「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pattern drawing device which is capable of early finding out a defect having a high urgency level on a mask and of shortening the inspection time of the mask.例文帳に追加

マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができるパターン描画装置を提供する。 - 特許庁

An erect image of the wiring pattern of the mask is projected by a projection optical system 9 onto the wiring board 20 synchronously moving with the mask on a wiring board stage 10.例文帳に追加

そして、マスクの配線パターンの正立像が、投影光学系９によって配線基板ステージ１０上でマスクと同期して移動している配線基板２０に投影される。 - 特許庁

When aberration is measured by using the aberration measuring mask, the aberration measuring mask is irradiated with the exposure light, to transfer the pattern on a photosensitive agent so as to be developed.例文帳に追加

このような収差測定用マスクを用いて、収差を測定する場合、収差測定用マスクに、露光光を照射し、感光剤に、このパターンを転写し、現像する。 - 特許庁

Wiring patterns are exposed with an exposure mask to the photosensitive resin films of back and front surfaces of an insulating substrate by using parallel light, and subsequently a side pattern is exposed with a different exposure mask to the photosensitive resin film of the side surface of the above insulating substrate by using parallel light.例文帳に追加

そのために、基板の厚みが厚い場合には側面パターンの中央部分の幅が狭くなって途中で切断されてしまうという問題があった。 - 特許庁

To provide a production method for photo mask, with which desired dimension or position accuracy is provided with high yield in respect to the mask patterns of different intra-plane apertures or pattern densities.例文帳に追加

面内の開口率やパターン密度が異なるマスクパターンに対して、収率良く所望の寸法精度や位置精度を得るフォトマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The mask holding system includes a support device and a holding device, wherein the holding device releasably couples a mask, e.g. a patterning device such as a reticle having a pattern, to the support device.例文帳に追加

マスク保持システムは、サポートデバイスおよび保持デバイスを含み、保持デバイスはマスク、例えば、パターンを有するレチクルなどのパターニングデバイスをサポートデバイスに取外し可能に結合する。 - 特許庁

To detect the missing of a mask pattern or a deposit using transmission electrons instead of reflection electrons when inspecting the defect of a scattering-type mask by applying electron beams.例文帳に追加

電子線を照射して散乱型マスクの欠陥検査を行なう際、反射電子ではなく透過電子を用いてマスクパターンの抜けあるいは付着物の検出を行なう。 - 特許庁

The method also comprises the steps of developing the layer 38 and forming a resist pattern, in which openings 40 are alternately formed at the openings of the first mask 33 and the openings of the second mask 34.例文帳に追加

そしてフォトレジスト層３８を現像して第一マスク３３の開口と第二マスク３４の開口で交互に開口部４０…を形成したレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The pattern has a low spatial frequency when the mask is arranged near the lens, and has a high spatial frequency when the mask is arranged near the sensor.例文帳に追加

当該パターンは、マスクがレンズの近くに配置される場合に低空間周波数を有し、マスクがセンサの近くに配置される場合に高空間周波数を有する。 - 特許庁

A design pattern reduces complementary patterns SP1, SP2, which are divided complementarily, by an amount of a size variation, and mask patterns CP1, CP2 after reducing are formed on the mask.例文帳に追加

設計パターンが相補分割された相補パターンＳＰ１，ＳＰ２を寸法変動量だけ縮小させ、縮小後のマスクパターンＣＰ１，ＣＰ２をマスクに形成する。 - 特許庁

Then, by using a mask where a mask pattern to be exposed to a resist film R2 is formed, the resist film R2 formed on the substrate W is exposed with the decided exposure.例文帳に追加

そして、レジスト膜Ｒ２に露光すべきマスクパターンが形成されたマスクを用いて、基板Ｗに形成されたレジスト膜Ｒ２を決定された露光量により露光する。 - 特許庁

To provide a method which does not receive the influence of the minute particles remaining on a mask while being capable of certainly filling up the pattern of the mask with the minute particles, such as a solder ball.例文帳に追加

マスクのパターンに半田ボールなどの微小粒子を確実に充填できる共に、マスクに残存する微小粒子の影響もない方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the etching mask transfers, develops, and trims an exposure pattern 10 of linear shape in a photo resist 11 using a first reticle, then etches an SiO_2layer 12 making this as a mask.例文帳に追加

第１のレチクルを用いて、フォトレジスト１１に直線状の露光パターン１０を転写、現像、トリミングした後、これをマスクとしてＳｉＯ_2層１２をエッチングする。 - 特許庁

By using an unmagnified mask 12 formed so that a plurality of identical patterns 11 may be arranged in one vertical row, X-ray 10 is projected upon one pattern of the mask 12 at the same mgnification.例文帳に追加

複数の同じパターン１１が上下一列に並ぶように形成されている等倍マスク１２を用い、Ｘ線１０を等倍マスクの一つのパターンに照射される。 - 特許庁

To provide a near-field exposure mask, a resist pattern formation method, and a device manufacturing method capable of securing close contact between a mask and an exposure target over a large area.例文帳に追加

大面積にわたってマスクと被露光物との密着を確保することのできる近接場露光用マスク、レジストパターン形成方法、デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately transfer a pattern of a mask to a photosensitive substrate by holding down interference of vibration caused by movement of a substrate stage with vibration caused by movement of a mask stage.例文帳に追加

基板ステージの移動に伴う振動とマスクステージの移動に伴う振動との干渉を小さく抑えて、マスクのパターンを感光性基板に正確に転写する。 - 特許庁

Further, the print mask to be set on the substrate is extended so that the size of the aperture pattern forming area of the print mask 2 is adjusted to the size of the print object area in the substrate.例文帳に追加

また、印刷マスク２の開口パターン形成領域のサイズを基板の印刷対象領域のサイズに合わせるように、基板上にセットする印刷マスクを伸張させる。 - 特許庁

The beams passed through the mask 6 exposes the wafer 9 and transfers the image of a pattern formed in the subfield of the mask 6 to the wafer 9 by forming images on the wafer 9 through an optical transfer system 8.例文帳に追加

マスク６を通過したビームは、転写光学系８により、ウエハ９上に結像し、マスク６のサブフィールドに形成されたパターンの像をウエハ９に露光転写する。 - 特許庁

To provide a stencil mask with which an appropriate pattern can be formed through one time of exposure in a case where fine patterns and rough patterns coexist, and to provide a method of manufacturing the mask.例文帳に追加

微細なパターンと粗大なパターンとが混在する場合において、１回の露光で適正なパターンが形成できるステンシルマスク及びその製法を提供する。 - 特許庁

In the mask that is complementarily divided in the electron beam projection exposure, a pattern requiring high dimensional accuracy and the other patterns are arranged at one mask and the other masks, respectively.例文帳に追加

電子線投影露光における相補分割されたマスクにおいて、一つのマスクに高い寸法精度が要求されるパターンを、他方のマスクにそれ以外のパターンを配置する。 - 特許庁

To provide an X-ray mask which is equipped with a circuit pattern for transfer, having high position precision and can be manufactured through a simplified manufacturing process and the manufacturing method for the mask.例文帳に追加

高い位置精度を有する転写用回路パターンを備え、簡略化した製造工程で製造することが可能なＸ線マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This halftone phase shift mask consists of a halftone phase shift mask structure having resist deposited on the halftone films of wafer alignment mark parts and the light shielding belt parts existing on the outside of pattern forming regions.例文帳に追加

ウェハ合わせマーク部のハーフトーン膜上とパターン形成領域の外側にある遮光帯部にレジストが被着されたハーフトーン位相シフトマスク構造とする。 - 特許庁

By using the metal mask for vapor deposition, the difference in the thermal expansion between the glass substrate and the mask is eliminated, and a vapor deposition pattern with high positional precision can be formed.例文帳に追加

この蒸着用メタルマスクを用いることにより、ガラス基板とマスクとの熱膨張差が無くなり、位置精度の良い蒸着パターンを形成することができる。 - 特許庁

This mask manufacturing method is used for manufacturing a mask having a silicon substrate with an opening pattern formed thereon and has an etching process for thinning the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のマスク製造方法は、開口パターンが形成されたシリコン基板を有するマスクを製造する方法であって、シリコン基板を薄くするためのエッチング工程を有する。 - 特許庁

To provide a method of suppressing loss in critical dimension of a mask pattern during cleaning by irradiating the mask with UV rays.例文帳に追加

本発明は、マスクに紫外線を照射することにより、洗浄時におけるマスクパターンのクリティカルディメンジョンの損失を抑える方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A mask is lit up with the exposure light emitted by an optical integrator 14 which forms light source images and part of the pattern of the mask is repeatedly exposed on the substrate.例文帳に追加

複数の光源像を形成するオプティカルインテグレータ１４を射出した露光光によりマスクを照明し、マスクのパターンの一部を基板上で重複露光する。 - 特許庁

To a photo mask utilized at the time of forming a spiral coil conductor pattern on the surface of a mother board, plural mask patterns 14a are arranged in a matrix shape.例文帳に追加

マザー基板の表面にスパイラル状コイル導体パターンを形成する際に利用するフォトマスクには、複数のマスクパターン１４（１４ａ，１４ｂ）がマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

Then a mask 13 is disposed facing the photoresist 12, and the photoresist 12 is irradiated with UV rays through an opening 13a of the mask 13 to be exposed according to a specified pattern.例文帳に追加

ついで、フォトレジスト１２にマスク１３を対向させ、マスク１３の開口１３ａを通してフォトレジスト１２に紫外線を照射し、フォトレジスト１２を所定パターンに露光させる。 - 特許庁

The third mask pattern is allowed to function as an etching mask, and the polysilicon film 112 and an inter-layer insulator film 110 are etched so as to allow the etching inhibiting film to be exposed on the surface of a bottom.例文帳に追加

第３マスクパターンをエッチングマスクにして、エッチング阻止膜が底面に露出するようにポリシリコン膜１１２及び層間絶縁膜１１０をエッチングする。 - 特許庁

To provide a reflective mask capable of preventing deterioration of defect detection sensitivity in mask pattern inspection while reducing an influence of a flare in exposure.例文帳に追加

露光時のフレアの影響を低減しつつ、マスクパターン検査の際に欠陥検出感度の低下を防止できる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for generating a mask pattern, generation unit of mask and management unit of offset are set separately and a table to be used is managed by the position of a nozzle.例文帳に追加

マスクの生成単位とオフセットの管理単位を別々に設定し、ノズルの位置によりどのテーブルを使用するかを管理することを特徴とするマスクパターン生成方法。 - 特許庁

To provide a device for creating a mask pattern for creating layout design data capable of improving a data ratio.例文帳に追加

データ率を向上することが可能なレイアウト設計データを生成するマスクパターン生成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold for imprinting, having a high-accuracy fine pattern formed by using a mask blank.例文帳に追加

マスクブランクを用いて高精度の微細パターンが形成されたインプリント用モールドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve transfer accuracy of a mask pattern onto a substrate, irrespective of the position of an exposure object region on the substrate.例文帳に追加

露光対象領域の基板上の位置に拘わらず、マスクパターンの基板への転写精度を向上させる。 - 特許庁

To improve the total throughput by reducing the number of exchange of a mask pattern or wasteful movements of a wafer.例文帳に追加

マスクパターンの交換回数もしくは無駄なウエハの移動を減らすことで、トータルのスループットを向上させること。 - 特許庁

METHOD OF FORMING COLOR FILTER OF SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND PATTERN MASK SET FOR SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE例文帳に追加

固体撮像素子のカラーフィルタ形成方法及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子用パターンマスクセット - 特許庁

Then, the supporter film, an Si layer 9 and an SiGe layer are successively dry-etched while using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

そして、このレジストパターンをマスクに支持体膜、Ｓｉ層９及びＳｉＧｅ層を順次ドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an exposure mask to easily assure dimensional changes in a device pattern.例文帳に追加

デバイスパターンの寸法変動を容易に保証することができる露光用マスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for exposing a resist layer on a substrate to an image of a pattern on a mask, and a lithographic projection apparatus.例文帳に追加

基板上のレジスト層をマスクの模様の像に露光する方法、およびリソグラフィ投影装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type mask having high pattern transfer precision.例文帳に追加

本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

The secondary area of the covering layer 3 is partially etched via the second etching mask to form a salient pattern.例文帳に追加

カバリング層３の副領域は、第２のエッチングマスクを介して部分的にエッチングされ、突出パターンが形成される。 - 特許庁

To provide a method for exposing a resist layer of a substrate to a mask pattern image, and provide a lithography projection apparatus.例文帳に追加

基板上のレジスト層をマスクの模様の像に露光する方法、およびリソグラフィ投影装置を提供する。 - 特許庁

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM USING THE SAME, RESIST COATED MASK BLANK, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加

化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can minimize the deformation of a pattern caused by damage to a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクの損傷によるパターンの変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cleaning liquid is supplied to the surface where the pattern of the mask 2 is formed, and the cleaning liquid is removed by spin drying.例文帳に追加

マスク２のパターンが形成された面へ洗浄液を供給し、スピン乾燥により洗浄液を除去する。 - 特許庁