンに対応する基準マスク補正量および変化量情報を抽出する。 - 特許庁

The line-type pattern and the mask film are patterned at the same time, thereby forming on the lower dielectric film 12 a groove for wiring, that is at right angles with a line-type pattern 15a.例文帳に追加

ラインタイプパターンとマスク膜とを同時にパターニングして下部絶縁膜１２上にラインタイプパターン１５ａと直交する配線用溝を形成する。 - 特許庁

According to the pitch of the pattern, a correction quantity is calculated by using the rule base to correct data for pattern inspection and then data for phase shift mask correspondence inspection.例文帳に追加

次いで、パターンのピッチに基づいて、ルールベースから補正量を算出してパターン検査用データを補正して、位相シフトマスク対応検査用データを作成する。 - 特許庁

The photomask includes a fine pattern 53 in a mask pattern region corresponding to the formation of a hole He on an upper face of the optical path difference adjusting layer 57 which constitutes a color filter.例文帳に追加

カラーフィルタを構成する光路差調整層５７上面のホールＨｅの形成に対応したマスクパターン領域に微細パターン５３が設けられている。 - 特許庁

In addition, a pattern with the second block phases is left in the second area except the overlapping area, and the processed film is etched using the remaining pattern as a mask.例文帳に追加

また、重なり領域を除く第２の領域に第２のブロック相のパターンを残存させ、残存したパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of creating a mask pattern facilitating formation of a fine pattern with high accuracy in a lithographic process using a reflective optical system.例文帳に追加

反射型光学系を用いるリソグラフィ工程において微細なパターンを高精度に形成することができるマスクパターンデータの生成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for reducing the number of processes in pattern formation using a mask material on a sidewall of a core material pattern.例文帳に追加

芯材パターンの側壁に形成するマスク材を利用したパターン形成において工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to pattern a film with good accuracy while suppressing the occurrence of damages of a resist in a method for forming a mask including a pattern forming process by lift-off.例文帳に追加

リフトオフによるパターンの形成工程を含むマスクの形成方法に関し、膜を精度良くパターニングし、しかもレジストのダメージ発生を抑制すること。 - 特許庁

To provide a formation method of a hard mask pattern of fine pitch by which pattern formation of fine pitch exceeding the resolution limit in a photo lithography process can be achieved.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのパターン形成を実現可能とする、微細ピッチのハードマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A division region is set in a mask pattern, and a virtual line perpendicular to the pattern is set as a second positioning mark in each division region.例文帳に追加

マスタパターン中に分割領域を設定し、パターンと直交する仮想のラインを第２の位置決めマークとして設定することを分割領域毎に行う。 - 特許庁

Data of the surrounding pixels in a region demarcated by a predetermined mask template are checked by a bit pattern specified by a predetermined pattern template.例文帳に追加

このウィンドウ中、所定のマスク・テンプレートによって画定される範囲のピクセルのデータが、所定のパターン・テンプレートによって規定されるビットパターンと照合される。 - 特許庁

To obtain a method of forming a wiring pattern that requires no mask, responds flexibly to a change in the wiring pattern, and wastes no solution in a coating process.例文帳に追加

マスクを必要とせず、配線パターンの変更に柔軟に対応でき、また、塗布工程において溶液を浪費することがない配線パターン形成方法を得る。 - 特許庁

At a second process termination point (c), the pattern widths of the mask layer and the anti-reflection coating are uniformly adjusted in the entire region of a wafer regardless of pattern densities.例文帳に追加

第２工程終了時点（ｃ）では，マスク層および反射防止膜のパターン幅は，パターン密度に関わらず，ウェハ全域で均一に調整される。 - 特許庁

Thus, an etching pattern corresponding to the mask pattern can be formed with high accuracy, and therefore a surface structure having excellent shape characteristics can be formed.例文帳に追加

これにより、マスクパターンに対応したエッチングパターンを高精度に形成でき、形状特性に優れた表面構造を形成することが可能となる。 - 特許庁

The deposition pattern of the resulting substrate 102 thus exhibits a density greater than density of the deposition mask aperture 112 while avoiding deposition pattern distortion.例文帳に追加

従って、得られる基板１０２の蒸着パターンは、蒸着マスク開口１１２の密度よりも高い密度を示す一方で、蒸着パターンの歪みが回避される。 - 特許庁

A mask 1 has a cylindrical shape, and has a herringbone groove pattern formed on the outer peripheral surface thereof, and a spiral groove pattern formed on the lower surface of a flange part thereof.例文帳に追加

マスク１は、円筒状の形状であり、外周面にヘリングボーン溝パターンが形成され、鍔部の下面にスパイラル溝パターンが形成されている。 - 特許庁

By developing the resist film 313, a resist pattern is formed and etching is executed to the semiconductor layer 312 by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

レジスト膜３１３を現像することによって、レジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして半導体層３１２に対してエッチングを行なう。 - 特許庁

A photo-mask 81 used in the formation of this photo-resist pattern 82 is provided with a recessed pattern 81f at the corner 81e of the step 81d in the width direction.例文帳に追加

このフォトレジストパターン８２の形成に用いるフォトマスク８１には、その幅方向の段差８１ｄのコーナー部８１ｅに、凹部パターン８１ｆを設ける。 - 特許庁

The resolution of the pattern can be enhanced and ≤0.25μm resist pattern can be resolved and ≤0.25μm track width can be formed by using the phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いることにより、パタ−ンの解像度の向上が図れ、0.25μｍ以下のレジストパタ−ンを解像でき、0.25μｍ以下のトラック幅が形成可能となる。 - 特許庁

An assignment part 56 assigns the pass mask pattern selected by the assigned pattern selection part 55 to the data after the binarization processing by the binarization part 53.例文帳に追加

割り当て部５６は、割り当てパターン選択部５５により選択されたパスマスクパターンを、二値化部５３による二値化処理後のデータに対して割り当てる。 - 特許庁

To provide a pattern transferring device with which a high throughput is obtained when a mask pattern is repeatedly transferred to a substrate.例文帳に追加

この発明は基板にマスクのパターンを繰り返して転写する場合に、高いスループットを得ることができるパターン転写装置を提供することにある。 - 特許庁

Then the liquid is exposed through a mask 4 having a specified reverse pattern and developed to produce a master model 6 having the resist film 5 with the desired pattern.例文帳に追加

その後、所定の反転パターンを有するマスク４を介して露光して現像し、所望するパターンをレジスト膜５に備えたマスターモデル６を作製する。 - 特許庁

In a data division process 103, input mask layout design data are divided into a plurality of layout pattern groups according to the layout pattern division condition.例文帳に追加

データ分割工程１０３では、入力されたマスクレイアウト設計データを前記レイアウトパターン分割条件に従って複数のレイアウトパターン群に分割する。 - 特許庁

To provide a metallic mask for spray coating which is capable of improving the contour of a corner part of a thin film pattern applied by spraying to improve the precision of the thin film pattern.例文帳に追加

スプレー塗布された薄膜パターンのコーナ部の輪郭を改善し、薄膜パターンの精度を向上し得るスプレー塗布用メタルマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a superior pattern causing no crack even when the line width of the remaining pattern in a butting part is ≤130 nm, and also to provide a mask.例文帳に追加

突合せ部の残しパターンの線幅が１３０ｎｍ以下になっても亀裂を生じることのない優れたパターン形成方法およびマスクを提供する。 - 特許庁

Which pattern group, out of the pattern groups, pulse light PL is radiated to is selected by operating a mask moving mechanism 322a.例文帳に追加

そして、マスク移動機構３２２ａを動作させることにより、これらのパターン群のいずれに対してパルス光ＰＬを照射するかを選択することができる。 - 特許庁

This exposure device is provided with the blind device 10 regulating the illuminating area of a mask R having a pattern, and a pattern image transmitted through the illuminating area is exposed on a base plate P.例文帳に追加

パターンを有したマスクＲの照明領域を規定するブラインド装置１０を備え、照明領域を透過したパターン像を基板Ｐに露光する。 - 特許庁

A photoresist film PR on which a mask pattern image is projected is developed, whereby shape information of a resist pattern formed on a wafer W is obtained.例文帳に追加

マスクパターン像が投影されたフォトレジスト膜ＰＲが現像されることによってウエハＷに形成されるレジストパターンの形状情報を取得する。 - 特許庁

To inspect whether a foreign matter is present on a pattern surface of a mask and an exposure surface of a substrate to be exposed before the pattern surface and exposure surface are put closer to each other.例文帳に追加

マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前に、パターン面や露光面について異物有無の検査を行う。 - 特許庁

A metallic mask pattern 6 in a periodic grating pattern is formed (d) and used to form rugged gratings on the organic double-refracting film 3 (e).例文帳に追加

周期的な格子模様の金属マスクパターン６を形成して（ｄ）、該金属マスクパターン６を用いて有機複屈折膜３に凹凸格子を形成する（ｅ）。 - 特許庁

An identification/recognition decision circuit 4 collates the normalized image pattern with the binarized mask pattern in each the category to execute the identification, rejection or recognition processing.例文帳に追加

同定・認識判定回路４は、正規化画像パターンと各カテゴリ別の２値マスクパターンとを照合して、同定、棄却または認識処理を行う。 - 特許庁