「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

At least one part of the 1st patterns 53 and 55 and at least one part of the 2nd pattern 54 are a common pattern, and the common pattern 44 and non-common patterns 45a and 45b different from the common pattern 44 are formed as the 1st patterns 53 and 55 and the 2nd pattern 54 on the mask M.例文帳に追加

第１パターン５３，５５の少なくとも一部と第２パターン５４の少なくとも一部とは共通のパターンであり、マスクＭに、第１パターン５３，５５と第２パターン５４として、共通パターン４４と共通パターン４４とは異なる非共通パターン４５ａ，４５ｂとを形成する。 - 特許庁

In more particularly disclosed procedure, the etching selection ratio at each position corresponding to the pattern is obtained in accordance with the pattern to be formed on a substrate, the figure of the resist pattern is determined based on the etching selection ratio, and a gray scale mask pattern resulting the resist pattern is determined.例文帳に追加

手順をより細かく分解すると、基板上に形成すべきパターンの形状に応じて、そのパターンに対応する各場所でのエッチング選択比を求め、このエッチング選択比を元に、レジストパターンの形状を決定し、そのレジストパターンを与えるようなグレースケールマスクパターンを決定する。 - 特許庁

To provide a mask for manufacturing a semiconductor device, and its manufacturing method and exposing method which improve exposure characteristics by performing multiple exposure under the best lighting conditions for a rough pattern and a fine pattern when exposure to a pattern having both the rough pattern and fine pattern is carried out.例文帳に追加

疎のパターンと密のパターンが混在するパターンを露光する場合に、疎のパターン及び密のパターンそれぞれに最適な照明条件で多重露光することにより露光特性を向上させた半導体装置製造用マスク、その製造方法及び露光方法を提供する。 - 特許庁

In the photomask, a chip pattern layout area 2 includes a mark pattern portion 3 including mark patterns 5, 6 to transfer marks onto a wafer, separately from a semiconductor chip pattern portion 1, and therefore, the chip size of the semiconductor chip can be reduced compared to a mask having a semiconductor chip pattern portion including a mark pattern.例文帳に追加

このフォトマスクでは、チップパターン配置領域２が、マーク類をウエハ上に転写するためのマークパターン５、６を含むマークパターン部３を半導体チップパターン部１とは別個に有するので、半導体チップパターン部がマークパターンを含んでいる場合に比べて、半導体チップのチップサイズを縮小できる。 - 特許庁

In an entry compressing/extending method in a packet relay device which performs flow identification based on entries in a flow table, it is determined whether a new pattern to be newly registered is an incremental pattern with respect to a flow identification pattern of an entry; and if it is the incremental pattern, a mask pattern of the entry is changed.例文帳に追加

フローテーブルのエントリに基づき、フロー識別を行うパケット中継装置におけるエントリ圧縮伸長方法において、新たに登録する新規パターンがエントリのフロー識別パターンに対しインクリメンタルパターンであるか判定し、インクリメンタルパターンであった場合、エントリのマスクパターンを変更する。 - 特許庁

To provide a phase shift mask for forming a pattern having excellent dimensional uniformity at a low cost without decreasing the integration degree, and to provide a method for forming a pattern by using the above phase shift mask and a method for manufacturing an electronic device.例文帳に追加

集積度を低下させることなく、かつ低コストで、寸法均一性に優れたパターンを形成できる位相シフトマスク、その位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A color correction processing section 51 selects the color correction table to be used for color correction processing for each pixel on the basis of a mask pattern stored in a mask pattern storage section 54 and uses the selected color correction table to perform color correction processing of each pixel.例文帳に追加

色補正処理部５１は、マスクパターン記憶部５４に記憶させておいたマスクパターンに基づいて色補正処理に用いる色補正テーブルを画素毎に選択し、選択した色補正テーブルを用いて各画素の色補正処理を行う。 - 特許庁

The photomask has a mask pattern on one principal face of a transparent substrate, wherein the principal face including the mask pattern is covered with a thin film layer having a refractive index higher than that of air and high refractive index for exposure light.例文帳に追加

透明基板の一主面側にマスクパターンを有するフォトマスクにおいて、前記マスクパターンを含む一主面側が、空気より屈折率が高く露光光に対して透過率の高い薄膜層で覆われていることを特徴とする。 - 特許庁

As for a region 17 of the mask for correction corresponding to a no pattern region, the region is divided into two and an opening corresponding to the pattern region 1 placed on the opposite side is provided in a region 2 of the mask for correction which is divided into two.例文帳に追加

非パターン領域に対応する補正用マスクの領域１７については、この領域を２分割し、対岸に位置するパターン領域１に相当する開口を、２分割した補正用マスクの領域２に設ける。 - 特許庁

This pattern can be used to create an optical phase standard for calibrating phase metrology equipment for attenuated phase masks or as a witness pattern on a product mask, to verify the phase accuracy of that mask.例文帳に追加

このパターンは、減衰位相マスク用の位相測定装置を較正するために、またはそのマスクの位相精度を確かめるための製品マスク上の証明パターンとして、光学位相標準を作るために使用することができる。 - 特許庁

The light-propagating layer 2 is formed by forming a reflection film mask pattern 3A which reflects a laser beam on the surface of a glass 1 and irradiating the inner part of the glass 1 with femtosecond laser beams 7 through the reflection film mask pattern 3A.例文帳に追加

ガラス１の表面にレーザビームを反射する反射膜マスクパターン３Ａを形成することにより、ガラス１の内部に反射膜マスクパターン３Ａを介してフェムト秒レーザビーム７を照射して光伝搬層２を形成する。 - 特許庁

Degassing treatment is performed to remove water from a low-permittivity film 103 while a mask pattern layer such as an inorganic mask layer 104 and a resist pattern 105 is formed at the upper section of the low-permittivity film (the film to be etched) 103.例文帳に追加

低誘電率膜（被エッチング膜）１０３の上部に無機マスク層１０４やレジストパターン１０５などのマスクパターン層が形成された状態で、低誘電率膜１０３から水分を除去するための脱ガス処理を行う。 - 特許庁

The etched side face 17 thereby inclines onto the groove 10 side and is connected to the groove at the groove bottom part to remove a part between the outline 13 of the second mask pattern and the outline 4 of the first mask pattern 1.例文帳に追加

それによってエッチング側面１７は溝１０側に傾斜し、溝底部でその溝と接続することにより第２マスクパターンの輪郭１３と前記第１マスクパターン１の輪郭４の間の部分を除去することができる。 - 特許庁

The silicon nitride film 17 is removed using the mask of a resist pattern 19, the resist pattern 19 is removed, the gate oxide film 11 is removed using the mask of the silicon nitride film 17 (F), and a third gate oxide film is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクにしてシリコン窒化膜１７を除去した後、レジストパターン１９を除去し、シリコン窒化膜１７をマクスにしてゲート酸化膜１１を除去し（Ｆ）、熱酸化処理により第３ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a device and a method for exposure, a program and a method for ensuring mask position precision by which the precision of the position of an exposure pattern is improved by correction by grasping the pattern position of a mask in a posture in exposure precisely.例文帳に追加

露光時の姿勢におけるマスクのパターン位置を正確に把握して、補正により露光パターンの位置精度を向上させることができる露光装置、露光方法、プログラム、およびマスク位置精度保証方法を提供する。 - 特許庁

In the method, stepping opening parts are formed in a mask along the position corresponding to a thin film circuit pattern, and a desired full circuit pattern including continuous circuit patterns is formed by moving a mask or a substrate when depositing a thin film.例文帳に追加

薄膜回路パターンに対応した位置に沿って、マスクに飛び石状の飛びの開口部を形成し、薄膜成膜時にマスクあるいは基板を移動させて連続した回路パターンを含む所望の全回路パターンを形成する方法である。 - 特許庁

A first step (a step 32) is to apply a shield to the vertical edge of a target pattern by using a model base OPC (Optical Proximity Correction) in order to delineate the lateral mask and to apply a shield to the lateral edge of the target pattern in order to delineate the vertical mask.例文帳に追加

第１ステップ（ステップ３２）は、横のマスクを画定するために、モデルベースＯＰＣを用いてターゲット・パターンの縦のエッジにシールドを施すこと、ならびに縦のマスクを画定するためにターゲット・パターンの横のエッジにシールドを施す。 - 特許庁

To provide a parallel line pattern mask in which the variation of width of stripe, that is, parallel pitch of monofilament is extremely small and the parallel pitch is highly accurately retained, in the parallel line pattern mask having a fine pitch using monofilament fibers.例文帳に追加

単繊維の糸を使用した微細なピッチを有する平行線型マスクにおいて、ストライプの幅、すなわち、単繊維糸の平行ピッチのバラツキが極めて少なく平行ピッチが高精度に保持された平行線型マスクを提供する。 - 特許庁

To provide an exposure method by which a mask pattern can be formed with high resolution on the objective surface in a mirror surface state to be processed and automatic inspection of the mask pattern with high accuracy is made possible, and to provide a method for manufacturing a transfer molding die.例文帳に追加

鏡面状態にある被加工面に対し高い解像度でマスクパターンを形成でき、自動かつ高精度なマスクパターン検査を可能とする露光方法及び転写成形用型の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The kind of OPC process used for a mask can be checked on the mask by generating an OPC process rule checking pattern 601, without inspecting a wiring pattern corrected by OPC.例文帳に追加

ＯＰＣ処理規則確認パターン６０１を発生させることで、このマスクに用いられているＯＰＣはどのような処理を行っているかを、ＯＰＣ補正された配線パターンを調査することなくマスク上で確認することができる。 - 特許庁

The exposure method for illuminating a mask M1 with illumination light and exposing the substrate P using the mask pattern of the mask M1 includes scanning the substrate P relative to the mask M1 in a scanning direction which is an in-plane direction of the substrate P, and exposing the substrate P during relative scanning.例文帳に追加

照明光でマスクＭ１を照明し、マスクＭ１のマスクパターンを用いて基板Ｐを露光する露光方法は、基板Ｐを、マスクＭ１に対して基板Ｐの面内方向である走査方向に相対走査させること、相対走査中に基板Ｐを露光することを含む。 - 特許庁

The mask is equipped with an upper mask 7 as a thin plate-like mask body, in which a slit or an opening is formed in accordance with the electrically conductive pattern, and also equipped with projected lines 8a-8d which are installed at least on one side of the upper mask 7 and in the area where the slit or the opening is formed.例文帳に追加

導電パターンに応じたスリットまたは開口が形成されている薄板状マスク本体としての上マスク７と、上マスク７の少なくとも片面に設けられており、スリットまたは開口が形成されてい領域に突条８ａ〜８ｄとを備える、導電パターン形成用マスク。 - 特許庁

In the aligner having a movable stage in holding the mask substrate to expose a pattern formed on the mask substrate on a photosensitive substrate by a projection optical system, the stage holds the mask substrate through an elastic member being elastically deformable according to deformation of the mask substrate.例文帳に追加

マスク基板を保持して移動可能なステージを備え、前記マスク基板に形成されたパターンを投影光学系によって感応基板上に露光する露光装置において、そのステージは、マスク基板をそのマスク基板の変形に応じて弾性変形可能な弾性部材を介して保持するようにした。 - 特許庁

To provide an inspection method of a gray tone mask by which performance evaluation and defect inspection of a gray tone mask can be preferably carried out, to provide a method for manufacturing a gray tone mask for manufacturing a liquid crystal device by using the inspection method of a gray tone mask, and to provide a pattern transfer method.例文帳に追加

グレートーンマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができるグレートーンマスクの検査方法を提供し、また、このグレートーンマスクの検査方法を用いた液晶装置製造用グレートーンマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of arranging a mask 1 and a glass substrate 12 in opposed relationship through a gap and transmitting monochromatic light through the glass substrate 12 to irradiate the mask 1 with it, and a step of discriminating the quality of the mask 1 on the basis of the interference fringe pattern formed between the mask 1 and the glass substrate 12.例文帳に追加

マスク１とガラス基板１２とを間隙を介して対向配置し、ガラス基板１２を透過させてマスク１に単色光を照射する工程と、マスク１とガラス基板１２との間に形成された干渉縞パターンに基づいてマスク１の良否を判別する工程とを備える。 - 特許庁

In the film-forming device in which a film-forming treatment is carried out on the substrate using the mask 2 for film forming, the mask for film forming 2 is arranged on the upper face, and the mask frame 1 in which an aperture part 1b that faces a masking pattern 2a part formed at the mask for film forming is formed, is provided.例文帳に追加

成膜用マスク２を用いて基板への成膜処理を行なう成膜装置において、前記成膜用マスク２が上面に配置されると共に、前記成膜用マスクに形成されたマスクパターン２ａ部分を臨む開口部１ｂが形成されたマスクフレーム１を備えている。 - 特許庁

The the condenser lens 7 irradiates a part of a mask held by a mask holder 8 so as to generate the infinite image of the wiring pattern of the mask at the position of an aperture diaphragm 9 in a projection optical system 9, that is, the position of the aperture diaphragm 91 of the projection optical system 9 functions as a Fourier transformation plane of the mask.例文帳に追加

コンデンサレンズ７は、投影光学系９の開口絞９１の位置に、マスクの配線パターンの無限遠像が生じるように、すなわち、投影光学系９の開口絞９１の位置がマスクのフーリエ変換面となるように、マスクホルダ８によって保持されたマスクの一部を照射する。 - 特許庁

To provide a mask which can mask an upsized region to be film-formed and economically maintain a high quality of a formed film; a method for manufacturing the mask; a method for forming a thin-film pattern; and a method for manufacturing an electro-optic device.例文帳に追加

被成膜領域の大型化に対応することができ、しかも高い品質を経済的に維持することが可能なマスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法および電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of complementarily dividing a mask used for an electron beam projection exposure, which is capable of dividing the mask quickly and reliably by introducing a simple procedure even when the mask has a very complicated pattern as an object of division.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクの相補分割処理において、その分割対象となるパターン形状が非常に複雑な場合であっても、簡潔な手順を導入することにより、迅速かつ信頼性の高い処理を実現する。 - 特許庁

To suppress the deterioration of electrical characteristics such as an increase of wiring resistance caused by the relative displacement of a mask and the lowering of wiring reliability without using a mask having a mask pattern one end of which is broadened, in connecting exposure.例文帳に追加

繋ぎ露光において、マスクパターンの一端部を幅広に形成したマスクを使用しなくても、マスクの相対的な位置ずれに伴う配線抵抗の増大や配線信頼性の低下などの電気的な特性劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for stripping a mask resist by a plasma asher, by which a resist on a surface and an end face of a mask can be stripped and cleaned without giving damages to a chromium pattern on the mask surface.例文帳に追加

本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄することができるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a mask blank housing case that has both of visibility for checking inside the case and light shielding property suitable for a mask blank having a resist film formed thereon and can maintain stable resist performance for forming a desired mask pattern.例文帳に追加

ケース内部が確認できる視認性と、特にレジスト膜を形成したマスクブランクに好適な遮光性とを兼ね備え、所望のマスクパターンを形成するための安定したレジスト性能を維持できるマスクブランク収納ケースを提供する。 - 特許庁

On forming a pattern, the film to be processed is formed on a substrate, a first mask is formed on the film by lithography using the first photomask, and then a second mask is formed on the film by lithography using the second mask.例文帳に追加

パターン形成の際には、基板に、被加工膜を形成した後、被加工膜上に、第１のフォトマスクを用いたリソグラフィにより、第１のマスクをし、前記被加工膜に、第２のフォトマスクを用いたリソグラフィにより、第２のマスクを形成する。 - 特許庁

The shadow mask 100 on which a fluorescent pattern 103 is formed by patterning a fluorescent coating material prepared by incorporating fluorescent agent or luminous agent is produced on the side of a large hole opening mask 16a of the shadow mask.例文帳に追加

シャドウマスクの大孔開口マスク１６ａ側の大孔開口マスク１６ａ側に蛍光剤或いは蓄光剤を調合した蛍光体塗料をパターニング処理して蛍光体パターン１０３が形成されたシャドウマスク１００を作製する。 - 特許庁

The frequency adjusting apparatus is provided with a shutter 14 in which ion beams B are applied to a wafer 10 through a mask hole 15a of a pattern mask 15 and ion beam irradiation time of a target element is adjusted by selectively opening/closing the predetermined mask hole.例文帳に追加

パターンマスク１５のマスク穴１５ａを介してウエハ１０に対してイオンビームＢを照射すると共に、所定のマスク穴を選択的に開閉し、ねらいの素子のイオンビーム照射時間を調整するシャッタ１４を設ける。 - 特許庁

The auxiliary mask 22 overlaps an area other than the holes H correspondingly to the pattern to be transferred out of the main mask, and shields the area, and has a strip-like plate shape for shielding the holes H of the main mask 21 by two rows.例文帳に追加

補助マスク２２は、主マスクのうち転写対象のパターンに対応する穴Ｈ以外の領域に重ね合わせられ、これを遮蔽するものであり、主マスク２１の穴Ｈを２列分だけ遮蔽する短冊型の板状をしている。 - 特許庁

An etching rate difference caused by etching mask micro effect between the narrow contact hole pattern 25 and the wide trench pattern 26 is canceled out, by the difference of thickness between the coating layer 27 on the bottom of the narrow contact hole pattern 25 and the coating layer 27 on the bottom of the wide trench pattern 26.例文帳に追加

トレンチの幅の比により被覆層の達成できる階段被覆性が制限され、ホトレジストに対しては開口の幅により制限されるため、狭い開口底部の被覆層の厚さは広い開口底部の被覆層の厚さより小さくなる。 - 特許庁

The gate pattern of the dimension shift quantity larger than the prescribed value is extracted and parallel auxiliary patterns are formed in a parallel auxiliary pattern forming section 607 in accordance with the dimension shift quantity to this gate pattern, by which the mask data 610 of the gate wiring pattern is formed.例文帳に追加

寸法シフト量が所定の値よりも大きいゲートパタンを抽出し、そのゲートパタンに対し寸法シフト量に基づいて平行補助パタン作成部６０７で平行な補助パタンを作成し、ゲート配線パタンのマスクデータ６１０を作成する。 - 特許庁

The reflection type mask (R) having a pattern domain (Ra) in which a reflection pattern is formed includes additionally a non-pattern domain (Rb) for reflecting or scattering incident light in a direction different from the reflecting direction of the pattern domain (Ra).例文帳に追加

反射パターンが設けられたパターン領域（Ｒａ）を有する反射型マスク（Ｒ）であって、入射した光をパターン領域（Ｒａ）が反射する反射方向とは異なる方向に反射又は散乱させる非パターン領域（Ｒｂ）を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a patterned magnetic recording medium which has a good pattern shape using a thin etching mask, and can efficiently deactivate the magnetism of a pattern recess while suppressing magnetic deterioration of a pattern projection with less pattern irregularity.例文帳に追加

薄いエッチングマスク厚での加工ながらも加工後のパターン形状がよく、少ないパターン凹凸でパターン凸部の磁性劣化を抑えつつ、効率的にパターン凹部の磁性を失活させることが可能なパターンド磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

When an oxide film pattern is used as an etching mask to form a metal film pattern, the oxide film pattern is formed and then, the cleaning liquid is used to remove the etching by-product layers around the oxide film pattern before dry-etching the metal film.例文帳に追加

金属膜パターンを形成するために、酸化膜パターンをエッチングマスクとして利用する場合には、酸化膜パターンを形成した後、金属膜を乾式エッチングする前に該洗浄液を使用して酸化膜パターン周囲のエッチング副産物層を除去できる。 - 特許庁

The fine pattern with a pitch a half of that of the lithography is formed by forming a resist pattern using a lithography technology (a), making small the line width of the resist pattern using a sliming technology (b), forming a new mask pattern in a space widen by sliming by anisotropic etching under a low pressure environment (c), and carrying out etching of the under layer film using the mask pattern (d).例文帳に追加

リソグラフィ技術によりレジストパターン７を形成し（ａ）、スリミング技術によりレジストパターン７のライン幅を細くし（ｂ）、低圧環境下で異方性エッチング処理を行うことによってスリミングにより広くなったスペースに新たなマスクパターンを形成し（ｃ）、そのマスクパターンを利用して下層の膜のエッチングを行って（ｄ）、リソグラフィパターンの１／２倍のピッチの微細パターンを形成する。 - 特許庁

The TMR element manufacturing method is provided with: a resist pattern formation process for forming a resist pattern on a generated TMR film; a first ion milling process for performing the ion milling using the resist pattern as a mask; a slimming process for slimming the resist pattern; and a second ion milling process for performing the ion milling of the TMR film again using the slimmed resist pattern as the mask.例文帳に追加

本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 - 特許庁

A resist pattern 5 is formed on the interlayer insulation film 2 by photoengraving, and a substrate is etched while the resist pattern 5 is used as a mask, so as to form a trench 6 connected with the via hole 3.例文帳に追加

層間絶縁膜２上に写真製版によりレジストパターン５を形成し、レジストパターン５をマスクとしたエッチングによりビアホール３に接続するトレンチ６を形成する。 - 特許庁

A coating film of the resist compsn. is disposed on a substrate with a disposed thin film, exposed through a mask pattern, heated and developed to form the objective resist pattern.例文帳に追加

また、薄膜を設けた基板上に、この組成物の塗膜を設け、マスクパターンを介して該塗膜を露光したのち加熱し、次いで現像処理して、レジストパターンを形成する。 - 特許庁