「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of making high-precision position corrections of imaging data of a mask pattern in an easy method, and to provide a high-reliability pattern defect inspecting method.例文帳に追加

マスクパターンの撮像データに対して簡便な方法により、高精度の位置補正を行う方法を実現し、高信頼性のパターン欠陥検査方法を実現する。 - 特許庁

A segment where a gate wiring pattern and an activation region overlap on each other is extracted as a gate pattern from the input mask design data 601 in a gate region extraction section 603.例文帳に追加

入力されたマスク設計データ６０１からゲート配線パタンと活性化領域とが重なり合う部分をゲート領域抽出部６０３でゲートパタンとして抽出する。 - 特許庁

The pattern dry film layer is used as an electroplate mask so that a circuit layer 140 on the part of the seed layer 120, exposed by the pattern dry film layer, is electroplated.例文帳に追加

パターンドライフィルム層により露出されたシード層１２０の一部上の回路層１４０が電気メッキされるように、パターンドライフィルム層が電気メッキマスクとして使用される。 - 特許庁

The plurality of stripes which are set are scanned S with the beam one after another to draw the mask pattern in the pattern drawing area.例文帳に追加

そして、その設定した複数のストライプのそれぞれへ、順次、ビームを走査するスキャンＳを複数実施することによって、パターン描画領域にマスクパターンを描画する。 - 特許庁

Then, after a protection film spacer 32a is formed on both side walls of the inter-layer dielectric film pattern and the mask pattern, a conductive film for a pad 34 is formed to bury the contact hole.例文帳に追加

以後、層間絶縁膜パターン及びマスクパターンの両側壁に保護膜スペーサ３２ａを形成した後、コンタクトホールに埋め込むようにパッド用導電膜３４を形成する。 - 特許庁

Based on the pattern position of the mask in the posture in exposure the position of an exposure pattern to which an object to be exposed is exposed to is corrected and exposure is performed (steps ST 6 and ST7).例文帳に追加

露光時の姿勢におけるマスクのパターン位置に基づいて、被露光体に露光される露光パターンの位置を補正して露光を行う（ステップＳＴ６、ＳＴ７）。 - 特許庁

To provide a semiconductor mask layout pattern correction/verification device capable of verifying/correcting a pattern by a margin value different from a normal design reference value in the open end part of wiring.例文帳に追加

配線の開放端部においては、通常の設計基準値とは別個の余裕値でパターンの検証・補正が行える半導体マスクレイアウトパターン補正・検証装置を得る。 - 特許庁

The photomask 29 is disposed leaving a proximity gap with respect to the belt-like work 11, and a mask pattern 33 is transferred by exposure as a periodical pattern onto the belt-like work 11.例文帳に追加

フォトマスク２９は、帯状ワーク１１に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、マスクパターン３３が周期的なパターンとして帯状ワーク１１に露光される。 - 特許庁

To provide a method for creating a mask by which the difference in pattern dimensions between local regions in a device pattern forming region is reduced and dimensional accuracy is enhanced.例文帳に追加

デバイスパターンの形成領域内における局所的な領域間でのパターンの寸法差を低減させて、寸法精度の向上を図り得るマスクの作成方法を提供する。 - 特許庁

The film thickness of the ultra-thin film 2 is set to a minimum thickness necessary to form the phase shift pattern in the quartz substrate 1, by using the ultra-thin film pattern 2P as the mask.例文帳に追加

極薄膜２の膜厚は、極薄膜パターン２Ｐをマスクにして石英基板１に位相シフトパターンを形成するために必要最小限の厚さに設定する。 - 特許庁

Then, an insulation film 39 is grown on the mask 35a, a pattern-formed group III nitride lift-off layer 31a, and a pattern-formed group III nitride semiconductor region 33c.例文帳に追加

次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。 - 特許庁

A second amorphous silicon film 6 is formed and processed by spacer processing to form a side wall film 6a, and the core material pattern 5b is removed to obtain an independent mask pattern 6b.例文帳に追加

第２のアモルファスシリコン膜６を形成してスペーサ処理をすることで側壁膜６ａを形成し、芯材パターン５ｂを除去して孤立したマスクパターン６ｂを得る。 - 特許庁

After that, the first gate insulating pattern 115 is exposed by removing the mask pattern, and second gate insulating films 200 and 205 are formed on the entire surface of the resultant object.例文帳に追加

以後、マスクパターンを除去することによって、第１ゲート絶縁膜パターン１１５を露出させ、その結果物の全面に第２ゲート絶縁膜２００、２０５を形成する。 - 特許庁

The mask sheet 2 has an opening pattern forming region 2A to which an opening pattern is formed corresponding to a film-forming region of a film-formed target, and is formed of a magnetic body.例文帳に追加

マスクシート２は、被成膜対象の成膜領域に対応した開口パターンが形成された開口パターン形成領域２Ａを有し、磁性体で形成されている。 - 特許庁

After hardening the resist, the substrate is dry-etched with a TCP dry etching device using the resulting resist pattern as a mask to transfer the resist pattern to the substrate and to obtain the objective MLA.例文帳に追加

レジストのハードニングを行なった後、レジストパターンをマスクとしてＴＣＰドライエッチング装置にて基板をドライエッチングしてレジストパターンを基板に転写し、ＭＬＡを得た。 - 特許庁

A mask shown in (b) is formed with a pattern transmitting the maximum quantity of light in the boundary portion, and is formed with a pattern not transmitting light in the other portion.例文帳に追加

（ｂ）に示されたマスクは、境界部分には、光を最大量透過させるパターンが、その他の部分には光を透過させないパターンが形成されたマスクである。 - 特許庁

To provide a patterning method by which retrogression of a desired pattern is suppressed at etching of an unnecessary pattern in patterning method using a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いたパターン形成において、不要パターンをエッチングする際に所望パターンの後退を抑制することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

With this structure, even if a design pattern has a large area (for example, larger pattern than a size of the membrane), the complementary division patterns can be arranged in the membrane group of the stencil mask.例文帳に追加

これにより、設計パターンが大面積（例えば、メンブレンのサイズより大きいパターン）であっても、相補分割パターンをステンシルマスクのメンブレン群に配置することが出来る。 - 特許庁

To monitor the differences in pattern lengths occurring in differences in drawing grids relating to a photographic plate making mask having monitor marks for monitoring pattern dimensions.例文帳に追加

パターン寸法をモニタするためのモニタマークを備える写真製版用マスクに関し、描画グリッドの違いに起因するパターン長の差のモニタを可能とすることを目的とする。 - 特許庁

The pattern film deposition is performed by the Physical Vapor Deposition (PVD) method by using a mask M having a plurality of wires arrayed at the spacing corresponding to the width of the line-like pattern.例文帳に追加

ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤを有するマスクＭを用いて、物理気相成長（ＰＶＤ）法によりパターン成膜を行う。 - 特許庁

In a step 31, a function of blurring due to a photomask and an exposure optical system is obtained, and in a step 32, an original pattern is subjected to reverse convolution with the function of blurring to obtain a mask pattern.例文帳に追加

ステップ３１でフォトマスクや露光光学系に起因するぼけ関数を求め、ステップ３２で、オリジナルパターンをぼけ関数で逆コンボリューションし、マスクパターンを求める。 - 特許庁

The axial line of the cylindrical face is tilted with respect to the pattern face in such a manner that the imaging region is formed on the substrate along a plane approximately parallel to the pattern face of the mask.例文帳に追加

円筒面の軸線は、結像領域が基板上においてマスクのパターン面とほぼ平行な面に沿って形成されるようにパターン面に対して傾けられている。 - 特許庁

A resist pattern 13 is formed on the low dielectric constant film 11, and an opening 14 is formed in the low dielectric constant film 11 of the pad A using the resist pattern 13 as a mask.例文帳に追加

低誘電率膜１１上にレジストパターン１３を形成し、このレジストパターン１３をマスクとしてパッド部Ａの低誘電率膜１１内に開口１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold for imprinting which can smoothly proceed dry etching to a hard mask layer and forms a fine pattern with high pattern accuracy.例文帳に追加

ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The resist layer is developed, a resist pattern is formed on the surface of the substrate, etching treatment using the resist pattern as a mask is performed, and, thereby, a rugged structure is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

レジスト層を現像して、基板の表面にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことで、基板の表面に凹凸構造を形成する。 - 特許庁

To provide a high sensitivity chemically amplified positive resist composition capable of efficiently forming an ultrafine resist pattern faithful to a mask pattern and having a good section shape.例文帳に追加

マスクパターンに忠実で、断面形状の良好な超微細なレジストパターンを効率よく形成させることができる高感度化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

After that, the resist 5 and the film 4 are removed, and a mask pattern which is the film 6 having the pattern shape is formed on the conductor film 3.例文帳に追加

その後、レジスト５及び有機反射防止膜４を除去することにより、導体膜３上に上記パターン形状の塗布系絶縁膜６であるマスクパターンが形成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the fine pattern of the semiconductor device using a double exposure patterning process capable of forming a secondary photoresist pattern by simple exposure without using an exposure mask is disclosed.例文帳に追加

露光マスクなしに単純露光により２次フォトレジストパターンを形成可能な二重露光パターニング工程を用いた半導体素子の微細パターン形成方法が開示される。 - 特許庁

A resist pattern 148 having continuous chevron figures is formed by superposing images of the light diffracted by the mask pattern onto the resist in an appropriate process.例文帳に追加

このマスクパターンを回折した光がレジスト上で再結像する際、これらをプロセス的に重ねることで連続したシュブロン形状を有するレジストパターン１４８を形成する。 - 特許庁

In the formation of the mask pattern, a coating composition including the proton donor polymer, proton acceptor polymer, and a base is prepared to form the gel layer on the resist pattern.例文帳に追加

マスクパターンの形成において、レジストパターン上にゲル層を形成するために、陽子供与ポリマー、陽子受容ポリマー、及び塩基を含むコーティング組成物を準備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing photomask blanks providing a favorable mask pattern accuracy and pattern transfer accuracy by having a favorable flatness in patterning a light-shielding film.例文帳に追加

遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

If a second pattern (110) is formed by using an SOG film, a hard mask pattern (111) having a pitch of 30 nm can be formed by using ASML1400 ArF DRY equipment that has, for example, a resolution ability of 60 nm.例文帳に追加

SOG膜による第２パターン(110)を形成すれば、例えば、60nmの解像能力を有するASML1400 ArF DRY装備を用いて30nmのピッチを有するハードマスクパターン(111)を形成できる。 - 特許庁

The dummy patterns 2 are arranged in such a manner that at least one dummy pattern is present in the objective range of scanning by a mask pattern defect detecting device.例文帳に追加

ダミーパターン２は、パターン点在領域２２内では、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲内に少なくとも１個が存在するようにして配置されている。 - 特許庁

To provide a method for exposure by which a rectangular pattern or a pattern including acute angles can be transferred so that corners may not become round, and to provide a mask and a method of manufacturing semiconductor device.例文帳に追加

矩形パターンや鋭角を含むパターンを角が丸くならないように転写できる露光方法、マスクおよび半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask pattern formation method by which the dimensional accuracy of the pattern of a photomask is enhanced and a photomask having no harmful effect on a wafer step and easy to put to practical use can be manufactured.例文帳に追加

フォトマスクのパタン寸法精度を向上させ、さらにウエハ工程への悪影響がなく、実用が容易であるフォトマスクを作製できるマスクパタン形成方法を提供 - 特許庁

A contact part which comes into contact with the mask pattern (7', 8') from among the film (6) is not exposed, when the pattern is removed, and the contact part is hard to oxidize.例文帳に追加

磁性体膜（６）のうちマスクパターン（７’、８’）と接触する接触部分は、レジストパターンの除去の際に露出されず、従って、その接触部分は酸化されにくい。 - 特許庁

The selected process model is used to perform optical proximity effect correction for the mask pattern for exposure.例文帳に追加

そして、選択したプロセスモデルを用いて、露光用マスクのマスクパターンに対する光近接効果補正を行うようにする。 - 特許庁

An electronic control mask element is made to further cooperate to form a flashing, moving or dynamic light distribution pattern.例文帳に追加

フラッシュする、移動するまたは動的な光分配パターンを形成するため電子制御マスク素子を更に協働せしめる。 - 特許庁

Consequently, a conductor pattern can be printed while applying a screen mask 30 tightly to the entire surface of the ceramic green sheet 21.例文帳に追加

このため、セラミックグリーンシート２１の表面全体にスクリーンマスク３０を密着させて導体パターンを印刷できる。 - 特許庁

To provide a method and a device for cleaning a mask for exposure by which a desired wiring pattern can be formed.例文帳に追加

所望の配線パターンを形成できる露光用マスクの清掃方法および露光用マスクの清掃装置を提案する。 - 特許庁

To easily determine a pattern for an arbitrary shape which is not rotationally symmetric without causing an increase in mask data amount.例文帳に追加

回転対称でない任意の形状に対して、マスクデータ量の増大を引き起こすことなく、容易にパターンを決定する。 - 特許庁

To provide an exposure method and an exposure device that can suppress uneven exposure upon carrying out division exposure with a mask pattern.例文帳に追加

マスクのパターンを分割露光する際に、露光ムラを抑えることができる露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

For an exposure mask 30 for exposing the resist, one with such a pattern as to have curved portions 30f in corners 30e is used.例文帳に追加

このとき、レジストを露光する露光マスク３０には、パターンの角部３０ｅが曲部３０ｆを有するものを用いる。 - 特許庁

To provide a method for designing a gray scale mask to be used for forming a desired pattern on a substrate with high accuracy.例文帳に追加

所望のパターンを基板上に精度よく形成するために使用されるグレースケールマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition, forming a pattern having excellent shape, focus margin (DOF) and mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れた形状、ＤＯＦ及びＭＥＦを有するパターンを形成するレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁